JP2006119564A5

JP2006119564A5 -

Info

Publication number: JP2006119564A5
Application number: JP2005008595A
Authority: JP
Filing date: 2005-01-17
Publication date: 2008-03-06

Claims

基板に形成された第１金属層と、
前記第１金属層上に形成され、前記第１金属層の腐食を抑制する酸化膜と、
前記酸化膜上に形成された第２金属層と、
を含むことを特徴とする金属配線。
前記基板と前記第１金属層との間に形成された第３金属層を更に含み、前記第３金属層は、前記第１金属層と実質的に同じ金属物質であることを特徴とする請求項１記載の金属配線。
前記酸化膜の厚さは、１０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１記載の金属配線。
酸素の密度は、前記酸化膜と前記第２金属層との境界から前記第２金属層に行くほど減少することを特徴とする請求項１記載の金属配線。
基板に第１金属物質を蒸着する段階と、
前記第１金属物質が蒸着された基板を酸素雰囲気で停滞させ、前記第１金属物質上に酸化膜を形成する段階と、
前記酸化膜上に第２金属物質を蒸着する段階と、
フォトリソグラフィ工程を通じて前記第２金属物質が蒸着された結果物をパターニングする段階と、
を含むことを特徴とする金属配線の製造方法。
前記酸化膜は、
前記フォトリソグラフィ工程に用いられる現像液による前記第１金属物質の腐食を防止することを特徴とする請求項５記載の金属配線の製造方法。
前記酸化膜は、前記第１金属物質と前記第２金属物質との間の電子の移動を抑制することを特徴とする請求項５記載の金属配線の製造方法。
基板と、
前記基板上に形成されたスキャン配線と、
前記スキャン配線と電気的に絶縁しかつ交差するように形成されたデータ配線と、
制御電極が前記スキャン配線に接続され、第１電流電極が前記データ配線に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の第２電流電極に接続された画素電極と、
を含み、
前記スキャン配線及びデータ配線のうち、いずれか一つ以上は、第１金属層と、前記第１金属層上に形成された酸化膜と、前記酸化膜上に形成された第２金属層と、を含むことを特徴とするアレイ基板。
前記データ配線は、前記第１金属層の下に形成された第３金属層を更に含むことを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
前記第２電流電極と電気的に接続された第２電極を有するストレージキャパシタを更に含み、
前記ストレージキャパシタの第１電極は、前記第１金属層、酸化膜及び第２金属層を含むことを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
前記第１金属層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金からなる群から選択された一つ以上の金属であることを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
前記第３金属層は、前記第１金属層と実質的に同じ物質であることを特徴とする請求項９記載のアレイ基板。
前記第２金属層は、モリブデン、モリブデン合金、クロム、クロム合金、タンタル、タンタル合金、チタニウム、チタニウム合金からなる群から選択された一つ以上の金属であることを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
前記酸化膜の厚さは、１０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
複数のスキャン配線と、複数のデータ配線と、前記スキャン配線及びデータ配線が接続されたスイッチング素子と、を含むアレイ基板の製造方法において、
第１金属物質を蒸着する段階と、
前記第１金属物質上に酸化膜を形成する段階と、
前記酸化膜上に第２金属物質を蒸着する段階と、
前記第１金属物質及び第２金属物質をパターニングして、前記スキャン配線を形成する段階と、
を含むことを特徴とするアレイ基板の製造方法。
前記第２金属物質を蒸着する段階と、
前記第２金属物質上に前記第１金属物質を蒸着する段階と、
前記第１金属物質上に前記酸化膜を形成する段階と、
前記酸化膜上に第２金属物質を蒸着する段階と、
前記第１金属物質及び第２金属物質をパターニングして、前記データ配線を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１５記載のアレイ基板の製造方法。
前記第１金属物質上に形成された酸化膜は、約１０ｓｃｃｍの酸素が注入された装置内において、前記第１金属物質が蒸着された透明基板を６秒以上停滞させて形成することを特徴とする請求項１５記載のアレイ基板の製造方法。
前記酸化膜の厚さは、１０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１５記載のアレイ基板の製造方法。
前記第１金属物質は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金からなる群から選択された一つ以上の金属物質であることを特徴とする請求項１６記載のアレイ基板の製造方法。
前記第２金属物質は、モリブデン、モリブデン合金、クロム、クロム合金、タンタル、タンタル合金、チタニウム、チタニウム合金からなる群から選択された一つ以上の金属物質であることを特徴とする請求項１６記載のアレイ基板の製造方法。
液晶層と、
第１基板と、
スキャン配線と、前記スキャン配線と交差するデータ配線と、前記スキャン配線及びデータ配線に電気的に接続されたスイッチング素子と、を具備し、前記第１基板との合体を通じて前記液晶層を収容するする第２基板と、
を含み、
前記スキャン配線と前記データ配線とのうち、一つ以上は、複数の金属層が多層形態に積層され、前記金属層の間には、酸化膜が介在されたことを特徴とする表示パネル。
前記スキャン配線は、二つの金属層と、前記二つの金属層の間に介在する酸化膜と、を含むことを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。
前記二つの金属層のうち、下部金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金の中で選択された一つであり、前記二つの金属層のうち、上部金属層は、モリブデン又はモリブデン合金の中で選択された一つであることを特徴とする請求項２２記載の表示パネル。
前記データ配線は、二つの金属層と、前記二つの金属層の間に介在する酸化膜と、を含むことを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。
前記データ配線の前記二つの金属層のうち、下部金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金の中で選択された一つであり、前記二つの金属層のうち、上部金属層は、モリブデン又はモリブデン合金の中で選択された一つであることを特徴とする請求項２４記載の表示パネル。
前記データ配線は、三つの金属層と、前記三つの金属層の間に介在する酸化膜と、を含むことを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。
前記三つの金属層のうち、下部金属層は、モリブデン又はモリブデン合金の中で選択された一つであり、中間金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金の中で選択された一つであり、上部金属層は、モリブデン又はモリブデン合金の中で選択された一つであり、前記酸化膜は、前記中間金属層と前記上部金属層との間に介在することを特徴とする請求項２６記載の表示パネル。
前記酸化膜の厚さは、１０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。