JP2007250804A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板上に形成され、ゲートライン及び前記ゲートラインと接続されたゲート電極を含むゲート配線と、
   前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜と、
   前記ゲート電極と対応して前記ゲート絶縁膜上に形成された活性層と、
   前記活性層上に形成された酸化防止層と、
   前記ゲート絶縁膜上に前記ゲートラインと交差するように形成されたデータライン、前記データラインに接続され前記酸化防止層上に形成されたソース電極、及び前記ソース電極と離隔されて前記酸化防止層上に形成されたドレイン電極を含むデータ配線と、
   前記データ配線を覆い、前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを有する保護膜と、
   前記保護膜上に形成され、前記コンタクトホールを通して前記ドレイン電極と接続される画素電極と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
2. 前記酸化防止層は、シリサイド層であることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
3. 前記シリサイド層を形成する金属は、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バナジウム（Ｖ）、及びタングステン（Ｗ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の金属を含むことを特徴とする請求項２記載の薄膜トランジスタ基板。
4. 前記酸化防止層は、１ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項２記載の薄膜トランジスタ基板。
5. 前記データ配線は、
   インジウム酸化物からなる第１データ配線層と、
   前記第１データ配線層上に形成され、銀（Ａｇ）からなる第２データ配線層と、
   前記第２データ配線層上に形成され、インジウム酸化物からなる第３データ配線層と、を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
6. 前記第１データ配線層及び前記第３データ配線層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなることを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ基板。
7. 前記第１データ配線層及び前記第３データ配線層は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）からなることを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ基板。
8. 前記ゲート配線は、
   インジウム酸化物からなる第１ゲート配線層と、
   前記第１ゲート配線層上に形成され、銀（Ａｇ）からなる第２ゲート配線層と、
   前記第２ゲート配線層上に形成され、インジウム酸化物からなる第３ゲート配線層と、を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
9. 前記第１ゲート配線層及び前記第３ゲート配線層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）及びインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）より選択されたいずれか一つからなることを特徴とする請求項８記載の薄膜トランジスタ基板。
10. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に形成され、ゲートライン及び前記ゲートラインに接続されたゲート電極を含むゲート配線と、
    前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜と、
    前記ゲート電極と対応して前記ゲート絶縁膜上に形成された活性層と、
    前記活性層上に形成されたシリサイド層と、
    前記ゲート絶縁膜上に前記ゲートラインと交差するように形成されたデータラインと、前記データラインに接続され前記シリサイド層上に形成されたソース電極、及び前記ソース電極と離隔されて前記シリサイド層上に形成されたドレイン電極を含み、インジウム酸化物、銀、及びインジウム酸化物が順次積層された３層膜構造を有するデータ配線と、
    前記データ配線を覆い、前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを有する保護膜と、
    前記保護膜上に形成され、前記コンタクトホールを通して前記ドレイン電極と接続される画素電極と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。