JP2006133179A

JP2006133179A - テストフィクスチャ

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Publication number: JP2006133179A
Application number: JP2004325272A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Hayakawa; 聡早川
Original assignee: Anritsu Corp
Current assignee: Anritsu Corp
Priority date: 2004-11-09
Filing date: 2004-11-09
Publication date: 2006-05-25

Abstract

【課題】リードと導体パターンとを正しく接触させて電子デバイスを安定して測定でき、全数評価を可能として開発期間短縮、歩留まりの向上によるコスト低減を図る。
【解決手段】一端面１４ａから複数のリードＲ（Ｒ１〜Ｒ５）を導出させた電子デバイス１４を押圧面１１を有した本体２と、本体２の押圧面１１に対面する押圧面１３を有した蓋体３とで挟持して電子デバイス１４の電気特性を測定するテストフィクスチャ１であって、リードＲの間に挿入され押圧面１１，１３に平行に挟まれるスペーサ板４と、本体２とスペーサ板４との間及び蓋体３とスペーサ板４との間に設けられ、リードＲの先端部と接触する導体パターンＰが形成されるとともにリードＲの先端部以外の部分における特性インピーダンスが所定値となるように整合された基板部５，６とを備える。
【選択図】図５

Description

本発明は、複数のリードを導出させた電子デバイスの電気特性を測定するために導体を各リードに接触させた状態で、電子デバイスを保持するテストフィクスチャに関する。

電子デバイスの電気特性を測定するには、電子デバイスに測定用信号を与える信号発生部と、電子デバイスから出力された信号を測定する信号処理部とを、電子デバイスの外部端子であるリードに安定した状態で接触させなければならない。このため、電子デバイスを所定位置に保持するとともに、信号発生部や信号処理部に接続された測定用基板の導体（導体パターン）を電子デバイスのリードに押し付けて導通させるためのテストフィクスチャ（検査治具）が用いられる。

例えば、下記特許文献１に開示されるように、複数本のリードが配設された電子デバイスの場合、図１０（ａ）に示すように、絶縁性のデバイス支持体１０２の上に電子デバイス１００を載せ、デバイス支持体１０２の一対の側面に各々形成された複数の溝１０３に２列各複数本のリード１０１を保持させる。そして、電子デバイス１００のリード１０１と測定用基板１０４，１０４の導体パターン１０５が平行となるように２枚の測定用基板１０４，１０４をリード１０１の外側に配置し、２つのブロック１０６，１０６を測定用基板１０４，１０４の外側にそれぞれ移動可能に配置して、このブロック１０６，１０６で測定用基板１０４，１０４の導体パターン１０５をリード１０１に押し付けて導通を図っていた。
特開２００４−１９８３０３号公報

しかしながら、図１０（ａ）に示すような比較的短いリード１０１であれば、デバイス支持体１０２に設けられた溝１０３により曲がったリードを矯正し、リード１０１の長手方向にわたって全てを測定用基板１０４の導体パターン１０５に接触させることができる。ところが、図１０（ｂ）に示すように、電子デバイス２００から細長い棒状のリード２０１が複数本並んで突出する構造では、上方からリード２０１の全長を押圧したとしても、リード２０１が変形していれば導体パターン２０２と十分に接触しない。このような不十分な接触状態では、リード２０１の所望周波数帯域における挿入損失（電気信号の減衰量）に乱れが生じ、電子デバイス２００の測定が安定せず、また、正確さを欠くこととなり、開発期間短縮の障害となっていた。

そこで本発明は、上記状況に鑑みてなされたもので、リードが変形していても導体パターンと正しく接触させ、電子デバイスの電気特性を安定して正確に測定できるテストフィクスチャを提供し、もって、全数評価により、開発期間の短縮、歩留まりの向上によりコストの低減を図ることを目的とする。

次に、上記の課題を解決するための手段を、実施の形態に対応する図面を参照して説明する。
本発明の請求項１記載のテストフィクスチャは、一端面１４ａから複数のリードＲを導出させた電子デバイス１４の電気特性を測定するテストフィクスチャ１であって、
前記リードＲの間に挿入されるスペーサ板４と、
前記スペーサ板４を挟むように設けられ、前記リードＲの先端部と接触する導体パターンＰが形成されるとともに前記リードＲの先端部以外の部分における特性インピーダンスが所定値となるように整合された基板部５，６と、
を具備することを特徴とする。

請求項２記載のテストフィクスチャは、一端面１４ａから複数のリードＲを導出させた電子デバイス１４を押圧面１１を有した本体２と該本体２に取り付けられ前記押圧面１１に対面する押圧面１３を有した蓋体３とで挟持して前記電子デバイス１４の電気特性を測定するテストフィクスチャ１であって、
前記リードＲの間に挿入され前記本体２と前記蓋体３との間で前記押圧面１１，１３に平行に挟まれるスペーサ板４と、
前記本体２と前記スペーサ板４との間及び前記蓋体３と前記スペーサ板４との間に設けられ、前記リードＲの先端部と接触する導体パターンＰが形成されるとともに前記リードＲの先端部以外の部分における特性インピーダンスが所定値となるように整合された基板部５，６と、
を具備することを特徴とする。

このような構成によれば、伝送線路の機能が場所によって別れ、リードＲの先端部は安定した導通を得るような構成となるとともにリードＲの先端部以外では導通の要素が無い構成となり、リードＲと導体パターンＰとを導通させたときの不安定要素を除去することができる。

請求項３記載のテストフィクスチャは、前記基板部５，６が、前記導体パターンＰが形成され前記リードＲの先端が接触する第１の基板５ａ，６ａと、前記第１の基板５ａ，６ａと異なる厚さで形成された第２の基板５ｂ，６ｂとで構成された分割構造となっており、前記第１の基板５ａ，６ａに形成された導体パターンＰの前記リードＲとの接触面より該リードＲに対面する前記第２の基板５ｂ，６ｂの表面が該リードＲから遠隔に配置されていることを特徴とする。

このような構成によれば、リードＲに対面する第２の基板５ｂ，６ｂの表面が、第１の基板５ａ，６ａ上に形成された導体パターンＰより一段低くなることからリードＲの先端部と導体パターンＰとは確実に接触する。さらに、第１の基板５ａ，６ａと第２の基板５ｂ，６ｂとが分割構造となっているため、測定対象となる電子デバイス１４に対応して、各基板５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂごとに特性インピーダンスを所定値に整合させる作業が容易にできるようになる。

本発明に係るテストフィクスチャによれば、リードに対応する伝送線路が導体パターンとそれ以外の部分とに別れていることで、伝送線路の機能が場所によって別れることとなり、リードの先端部は安定した導通を得るような構成となるとともにリードの先端部以外では導通の要素が無い構成となり、リードと導体パターンとを導通させたときの不安定要素を除去することができる。つまり、電子デバイスを電気的に安定して測定することができるようになり、この結果、検査工程において電子デバイスの全数評価が可能となり、開発期間を短縮、歩留まりの向上によるコスト低減が可能となる。

また、リードに対面する第２の基板の表面が、第１の基板上に形成された導体パターンより一段低くなることからリードの先端部と導体パターンとは確実に接触する。さらに、第１の基板と第２の基板とが分割構造となっているため、測定対象となる電子デバイスに対応して、各基板ごとに特性インピーダンスを所定値に整合させる作業が容易にできるようになる。

以下、本発明に係るテストフィクスチャの好適な実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明によるテストフィクスチャを示す側面図、図２は同平面図、図３は図１における蓋体を開放した状態を示すＡ−Ａ矢視図、図４は図１における蓋体を開放した状態を示すＢ−Ｂ矢視図、図５はスペーサ板がリード間に挿入された電子デバイスを基板部間に設置する状態を示す斜視図、図６はスペーサ板が挿入された基板部を介して本体と蓋体とに挟まれたリードを示す正面からの一部断面図、図７は図６における右側面からの一部断面図、図８は所望の周波数帯域でのリードの挿入損失を示すグラフである。

本実施の形態によるテストフィクスチャ１は、一端面から複数のリードを略垂直に導出させた電子デバイスの電気特性を測定する目的で、該電子デバイスを保持して導体パターンを各リードに接触させるために用いられる。このテストフィクスチャ１は、主要な構成要素として、本体２と、蓋体３と、スペーサ板４と、基板部５，６と、スリット７と、導電シート８とを備える。

本体２は、両側にハンドル９，９を備えたベース基台１０上に螺着される。本体２の上部には後述する導電シート８が設けられる凹部が形成された第１押圧面１１（図６参照）が形成される。本体２の上部にはヒンジ１２を介して蓋体３が開閉自在に取り付けられる。この蓋体３には第１押圧面１１に対面する第２押圧面１３（図６参照）が形成される。蓋体３は、キャッチクリップ１５によって、所定の閉鎖力で本体２に閉止保持されるようになっている。これにより、本体２と蓋体３との間には所定の押圧力が負荷されることとなる。

本体２と蓋体３との間には、電子デバイスが挟まれる。本実施の形態では、例えば図５に示すレーザダイオード１４が被測定対象として用いられる。ここで、レーザダイオード１４についてさらに説明すれば、レーザダイオード１４の一端面１４ａからは５本のリードＲ（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５）が略垂直に導出され、リードＲ１〜Ｒ５は五角形の各対角に配置される。これらのリードＲは、送信側電源、送信側接地、光モニター、受信側電源、光遮断に対応する。

スペーサ板４は、図５に示すように、リードＲの間に挿入され、各リードＲの直径方向の一部分を挿入する溝Ｍ（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５）がリードＲに沿って両面に形成される。溝Ｍの長さは、リードＲの長さよりもやや長く、レーザダイオード１４を上に載せてリードＲを溝Ｍに沿って挿入すると、リードＲの全長が溝Ｍに沿って保持される。溝Ｍの断面形状はＶ字形であり、その深さと形状は、ここに断面丸形のリードＲを保持させた場合、リードＲの直径方向の一部がスペーサ板４の面から外に突出するように形成されている。但し、溝Ｍの断面形状は必ずしもＶ字形でなくてもよい。

スペーサ板４の両側には溝Ｍに沿った脚部１６，１６が設けられ、脚部１６，１６はスペーサ板４を本体２から着脱する際の摘みとして使用される。

このスペーサ板４には、図６に示すように、位置決め手段である位置決め孔１７，１７が穿設され、位置決め孔１７，１７には本体２に突設された位置決め手段である位置決めピン１８，１８が挿入される。スペーサ板４は、これら位置決め孔１７，１７、位置決めピン１８，１８によって位置決めされて本体２と蓋体３との間で第１押圧面１１、第２押圧面１３に平行に挟まれる。このスペーサ板４の素材には、例えば、テフロン（登録商標）、ＰＰＯ（ポリフェニレン・オキサイド）などが好適に用いられる。

本体２とスペーサ板４との間及び蓋体３とスペーサ板４との間には、図６に示すように、前述した本体側及び蓋体側基板部５，６がそれぞれ設けられる。

まず、本体側基板部５は、図５に示すように、第１の基板５ａと、第２の基板５ｂとで構成された分割構造となっている。第１の基板５ａには、リードＲ（Ｒ１，Ｒ３）に接触する導体パターンＰ（Ｐ１，Ｐ２）が形成されている。この導体パターンＰ１，Ｐ２は、第１の基板５ａの一方端縁に延出され、図示しない電気接触部に接続されて図２，３に示す本体２の側面に設けられた端子２０，２１に導通される。第１の基板５ａの他方端縁には切欠き状のスリット７（７ａ）が設けられる。また、リードＲ１，Ｒ３に対面する第２の基板５ｂの表面には導体パターンは形成されない。さらに、第２の基板５ｂの表面は、第１の基板５ａ上に形成された導体パターンＰ１，Ｐ２よりも一段低く形成されるとともに、リードＲ１，Ｒ３に対応する部分にて特性インピーダンスが所定値（リードの全長にわたって均一となる値）となるように整合される。また、第２の基板５ｂは２枚に分割されており、その間は上述のスリット７ａと略同等幅のスリット７（７ｂ）となる。スリット７ａとスリット７ｂとは、連続した１つのスリットを構成している。

次に、蓋体側基板部６は、図５に示すように、上述した本体側基板部５と同様に第１の基板６ａと第２の基板６ｂとで構成された分割構造となっている。第１の基板６ａには、リードＲ（Ｒ４，Ｒ５）に接触する導体パターンＰ（Ｐ３，Ｐ４）が形成されている。この導体パターンＰ３，Ｐ４は、第１の基板６ａの一方端縁に延出され、図示しない電気接触部に接続されて図２，３に示す本体２の側面に設けられた端子２３，２４に導通される。また、リードＲ３，Ｒ４に対面する第２の基板６ｂの表面には導体パターンは形成されず、第１の基板６ａ上に形成された導体パターンＰ３，Ｐ４よりも一段低く形成されるとともに、リードＲ４，Ｒ５に対応する部分にて特性インピーダンスが所定値（リードの全長にわたって均一となる値）となるように整合される。なお、本実施の形態では、リードＲは５本で構成され、そのうち蓋体側基板部６には平行に並んだ２本が配置されるため、本体側基板部５のようなスリット７（７ａ，７ｂ）は設けられていない。

また、本実施の形態では、リードＲ２に対応して本体側基板部５にスリット７が設けられたが、蓋体側基板部６にスリットが設けられる構成であってもよい。リードＲ２は、例えば、送信側接地（ＧＮＤ）となる。

リードＲは、スペーサ板４が挿入されると、溝Ｍによって全長が保持された状態となり、図７に示すように、リードＲ１，Ｒ５（Ｒ３，Ｒ４）の先端部が本体側基板部５の第１の基板５ａ及び蓋体側基板部６の第１の基板６ａに設けられた導体パターンＰ１，Ｐ４（Ｐ２，Ｐ３）と接触することとなる。

ところで、スリット７（７ａ，７ｂ）の一方の面には３本の溝Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３が形成され、図６に示すように、スリット７（７ａ，７ｂ）に沿って形成された１本の溝Ｍ２が他の２本の溝Ｍ１，Ｍ３より突出して配置されている。

図５，６に示すように、スリット７の設けられた本体側基板部５の第１の基板５ａの端部近傍には、密着手段Ｕとしてのネジ２５が取り付けられ、第１の基板５ａと、これに対面する第１押圧面１１とを密着させる。

また、スリット７（７ａ，７ｂ）の設けられた本体側基板部５の第１の基板５ａと、基板部５に対面する第１押圧面１１との間には前述した導電シート８が設けられる。導電シート８は、ゴムシートの内部に導電材を有し、弾性を有する導電体となっている。本実施の形態では、細い棒状の導電材がシート全面に埋設され、該シートの一方面から他方面にかけて導通させることを可能としている。この導電シート８は、第１の基板５ａと第１押圧面１１との間に配設されることで、蓋体３と本体２とがキャッチクリップ１５で閉止されて本体側基板部５と蓋体側基板部６とをスペーサ板４に向けて押圧することにより溝Ｍ２に進入したリードＲ２に接触するようになっている。

したがって、本実施の形態のように、スペーサ板４の一方（本体側）の面に配置された１本のリードＲ２が他の２本のリードＲ１，Ｒ３から外側へ外れるレーザダイオード１４であっても、当該外側へ外れるリードＲ２が第１の基板５ａのスリット７ａに配置され、導電シート８を介しての接触が可能となっている。

導電シート８は、本体２に設けられた図示しない電気接触部に接続される。ベース基台１０上には本体２に対峙するケーブル支持部２６が立設され、ケーブル支持部２６の上部にはヒンジ２７を介して接触板２８が回転自在に設けられる。接触板２８には光ファイバケーブル２９が保持され、光ファイバケーブル２９は接触板２８がスプリング３０によって付勢されることでレーザダイオード１４と接続される。

テストフィクスチャ１の各端子２０，２１、端子２３，２４は、レーザダイオード１４の電気特性を測定する測定システムに接続される。測定システムは、信号発生部 (パルスパターンジェネレータ) と、信号測定部と、処理部とから構成される。信号発生部は、レーザダイオード１４の機能を測定するために必要な測定用信号を発生し、レーザダイオード１４に出力する。

テストフィクスチャ１に取り付けられたレーザダイオード１４には、信号発生部からの測定用信号が入力され、レーザダイオード１４から出力された信号は外部に出力される。信号測定部は、レーザダイオード１４から出力された信号を測定するための手段で、信号測定部で測定等された信号は、パソコン等の処理部で演算処理されて表示手段で表示される。

次に、本実施の形態によるテストフィクスチャ１の作用を説明する。
測定対象となるレーザダイオード１４をテストフィクスチャ１に保持するには、まず、図３，４に示すように、蓋体３を上げて第１押圧面１１，第２押圧面１３を開放する。この第１押圧面１１，第２押圧面１３には予め本体側基板部５，蓋体側基板部６が取り付けられている。また、本体側基板部５と第１押圧面１１との間には予め導電シート８が挟入されている。導電シート８は、本体側基板部５の第１の基板５ａを第１押圧面１１に密着させることで一部分がスリット７（７ａ）内に膨出している。

次いで、図５に示すように、レーザダイオード１４のリードＲ１，Ｒ２，Ｒ３と、リードＲ４，Ｒ５との間に、リードＲの先端からスペーサ板４をスライドさせて挿入し、各リードＲ（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５）を各溝Ｍ（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５）に配置する。これにより、リードＲは、その基端部側から先端部側までの全長にわたって溝Ｍに沿って保持される。

次いで、レーザダイオード１４を装着したスペーサ板４を、位置決めピン１８，１８に位置決め孔１７，１７を一致させて、本体側基板部５上に載置する。

次いで、蓋体３を本体２へ押圧しながら閉鎖し、キャッチクリップ１５によって本体２側に閉止する。レーザダイオード１４は、リードＲが溝Ｍに保持され、スペーサ板４が位置決めされて本体２と蓋体３との間に押圧力を受けながら保持されることで、各リードＲが本体側，蓋体側基板部５，６の導体パターンＰ１，Ｐ２、導体パターンＰ３，Ｐ４に接触する。

リードＲは、図７に示すように、その先端部が本体側，蓋体側基板部５，６（各第１の基板５ａ，６ａ）の対応する各導体パターンＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）に接触する。また、このとき、溝Ｍに沿って保持されたリードＲは、本体側，蓋体側基板部５，６に押されて溝Ｍに沿って型付けられるので、多少の変形等があっても真直に矯正される。さらに、リードＲ２はスリット７（７ａ，７ｂ）に進入して配置され、本体２と蓋体３とが本体側，蓋体側基板部５，６をスペーサ板４に向けて押圧することによってスリット７ａ内に膨出している導電シート８に接触する。これにより、全てのリードＲが確実に固定され、且つ外部の端子２０，２１、端子２３，２４と電気的に導通された状態となる。

これでレーザダイオード１４の各リードＲは、本体側，蓋体側基板部５，６（各第１の基板５ａ，６ａ）の各導体パターンＰと特性インピーダンスの整合を崩すことなく正しく接触した状態となるので、図８に示すように、所望の周波数帯域（図８では８ＧＨｚの周波数）での挿入損失（電気信号の減衰量）が安定することにより、レーザダイオード１４の電気特性を正確に測定することが可能となる。

具体的には、レーザダイオード１４に高周波信号を入力し、光出力を測定する場合には、信号発生部で周波数、振幅パターンを設定し、テストフィクスチャ１に装着されたレーザダイオード１４に端子２０，２１から高周波信号を入力する。光送受信部から出力した光は、光出力、波長、Ｔｒ、Ｔｆ、ジッタ消光比等の各項目が測定され、パソコン等によりデータが処理され、必要に応じてモニター等に表示等される。

また、電子デバイスとして、レーザダイオード１４の代わりにフォトダイオードが装着され、このフォトダイオードを光入力、高周波信号出力で測定する場合には、レベルの調整された光が光送受信部から入力され、フォトダイオードを保持したテストフィクスチャ１の端子２３，２４から高周波信号が出力され、Ｔｒ、Ｔｆ、ジッタ消光比、ビット誤り率等の各項目が測定され、パソコン等によりデータが処理され、必要に応じてモニター等に表示等される。

本実施の形態のテストフィクスチャ１によれば、リードＲに対応する伝送線路が導体パターンＰとそれ以外の部分とに別れていることで、伝送線路の機能が場所によって別れることとなり、リードＲの先端部は安定した導通を得るような構成となるとともにリードＲの先端部以外では導通の要素が無い構成となり、リードＲと導体パターンＰとを導通させたときの不安定要素を除去することができる。また、リードＲの先端部のみが導体パターンＰと接触し、更に、伝送線路内のリードＲとの接触部分以外の特性インピーダンスがリードＲの全長にわたって均一な所定値となるように整合されることによりリードＲが湾曲変形等していても導体パターンと正しく接触させることができる。

また、リードＲに対面する第２の基板５ｂ，６ｂの表面が、第１の基板５ａ，６ａ上に形成された導体パターンＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）より一段低くなることから、スペーサ板４を介してリードＲの全長が押圧されることで、リードＲの先端部と導体パターンＰとは確実に接触する。さらに、第１の基板５ａ，６ａと第２の基板５ｂ，６ｂとが分割構造となっているため、測定対象となるレーザダイオード１４に対応して、各基板５ａ，５ｂ、基板６ａ，６ｂごとに特性インピーダンスを所定値に整合させる作業が容易となる。

それに加えて、本実施の形態では、スペーサ板４の一方（本体側）の面に３本のリードＲが配置され、スペーサ板４の他方（蓋体側）の面に２本のリードＲが配置され、かつスペーサ板４の一方の面に配置された１本のリードＲ２が他の２本のリードＲ１，Ｒ３から外側へ外れるレーザダイオード１４であっても、当該外側へ外れるリードＲ２を本体側基板部５のスペーサ板４に配置することで、第１の基板５ａの導体パターンＰとは別のスリット７（７ａ）に膨出している導電シート８によって接触させることができる。この結果、５本のリードＲが五角形の各対角に配置されるレーザダイオード１４に対しても上記した効果と同様に安定した接触を可能にすることができる。

なお、本実施の形態では、電子デバイス（レーザダイオード１４）のリードＲが５本の場合について説明したが、これに限定されることはなくリードの本数がそれ以上又はそれ以下であってもよい。

また、本実施の形態では、第１の基板５ａ（６ａ）と第２の基板５ｂ（６ｂ）とは分割構造となっていたが、例えば、第１の基板５ａ（６ａ）と第２の基板５ｂ（６ｂ）を一体的に形成し、第２の基板５ｂ（６ｂ）にあたる部分の上面または下面を削って特性インピーダンスの整合を行うなどしてもよい。これにより、上記同様に、リードＲに対面する第２の基板５ｂ（６ｂ）の表面が、第１の基板５ａ（６ａ）上に形成された導体パターンＰより一段低くなることからリードＲの先端部と導体パターンＰとは確実に接触し、各基板５ａ，５ｂ、基板６ａ，６ｂごとに特性インピーダンスを所定値に整合させる作業が容易となるという効果が得られる。

さらに、本実施の形態では、第１の基板５ａには端縁に切欠き状のスリット７ａが設けられる構成としたが、図９に示すように、第１の基板４０ａ，４０ｂが２枚に分割された構成としてもよい。これにより、上記同様の効果に加えて、スリット４１の幅を任意に設定することができる。

本発明によるテストフィクスチャを示す側面図である。同平面図である。図１における蓋体を開放した状態を示すＡ−Ａ矢視図である。図１における蓋体を開放した状態を示すＢ−Ｂ矢視図である。スペーサ板がリード間に挿入された電子デバイスを基板部間に設置する状態を示す斜視図である。スペーサ板が挿入された基板部を介して本体と蓋体とに挟まれたリードを示す正面からの一部断面図である。図６における右側面からの一部断面図である。所望の周波数帯域でのリードの挿入損失を示すグラフである。本発明によるテストフィクスチャの他の実施の形態においてスペーサ板がリード間に挿入された電子デバイスを基板部上に載置する状態を示す斜視図である。（ａ）従来のテストフィクスチャの要部の構造を示す模式的な斜視図である。（ｂ）従来のテストフィクスチャにおいてスペーサ板が挿入された基板部を介して本体と蓋体とに挟まれたリードを示す右側面からの一部断面図である。

符号の説明

１…テストフィクスチャ
２…本体
３…蓋体
４…スペーサ板
５…（本体側）基板部
６…（蓋体側）基板部
５ａ，６ａ…第１の基板
５ｂ，６ｂ…第２の基板
１１…（第１）押圧面
１３…（第２）押圧面
１４…電子デバイス（レーザダイオード）
１４ａ…一端面
Ｐ…導体パターン
Ｒ…リード

Claims

一端面（１４ａ）から複数のリード（Ｒ）を導出させた電子デバイス（１４）の電気特性を測定するテストフィクスチャ（１）であって、
前記リードの間に挿入されるスペーサ板（４）と、
前記スペーサ板を挟むように設けられ、前記リードの先端部と接触する導体パターン（Ｐ）が形成されるとともに前記リードの先端部以外の部分における特性インピーダンスが所定値となるように整合された基板部（５，６）と、
を具備することを特徴とするテストフィクスチャ。
一端面（１４ａ）から複数のリード（Ｒ）を導出させた電子デバイス（１４）を押圧面（１１）を有した本体（２）と該本体に取り付けられ前記押圧面に対面する押圧面（１３）を有した蓋体３とで挟持して前記電子デバイスの電気特性を測定するテストフィクスチャ（１）であって、
前記リードの間に挿入され前記本体と前記蓋体との間で前記押圧面に平行に挟まれるスペーサ板（４）と、
前記本体と前記スペーサ板との間及び前記蓋体と前記スペーサ板との間に設けられ、前記リードの先端部と接触する導体パターン（Ｐ）が形成されるとともに前記リードの先端部以外の部分における特性インピーダンスが所定値となるように整合された基板部（５，６）と、
を具備することを特徴とするテストフィクスチャ。
前記基板部が、前記導体パターンが形成され前記リードの先端が接触する第１の基板（５ａ，６ａ）と、前記第１の基板と異なる厚さで形成された第２の基板（５ｂ，６ｂ）とで構成された分割構造となっており、前記第１の基板に形成された導体パターンの前記リードとの接触面より該リードに対面する前記第２の基板の表面が該リードから遠隔に配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載のテストフィクスチャ。