JP2009282087A - 薄膜欠陥検査用標準基板、その製造方法、および薄膜欠陥検査方法 - Google Patents
薄膜欠陥検査用標準基板、その製造方法、および薄膜欠陥検査方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】清浄表面を有する基板1の表面に粒径が既知の粒度が揃った微粒子4、5を付着させる。このような微粒子としては、ポリスチレン、ポリアクリレート、シリカ等のものを使用し得る。続いて、微粒子が付着した状態の基板表面上に薄膜を形成する。これにより、人工的に形成されたモデル欠陥となる微粒子が含まれた薄膜が得られる。このような薄膜の形成に続いて、薄膜2から微粒子の少なくとも一部を脱離させて欠損部3を形成する。このような微粒子の脱離は、超音波洗浄やスクラブ洗浄により実行することができる。得られた欠損部3は薄膜2に形成される径の揃ったピンホールとなり、微粒子が脱離しなかった部分は突起状のモデル欠陥となる。
【選択図】図2
Description
IC、LSI、およびVLSIなどの半導体集積回路の製造をはじめとする広範囲な技術分野において用いられている光リソグラフィ法では、回路パターンが形成されたフォトマスクを用いて、被加工基板上に設けられたフォトレジスト膜を露光することによる回路パターンの転写が行われる。近年では、半導体集積回路の高集積化などの市場要求により、転写される回路パターンの微細化が求められてきており、この要求を満たすために、露光に用いる光の短波長化が図られてきた。
2 薄膜
3 欠損部
4、5 微粒子
Claims (7)
- 基板表面に粒径が既知の複数の微粒子を付着させる第1の工程と、該微粒子が付着した状態の基板表面上に薄膜を形成する第2の工程とを備えている薄膜欠陥検査用標準基板の製造方法。
- 前記薄膜から前記微粒子の少なくとも一部を脱離させて欠損部を形成する第3の工程を備えている請求項1に記載の薄膜欠陥検査用標準基板の製造方法。
- 前記複数の微粒子には、粒径クラスの異なる複数種のものが含まれている請求項1又は2に記載の薄膜欠陥検査用標準基板の製造方法。
- 前記微粒子が、ポリスチレン粒子、ポリアクリルレート粒子、またはシリカ粒子のうちの少なくとも1種である請求項1乃至3の何れか1項に記載の薄膜欠陥検査用標準基板の製造方法。
- 前記薄膜は、フォトマスクブランクに設けられる光学膜である請求項1乃至4の何れか1項に記載の薄膜欠陥検査用標準基板の製造方法。
- 請求項1乃至5の何れか1項に記載の方法により得られた薄膜欠陥検査用標準基板。
- 被検査基板の薄膜欠陥検査を行なう際に、請求項6に記載の薄膜欠陥検査用標準基板を用いて校正が行なわれる薄膜欠陥検査方法。
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