JP2006303134A - 半導体ウェーハの評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェーハの表面に弱酸を気相により供給することによって、前記半導体ウェーハ表面の異物を顕在化させた後、パーティクルカウンタで検出することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。
【選択図】 図1
Description
しかしながら、パーティクルカウンタの検出限界は通常約0.055μm程度であり、0.055μm以下の研磨スラリーに含まれるシリカ粒子等の異物や欠陥を検出することは、困難であり、他の検出手段を用いると非常にコスト高になる。
このように、本発明により、デバイス製造に大量に用いられている、たとえばCZ法により製造され、スライス、研磨加工等されたシリコンウェーハの評価を行うことができる。
このように、弱酸として炭酸を用いることにより、低コストかつ無害で安全に、半導体ウェーハの表面への弱酸の気相による供給を行うことができる。
このように、半導体ウェーハを容器に収容後、容器外を弱酸性の雰囲気として容器内の雰囲気と置換することにより、間接的に容器内へ弱酸性の雰囲気を供給することができ、半導体ウェーハの表面へ新たなパーティクルを付着させることなく、弱酸の気相による供給を行うことができる。
このように少なくとも二酸化炭素と水蒸気からなる雰囲気を用いることにより、低コストかつ安全に、半導体ウェーハの表面への弱酸である炭酸の気相による供給を行うことができる。
このように、半導体ウェーハを収容した容器を袋詰めして袋内に弱酸を封入することにより、簡便且つ確実に、容器内へ弱酸性の雰囲気を供給することができる。
このように、弱酸を供給後に温度40℃〜100℃、湿度80%以上の高温多湿の条件で保持することにより、異物に付着したアルカリ金属、アルカリ土類金属等と弱酸との酸塩基反応を高め、更にシリカ粒子表面のアレや曇りを促進させ効率的に異物を顕在化させることができる。
このように、弱酸の供給後に6時間以上を保持することにより、異物に付着したアルカリ金属、アルカリ土類金属等と弱酸との前記酸塩基反応及びシリカ粒子表面のアレや曇りを十分に進行させて、確実に異物を顕在化させることができる。
本発明者は、研磨加工及び洗浄を行った半導体ウェーハに本発明の以下の方法を行うことによって、パーティクルカウンタにより、本来検出することができなかった異物を、検出可能にすることができることを見出した。
袋は、前記容器を詰めることができ、気体を封入することができれば特に限定されないが、機能面からラミネート袋が好ましい。
半導体ウェーハを容器の中に収容して、その雰囲気を弱酸性としてウェーハ表面に気相で弱酸を供給するのは、直接供給すると、あらたにウェーハ表面にパーティクルを付着させる恐れがあるからである。もちろん、フィルターを介して弱酸を供給する等することにより、直接ウェーハ表面に弱酸を供給するようにしてもよい。
このように弱酸性の雰囲気を誘導するための気体は、炭酸を誘導する二酸化炭素と水蒸気が安全面やコスト面から好ましいが、これに限定されず、酢酸やギ酸の気体及び水蒸気といった他の弱酸を誘導する気体であってもよく、複数の弱酸を誘導する混合気体であってもよい。
評価する半導体ウェーハを通気性のある容器内に収容して、その容器に袋詰めした後、容器外を弱酸性の雰囲気として容器内の雰囲気と置換することによって、間接的に容器内へ弱酸性の雰囲気を供給することが出来、これにより半導体ウェーハの表面へ新たなパーティクルを付着させることなく、弱酸の気相による供給を行うことができる。
保持する時間は、酸塩基反応の進行を確実なものとするために長時間行うのが好ましく、6時間以上とするのがより好ましく、24時間以上とするのがさらに好ましいが、コスト面を考慮すると36時間未満で行うのがよい。
温度や湿度、保持時間は、供給する弱酸、目標とする異物、パーティクルカウンタの検出感度、コスト等を考慮して設定する。
ここで、パーティクルカウンタは、ウェーハ表面におけるレーザー光の散乱強度を検出するため、パーティクル等のほかにも一定の大きさ以上のものであれば、種々の欠陥を検出する。LPD(Light Point Defect)とは、これらの欠陥や異物の区別なく検出されたものをいう。
(実施例、比較例)
まず、研磨加工済みの直径12インチ(300mm)のCZシリコン単結晶ウェーハを表面にシリカ粒子等の異物を付着させるため、故意に研磨スラリーを混入させた洗浄液で洗浄した。
まず、このシリコンウェーハを、通気性のあるポリプロピレン製の容器内に収容して、その容器にラミネート袋を被せて封をして、この容器と袋の間に二酸化炭素と水蒸気を封入して、環境試験機に入れた。
Claims (8)
- 半導体ウェーハの表面に弱酸を気相により供給することによって、前記半導体ウェーハ表面の異物を顕在化させた後、パーティクルカウンタで検出することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。
- 前記半導体ウェーハとして、シリコンウェーハを評価することを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハの評価方法。
- 前記弱酸として、炭酸を用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体ウェーハの評価方法。
- 前記半導体ウェーハを通気性のある容器内に収容した後、前記容器外を弱酸性の雰囲気とし、前記容器内の雰囲気と置換することによって、前記半導体ウェーハの表面に前記弱酸を供給することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体ウェーハの評価方法。
- 前記弱酸性の雰囲気として、少なくとも二酸化炭素と水蒸気からなるものを用いることを特徴とする請求項4に記載の半導体ウェーハの評価方法。
- 前記半導体ウェーハを収容した容器を袋詰めし、該袋内に弱酸を封入することによって、容器外の雰囲気を弱酸性にすることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体ウェーハの評価方法。
- 前記半導体ウェーハの表面への弱酸の供給後、温度40℃〜100℃、湿度80%以上の条件で保持することを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の半導体ウェーハの評価方法。
- 前記半導体ウェーハの表面への弱酸の供給後、6時間以上保持することを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の半導体ウェーハの評価方法。
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