JP2006120859A - 半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法 - Google Patents
半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006120859A JP2006120859A JP2004307103A JP2004307103A JP2006120859A JP 2006120859 A JP2006120859 A JP 2006120859A JP 2004307103 A JP2004307103 A JP 2004307103A JP 2004307103 A JP2004307103 A JP 2004307103A JP 2006120859 A JP2006120859 A JP 2006120859A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- storage case
- case
- storage
- evaluation method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】合成樹脂からなる半導体ウェーハ収納用ケース1におけるウェーハ汚染物滲出の経時的変化を評価するにあたり、半導体ウェーハ収納用ケースに表面の不純物を測定した半導体ウェーハを収納して密閉状態とした後、半導体ウェーハ収納用ケースをクリーンルームでの保存等、所定の標準環境下にて保存し、保存後の半導体ウェーハ収納用ケースに対して湿気を付与ないし除去する吸放湿処理を施し、この吸放湿処理の後、半導体ウェーハ表面における不純物を再度測定して、密閉前の測定結果と比較するようにする。
【選択図】図2
Description
次に、密閉状態とした収納用ケースをクリーンルームに入れて所定期間保存処理した後(ステップ5)、収納されている半導体ウェーハを取り出し、再度半導体ウェーハ表面のLPDを測定して(ステップ6)、保存処理前後のLPDの増減を確認して、各半導体ウェーハ表面の汚染度の経時的変化を確認して(ステップ7)、収納用ケースを評価するものであった。
3〜6ヶ月程度が目安とされていた。
(a)温度を30〜50℃、湿度を60%RH以上とする湿潤工程と、
(b)0℃以下の温度とする冷却工程と、
を含むサイクルを1サイクルとして、このサイクルを1回または数回繰り返すこと行われることを特徴とする。
また、試験が簡便に行われるので、作業性も良好であるとともに、低コストで実施されるため経済性にも優れている。
(a)温度を30〜50℃、湿度を60%RH以上とする湿潤工程と、
(b)0℃以下の温度とする冷却工程と、
を含むサイクルを1サイクルとして、このサイクルを1回または数回繰り返すので、吸放湿処理において半導体ウェーハ収納用ケースに対する湿気を付与ないし除去が効率よく行われ、評価の信頼性をより一層高めることができる。
前記吸放湿処理の後、半導体ウェーハ表面における不純物を再度測定して、密閉前の測定結果と比較するものである。
また、ケース本体4と蓋体の間に介され、両者を密閉状態にならしめるガスケット6としては、ポリエステル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー等の熱可塑性樹脂エラストマーを好適に使用することができる。
ここで、収納用ケース1より滲み出るウェーハ汚染物としては、有機物、各種イオン成分等が挙げられる。
なお、本発明における「最終洗浄」は、半導体ウェーハを半導体ウェーハ収納用ケース1に収納する場合における、収納直前の洗浄工程に対応する。
また、LPDとは、ウェーハ表面上にレーザーを照射させたときに散乱物として検出されるウェーハ表面上の付着物または欠陥(キズ等)を総称するものをいう。
ここで、この標準環境下における保存とは、収納用ケース1を恒常的かつ安定した環境において保存することを指し、例えば、一定条件のクリーンルームでの保存や、一定条件の恒温恒湿槽(例えば、温度条件を23℃、湿度条件を45%RH)での保存が挙げられる。特に、クリーンルームを採用することにより、標準環境下の条件が標準化かつ安定化して、評価の信頼性を更に高めることができる。
また、標準環境下の保存としてクリーンルームでの保存を採用する場合にあっては、例えば、クラス100程度で、温度が23℃程度、湿度45%RH程度の環境下とすればよい。
湿潤工程においては、温度を30〜50℃、湿度を60%RH以上とすることが好ましい。また、この湿潤工程は、例えば、3〜5時間程度とすればよい。この湿潤工程は、半導体ウェーハを収納した収納用ケース1の輸送時における高温高湿状態を考慮したものである。
冷却工程では、0℃以下の温度で収納用ケース1を冷却するものであり、例えば、温度を−20〜0℃として、2〜4時間程度行えばよい。また、この冷却工程は、工程を複数に分けて行うようにしてもよい。
なお、冷却工程においては、湿度条件は任意であり、収納用ケース1の種類や温度条件等に応じて、適宜決定すればよい。
標準工程にあっては、温度を10〜30℃程度、湿度を40〜60%RH程度とすることが好ましく、また、時間としては、3〜5時間程度とすればよい。
まず、評価対象の収納用ケース1に収納する半導体ウェーハを最終洗浄した後(ステップ1)、当該半導体ウェーハの表面上の不純物をLPD測定装置等で測定する(ステップ2)。表面上の不純物が測定された半導体ウェーハを、収納用ケース1を構成するカセット2の整列スロット3に搭載して、半導体ウェーハを収納用ケース1に収納させ(ステップ3)、収納用ケースを密閉状態にした後、2重のポリエチレン(PE袋)で包装する(ステップ4)。
そして、この結果を、前記したステップ2により得られた結果と比較して、半導体ウェーハ表面上の不純物の変化を確認することにより、収納用ケース1における不純物の発生の経時的な変化を評価することができる(ステップ7)。
このような本態様の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法によれば、収納用ケース1における不純物の発生の経時的な変化をより高い信頼性で評価することができる。
例えば、測定対象となる半導体ウェーハ収納用ケース1の形状を図1に具体的に示したが、当該収納ケース1、合成樹脂からなるものであれば、その形状は適宜変更することができる。
その他、本発明を実施する際の具体的な手段等は、本発明の目的を達成できる範囲内で他の構造等としてもよい。
図1に示した構成の半導体ウェーハ収納用ケースに対して、本発明の評価方法を適用して、従来の方法と比較した。
すなわち、図6のフローチャートに示される従来の評価方法(クリーンルームにおける保存期間:6ヶ月)と、図2のフローチャートに示される本発明の評価方法とを比較・評価して、本発明の評価方法と従来の評価方法の相関性の有無を確認した。
図6に示したフローチャートに従って、従来の評価方法を実施した。すなわち、サイズが8インチのシリコンウェーハ25枚を最終洗浄し(ステップ1)、市販のLPD測定装置にてシリコンウェーハ25枚全てについてLPDを測定した(ステップ2)。
図2に示したフローチャートに従って、本発明の評価方法を実施した。すなわち、前記した参考例1と同様に、サイズが8インチのシリコンウェーハ25枚を最終洗浄した後(ステップ1)、前記した参考例1で示したLPD測定装置にてシリコンウェーハ25枚全てについてLPDを測定した(ステップ2)。
(a)湿潤工程 30〜50℃、60%RH以上、3〜5時間
(b)冷却工程 −20〜0℃、2〜4時間
また、実施例1の評価方法を用いることにより、標準環境下における保存及び吸放湿処理を施しても、試験時間を約5月程度短縮することができる。
なお、測定結果より、収納用ケース起因の有機物、イオン性分等の汚染物が確認できた場合にあっては、TDH(Time Dependent Haze:時間に依存して生じるヘイズ)が発生しやすくなっていることが予想できる。
図1に示した構成の半導体ウェーハ収納用ケースを使用して、クリーンルームにおける保存期間に対する経時的変化の発生率の測定を行った。
すなわち、実施例1において、クリーンルームにおける保存期間を0日(実施例1と同じ),20日,30日,40日とした場合の、半導体ウェーハ表面における経時的変化の発生の有無を確認した。
従って、収納用ケースの評価において、精度をより高くして評価を行うようにするためには、促進処理を行う前にクリーンルームで20日以上保存した後で促進処理を行うことが有効であると判断される。
2 …カセット
3 …整列スロット
4 …ケース本体
4a…ケース本体の上方開口部
5 …蓋体
6 …ガスケット
7 …ウェーハ抑え部
Claims (4)
- 合成樹脂からなる半導体ウェーハ収納用ケースからの汚染物滲出による半導体ウェーハの経時的変化を評価するにあたり、
最終洗浄した半導体ウェーハ表面の不純物を測定して、
この表面の不純物を測定した半導体ウェーハを半導体ウェーハ収納用ケースに収納して密閉状態とした後、
前記半導体ウェーハ収納用ケースを所定の標準環境下にて保存し、
保存後の半導体ウェーハ収納用ケースに対して湿気を付与ないし除去する吸放湿処理を施し、
前記吸放湿処理の後、半導体ウェーハ表面における不純物を再度測定して、密閉前の測定結果と比較することを特徴とする半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法。 - 請求項1に記載の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法において、
前記標準環境下での保存が、クリーンルーム内での保存であることを特徴とする半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法。 - 請求項2に記載の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法において、
前記クリーンルーム内における保存期間が20日以上であることを特徴とする半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法。 - 請求項1ないし請求項3の何れかに記載の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法において、
前記吸放湿処理が、下記(a)及び(b)
(a)温度を30〜50℃、湿度を60%RH以上とする湿潤工程と、
(b)0℃以下の温度とする冷却工程と、
を含むサイクルを1サイクルとして、このサイクルを1回または数回繰り返すことを特徴とする半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004307103A JP4571843B2 (ja) | 2004-10-21 | 2004-10-21 | 半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004307103A JP4571843B2 (ja) | 2004-10-21 | 2004-10-21 | 半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006120859A true JP2006120859A (ja) | 2006-05-11 |
JP4571843B2 JP4571843B2 (ja) | 2010-10-27 |
Family
ID=36538457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004307103A Active JP4571843B2 (ja) | 2004-10-21 | 2004-10-21 | 半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4571843B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009025254A1 (ja) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Siltronic Japan Corporation | 包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法 |
JP2019006650A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | Agc株式会社 | 化学強化ガラスの製造方法及び化学強化ガラス |
JP2021114621A (ja) * | 2019-10-21 | 2021-08-05 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 個片化方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307622A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Komatsu Ltd | 半導体ウェハ包装容器 |
JP2002372494A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Inoac Corp | ゴム組成物の評価方法 |
-
2004
- 2004-10-21 JP JP2004307103A patent/JP4571843B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307622A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Komatsu Ltd | 半導体ウェハ包装容器 |
JP2002372494A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Inoac Corp | ゴム組成物の評価方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009025254A1 (ja) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Siltronic Japan Corporation | 包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法 |
JP2019006650A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | Agc株式会社 | 化学強化ガラスの製造方法及び化学強化ガラス |
JP2021114621A (ja) * | 2019-10-21 | 2021-08-05 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 個片化方法 |
US11798986B2 (en) | 2019-10-21 | 2023-10-24 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Semiconductor device and chip singulation method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4571843B2 (ja) | 2010-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100708328B1 (ko) | 반도체 웨이퍼용 즉시 출하형 패키징 및 반도체 웨이퍼의즉시 출하형 포장 방법 | |
US8925290B2 (en) | Mask storage device for mask haze prevention and methods thereof | |
US8151816B2 (en) | Method and device for removing pollution from a confined environment | |
CN108352345B (zh) | 测量用于基片的气氛输送和存储的运输箱的污染物的方法和系统 | |
WO2007149513A4 (en) | System for purging reticle storage | |
JP2000353738A (ja) | 密閉コンテナ、保管装置および電子部品搬送システム、ならびに電子部品の保管および搬送方法 | |
US9411332B2 (en) | Automated mechanical handling systems for integrated circuit fabrication, system computers programmed for use therein, and methods of handling a wafer carrier having an inlet port and an outlet port | |
CN111986984B (zh) | 一种降低硅抛光片表面产生时间雾的方法 | |
JP4571843B2 (ja) | 半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法 | |
JP4023798B2 (ja) | パッケージされた放射感受性被覆付きワークピースの製作工程とその保存方法 | |
US7185764B2 (en) | Wafer shipping device and storage method for preventing fluoridation in bonding pads | |
JP4654749B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法 | |
KR100360404B1 (ko) | 표면 열화를 방지하는 웨이퍼 패킹 방법 | |
KR100301982B1 (ko) | 청정실내에서 이용되는 기구 및 장착구 | |
KR101674107B1 (ko) | 기판용기 커버 개폐장치 | |
JP3872646B2 (ja) | 汚染物質に敏感な物品のパッケージング装置およびこれより得られるパッケージ | |
JP2002206985A (ja) | 気密性検査装置及び方法 | |
JP2012028367A (ja) | 半導体単結晶ウエハを個装する個装材料の選択方法、該個装材料の管理方法及び該個装材料の検査方法 | |
Gettel et al. | Reticle storage in microenvironments with extreme clean dry air | |
JPH11204627A (ja) | ウェーハの包装方法 | |
JPH07149930A (ja) | ウェーハ処理方法及び該方法で処理されたウェーハを用いた環境雰囲気清浄度評価法 | |
JP2001183264A (ja) | 試験片の保存方法 | |
SE451576B (sv) | Forpackning for steril och kontaminationsfri forvaring och transport av artificiella implantat | |
Halbmaier et al. | A practical solution to the critical problem of 193 nm reticle haze | |
Annis | Sealed silos increase fumigation success |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070921 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070921 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100810 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100813 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4571843 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |