JP2006117624A - アミド化合物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】写真用カプラー、写真用添加剤、医薬及び農薬等として、或いはこれらの合成中間体として有用なアミド類及び分子内に複素環を含むアミド類の安価、簡便で高収率な製造方法の提供。
【解決手段】ジルコニウム化合物及びハフニウム化合物の少なくとも1種を、下記一般式(2)で表される化合物1モルに対して1モル未満の共存下で、下記一般式(2)で表される化合物と、下記一般式(3)で表される化合物とを反応させることを特徴とする下記一般式(1)で表される化合物の製造方法。
(一般式(1)、(2)および(3)中、R11は水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、R12およびR13は各々独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、R21は脂肪族基、芳香族基または複素環基を表す。)
【選択図】なし
【解決手段】ジルコニウム化合物及びハフニウム化合物の少なくとも1種を、下記一般式(2)で表される化合物1モルに対して1モル未満の共存下で、下記一般式(2)で表される化合物と、下記一般式(3)で表される化合物とを反応させることを特徴とする下記一般式(1)で表される化合物の製造方法。
(一般式(1)、(2)および(3)中、R11は水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、R12およびR13は各々独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、R21は脂肪族基、芳香族基または複素環基を表す。)
【選択図】なし
Description
本発明は写真用カプラー、写真用添加剤、医薬および農薬等として、あるいはこれらの合成中間体として有用なアミド類および分子内に複素環を含むアミド類の製造方法に関する。
アミド類および分子内に複素環を含むアミド類は写真用カプラー、写真用添加剤、医薬および農薬等として、あるいはこれらの合成中間体として有用であり、これまでもその製造法が盛んに研究されてきた。一般的にアミド類は対応するカルボン酸やエステル類から製造される。このうちエステル類からアミド類を製造する方法には、(1)エステル類をまず加水分解してカルボン酸とし、更にこれを酸ハロゲン化物に変換した後、アミン類と反応させる方法、(2)触媒存在下にてエステル類とアミン類を直接縮合させる方法がある。(1)の方法は工程数が多く、また耐腐食性の製造装置を必要とする等、工業的製造方法としては不十分な点が多い。また(2)の方法はプロトン酸またはルイス酸触媒の存在下で行われるが、これまでに知られているルイス酸としてはスズ化合物(例えば特許文献1〜3等)、周期表第3族元素化合物(例えば特許文献4、6等)、アルミニウム、チタン、鉄および亜鉛化合物等(例えば特許文献5等)、インジウム化合物(例えば非特許文献1等)が知られている。
しかしながら、プロトン酸およびこれらの触媒を使用する製造方法では低収率あるいは副生成物が多いなどの点で、工業的な製造法として十分ではなかった。また、塩化ジルコニウム(IV)を用いる方法も知られているが、高価な塩化ジルコニウム(IV)を触媒量ではなく多量(理論量)使用するため(例えば非特許文献2等)、工業的な製造方法としては不十分であった。
特開昭62−67055号公報
特開昭54−138513号公報
特開2000−95741号公報
特開2001−261625号公報
特開平8−134041号公報
特開平9−239270号公報
シンセティック・コミュニケーションズ,第33巻,297頁(2003年)
シンセティック・コミュニケーションズ,第16巻,633頁(1986年)
しかしながら、プロトン酸およびこれらの触媒を使用する製造方法では低収率あるいは副生成物が多いなどの点で、工業的な製造法として十分ではなかった。また、塩化ジルコニウム(IV)を用いる方法も知られているが、高価な塩化ジルコニウム(IV)を触媒量ではなく多量(理論量)使用するため(例えば非特許文献2等)、工業的な製造方法としては不十分であった。
本発明の目的は、写真用カプラー、写真用添加剤、医薬および農薬等として、あるいはこれらの合成中間体として有用なアミド類および分子内に複素環を含むアミド類の安価、簡便で高収率な製造方法を提供することにある。
本発明等は鋭意検討の結果、下記手段により本発明の上記目的が達成されることを見出した。
(1)ジルコニウム化合物及びハフニウム化合物の少なくとも1種を、下記一般式(2)で表される化合物1モルに対して1モル未満の共存下で、下記一般式(2)で表される化合物と、下記一般式(3)で表される化合物とを反応させることを特徴とする下記一般式(1)で表される化合物の製造方法。
一般式(1)、(2)および(3)中、R11は水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、R12およびR13は各々独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、R21は脂肪族基、芳香族基または複素環基を表す。
(2)前記一般式(3)で表される化合物の使用量が、前記一般式(2)で表される化合物1モルに対して、0.8〜1.2モルであることを特徴とする(1)に記載の製造方法。
(3)前記ジルコニウム化合物またはハフニウム化合物が、それぞれ塩化ジルコニウム(IV)または塩化ハフニウム(IV)であることを特徴とする(1)または(2)に記載の製造方法。
(4)ジルコニウム化合物及びハフニウム化合物の少なくとも1種を、下記一般式(5)で表される化合物もしくはその互変異性体1モルに対して0.2モル以下共存させ、下記一般式(5)で表される化合物もしくはその互変異性体と、下記一般式(6)で表される化合物とを反応させることを特徴とする下記一般式(4)で表される化合物もしくはその互変異性体の製造方法。
一般式(4)、(5)および(6)中、R41およびR45は各々独立に置換基を表し、R42、R43およびR44は各々独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、R51は脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、n41は0〜4の整数を表し、n45は0〜5の整数を表す。n41が2以上の場合、複数のR41は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。またn45が2以上の場合、複数のR45は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。
(5)前記一般式(6)で表される化合物の使用量が、前記一般式(5)で表される化合物もしくはその互変異性体1モルに対して、0.8〜1.2モルであることを特徴とする(4)に記載の製造方法。
(6)前記ジルコニウム化合物またはハフニウム化合物がそれぞれ塩化ジルコニウム(IV)または塩化ハフニウム(IV)であることを特徴とする(4)または(5)に記載の製造方法。
本発明により、写真用カプラー、写真用添加剤、医薬及び農薬等として、あるいはこれらの合成中間体として有用なアミド類および分子内に複素環を含むアミド類を簡便かつ高収率で製造することができる。
以下、本発明の実施の形態について詳しく説明する。
本明細書においてまず、脂肪族基はアルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、アラルキル基および置換アラルキル基を意味する。アルキル基は分岐を有していてもよく、また環を形成(すなわち、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基等)していてもよい。アルキル基の炭素原子数は1〜20であることが好ましく、1〜18であることが更に好ましい。置換アルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アルケニル基は分岐を有していてもよく、また環を形成していてもよい。アルケニル基の炭素原子数は2〜20であることが好ましく、2〜18であることが更に好ましい。置換アルケニル基のアルケニル部分は、上記アルケニル基と同様である。アルキニル基は分岐を有していてもよく、また環を形成していてもよい。アルキニル基の炭素原子数は2〜20であることが好ましく、2〜18であることが更に好ましい。置換アルキニル基のアルキニル部分は、上記アルキニル基と同様である。アラルキル基および置換アラルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アラルキル基および置換アラルキル基のアリール部分は下記アリール基と同様である。
本明細書においてまず、脂肪族基はアルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、アラルキル基および置換アラルキル基を意味する。アルキル基は分岐を有していてもよく、また環を形成(すなわち、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基等)していてもよい。アルキル基の炭素原子数は1〜20であることが好ましく、1〜18であることが更に好ましい。置換アルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アルケニル基は分岐を有していてもよく、また環を形成していてもよい。アルケニル基の炭素原子数は2〜20であることが好ましく、2〜18であることが更に好ましい。置換アルケニル基のアルケニル部分は、上記アルケニル基と同様である。アルキニル基は分岐を有していてもよく、また環を形成していてもよい。アルキニル基の炭素原子数は2〜20であることが好ましく、2〜18であることが更に好ましい。置換アルキニル基のアルキニル部分は、上記アルキニル基と同様である。アラルキル基および置換アラルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アラルキル基および置換アラルキル基のアリール部分は下記アリール基と同様である。
置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基および置換アラルキル基のアルキル部分の置換基としては、ハロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基(好ましくは炭素数1から30のアルキル基、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、t−ブチル、n−オクチル、エイコシル、2−クロロエチル、2−シアノエチル、2―エチルヘキシル)、シクロアルキル基(好ましくは、炭素数3から30の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、4−n−ドデシルシクロヘキシル)、ビシクロアルキル基(好ましくは、炭素数5から30の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数5から30のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ[1,2,2]ヘプタン−2−イル、ビシクロ[2,2,2]オクタン−3−イル)、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基(例えばアルキルチオ基のアルキル基)もこのような概念のアルキル基を表す。]、アルケニル基[直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基(好ましくは炭素数2から30の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル)、シクロアルケニル基(好ましくは、炭素数3から30の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数3から30のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、2−シクロペンテン−1−イル、2−シクロヘキセン−1−イル)、ビシクロアルケニル基(置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数5から30の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ[2,2,1]ヘプト−2−エン−1−イル、ビシクロ[2,2,2]オクト−2−エン−4−イル)を包含するものである。]、アルキニル基(好ましくは、炭素数2から30の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基、
アリール基(好ましくは炭素数6から30の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、p−トリル、ナフチル、m−クロロフェニル、o−ヘキサデカノイルアミノフェニル)、ヘテロ環基(好ましくは5または6員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数3から30の5もしくは6員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、2−フリル、2−チエニル、2−ピリミジニル、2−ベンゾチアゾリル)、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基(好ましくは、炭素数1から30の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、t−ブトキシ、n−オクチルオキシ、2−メトキシエトキシ)、アリールオキシ基(好ましくは、炭素数6から30の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、2−メチルフェノキシ、4−t−ブチルフェノキシ、3−ニトロフェノキシ、2−テトラデカノイルアミノフェノキシ)、シリルオキシ基(好ましくは、炭素数3から20のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、t−ブチルジメチルシリルオキシ)、ヘテロ環オキシ基(好ましくは、炭素数2から30の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、1−フェニルテトラゾールー5−オキシ、2−テトラヒドロピラニルオキシ)、アシルオキシ基(好ましくはホルミルオキシ基、炭素数2から30の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6から30の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、p−メトキシフェニルカルボニルオキシ)、
カルバモイルオキシ基(好ましくは、炭素数1から30の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、N,N−ジメチルカルバモイルオキシ、N,N−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、N,N−ジ−n−オクチルアミノカルボニルオキシ、N−n−オクチルカルバモイルオキシ)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは、炭素数2から30の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、t−ブトキシカルボニルオキシ、n−オクチルカルボニルオキシ)、アリールオキシカルボニルオキシ基(好ましくは、炭素数7から30の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、p−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、p−n−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ)、アミノ基(好ましくは、アミノ基、炭素数1から30の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数6から30の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、N−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ)、アシルアミノ基(好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数1から30の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数6から30の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、3,4,5−トリ−n−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ)、
アミノカルボニルアミノ基(好ましくは、炭素数1から30の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、N,N−ジメチルアミノカルボニルアミノ、N,N−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2から30の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、t−ブトキシカルボニルアミノ、n−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、N−メチルーメトキシカルボニルアミノ)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは、炭素数7から30の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、p−クロロフェノキシカルボニルアミノ、m−n−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ)、スルファモイルアミノ基(好ましくは、炭素数0から30の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、N,N−ジメチルアミノスルホニルアミノ、N−n−オクチルアミノスルホニルアミノ)、アルキル又はアリールスルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1から30の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数6から30の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、2,3,5−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、p−メチルフェニルスルホニルアミノ)、メルカプト基、アルキルチオ基(好ましくは、炭素数1から30の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、n−ヘキサデシルチオ)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6から30の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、p−クロロフェニルチオ、m−メトキシフェニルチオ)、ヘテロ環チオ基(好ましくは炭素数2から30の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、2−ベンゾチアゾリルチオ、1−フェニルテトラゾール−5−イルチオ)、
スルファモイル基(好ましくは炭素数0から30の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、N−エチルスルファモイル、N−(3−ドデシルオキシプロピル)スルファモイル、N,N−ジメチルスルファモイル、N−アセチルスルファモイル、N−ベンゾイルスルファモイル、N−(N’−フェニルカルバモイル)スルファモイル)、スルホ基、アルキル又はアリールスルフィニル基(好ましくは、炭素数1から30の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、6から30の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、p−メチルフェニルスルフィニル)、アルキル又はアリールスルホニル基(好ましくは、炭素数1から30の置換または無置換のアルキルスルホニル基、6から30の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、p−メチルフェニルスルホニル)、
アシル基(好ましくはホルミル基、炭素数2から30の置換または無置換のアルキルカルボニル基、、炭素数7から30の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数4から30の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、2−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、p−n−オクチルオキシフェニルカルボニル、2―ピリジルカルボニル、2―フリルカルボニル)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは、炭素数7から30の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、o−クロロフェノキシカルボニル、m−ニトロフェノキシカルボニル、p−t−ブチルフェノキシカルボニル)、アルコキシカルボニル基(好ましくは、炭素数2から30の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、t−ブトキシカルボニル、n−オクタデシルオキシカルボニル)、カルバモイル基(好ましくは、炭素数1から30の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、N−メチルカルバモイル、N,N−ジメチルカルバモイル、N,N−ジ−n−オクチルカルバモイル、N−(メチルスルホニル)カルバモイル)、アリール又はヘテロ環アゾ基(好ましくは炭素数6から30の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数3から30の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、p−クロロフェニルアゾ、5−エチルチオ−1,3,4−チアジアゾール−2−イルアゾ)、イミド基(好ましくは、N−スクシンイミド、N−フタルイミド)、ホスフィノ基(好ましくは、炭素数2から30の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ)、ホスフィニル基(好ましくは、炭素数2から30の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル)、ホスフィニルオキシ基(好ましくは、炭素数2から30の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ)、ホスフィニルアミノ基(好ましくは、炭素数2から30の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ)、シリル基(好ましくは、炭素数3から30の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、t−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル)を表す。
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、p−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
置換アラルキル基のアリール部分の置換基の例は、下記置換アリール基の置換基の例と同様である。
本明細書において芳香族基は、アリール基および置換アリール基を意味する。またこれらの芳香族基は脂肪族環、他の芳香族環または複素環が縮合していてもよい。芳香族基の炭素原子数は6〜40が好ましく、6〜30が更に好ましく、6〜20が更に好ましい。またその中でもアリール基としてはフェニルまたはナフチルであることが好ましく、フェニルが特に好ましい。
置換アリール基のアリール部分は、上記アリール基と同様である。置換アリール基の置換基の例としては、先に置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基及び置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例として挙げたものと同様である。
本明細書において、複素環基における複素環は5員または6員の飽和または不飽和複素環を含むことが好ましい。複素環に脂肪族環、芳香族環または他の複素環が縮合していてもよい。複素環のヘテロ原子の例にはB、N、O、S、SeおよびTeが含まれる。ヘテロ原子としてはN、OおよびSが好ましい。複素環は炭素原子が遊離の原子価(一価)を有する(複素環基は炭素原子において結合する)ことが好ましい。好ましい複素環基の炭素原子数は1〜40であり、より好ましくは1〜30であり、更に好ましくは1〜20である。複素環基における飽和複素環の例には、ピロリジン環、モルホリン環、2−ボラ−1,3−ジオキソラン環および1,3−チアゾリジン環が含まれる。複素環基における不飽和複素環の例には、イミダゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾセレナゾール環、ピリジン環、ピリミジン環およびキノリン環が含まれる。複素環基は置換基を有していても良い。置換基の例としては、先に置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基及び置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例として挙げたものと同様である。
次に一般式(1)〜(6)で表される化合物について説明する。
一般式(1)〜(3)において、R11は水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、これらの基は前に述べた通りである。R11として好ましくは脂肪族基または芳香族基であり、より好ましくは炭素数1〜40の脂肪族基、炭素数6〜40の芳香族基または炭素数3〜40の芳香族基である。更に好ましいR11は炭素数1〜30の脂肪族基または炭素数6〜30の芳香族基であり、更に好ましいR11は炭素数1〜30の脂肪族基であり、最も好ましいR11はアミドまたはエステルカルボニル基のα、β位が二重結合となる、即ちアミドカルボニルもしくはエステルカルボニルと共役二重結合を形成する脂肪族基である。
一般式(1)〜(3)において、R11は水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、これらの基は前に述べた通りである。R11として好ましくは脂肪族基または芳香族基であり、より好ましくは炭素数1〜40の脂肪族基、炭素数6〜40の芳香族基または炭素数3〜40の芳香族基である。更に好ましいR11は炭素数1〜30の脂肪族基または炭素数6〜30の芳香族基であり、更に好ましいR11は炭素数1〜30の脂肪族基であり、最も好ましいR11はアミドまたはエステルカルボニル基のα、β位が二重結合となる、即ちアミドカルボニルもしくはエステルカルボニルと共役二重結合を形成する脂肪族基である。
R12およびR13は各々独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、これらの基は前に述べた通りである。但し、R12とR13とが同時に水素原子であることはない。R12およびR13として好ましくは水素原子、脂肪族基または芳香族基であり、より好ましくはR12が水素原子で、R13が脂肪族基または芳香族基である。更に好ましいR13は炭素数1〜30の脂肪族基または炭素数6〜30の芳香族基であり、更に好ましいR13は炭素数6〜20の芳香族基であり、最も好ましいR13はアミノ基のオルト位に置換基を有するフェニル基である。
R21は脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、これらの基は前に述べた通りである。R21として好ましくは炭素数1〜10の脂肪族基、炭素数6から15の芳香族基または炭素数3〜10の複素環基であり、より好ましくは炭素数1〜6の脂肪族基、炭素数6〜10の芳香族基であり、更に好ましくは無置換またはハロゲン原子が置換した脂肪族基または芳香族基である。また最も好ましいR21は炭素数1〜4の脂肪族基である。
一般式(4)〜(6)において、R41は置換基を表し、置換基の例としては前述の置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基および置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。R41として好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルキル又はアリールスルフィニル基、アルキル又はアリールスルホニル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基およびシリル基であり、更に好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基およびシリル基であり、より好ましくはフッ素原子、塩素原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数3〜5のヘテロ環基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、炭素数3〜6のシリルオキシ基、炭素数1〜5のアルキルチオ基、炭素数6〜10のアリールチオ基および炭素数3〜6のシリル基であり、更に好ましくはフッ素原子、塩素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数6〜8のアリール基、炭素数1〜4のアルコキシ基および炭素数1〜5のアルキルチオ基である。これらの官能基は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては、前述の置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基および置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。
R41のベンゼン環における置換位置は、特に限定は無い。
R41のベンゼン環における置換位置は、特に限定は無い。
R42は水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、好ましくは水素原子または脂肪族基であり、より好ましくは炭素数1〜30の脂肪族基である。更に好ましいR42は炭素数1〜20のアルキル基およびアラルキル基であり、炭素数1〜20のアルキル基が最も好ましい。当該アルキル基およびアラルキル基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、前述の置換アルキル基、および置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。
R43は水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、好ましくは水素原子または脂肪族基であり、更に好ましくは水素原子および炭素数1〜5のアルキル基である。当該アルキル基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前述の置換アルキル基の置換基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。
最も好ましいR43は水素原子である。
最も好ましいR43は水素原子である。
R44は水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、好ましくは水素原子または脂肪族基であり、より好ましくは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数6〜10の芳香族基または炭素数3〜5の複素環基である。更に好ましいR44は水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数6〜8の芳香族基である。当該アルキル基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前述の置換アルキル基の置換基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。
R44としては、水素原子が最も好ましい。
R44としては、水素原子が最も好ましい。
R45は置換基を表し、置換基の例としては前述の置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基および置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。R45として好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルキル又はアリールスルフィニル基、アルキル又はアリールスルホニル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基およびシリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基およびシリル基であり、更に好ましくは炭素数1〜15のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数3〜5のヘテロ環基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、炭素数3〜6のシリルオキシ基、炭素数1〜10のアルキルチオ基、炭素数6〜10のアリールチオ基および炭素数3〜6のシリル基であり、更に好ましく炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基および炭素数1〜10のアルキルチオ基である。これらの官能基は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては、前述の置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基および置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。
R51は脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、好ましくは脂肪族基または芳香族基であり、より好ましくは炭素数1〜8の脂肪族基または炭素数6〜10の芳香族基であり更に好ましくは炭素数1〜4のアルキル基またはフェニル基が好ましく、最も好ましいR51は炭素数1〜4のアルキル基である。当該アルキル基及びフェニル基は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては、前述の置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基および置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。
n41は0〜4の整数を表し、好ましいn41は0〜2であり、更に好ましくは0または1であり、最も好ましいn41は0である。
n45は0〜5の整数を表し、好ましいn45は0〜3であり、更に好ましくは0〜2である。
なお、本発明の一般式(4)または(5)で表される化合物の具体例を以下に示すが、該化学構造式は、互変異性体(π電子と水素原子の移動に基づく互変異性)を一つを示すものであって、本発明においてはこれらの互変異性体をも含むものである。
次に本発明の一般式(1)または(4)で表される化合物の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。
次に本発明の一般式(2)または(5)で表される化合物の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。
次に本発明の一般式(3)または(6)で表される化合物の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。
以下に、本発明で使用するジルコニウム化合物およびハフニウム化合物について説明する。
本発明におけるジルコニウム化合物またはハフニウム化合物とは、それぞれジルコニウム元素またはハフニウム元素を含む有機、無機の化合物であり、例えばハロゲン化物(フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物)、アルコキシド(例えばメトキシド、エトキシド)、カルボン酸塩(例えば酢酸塩、シュウ酸塩)、スルホン酸塩(例えばメタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、p−トルエンスルホン酸塩、ナフタレンジスルホン酸塩)、硫酸塩、硝酸塩、炭酸塩、酸化物等であり、塩の場合結晶溶媒を含んでいてもよく、また他の金属との共塩であってもよい。特に好ましくは、塩化ジルコニウム(IV)または塩化ハフニウム(IV)である。
これらを単独あるいは2種以上を用いてもよく、更に他の金属化合物と併用しても良い。併用する他の金属化合物としては第3族〜第16族の金属を含む化合物であり、好ましくは第3〜5族、第13族およびランタノイド系であり、例えば塩化アルミニウム(III)、塩化チタン(IV)、塩化バナジウム(V)、塩化ランタン(III)、アルミニウムイソプロポキシド等である。
本発明におけるジルコニウム化合物またはハフニウム化合物とは、それぞれジルコニウム元素またはハフニウム元素を含む有機、無機の化合物であり、例えばハロゲン化物(フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物)、アルコキシド(例えばメトキシド、エトキシド)、カルボン酸塩(例えば酢酸塩、シュウ酸塩)、スルホン酸塩(例えばメタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、p−トルエンスルホン酸塩、ナフタレンジスルホン酸塩)、硫酸塩、硝酸塩、炭酸塩、酸化物等であり、塩の場合結晶溶媒を含んでいてもよく、また他の金属との共塩であってもよい。特に好ましくは、塩化ジルコニウム(IV)または塩化ハフニウム(IV)である。
これらを単独あるいは2種以上を用いてもよく、更に他の金属化合物と併用しても良い。併用する他の金属化合物としては第3族〜第16族の金属を含む化合物であり、好ましくは第3〜5族、第13族およびランタノイド系であり、例えば塩化アルミニウム(III)、塩化チタン(IV)、塩化バナジウム(V)、塩化ランタン(III)、アルミニウムイソプロポキシド等である。
一般式(1)または(4)で表される化合物を得る反応は、一般式(2)または(5)で表される化合物と一般式(3)または(6)で表される化合物と、ジルコニウム化合物及びハフニウム化合物の少なくとも1種とを、溶媒を用いて、又は無溶媒で行う。
溶媒としては、例えばアミド系溶媒(例えばN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチルー2−ピロリドン)、スルホン系溶媒(例えばスルホラン)、スルホキシド系溶媒(例えばジメチルスルホキシド)、ウレイド系溶媒(例えばテトラメチルウレア)、エーテル系溶媒(例えばジオキサン)、ケトン系溶媒(例えばアセトン、シクロヘキサノン)、炭化水素系溶媒(例えばトルエン、キシレン、メシチレン、n−オクタン、n−デカン)、ハロゲン系溶(例えばテトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン)を単独あるいは混合して用いる。
好ましくは、無溶媒、炭化水素系溶媒およびハロゲン系溶媒であり、更に好ましくは無溶媒および炭化水素系溶媒である。
溶媒としては、例えばアミド系溶媒(例えばN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチルー2−ピロリドン)、スルホン系溶媒(例えばスルホラン)、スルホキシド系溶媒(例えばジメチルスルホキシド)、ウレイド系溶媒(例えばテトラメチルウレア)、エーテル系溶媒(例えばジオキサン)、ケトン系溶媒(例えばアセトン、シクロヘキサノン)、炭化水素系溶媒(例えばトルエン、キシレン、メシチレン、n−オクタン、n−デカン)、ハロゲン系溶(例えばテトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン)を単独あるいは混合して用いる。
好ましくは、無溶媒、炭化水素系溶媒およびハロゲン系溶媒であり、更に好ましくは無溶媒および炭化水素系溶媒である。
反応温度は、30〜250℃、好ましくは80〜200℃、更に好ましくは100〜170℃で行い、5分〜30時間の反応時間の範囲にて行う。
反応中、副生するアルコールを系外に除くことが好ましく、減圧下あるいは常圧にて単独あるいは溶媒とともに留去する方法、あるいはモレキュラーシーブ等の吸収剤を用いる方法、無機塩等に結晶溶媒として含ませる方法等が好ましく用いられる。
反応に使用する原料の好ましいモル比は、一般式(2)または(5)で表される化合物1モルに対して、一般式(3)または(6)で表される化合物が0.8〜1.20モル、より好ましくは0.85〜1.15モル、更に好ましくは0.90〜1.10モル、最も好ましくは0.95〜1.05モルである。従来、エステル化合物からアミド化合物を合成する場合、エステル化合物またはアミン化合物のうち安価な原料を過剰に使用するのに対し、本発明では、理論量もしくはこれに近い量で反応が進行するため、極めて経済的である。
ジルコニウム化合物またはハフニウム化合物の使用量は、一般式(2)または(5)で表される化合物1モルに対して、1.0モル以下、好ましくは0.20モル以下、更に好ましくは0.15モル以下、更に好ましくは0.10モル以下、更に好ましくは0.05モル以下である。なお、下限は0.000001モル以上であることが好ましい。1.0モルより多く使用しても、反応収率は向上せず、しかも反応後にアルミニウム化合物を反応系から除去するのに苦労する。したがって、本発明においては1.0モル以下が好ましい。
ジルコニウム化合物またはハフニウム化合物の使用量は、一般式(2)または(5)で表される化合物1モルに対して、1.0モル以下、好ましくは0.20モル以下、更に好ましくは0.15モル以下、更に好ましくは0.10モル以下、更に好ましくは0.05モル以下である。なお、下限は0.000001モル以上であることが好ましい。1.0モルより多く使用しても、反応収率は向上せず、しかも反応後にアルミニウム化合物を反応系から除去するのに苦労する。したがって、本発明においては1.0モル以下が好ましい。
以下に本発明を実施例により、更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
下記反応式に基づき本発明の例示化合物(C−15)を合成した。
下記反応式に基づき本発明の例示化合物(C−15)を合成した。
3ツ口フラスコに化合物(E−15)38.2g、化合物(A−15)32.3gおよび塩化ジルコニウム(IV)1.17gを入れ、1mmHg減圧下、攪拌しながら内温110〜150℃にて10時間、副生するエタノールを留去した。室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。こうして得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−15)54.8gを得た(収率87%)。同定方法は、1H−NMR(溶媒:CDCl3)、マススペクトルによって行った。以下、実施例において、同様の方法で生成物の同定を行った。
(実施例2)
3ツ口フラスコに化合物(E−15)38.2g、化合物(A−15)30.8gおよび塩化ハフニウム(IV)1.60gを入れ、1mmHg減圧下、攪拌しながら内温110〜145℃にて8時間、副生するエタノールを留去した。この後ここへメシチレン100mlを添加して、更に攪拌しながらメシチレンを留去した。このとき最終到達減圧度は2mmHg、最終到達内温は135℃であった。このものを室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。こうして得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−15)59.8gを得た(収率95%)。
3ツ口フラスコに化合物(E−15)38.2g、化合物(A−15)30.8gおよび塩化ハフニウム(IV)1.60gを入れ、1mmHg減圧下、攪拌しながら内温110〜145℃にて8時間、副生するエタノールを留去した。この後ここへメシチレン100mlを添加して、更に攪拌しながらメシチレンを留去した。このとき最終到達減圧度は2mmHg、最終到達内温は135℃であった。このものを室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。こうして得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−15)59.8gを得た(収率95%)。
(実施例3)
3ツ口フラスコに化合物(E−15)38.2g、化合物(A−15)30.8gおよび塩化ハフニウム(IV)1.60g、キシレン500mlを入れ、200〜350mmHg減圧下、攪拌しながら内温100〜155℃にて8時間、副生するエタノールをキシレンとともに留去した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。こうして得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−15)60.5gを得た(収率96%)。
3ツ口フラスコに化合物(E−15)38.2g、化合物(A−15)30.8gおよび塩化ハフニウム(IV)1.60g、キシレン500mlを入れ、200〜350mmHg減圧下、攪拌しながら内温100〜155℃にて8時間、副生するエタノールをキシレンとともに留去した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。こうして得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−15)60.5gを得た(収率96%)。
(実施例4)
下記反応式に基づき、本発明の例示化合物(C−21)を合成した。
下記反応式に基づき、本発明の例示化合物(C−21)を合成した。
3ツ口フラスコに化合物(E−21)52.1g、化合物(A−21)27.9gおよび塩化ハフニウム(IV)3.20gを入れ、1mmHg減圧下、攪拌しながら内温110〜145℃にて8時間、副生するメタノールを留去した。この後ここへメシチレン100mlを添加して、更に攪拌しながらメシチレンを留去した。このとき最終到達減圧度は2mmHg、最終到達内温は130℃であった。このものを室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。こうして得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−21)67.3gを得た(収率91%)。
(実施例5)
下記反応式に基づき、本発明の例示化合物(C−14)を合成した。
下記反応式に基づき、本発明の例示化合物(C−14)を合成した。
3ツ口フラスコに化合物(E−14)13.6g、化合物(A−14)30.3gおよび塩化ハフニウム(IV)3.20gを入れ、1mmHg減圧下、攪拌しながら内温110〜145℃にて8時間、副生するメタノールを留去した。このものを室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。こうして得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−14)34.9gを得た(収率92%)。
(実施例6)
下記反応式に基づき、本発明の例示化合物(C−28)を合成した。
下記反応式に基づき、本発明の例示化合物(C−28)を合成した。
3ツ口フラスコに化合物(E−26)52.1g、化合物(A−28)24.9g、および塩化ハフニウム(IV)3.20g、キシレン500mlを入れ、200〜350mmHg減圧下にて攪拌しながら内温105〜155℃にて9時間、副生するエタノールをキシレンとともに留去した。こうして得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−28)69.1gを得た(収率97%)。
(実施例7)
下記反応式に基づき、本発明の例示化合物(C−29)を合成した。
下記反応式に基づき、本発明の例示化合物(C−29)を合成した。
3ツ口フラスコに化合物(E−26)52.1g、化合物(A−29)21.8g、および塩kなジルコニウム(IV)3.50g、キシレン500mlを入れ、200〜350mmHg減圧下にて攪拌しながら内温100〜155℃にて8時間、副生するエタノールをキシレンとともに留去した。こうして得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−29)59.3gを得た(収率87%)。
(比較例1)
3ツ口フラスコに化合物(E−15)38.2g、化合物(A−15)32.3gを入れ、1mmHg減圧下、攪拌しながら内温110〜150℃にて10時間、副生するエタノールを留去した。室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。こうして得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−15)14.5gを得た(収率23%)。
3ツ口フラスコに化合物(E−15)38.2g、化合物(A−15)32.3gを入れ、1mmHg減圧下、攪拌しながら内温110〜150℃にて10時間、副生するエタノールを留去した。室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。こうして得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−15)14.5gを得た(収率23%)。
(比較例2)
3ツ口フラスコに化合物(E−28)13.6gおよび化合物(A−14)30.3gを入れ、1mmHg減圧下、攪拌しながら内温110〜145℃にて8時間、副生するメタノールを留去した。このものを室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。こうして得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−14)16.7gを得た(収率44%)。
3ツ口フラスコに化合物(E−28)13.6gおよび化合物(A−14)30.3gを入れ、1mmHg減圧下、攪拌しながら内温110〜145℃にて8時間、副生するメタノールを留去した。このものを室温まで冷却した後、ここへ酢酸エチル500ml、氷400g、塩酸43mlと飽和食塩水100mlを加えて抽出し、得られた酢酸エチル層を水400mlと飽和食塩水100mlの混合溶媒で4回洗浄した。こうして得られた酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトフラフィーにて精製して、目的の例示化合物(C−14)16.7gを得た(収率44%)。
Claims (6)
- 前記一般式(3)で表される化合物の使用量が、前記一般式(2)で表される化合物1モルに対して、0.8〜1.2モルであることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記ジルコニウム化合物またはハフニウム化合物が、それぞれ塩化ジルコニウム(IV)または塩化ハフニウム(IV)であることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。
- ジルコニウム化合物及びハフニウム化合物の少なくとも1種を、下記一般式(5)で表される化合物もしくはその互変異性体1モルに対して0.2モル以下共存させ、下記一般式(5)で表される化合物もしくはその互変異性体と、下記一般式(6)で表される化合物とを反応させることを特徴とする下記一般式(4)で表される化合物もしくはその互変異性体の製造方法。
- 前記一般式(6)で表される化合物の使用量が、前記一般式(5)で表される化合物もしくはその互変異性体1モルに対して、0.8〜1.2モルであることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
- 前記ジルコニウム化合物またはハフニウム化合物が、それぞれ塩化ジルコニウム(IV)または塩化ハフニウム(IV)であることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の製造方法。
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