JP2008205224A - 表面検査方法及び表面検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の表面に付着した微小粒子を検出する表面検査方法において、前記微小粒子の周囲に析出物を生成するステップと、前記析出物が周囲に生成した前記微小粒子を光の散乱によって検出するステップと、を有することを特徴とする。これにより、基板の表面に付着した微小粒子の周囲に析出物が生成され、析出物が周囲に生成された微小粒子が光の散乱によって検出される。その結果、半導体や磁気記録装置等の電子機器製造工程において、搬送した基板に付着した0.1μmよりも小さい超微小粒子の検出を可能とする表面検査方法及び表面検査装置が実現する。
【選択図】図1
Description
図1は表面検査方法の基本原理を説明するフロー図である。
最初に、半導体や磁気記録装置等の電子機器製造工程に搬送させた基板を表面検査装置の処理室に搬入する(ステップS1)。次に、処理室内に、水蒸気を供給する(ステップS2)。処理室内に水蒸気を供給することにより、処理室内部が所定の圧力の水蒸気雰囲気になる。次いで、基板上に付着した超微小粒子の周囲に析出物を生成させる処理を施す(ステップS3)。ここで、析出物とは、例えば、錯塩、塩、金属酸化物、金属水酸化物である。そして、析出物が周囲に生成した超微小粒子を光(例えば、レーザー線)の散乱によって検出する(ステップS4)。
図2は超微小粒子の周囲に析出物を生成する原理を説明する図であり、(A)は超微小粒子の周囲に水を凝縮させる工程を示す図であり、(B)は超微小粒子の周囲に析出物を生成する工程を示す図である。
そして、図(B)に示すように、基板11の温度を50〜60℃に保持し、水分13のみを乾燥させ、水分13の中に溶解していた成分を超微小粒子10の周囲に析出物14として析出させる。生成した析出物14とは、例えば、超微小粒子10の成分と原材料の成分を含有する錯塩、または塩である。そして、周囲に析出物14が生成された超微小粒子10の粒径は、最初に基板11に付着した超微小粒子10より、析出物14の分だけ大きくなり、0.1μm以上の粒径になる。ここで、析出物14の生成によって粒径が拡大した超微小粒子10の粒径が100nm程度の波長の光を用いても充分に異物として検出できるように、例えば、拡大後の粒径が0.1〜5μmの範囲に収まるように、処理条件を調整する。
このように、超微小粒子10の周囲に析出物14を生成する処理として、基板11を水蒸気雰囲気に設置し、析出物14を生成する原材料を供給し、基板11を乾燥処理する。このような処理を施せば、光の散乱現象を利用した表面検査方法においても、粒径が0.1μmよりも小さい超微小粒子10を検出し、その粒径を正確に測定することができる。
図3は超微小粒子の周囲に析出物を生成する原理の変形例を説明する図であり、(A)は超微小粒子の周囲に水を凝縮させる工程を示す図であり、(B)は超微小粒子の周囲に析出物を生成する工程を示す図である。また、この図においては、図2で説明した内容と同一の部材には、同一の符号を付し、その構成、作用の説明の詳細は省略する。
この処理室12の内部を、例えば、湿度が70〜90%で、且つ超微小粒子10が付着した部分以外の基板表面に結露が発生しないような雰囲気圧に設定する。そして、このような雰囲気下では、超微小粒子10と基板23の表面との間隙に毛細管現象によって水分13が凝縮する。このように、本実施の形態では、析出物を生成する原材料を被膜した基板23を水蒸気雰囲気に設置する処理が施される。
これにより、光の散乱現象を利用した表面検査方法において、粒径が0.1μmよりも小さい超微小粒子10を検出し、その粒径を正確に測定することができる。
最後に、本実施の形態の表面検査方法を実現する表面検査装置について説明する。
図示するように、表面検査装置1は、半導体や磁気記録装置等の電子機器製造工程に組み込めるようにシステム化され、超微小粒子処理ユニットU1、微小粒子測定ユニットU2、を有している。
11,23 基板
12 処理室
13 水分
14,15 析出物
20 シリコンウエハ
21 金属膜
22 保護膜
Claims (6)
- 基板の表面に付着した微小粒子を検出する表面検査方法において、
前記微小粒子の周囲に析出物を生成するステップと、
前記析出物が周囲に生成された前記微小粒子を光の散乱によって検出するステップと、
を有することを特徴とする表面検査方法。 - 前記微小粒子の周囲に前記析出物を生成するステップにおいては、
前記基板を水蒸気雰囲気に設置するステップと、
前記微小粒子の周囲に前記析出物を生成する原材料を供給するステップと、
前記基板を乾燥処理するステップと、
を有することを特徴とする請求項1記載の表面検査方法。 - 前記微小粒子の周囲に前記析出物を生成するステップにおいては、
前記微小粒子の周囲に前記析出物を生成する原材料を被膜した前記基板を水蒸気雰囲気に設置することを特徴とする請求項1記載の表面検査方法。 - 前記析出物が錯塩または塩であることを特徴とする請求項2記載の表面検査方法。
- 前記析出物が金属酸化物または金属水酸化物であることを特徴とする請求項3記載の表面検査方法。
- 基板の表面に付着した微小粒子を検出する表面検査装置において、
前記微小粒子の周囲に析出物を生成する生成手段と、
前記析出物が周囲に生成された前記微小粒子を光の散乱によって検出する検出手段と、
を備えたことを特徴とする表面検査装置。
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JP2007040017A JP2008205224A (ja) | 2007-02-20 | 2007-02-20 | 表面検査方法及び表面検査装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101217175B1 (ko) | 2010-04-26 | 2012-12-31 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판검사장치 및 기판검사방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10284558A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH11345849A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-12-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体ウエ―ハにおける金属汚染の評価方法、及び半導体ウエ―ハ |
JP2006303134A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの評価方法 |
JP2007273947A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板表面処理装置、基板表面検査装置、基板表面検査方法及び記憶媒体 |
-
2007
- 2007-02-20 JP JP2007040017A patent/JP2008205224A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10284558A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH11345849A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-12-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体ウエ―ハにおける金属汚染の評価方法、及び半導体ウエ―ハ |
JP2006303134A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの評価方法 |
JP2007273947A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板表面処理装置、基板表面検査装置、基板表面検査方法及び記憶媒体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101217175B1 (ko) | 2010-04-26 | 2012-12-31 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판검사장치 및 기판검사방법 |
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