JP2006135251A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. レーザ光源と、
   シリコン基板上に相変化膜が設けられた段階の相変化メモリのプロセス基板を保持する基板支持部と、
   前記レーザ光源から出射したレーザ光を前記基板支持部に保持されたシリコン基板上の相変化膜に収束して照射するレーザヘッドとを備え、
   レーザ照射によって前記相変化膜を初期結晶化することを特徴とするレーザ初期結晶化装置。
2. 請求項１記載のレーザ初期結晶化装置において、前記レーザヘッドから前記基板支持部に保持されたプロセス基板に照射されるレーザ光は、スポット面積が１０^-6ｃｍ²以上１０^-3ｃｍ²以下であり、プロセス基板上の各位置に対するレーザ照射時間が０．１μｓ以上１ｍｓ以下となるように前記基板支持部と前記レーザヘッドを相対的に駆動することを特徴とするレーザ初期結晶化装置。
3. 請求項２記載のレーザ初期結晶化装置において、前記基板支持部に保持されたプロセス基板上でレーザスポットの形状が変化しないようにするオートフォーカス機構を有することを特徴とするレーザ初期結晶化装置。
4. 請求項１記載のレーザ初期結晶化装置において、前記基板支持部はプロセス基板を着脱するウェハ操作機構の爪を差し込むことができる基板受け部を有することを特徴とするレーザ初期結晶化装置。
5. 請求項１記載のレーザ初期結晶化装置において、透明窓を有する真空室を有する成膜装置を備え、前記基板支持部は前記真空室内に設けられ、前記レーザヘッドは前記真空室外に設けられていることを特徴とするレーザ初期結晶化装置。
6. レーザ光源と、
   シリコン基板上に相変化膜が設けられた段階の相変化メモリのプロセス基板を保持する基板支持部と、
   前記レーザ光源から出射したレーザ光を前記基板支持部に保持されたプロセス基板上の相変化膜に収束して照射するレーザヘッドと、
   前記基板支持部と前記レーザヘッドを相対的に駆動する相対駆動手段とを備え、
   レーザ照射によって前記相変化膜を初期結晶化することを特徴とするレーザ初期結晶化装置。
7. 請求項６記載のレーザ初期結晶化装置において、前記相対駆動手段は前記基板支持部を一方向に駆動する手段と前記レーザヘッドを前記基板支持部の駆動方向に交差する方向に往復駆動する手段を有することを特徴とするレーザ初期結晶化装置。
8. 請求項６記載のレーザ初期結晶化装置において、前記相対駆動手段は前記基板支持部を回転駆動する手段と前記レーザヘッドを前記基板支持部の回転中心の方向に駆動する手段を有することを特徴とするレーザ初期結晶化装置。
9. 請求項８記載のレーザ初期結晶化装置において、前記基板支持部に保持されたプロセス基板の中心からの距離により同心円状にレーザ光の照射条件を変えることを特徴とするレーザ初期結晶化装置。
10. レーザ光源と、
    シリコン基板上に相変化膜が設けられた段階の相変化メモリのプロセス基板を保持する基板支持部と、
    前記レーザ光源から出射したレーザ光を前記基板支持部に保持されたプロセス基板上の相変化膜に収束して照射するレーザヘッドと、
    前記基板支持部と前記レーザヘッドを相対的に駆動する相対駆動手段と、
    前記基板支持部に対して前記レーザヘッドと反対側に、プロセス基板のレーザ光照射位置の裏面に照準した赤外光センサと、
    前記赤外光センサの出力に基づいて前記レーザ光源の出力、レーザパルス周波数、レーザパルスデューティ及び／又は前記相対駆動手段による前記基板支持部又は前記レーザヘッドの駆動速度を制御する制御部とを備え、
    レーザ照射によって前記相変化膜を初期結晶化することを特徴とするレーザ初期結晶化装置。