JP2006118039A - 鉄損に優れた無方向性電磁鋼板 - Google Patents

鉄損に優れた無方向性電磁鋼板 Download PDF

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Abstract

【課題】 REMの過剰な添加に頼らず、硫化物、特に硫化銅を制御し、結晶粒成長の良好なかつ低鉄損化することが可能な無方向性電磁鋼板を提供すること。
【解決手段】 製品板内に含まれる球相当半径100nm以下の硫化銅の個数密度が1×1010[個/mm]以下であり、好ましくは、このような硫化銅のうち長径/短径比が2を超える硫化銅の個数の割合が30%以下であり、更に好ましくは、Cu:0.5%以下、REM:0.0005%以上0.03%以下を含有し、下記(1)式、及び必要に応じて(2)式を満たす鉄損に優れた無方向性電磁鋼板。(1)式=[REM]×[Cu]≧7.5×10−11、(2)式=([REM]−0.003)0.1×[Cu]≦1.25×10−4
【選択図】 図3

Description

本発明は、モーター鉄芯などに用いられる無方向性電磁鋼板の鉄損を下げてエネルギーロスを少なくし、電気機器の効率化を図り省エネに寄与でき、さらにまた、歪取焼鈍後の鉄損にも優れた無方向性電磁鋼板に関するものである。
無方向性電磁鋼板をモーター鉄芯などに用いる際、需要家によって、鋼板を所定の形状に打ち抜く加工が行われる場合がある。その際の打ち抜き精度は、鋼板の結晶粒が細かいほど良く、たとえば結晶粒径40μm以下が好ましい。一方、製品の磁気特性、特に鉄損については、結晶粒径が100μm超と粗大な方が、鉄損値が低下して好適である。この相反する要求を満たすため、製品板の結晶粒を細かいまま出荷し、需要家の打ち抜き加工の後に歪取り焼鈍を行って、結晶粒を成長させる方策が択られている。近年、需要家より低鉄損材の要求が強く、また需要家の生産性向上によって歪取り焼鈍の短時間化が志向されてきており、結晶粒成長性のより良い鋼板の要求が増大してきた。
結晶粒成長を阻害する主たる要因のひとつは、鋼中に微細に分散する介在物である。製品中に含まれる介在物の個数がより多くなるほど、また大きさが小さくなるほど、結晶粒成長が阻害される。すなわち、ゼナー(Zener)が提示したように、介在物の球相当半径rと鋼中に占める介在物の体積占有率fの比で表されるr/f値がより小さいと、結晶粒成長がより悪化することが知られている。従って、結晶粒成長を良好化するためにr/f値を大きく、即ち、介在物の個数をより少なくすることは勿論、介在物の大きさをより粗大化させることが肝要である。
無方向性電磁鋼板の結晶粒成長を阻害する介在物としては、シリカやアルミナなどの酸化物、硫化マンガンや硫化銅などの硫化物、窒化アルミや窒化チタンなどの窒化物が知られている。以下、介在物とは、上記の酸化物、硫化物、窒化物などの鋼中非金属介在物を言う。
これら介在物のうち、硫化物は、圧延後の焼鈍工程において溶解した後に冷却過程で再析出し、個数が数多くかつ径が微細となり易いため、結晶粒成長を妨げる最大の要因となり易い。なかでも特に集合組織および鋼の強度などの制御に有効なCuを含有した電磁鋼板に見られるCuSやCuS等の硫化銅は、他の硫化物、例えば約1100〜1200℃で析出を開始する硫化マンガン等に比べて、析出開始温度が約1000〜1100℃と比較的低い。よって硫化銅は、圧延後の焼鈍工程においてより低温で溶解し再析出するため、より微細となり易く、それ故に結晶粒成長を阻害する効果が他の硫化物に比べてより大きい。
これらの硫化物を無害化するためには、溶鋼段階での高純化を図ればよい。たとえば、硫化物の生成防止に関しては、フラックス精錬などによって溶鋼からの脱硫を強化すればよい。しかし、精錬工程が増えてコスト高となることがあり、あるいは耐火物の溶損などによる溶鋼の汚染なども発生することがあり、必ずしも効率的あるいは効果的であるとは言えない。
そこで、別法として、種々の元素を鋼に添加して、硫化物の無害化を図る方法がいくつか知られている。硫化物に関しては、例えば(特許文献1)あるいは(特許文献2)などに開示されるように、希土類元素(以下、REMと略記する)などの添加によってSを固定する方法が知られている。これらはREMの強力な脱硫効果を活用する発明であり、鋼中に含まれるS量に応じた所用のREM量を添加して、硫化物として主として硫化マンガンの生成を抑制することを発明の根幹としている。
特開昭51−62115号公報 特開平3−215627号公報
REMによる硫化物の生成の抑制効果について、さらに説明する。ここでREMとは原子番号が57のランタンから71のルテシウムまでの15元素に原子番号が21のスカンジウムと原子番号が39のイットリウムを加えた合計17元素の総称である。
常法によると、REMを添加するタイミングは、精錬中あるいは鋳造前の溶鋼段階においてである。このとき鋼中のREMは、REM酸硫化物および/またはREM硫化物を形成する。この理由は、無方向性電磁鋼板にはSiあるいはAlなどの脱酸元素が含有されるため、鋼中の酸素が炭素鋼などより少なく、REM酸化物を形成するに十分な酸素がないためである。よって、鋼中に十分なREMが添加された場合、REM酸硫化物および/またはREM硫化物の生成によって、鋼中のSがREMにより固定されるため、REM以外の硫化物が生成することはほとんどない。
しかしながら、REMによって鋼中のSを固定するためには、REM酸硫化物および/またはREM硫化物各々の化学組成から換算すると質量%でREMはSの4倍から8倍を超える量が必要になる。このため、鋼中のSの固定に十分なREMを添加すると、コスト高となり好ましくない。一方、鋼中のSを固定するに十分なREMが供給されない場合には、鋼中のSの固定が不十分となり、Sが残留してREM以外の硫化物が生成することとなる。
本発明は、REMの過剰な添加に頼らず、硫化物、特に集合組織および鋼の強度などの制御に有効なCuを含有した鋼板に見られる硫化銅のサイズ、個数密度および形態を制御し、結晶粒成長の良好な無方向性電磁鋼板を提供することを目的とする。
本発明の要旨は次の通りである。
(1)製品板内に含まれる球相当半径100nm以下の硫化銅の個数密度が1×1010[個/mm]以下であることを特徴とする、鉄損に優れた無方向性電磁鋼板。
(2)製品板内に含まれる球相当半径100nm以下の硫化銅のうち、長径/短径比が2を超える(但し、長径/短径比が1.0を超える硫化銅を棒状と定義し、実用的且つ簡便な指標として「2」を採用したのであって、1.0超〜2.0未満の範囲の硫化銅についても、本発明から排除するものではない)硫化銅の個数の割合が30%以下であることを特徴とする、(1)に記載の鉄損に優れた無方向性電磁鋼板。
(3)質量%で、
C :0.01%以下、
Si:0.1%以上7.0%以下、
Al:0.005%以上3.0%以下、
Mn:0.1%以上2.0%以下、
S :0.0005%以上0.005%以下、
Cu:0.5%以下、
REM:0.0005%以上0.03%以下
を含有し、残部が鉄およびその他の不可避的不純物からなり、かつ[REM]で示されるREMの質量%と、[Cu]で示されるCuの質量%が、(1)式を満たすことを特徴とする、(1)に記載の鉄損に優れた無方向性電磁鋼板。
[REM]×[Cu]≧7.5×10−11 (1)
(4)質量%で、
C :0.01%以下、
Si:0.1%以上7.0%以下、
Al:0.005%以上3.0%以下、
Mn:0.1%以上2.0%以下、
S :0.0005%以上0.005%以下、
Cu:0.5%以下、
REM:0.0005%以上0.03%以下
を含有し、残部が鉄およびその他の不可避的不純物からなり、かつ[REM]で示されるREMの質量%と、[Cu]で示されるCuの質量%が、0.0005≦[REM]<0.003の場合は(1)式を満たし、0.003≦[REM]≦0.03の場合は(1)式および(2)式を満たすことを特徴とする、(2)に記載の鉄損に優れた無方向性電磁鋼板。
[REM]×[Cu]≧7.5×10−11 (1)
([REM]−0.003)0.1×[Cu]≦1.25×10−4 (2)
本発明により、REMを過剰に添加することなく、無方向性電磁鋼板中で結晶粒成長を阻害する微細な硫化銅の、サイズ、形状および個数密度を適正範囲内にすることができ、結晶粒を充分に粗大成長させて低鉄損化することが可能となり、特に、打ち抜き加工後の焼鈍が、従来一般的な歪取り焼鈍より簡易な焼鈍でも、充分良好な磁気特性を示すことが可能となり、需要家のニーズを満たしつつ省エネに貢献できる。
以下に本発明について具体的に述べる。前述の通り、CuSやCuS等の硫化銅は、他の硫化物、例えば約1100〜1200℃で析出開始する硫化マンガン等に比べて、析出開始温度が約1000〜1100℃程度と低く、焼鈍工程においてより低温で溶解し再析出するため、より微細となり易く、またそれ故に結晶粒成長を阻害する効果がより大きい。硫化銅による結晶粒成長の阻害効果を抑制するためには、単位体積当たりの鋼中に含まれる硫化銅の個数、すなわち硫化銅の個数密度を、出来る限り減らすことが肝要である。
ここで、硫化銅の個数密度の調査方法を、一例を挙げて説明する。サンプル板を表面から適宜厚さ研磨して鏡面とし、後述のエッチングを施した後にレプリカを採取し、レプリカに転写された硫化銅をフィールドエミッション型透過電子顕微鏡により観察した。この場合、レプリカでなく薄膜を作成して観察しても勿論よい。硫化銅の径と個数密度は一定観察面積中の介在物を全て計測して評価し、また硫化銅の組成はEDXおよびディフラクションパターン解析により決定した。硫化銅の最小サイズに関し、硫化銅の格子定数以下のサイズでは存在し得ないのは明白であるが、安定的に存在する硫化銅核の径の下限値はおよそ5nm程度であるので、そのレベルまで観察できる方法(倍率など)を選択すればよい。
エッチング方法は、例えば黒沢らの方法(黒沢文夫、田口 勇、松本龍太郎:日本金属学会誌、43(1979),p.1068)により非水溶溶媒液中でサンプルを電解腐食し、硫化銅を残したまま鋼のみ溶解させて硫化銅を抽出することができる。
今回、上述の方法を用いて鋭意検討の結果、無方向性電磁鋼の製品板内に含まれる球相当半径100nm以下の硫化銅の個数密度が1×1010[個/mm]以下であれば、結晶粒成長が良く、鉄損に優れることが判った。さらに、無方向性電磁鋼の製品板内に含まれる球相当半径100nm以下の硫化銅のうち、長径/短径比が2を超える硫化銅の個数の割合が30%以下である場合に、さらに結晶粒成長が良く、一層鉄損に優れることが明らかとなった。
ここで、硫化銅の球相当半径とは、硫化銅を球体に換算した場合の半径、すなわち硫化銅と等しい体積の球体の半径として定義したものであり、前述のレプリカ法などにより観察された硫化銅のサイズと形状より求めることができる。
これを、図1〜5に基づいて説明する。
図1は、試料に含有される硫化銅の個数密度と、結晶粒径および磁気特性との関係を示す図である。横軸は「鋼中における球相当半径100nm以下の硫化銅の個数密度」を示し、縦軸には左右の縦軸にそれぞれ「鉄損の指標」と「結晶粒径(歪み取り焼鈍を施した後の結晶粒径)」を示す。「破線と白三角印」で示す曲線は、鉄損の個数密度依存性を示す。左縦軸は鉄損の指標として一般的に用いられる「W15/50」を採用した。鉄損については低い程優れている。
また、「実線と黒三角印」で示す曲線は、右縦軸に示す結晶粒径について、個数密度依存性を示す。粒径は大きいほど好ましい。
図2は、球相当半径100nm以下の硫化銅の全個数の内、長径/短径比が2を超える硫化銅の個数の割合(以下、個数割合)に関する依存性を、左縦軸に示す鉄損(「破線と白四角印」)と、右縦軸に示す結晶粒径(「実線と黒四角印」)とについて示す。鉄損については低い程優れている。粒径は大きいほど好ましい。
図3は、無方向性電磁鋼中のREM量およびCu量の種々の組合せにおける製品板の鉄損を示す図である。ここで、製品特性については、鉄損の数値により評価した。◎印は鉄損の指標が2.75以下と優れた性能を示すデータ群であり、○印は鉄損が2.75超2.80以下、◇印は2.80超2.85以下、×印は2.85超、●印は鉄損の指標は2.75以下と優れており、かつ製品の一部にヘゲが発生した例である。
図4および図5は鋼中の球相当半径100nm以下の硫化銅の例を示す。図4は長径/短径比が2未満の硫化銅の一例を示す。図5は長径/短径比が2を超える硫化銅の一例を示す。
質量%で、Si:2.2%、Al:0.28%、S:0.002%を含有し、Cuを0.005%〜0.2%、REMを0.0008%〜0.012%の範囲に種々調整し、残部が鉄もしくはその他の不可避的不純物からなる無方向性電磁鋼試料を作成し、試料中に含まれる硫化銅のサイズ、形態および個数密度と、試料の結晶粒径および磁気特性を調査した。なおREMは、例えば含REM合金、ミッシュメタル、鉄シリコンREM合金などであって、ショット、ブロック、ワイヤーなどの形態で、例えばRHプロセスにおいて溶鋼等に添加した。
これらの試料中に含まれる主たる硫化銅は、例えば図4に示されるような、球相当半径100nm以下の硫化銅であり、これらの微細な硫化銅によって結晶粒成長が阻害されていた。図1に示した通り、球相当半径100nm以下の硫化銅の個数密度を種々変化させて調査した結果、個数密度1×1010[個/mm]に臨界点があって、これ以下であれば、結晶粒成長が良く、鉄損に優れる挙動を見出した。
さらに、硫化銅の個数密度が1×1010[個/mm]以下の試料を仔細に解析すると、結晶粒成長性や鉄損にばらつきが見られるが、このうち特に優良なものは、試料内に含有される硫化銅のうち、長径/短径比が2を超える硫化銅の個数の割合が30%以下であることが、図2に示すように、好ましいことが明らかになった。
球相当半径100nm以下の硫化銅の一例として、長径/短径比が2を超えないものを図4に、また長径/短径比が2を超えるもの(以下、棒状化と言う)を図5に示す。
介在物の形態が棒状化すると、結晶粒成長を阻害する効果がより強くなり、好ましくない。この理由は、球形より棒状の硫化銅のほうが、結晶粒界が通過し難く、結晶粒界の移動をピン止めする効果がより大きくなるため、結晶粒成長の阻害効果がより強くなるからであると考えられる。また、上記の通り、長径/短径比が2を超える硫化銅を棒状と定義した。なお、長径/短径比のしきい値として2を採用した理由は、実用的且つ簡便な指標としたことによるものであって、1.0超〜2.0未満の範囲の硫化銅についても、本発明から排除するものではない。
次に、鋼にREMを添加する場合に、鋼中の硫化銅の個数密度および形態を前述の好ましい範囲内にするための、鋼成分の好適な条件について、図3を参照し、以下に詳細に説明する。
無方向性電磁鋼において一般的には、硫化物の生成を抑制するためには、Sと結合して硫化物を形成する元素、たとえば硫化マンガンの場合にはマンガンを、硫化銅の場合にはCuをより少なくすることが、より好ましいとされている。
ところが、本発明者の鋭意検討により、鋼中にREMを添加する場合、所定量の範囲の鋼中Cuについては、むしろ多い方が、硫化銅が結晶粒成長を阻害する効果がより小さくなることを知見した。即ち、結晶粒成長が良好化する添加REM量および鋼中Cu量の適正な組合せを見出すに至った。これについて以下に説明する。
鋼中にREMを添加すると、鋼中にREM硫化物あるいはREM酸硫化物が生成する。REMによってSが消費されるため、REMの周辺はSが欠乏した状態となる。そのため、REMの周辺には硫化銅が生成せず、鋼中のSが多い部分にのみ硫化銅が生成する。
このとき、Cu量を増加させても、既存の硫化銅が存在する場所以外ではSが欠乏しているため、新たな硫化銅が生成することがなく、増加したCuは既存の硫化銅の成長にのみ寄与する。すなわち、硫化銅の個数が増加することがなく、硫化銅のサイズが大きくなるように変化する。
硫化銅の分布すなわち鋼中のS分布は鋼中のREM量に関与し、また、硫化銅のサイズは鋼中のCu量と相関がある。よって、硫化銅の個数が増加せずにサイズがより大きくなる効果は、鋼中のREM量とCu量との濃度積と相関関係があると考えた。
そこで、本発明者による鋭意検討の結果、[REM]で示されるREMの質量%と、[Cu]で示されるCuの質量%が、0.0005≦[REM]≦0.03、[Cu]≦0.5で、下記の(1)式を満たす場合に、硫化銅の個数が増加せず、サイズが大きくなり、硫化銅による結晶粒成長の抑制効果が小さくなり、結晶粒成長を促進し、鉄損を低位に改善できることが判った。
[REM]×[Cu]≧7.5×10−11 (1)
図3の◎印(鉄損の指標が2.75以下と優れた性能を示すデータ群)、○印(鉄損が2.75超2.80以下)、◇印(2.80超2.85以下)、×印(2.85超)、●印(鉄損の指標は2.75以下と優れており、かつ製品の一部にヘゲが発生した例)によって示されるように、鋼中のREMおよびCu量が過少である故に、[REM]×[Cu]値が7.5×10−11を下回って(1)式を満たさない場合には、充分な磁気特性が得られず、逆に[REM]×[Cu]値が7.5×10−11以上となると、磁気特性が良好となることが判る。
鋼中のREM量が極めて少ない場合には、REMによるSの固定が極めて不十分なために、球相当径で100nm以下の微細な球状の硫化銅が鋼中に多数生成し、結晶粒成長性が悪化して、磁気特性が劣る結果となる。このとき、特性良好となるためにはREMは、図3に示すように0.0005%以上が好ましいことが判った。
一方、REMが0.03%を超えて過多となると、REM酸硫化物および/またはREM硫化物が過多となり、これらによって結晶粒成長が阻害され、磁気特性が劣化する場合があるので、好ましくない。
また、鋼中のCu量が0.5%を越えて過多となると、製品板にヘゲ疵が発生する可能性が顕在化するので好ましくない。
一方、Cu量の下限値は規定しないものの、Cuによる集合組織制御および鋼の強度などの制御に有効な量として0.001%以上が好ましい。
以上の通り、[REM]および[Cu]の組合せに鑑みると、各々の0.03%以下、0.5%以下が好ましいと知見した。
以上述べた通り、鋼中のREM量およびCu量を図3の範囲、好ましくは図3の細線の成分範囲内として、且つ硫化銅の個数密度およびサイズならびに個数割合を適正に制御することによって、良好な磁気特性が得られることを知見した。
更に、図3の細線の成分範囲内において良好な製品特性が得られる可能性があるが、より詳細に検討すると、図3の細線の成分範囲内において、製品特性が一層良好となる成分範囲が存在することを見出した。
すなわち、Cu量及びREM量がより適切な範囲内にある場合であって、硫化銅の個数密度も適正範囲となり、形態が棒状に変化せず、結晶粒成長および磁気特性が一層良好となる条件(◎のみが存在する略L字状の太線の範囲)を見出した。
硫化銅の形態が棒状に変化する基本的なメカニズムは、前記の、硫化銅の個数が増加せずにサイズがより大きくなるメカニズムと同様である。すなわち、SがREMによって固定され、鋼中のS分布が不均一化した場合に、Cuを過剰にすると、硫化銅の個数が増加せず、既存の硫化銅の成長がますます促進され、硫化銅の優先成長方向に伸びた細長い形態となる。
よって、硫化銅の形態を左右する効果は、鋼中のS分布を不均一化させるREMの量、および、鋼中のREM量とCu量の両者の濃度積に関係があると考えた。
0.003≦[REM]≦0.03の場合には、鋼中のREMは比較的多数であるため、REM介在物によるS固定効果は鋼中に広く作用し、鋼中のS分布が、硫化銅の成長を優先成長方向に限定するに足るほど不均一となり得る。この場合、REM量に応じて、Cu量を適正な範囲内とすれば、硫化銅の長径/短径比が2を超える硫化銅の個数の割合が30%を超えず、結晶粒成長や磁気特性は良好となる。
但し、鋼中のREM量が質量%で0.0005≦[REM]<0.003の場合には、鋼中のREMは比較的少数であるためREMによるS固定効果、すなわち鋼中Sを不均一化する効果が作用しない範囲が比較的広くなる。これによって鋼中のS分布が、硫化銅の成長を優先成長方向に限定するに足るほど不均一とはならず、硫化銅の長径/短径比が2を超える硫化銅の個数の割合が30%を超えず、その結果、硫化銅は好適に制御され、結晶粒成長や磁気特性は常に良好となる。
以上を鑑みて、本発明者が鋭意検討した結果、[REM]で示されるREMの質量%と、[Cu]で示されるCuの質量%が、0.0005≦[REM]<0.003の場合は(1)式を満たし、0.003≦[REM]≦0.03の場合は(1)式および(2)式を満たす場合に、硫化銅の個数が増加せず、サイズが大きくなり、かつ硫化銅の長径/短径比が2を超える硫化銅の個数の割合が30%以下となり、硫化銅による結晶粒成長の抑制効果が十分に小さくなり、結晶粒成長および鉄損が一段と良好となることが判った。
[REM]×[Cu]≧7.5×10−11 (1)
([REM]−0.003)0.1×[Cu]≦1.25×10−4 (2)
図3の◇印に示す例も従来に比べれば充分に製品特性が良好であるが、太線内の◎印に示すように、より好適な範囲に[REM]値および[Cu]値が入り、且つ個数密度および個数割合が適性条件を満足する場合には、一段と製品特性が良好であった。
このように、鋼中のREM量およびCu量を、図3の太線の成分範囲内とすれば、一段と良好な磁気特性が得られることが判明した。
ところで、上記の効果は、単に鋼中のS量を下げただけでは発現せず、鋼中にREMを添加して、SをREMにより固定し、さらに鋼中のCu量を適宜変化させた場合にのみ観察されることが、今回はじめて明らかになった。
このとき、REMの元素であれば、1種だけ用いても、あるいは2種以上の元素を組み合わせて用いても、本発明の範囲内であれば上記の効果は発揮される。
次に、本発明におけるREMおよびCu以外の成分の限定理由について説明する。
[C]:Cは、磁気特性に有害となるばかりかCの析出による磁気時効が著しくなるので0.01質量%以下とした。下限は0質量%を含むが、現実的にコスト見合いにより、1〜5ppm程度含有しても良い。
[Si]:Siは鉄損を減少させる元素である。下限の0.1質量%未満の場合、鉄損が悪化し、上限の7.0質量%を超えるべくSiを鋼に含有させるのは工業的に困難でコスト高となるため、[Si]は0.1〜7.0質量%とした。
[Al]:AlはSi同様に鉄損を減少させる元素である。下限の0.005質量%未満では鉄損が悪化し、上限の3.0質量%を超えるとコストの増加が著しい。
[Mn]:Mnは鋼板の硬度を増加させ、打抜性を改善するために0.1質量%以上添加する。なお、上限の2.0質量%は経済的理由によるものである。
[S]:Sは硫化銅や硫化マンガン等の硫化物となって結晶粒成長性を悪化させ、鉄損を悪化させる。本発明によりREMによって固定されるものの、その実用上の上限として0.005質量%以下とした。また脱硫によるコスト増を押さえるため、下限値として0.0005質量%とした。
次に、本発明における製造条件について説明する。
まず製鋼段階においてCuを含有する溶鋼を用いて、転炉や2次精錬炉などの常法により精錬する際、スラグの酸化度すなわちスラグ中のFeO+MnOの質量比を3.0%以下の範囲内とすることが好ましい。理由は、スラグの酸化度が3.0%超であればスラグからの酸素の供給によって溶鋼中のREMが不必要に酸化されて酸化物のみが形成され、REM硫化物ないしREM酸硫化物などを形成することがなく、鋼中Sの固定が不十分となるからである。さらに、炉材耐火物などを吟味して外来性の酸素源を極力排除することも重要である。さらに、前述のREM合金をRH等において添加し、出鋼し、鋳造するまでの間に、雰囲気などを酸素源とする酸化によって鋼中のREMの一部が不可避的REM酸化物を形成するが、そのREM酸化物を鋳造前に浮上させ除去するに足る時間を保つため、REM添加から鋳造までの時間を10分以上おくことが好ましい。以上述べた対策によって狙い通りの組成範囲内の鋼を製造することが可能となる。
上記の様な方法によって所望の組成範囲内の溶鋼を溶製した後、連続鋳造ないしインゴット鋳造によりスラブ等の鋳片を鋳造する。この後、熱間圧延し、必要に応じて熱延板焼鈍し、一回または中間焼鈍を挟む二回以上の冷間圧延により製品厚に仕上げ、次いで仕上げ焼鈍し、絶縁皮膜を塗布する。
以下に実施例に基づいて、さらに具体的に説明する。
質量%でC:0.002%、Si:2.2%、Al:0.28%、Mn:0.2%、S:0.002%を含み、かつCuおよびREMの含有量を、表1に示すように種々変更した鋼を溶解精錬し、連続鋳造、熱間圧延、熱延板焼鈍し、厚さ0.50mmに冷間圧延し、850℃×30秒の仕上げ焼鈍を施し、絶縁皮膜を塗布して製品板を作成した。REMとしては、LaとCeを約95%含有した含REM合金をRHで投入した。
このときの製品板の結晶粒径はいずれも30〜33μmの範囲内にあった。次に、これら製品板に従来一般的に行われるより短時間の750℃×1.5時間の歪取り焼鈍を施した後に、結晶粒径および磁気特性ならびに介在物の調査を行った。
磁気特性調査は25cmエプスタイン法を用い、介在物調査は前述の要領で行い、結晶粒径は板厚断面を鏡面研磨しナイタールエッチングを施して結晶粒を現出させて平均結晶粒径を測定した。得られた結果を表1および図1、図2および図3に示す。
No.1からNo.6は本発明の実施例の中でも最も良好な製品特性群であり、鋼成分が本発明範囲であり、且つ、個数密度、棒状硫化銅の個数割合、(1)及び(2)式の全ての条件を満足している例である。
前述の方法により調査した結果、径100nm以下の微細硫化銅の個数密度(以降、単に個数密度と記載することがある。)が0.4〜0.9×1010[個/mm]存在し、1.0×1010[個/mm]以下であった。
また、長径/短径比が2を超える硫化銅の個数の割合(以降、単に個数割合と記載することがある。)が7〜27と30%以下である。
硫化銅以外の硫化物として製品中に径が0.2[μm]〜3.5[μm]のREM酸硫化物およびREM硫化物が見られた。このように、鋼中のREMが酸硫化物ないし硫化物を形成してSを固定することにより微細硫化銅の生成が抑制され、結晶粒成長性が良好となったことが明らかであった。
以上の結果、歪取り焼鈍を施した後の結晶粒径が65〜68μmと大きく粒成長を達成しており、また磁気特性(鉄損:W15/50で示す)も2.65〜2.71[W/kg]と低く抑えられており、以下に示す比較例の3.0超[W/kg]に比べて格段に優れている。図3で示す◎印のデータ群に相当する。
No.7〜9は本発明の実施例であり、球相当半径100nm以下の硫化銅の個数密度が1×1010[個/mm]以下であるものの、長径/短径比が2を超える硫化銅の個数の割合が30%を超えてしまっており、歪取り焼鈍を施した後の結晶粒径が56〜58μmと比較的小さく、鉄損も2.81〜2.82[W/kg]であり、本発明実施例のNo.1からNo.6より大きいが、以下に示す比較例に比べると優れている。図3の◇印のデータ群に相当する。
No.10は、個数密度は本発明範囲であり、また棒状硫化銅の個数割合も30%以下であるものの、Cuが過少であったため、(1)式を満足せず、結晶粒径が58μmと比較的小さく、鉄損が2.79[W/kg]と比較的大きいが、以下に示す比較例に比べると優れている。図3の右下域に示す○印(2つある内の横軸上に示す○印)のデータに相当する。
No.11から14の4例は比較例であり、球相当半径100nm以下の硫化銅の個数密度が1×1010[個/mm]を超えてしまっており(図1で、中央の点線より右側にあるデータ群に相当する)、歪取り焼鈍を施した後の結晶粒径が38μm以下とかなり小さく、鉄損も3.0[W/kg]を超えてしまっている。図3の×印のデータに相当する。
No.15は個数密度は本発明範囲であり、また個数割合は30%以下であるものの、REMが過多であるために鉄損が2.76[W/kg]と比較的大きく、歪取り焼鈍を施した後の結晶粒径も60μmと比較的小さい。
但し、硫化銅以外の硫化物として製品中に径が0.2[μm]〜3.5[μm]のREM酸硫化物およびREM硫化物が圧延方向に延伸したものが観察されており、それが板厚方向の結晶粒成長を抑制したことが明らかであった。図3の右下域に示す○印(2つある内のREMの適正範囲の右側に示す○印)のデータに相当する。
No.16も個数密度は本発明範囲であり、また個数割合30%以下であり、さらに(1)、(2)式については本発明範囲であるものの、Cuが0.5%を若干超えているため、ヘゲが部分的に発生してしまった例である。製品板の表面の一部(エッジ近傍)にヘゲ疵が発生したために製品歩留りが悪化した。しかし、ヘゲ部は打ち抜き加工代に入っており、製品歩留り悪化は実用上の問題とならなかった。
鉄損は2.72[W/kg]、歪取り焼鈍を施した後の結晶粒径も63μmといずれも他の◎印レベルである。図3の中上域に示す●印のデータに相当する。
以上の結果は歪取り焼鈍を従来一般的に行われているより短時間で行った結果であるが、従来レベルの歪取り焼鈍を行った場合には微細硫化銅による結晶粒成長差がより顕著化するので、以上述べた結晶粒成長性および鉄損の適不適が一層明確になることは言うまでもない。
以上により、鋼中のREM量およびCu量を適正範囲とすることにより、鋼中の硫化銅の個数密度およびサイズならびに形態を制御することが可能となり、それによって同一の歪取り焼鈍でも結晶粒成長がより良い無方向性電磁鋼板を提供することが可能となった。また、従来の一般的な歪取り焼鈍条件である750℃×2時間の焼鈍よりも更に短時間化の焼鈍を行っても、十分な低鉄損を得られるようになった。
鋼中における硫化銅の個数密度および結晶粒径ならびに磁気特性との関係を示す。 鋼中の硫化銅のうち、球相当半径100nm以下の硫化銅の長径/短径比が2を超える介在物の割合と、結晶粒径および磁気特性との関係を示す。 鋼中のREM量およびCu量の本発明範囲を示す。 鋼中における球相当半径100nm以下の硫化銅の一例。 鋼中における球相当半径100nm以下の硫化銅の、長径/短径比が2を超える硫化銅の一例。

Claims (4)

  1. 製品板内に含まれる球相当半径100nm以下の硫化銅の個数密度が1×1010[個/mm]以下であることを特徴とする、鉄損に優れた無方向性電磁鋼板。
  2. 製品板内に含まれる球相当半径100nm以下の硫化銅のうち、長径/短径比が2を超える硫化銅の個数の割合が30%以下であることを特徴とする、請求項1に記載の鉄損に優れた無方向性電磁鋼板。
  3. 質量%で、
    C :0.01%以下、
    Si:0.1%以上7.0%以下、
    Al:0.005%以上3.0%以下、
    Mn:0.1%以上2.0%以下、
    S :0.0005%以上0.005%以下、
    Cu:0.5%以下、
    希土類元素(以下、REMと記す):0.0005%以上0.03%以下
    を含有し、残部が鉄およびその他の不可避的不純物からなり、かつ[REM]で示されるREMの質量%と、[Cu]で示されるCuの質量%が、(1)式を満たすことを特徴とする、請求項1に記載の鉄損に優れた無方向性電磁鋼板。
    [REM]×[Cu]≧7.5×10−11 (1)
  4. 質量%で、
    C :0.01%以下、
    Si:0.1%以上7.0%以下、
    Al:0.005%以上3.0%以下、
    Mn:0.1%以上2.0%以下、
    S :0.0005%以上0.005%以下、
    Cu:0.5%以下、
    REM:0.0005%以上0.03%以下
    を含有し、残部が鉄およびその他の不可避的不純物からなり、かつ[REM]で示されるREMの質量%と、[Cu]で示されるCuの質量%が、0.0005≦[REM]<0.003の場合は(1)式を満たし、0.003≦[REM]≦0.03の場合は(1)式および(2)式を満たすことを特徴とする、請求項2に記載の鉄損に優れた無方向性電磁鋼板。
    [REM]×[Cu]≧7.5×10−11 (1)
    ([REM]−0.003)0.1×[Cu]≦1.25×10−4 (2)
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