JPH11330042A - シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法 - Google Patents
シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法Info
- Publication number
- JPH11330042A JPH11330042A JP15362198A JP15362198A JPH11330042A JP H11330042 A JPH11330042 A JP H11330042A JP 15362198 A JP15362198 A JP 15362198A JP 15362198 A JP15362198 A JP 15362198A JP H11330042 A JPH11330042 A JP H11330042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- specularly
- beveled
- etching
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
部のキズやカケ、ポリシリコン残留等の表面異常を検出
出来るシリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法を提供
する。 【解決手段】 鏡面面取りしたシリコンウエーハをアル
カリエッチングし、顕微鏡にて該鏡面面取り部を観察す
ることを特徴とするシリコンウエーハ鏡面面取り部の検
査方法。
Description
鏡面面取り部の検査方法に関する。より詳しくは本発明
は、非常に高感度でシリコンウエーハ鏡面面取り部のキ
ズやカケ、ポリシリコン残留等の表面異常を検出出来る
シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法に関する。
スキー法等で製造される場合、先ず円柱状のインゴット
をスライス状に切断した後、エッジのチッピング防止又
はエピタキシャル成長工程を追加する場合はそのクラウ
ン防止等の目的で、面取りが行われる。通常のウエーハ
製造工程では、面取り部は加工歪み除去のエッチングが
行われた状態であり、面が粗い。そこで近年はエッジ部
からの発塵防止のため、面取り部を鏡面化する鏡面面取
りが行われる。この際、鏡面面取りが不十分だと、面取
り部にキズ、カケ、段差、ダメージ、シリコンのカケラ
が残り、デバイス不良を惹き起こす。
リング能力を高めるためにポリシリコンを化学気相成長
法でウエーハ表面上に成長させる工程を追加する場合が
ある。この場合にも再度鏡面面取りを行なうが、鏡面面
取りが不十分だと、面取り部にキズ、カケ、段差、ダメ
ージ、シリコンのカケラ等の他に、上記ポリシリコンが
残留することがあり、デバイス不良の原因となる。
する場合は、上記残留ポリシリコンがたとえ非常に微小
であっても、エピタキシャル層成長中にこれも同時に成
長して巨大化し、デバイス工程中で脱離しパーティクル
となることによりデバイス不良の大きな原因となる。従
って鏡面面取り後、特にエピタキシャル成長工程前の鏡
面面取り後に、非常に感度良く鏡面面取り部を検査する
必要がある。
検査は、鏡面面取り後に直接光学顕微鏡等で観察して行
なっていた。しかし、この検査方法では感度が非常に悪
く、微小なカケやポリシリコン等を検出することが出来
なかった。特に、エピタキシャル成長工程前の鏡面面取
り部に残留する非常に微小なポリシリコンを検出出来な
かったために、エピタキシャル成長工程中にこの微小な
ポリシリコンも成長して結晶粒が巨大化し、その結果エ
ッジ部にノジュールと呼ばれる針状晶や凹凸のあるシリ
コンウエーハが製造されてしまうという問題があった。
ので、非常に高感度でシリコンウエーハ鏡面面取り部の
キズ、カケ、ポリシリコン残留等の表面異常を検出出来
るシリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法を提供する
ことを目的とする。
するためになされたもので、請求項１に記載した発明
は、鏡面面取りしたシリコンウエーハをアルカリエッチ
ングし、その後顕微鏡にて鏡面面取り部を観察すること
を特徴とするシリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法
である。
グ速度がシリコン結晶表面の面方位の影響を敏感に受け
る選択性を有する。従って、ウエーハの面取り部に微小
なキズやカケ、ポリシリコン残留等の表面異常があって
も、敏感にこれらの部分のエッチング量が異なってきて
面粗れの程度が異なって現れてくる。即ち、アルカリエ
ッチングによりシリコンウエーハ面取り部の表面上に存
在するキズやポリシリコン残留等が強調され、光学顕微
鏡や電子顕微鏡で簡単に且つ非常に高感度で観察、検出
できるようになる。
うに、前記アルカリエッチングをＮａＯＨ水溶液及び／
又はＫＯＨ水溶液にて行なうのが好ましい。これらの水
溶液は、前記エッチングの選択性を十分に有し、本発明
の作用効果を発揮すると共に、容易に入手可能であり、
又容易に中和・無害化できるので廃水処理も簡単であ
る。
て説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。本発明の検査方法に付されるシリコンウエーハは、
鏡面面取りしたものであるが、いかなる鏡面面取り法に
より鏡面面取りしたシリコンウエーハでも、本発明の検
査方法に付すことが出来る。例えば、従来より行なわれ
ている研磨による方法、エッチングによる方法、あるい
はこれらの両方により鏡面面取りしたシリコンウエーハ
でも本発明の検査方法により検査することが出来る。
工程中のいかなる段階で行なわれるものであってもよ
い。例えば、円柱状インゴットをスライス状に切断後に
鏡面面取りし、その鏡面面取り部を本発明の検査方法で
検査することができる。又、化学気相成長法でウエーハ
表面上にポリシリコンを成長させた後に鏡面面取りを
し、その鏡面面取り部を本発明の検査方法で検査するこ
とができる。
ましく、特にＮａＯＨ水溶液、ＫＯＨ水溶液、又はこれ
らの混合液が好ましい。エッチング速度は、０．０１〜
５μｍ／ｍｉｎ、特に０．１５μｍ／ｍｉｎ以下とする
のが好ましい。このようにエッチング速度を通常のエッ
チング速度より遙かに小さくすれば、キズ、カケ、ポリ
シリコン残留等の表面異常の程度に応じて敏感にエッチ
ング速度に選択性を生じさせることが出来、敏感に面粗
れの程度に差異が生じるようになり、顕微鏡で高感度で
検出出来るようになる。
０℃であればよい。特に、１５〜２５℃の常温で行なえ
ば、加熱設備や温度コントローラ等による温度管理の手
間を必要としないので、好ましい。アルカリ水溶液の濃
度は、１〜６０重量％、特に１０〜２０重量％が好まし
い。
度が遅いため液温６０〜８０℃と高温にし且つ濃度を４
０〜６０重量％と濃い状態で使用して、エッチング速度
を上げている。しかし、本発明においては逆に、温度又
は濃度あるいはその両方を低くしてエッチング速度を遅
くすることにより、表面異常の程度に応じてエッチング
速度に選択性を生じさせるようにすることができる。
をアルカリ水溶液中に浸漬して行なう。浸漬の方法は通
常の方法で良い。即ち、シリコンウエーハをフッ素樹脂
製のキャリアに入れてアルカリ水溶液中に漬ける。アル
カリ水溶液を入れる容器は、昇温する必要がなければ塩
化ビニル性のもので十分であり、昇温する場合は石英、
パイレックス等の容器が用いられる。浸漬中は、撹拌を
してもしなくてもよい。アルカリ水溶液は、セコ液又は
混酸液等の酸性水溶液の場合のような撹拌しないとエッ
チングムラができてしまうということがないからであ
る。
〜５μｍ、特に０．５〜２μｍとするのが好ましい。エ
ッチング量が０．２μｍより少ないと検出に十分な感度
が得られない場合があり、逆に５μｍより多いとカケや
ポリシリコン残も無くなる。また、エッチング時間等を
考慮すると実用的には０．５〜２μｍが好ましい。
じシリコンウエーハを洗浄・乾燥し、顕微鏡にて鏡面面
取り部を観察する。顕微鏡としては、光学顕微鏡、走査
型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等が好ましい。
００ｍｍ、面方位＜１００＞、導電型Ｐ型、抵抗率１０
Ωｃｍのシリコンウエーハ３枚それぞれに対し、ポリシ
リコンを化学気相成長法で成長させた後、面取り部を６
０秒、９０秒、及び１５０秒間研磨して３枚の鏡面面取
りをしたシリコンウエーハを得た。
ＯＨ水溶液を、塩化ビニル製容器に入れた。これに、フ
ッ素樹脂製のキャリアに収容した上記３種類の各シリコ
ンウエーハを浸漬し、撹拌することなく２０分間エッチ
ングした。エッチング量は０．５μｍであった。その
後、各シリコンウエーハを洗浄後乾燥し、光学顕微鏡
（倍率２００）で観察した。
のシリコンウエーハの面取り部は滑らかであったが、９
０秒、６０秒と研磨時間が短くなるに従って、シリコン
ウエーハの面取り部には筋状の模様が強くなるのが観察
され、ポリシリコン残留部が選択的にエッチングされて
いくのが非常にはっきりと確認出来た。図１に典型例と
して１５０秒研磨したものと６０秒研磨したものの観察
図を示しておいた。
た以外は実施例１と同様にして、光学顕微鏡（倍率２０
０）で観察した。観察の結果、研磨時間に係らずいずれ
のシリコンウエーハの面取り部も滑らかなものと観察さ
れてしまい、ポリシリコン残留部を全く検出することが
出来なかった。図２に典型例として１５０秒研磨したも
のと６０秒研磨したものの観察図を示しておいた。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を示し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ーハ全体をアルカリ水溶液中に浸漬する形でエッチング
を行ったが、シリコンウエーハ周辺部、例えば面取り部
のみ部分的にエッチングを行ってもよい。
の検査方法は、簡単且つ高感度で面取り部の加工状態等
を検査できる。そのため、単にウエーハ面取り部の非常
に微小な表面異常を検出出来るのみならず、従来は行な
えなかった面取り研磨時間の最適化を行なうことがで
き、生産効率を向上させることができる。更に、不良品
を完全に検出することが出来るので、後工程でのトラブ
ルを防止出来、デバイス製造の歩留りを向上させること
が出来る。
間１５０秒の場合で、（ｂ）は６０秒の場合である。
間１５０秒の場合で、（ｂ）は６０秒の場合である。
Claims (2)
- 【請求項１】 鏡面面取りしたシリコンウエーハをアル
カリエッチングし、顕微鏡にて該鏡面面取り部を観察す
ることを特徴とするシリコンウエーハ鏡面面取り部の検
査方法。 - 【請求項２】 前記アルカリエッチングをＮａＯＨ水溶
液及び／又はＫＯＨ水溶液にて行なうことを特徴とする
請求項１記載のシリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15362198A JP3994523B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15362198A JP3994523B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330042A true JPH11330042A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3994523B2 JP3994523B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=15566502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15362198A Expired - Fee Related JP3994523B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3994523B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100433937B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-06-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
| JP2007036231A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-08 | Siltronic Ag | 半導体ウェーハ及び半導体ウェーハを作製する方法 |
| JP2011228478A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Sumco Corp | ウェーハ評価方法 |
-
1998
- 1998-05-18 JP JP15362198A patent/JP3994523B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100433937B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-06-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
| JP2007036231A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-08 | Siltronic Ag | 半導体ウェーハ及び半導体ウェーハを作製する方法 |
| DE102005034120B4 (de) * | 2005-07-21 | 2013-02-07 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| JP2011228478A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Sumco Corp | ウェーハ評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3994523B2 (ja) | 2007-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9343379B2 (en) | Method to delineate crystal related defects | |
| KR101145473B1 (ko) | 에피택셜 코팅 실리콘 웨이퍼 및 에피택셜 코팅 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 | |
| JP2002076082A (ja) | シリコンウエーハの検査方法及び製造方法、半導体デバイスの製造方法及びシリコンウエーハ | |
| JP2007036231A (ja) | 半導体ウェーハ及び半導体ウェーハを作製する方法 | |
| US20110183113A1 (en) | Silicon carbide single crystal substrate | |
| CN109690746B (zh) | 硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片 | |
| US7479204B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor substrate and method of evaluating quality of semiconductor substrate | |
| CN112986294A (zh) | 一种晶圆缺陷检测方法及装置 | |
| JP6418357B1 (ja) | ＧａＡｓ基板およびその製造方法 | |
| JP3994523B2 (ja) | シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法 | |
| JPH05226203A (ja) | 鏡面ウエーハ並びにその製造方法及び検査方法 | |
| JP2006108151A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP3717691B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法 | |
| JP2007180485A (ja) | 半導体基板の品質評価方法、半導体基板の製造方法 | |
| KR100384680B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 | |
| US20020175143A1 (en) | Processes for polishing wafers | |
| JP2004119446A (ja) | アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ | |
| JPH11145088A (ja) | シリコンウェーハを用いた半導体ウェーハ研磨加工の良否評価方法 | |
| JP2005063984A (ja) | ウエーハの評価方法及びウエーハ製造工程の管理方法 | |
| JP4075426B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JP7484808B2 (ja) | 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法 | |
| JP2020106399A (ja) | 半導体ウェーハの評価方法および製造方法ならびに半導体ウェーハの製造工程管理方法 | |
| KR101356400B1 (ko) | 웨이퍼의 오염 방지 방법, 검사 방법 및 제조 방법 | |
| JP7279753B2 (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法 | |
| JP2985583B2 (ja) | シリコンウエーハの鏡面加工表面における加工変質層検査方法とその厚さ測定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050113 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060713 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060718 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060912 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061121 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070116 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070213 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070413 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070423 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070619 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070620 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070710 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070723 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130810 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |