JP2006119669A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の電極上に感光性樹脂膜を形成し、
   フォトマスクを通過して回折した光により前記感光性樹脂膜を露光し、
   前記感光性樹脂膜を現像することにより前記第１の電極の端部を覆う絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜に加熱処理を施し、
   前記第１の電極上及び前記絶縁膜上にＥＬ膜を形成し、
   前記ＥＬ膜上に第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
2. 第１の電極上に有機膜を形成し、
   前記有機膜上にレジストマスクを形成し、
   前記レジストマスクを用いて、等方性のエッチングを前記有機膜に施すことにより前記第１の電極の端部を覆う絶縁膜を形成し、
   前記レジストマスクを除去し、
   前記絶縁膜の表面にＲＩＥエッチングを施し、
   前記第１の電極上及び前記絶縁膜上にＥＬ膜を形成し、
   前記ＥＬ膜上に第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
3. 第１の電極上に有機膜を形成し、
   前記有機膜上にレジストマスクを形成し、
   前記レジストマスクを用いて、等方性のエッチングを前記有機膜に施すことにより前記第１の電極の端部を覆う絶縁膜を形成し、
   前記レジストマスクを除去し、
   前記絶縁膜に加熱処理を施し、
   前記第１の電極上及び前記絶縁膜上にＥＬ膜を形成し、
   前記ＥＬ膜上に第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
4. 第１の電極上に有機膜を形成し、
   前記有機膜上にレジストマスクを形成し、
   前記レジストマスクを用いて、第１の反応性ガスと第２の反応性ガスとを含むガスを用いたエッチングを前記有機膜に施すことにより前記第１の電極の端部を覆う絶縁膜を形成し、
   前記レジストマスクを除去し、
   前記第１の電極上及び前記絶縁膜上にＥＬ膜を形成し、
   前記ＥＬ膜上に第２の電極を形成する表示装置の作製方法であって、
   前記エッチングは、
   前記第２の反応性ガスに対する前記第１の反応性ガスのガス流量比を時間毎に増加させ、
   前記第２の反応性ガスに対する前記第１の反応性ガスのガス流量比を一定にさせ、
   前記第２の反応性ガスに対する前記第１の反応性ガスのガス流量比を時間毎に減少させることにより行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記絶縁膜の上端部は、前記絶縁膜の側面の内側に中心を有する円又は楕円に接する形状であり、
   前記絶縁膜の下端部は、前記絶縁膜の側面の内側に中心を有する円又は楕円に接する形状であることを特徴とする表示装置の作製方法。