JP2006129444A - 高周波電力増幅器および高周波電力増幅器モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電力増幅器の初段をQ1,Q2で構成する差動増幅器とし、初段と2段目との段間にキャパシタCp1,Cp2,Ct1,Ct2とインダクタLp1,Lt1の受動素子からなる平衡−不平衡変換兼段間整合回路を設け、2段目を不平衡シングルエンド型回路とする。差動増幅器の構成をエミッタカップル型として、そのエミッタ電流を決定する電流源電流を変化させることにより初段増幅器の出力制御を行う。
【選択図】 図1
Description
Vin=exp(jw0t)+δexp(jw1t)… (1)
ここで、δ≪1である。
式(2)に式(1)を代入すると、次の式(3)が得られる。
Vout=A{exp(jw0t)+δexp(jw1t)}
+B{exp(j3w0t)+3δexp(j(3w0t+w1)t)+3δ2exp(j(w0t+3w1)t)+δ3exp(j(3w1)t))… (3)
w0近傍に現れる周波数成分は3B・δ2exp(j(w0t+3w1)t)のみであるが、この項はδ2を含むので、無視できるほど微小な項である。したがって、奇関数で表わされる入出力伝達特性を持った電力増幅器では低周波雑音と信号との混合に起因するRx帯雑音の増大は生じない。3次よりも高次の項についても同様の議論が成り立ち、偶数次の項がなければ低周波雑音が信号と混合されてRx帯雑音に変換されることはない。
Claims (16)
- 初段増幅器が差動増幅器で構成され、前記初段増幅器と2段目増幅器との段間に受動素子で構成された平衡−不平衡変換兼段間整合回路が設けられて成り、前記2段目が不平衡シングルエンド型回路で構成されることを特徴とする高周波電力増幅器。
- 請求項1において
前記初段電力増幅器の負荷が、インダクタンスであることを特徴とする高周波電力増幅器。 - 請求項1において、
前記差動増幅器はエミッタ同士が接続されたエミッタカップル型であり、前記エミッタ同士に接続される電流源電流により前記初段増幅器の出力制御を行うことを特徴とする高周波電力増幅器。 - 請求項1において、
前記差動増幅器はソース同士が接続されたソースカップル型であり、前記ソース同士に接続される電流源電流により前記の初段増幅器の出力制御を行うことを特徴とする高周波電力増幅器。 - 請求項1において、
前記初段増幅器と2段目増幅器との段間に受動素子で構成された平衡−不平衡変換兼段間整合回路は、第1および第2の段間整合用キャパシタと第1の段間整合用インダクタでπ型接続された段間整合回路と、第3および第4の段間整合用キャパシタと第2の段間整合用インダクタでT型接続された段間整合回路とで構成されることを特徴とする高周波電力増幅器。 - 初段増幅器が差動増幅器で構成され、前記初段増幅器と2段目増幅器との段間に受動素子で構成された平衡−不平衡変換兼段間整合回路が設けられて成り、前記2段目が不平衡シングルエンド型回路で構成された高周波電力増幅器を具備して成ることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
- 請求項6において、
前記初段電力増幅器の負荷が、インダクタンスであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。 - 請求項6において、
前記差動増幅器はエミッタ同士が接続されたエミッタカップル型であり、前記エミッタ同士に接続される電流源電流により前記初段増幅器の出力制御を行うことを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。 - 請求項6において、
前記差動増幅器はソース同士が接続されたソースカップル型であり、前記ソース同士に接続される電流源電流により前記の初段増幅器の出力制御を行うことを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。 - 請求項6において、
前記平衡−不平衡変換兼段間整合回路は、第1および第2の段間整合用キャパシタと第1の段間整合用インダクタでπ型接続された段間整合回路と、第3および第4の段間整合用キャパシタと第2の段間整合用インダクタでT型接続された段間整合回路と、前記第1の段間整合用インダクタと前記第4の段間整合用キャパシタに一端が接続されると共に他端が前記2段目増幅器の入力に接続された第5の段間整合用キャパシタとで構成されることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。 - 請求項10において、
前記差動増幅器を構成する差動対トランジスタ及び電流源抵抗と、前記2段目の増幅器と、前記第5の段間整合用キャパシタとが、同一半導体基板上に集積化されて成るMMICで構成されることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。 - 請求項11において、
前記MMICは、さらに前記π型接続された段間整合回路と、前記T型接続された段間整合回路とが前記半導体基板上に集積化されて成ることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。 - 請求項11において、
前記MMIC以外の回路部品は表面実装形チップ部品、もしくはモジュール基板上の配線層を用いた伝送線路としてモジュール基板上に搭載若しくは形成されて成ることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。 - 請求項12において、
前記MMIC以外の回路部品は表面実装形チップ部品、もしくはモジュール基板上の配線層を用いた伝送線路としてモジュール基板上に搭載若しくは形成されて成ることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。 - 請求項12において、
前記モジュール基板は、アルミナセラミクス基板であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。 - 請求項13において、
前記モジュール基板は、アルミナセラミクス基板であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
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