JP2006116454A - Slit coat type coater and slit coat type application method - Google Patents

Slit coat type coater and slit coat type application method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a slit coat type coater which is capable of preventing the generation of coating non-uniformity by correcting the warping of a silicon wafer and to provide a slit coat type application method. <P>SOLUTION: The slit coat type coater has a retaining table 20 equipped with a suction means 30 to suck and retain a retaining face 1b at the opposite side to the coated face 1a of the silicon wafer 1, a coating head 40 equipped with a slit nozzle opening 41 opposite to the coated face 1a of the silicon wafer, a measuring means 60 to measure the amount of warping of the silicon wafer 1 over the peripheral direction of the silicon wafer 1 and a plurality of press pins 73 to press the fringe part of the silicon wafer 1 by the leading front, and is provided with a press means 70 equipped with the silicon wafer 1 so that each of the press pins 73 can press the silicon wafer 1 in different timing. The slit coat type coater presses the fringe part of the silicon wafer 1 with the press pins 73 in different timing in the peripheral direction and planarizes the silicon wafer 1 by adsorbing it on the retaining table 20 with the suction means 30. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ノズルの先端から所定の溶液を流出して基板の表面に溶液を均一に塗布するスリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法に関する。   The present invention relates to a slit coating type coating apparatus and a slit coating type coating method for flowing a predetermined solution from the tip of a nozzle and uniformly coating the solution on the surface of a substrate.

シリコンウェハなどの基板上にレジスト材料や絶縁材料などの所定の溶液（溶剤）を塗布する塗布装置としては、例えば、毛細管現象によりノズルの先端から溶液を流出させて、基板の表面に溶液を塗布するスリットコート式塗布装置がある（例えば、特許文献１参照）。   For example, as a coating device that applies a predetermined solution (solvent) such as a resist material or an insulating material onto a substrate such as a silicon wafer, the solution is applied to the surface of the substrate by causing the solution to flow out from the tip of the nozzle by capillary action. There is a slit coat type coating device that performs (see, for example, Patent Document 1).

このようなスリットコート式塗布装置では、塗布溶液が塗布される基板が平坦でないとノズルの先端と基板との距離を一定に保つことができず、塗布溶液の均一な塗布ができないことから、反りのある基板を平坦化する必要がある。一般的に基板の反りは、基板の塗布面とは反対側の保持面側にラミネートフィルムを貼付することにより矯正していた。しかしながら、ラミネートフィルムを貼付することによって基板の反りを矯正しようとしても、基板の反りを確実に矯正することができないという問題がある。   In such a slit coat type coating apparatus, since the distance between the nozzle tip and the substrate cannot be kept constant unless the substrate to which the coating solution is applied is flat, the coating solution cannot be uniformly applied. It is necessary to planarize a substrate having a thickness. In general, the warping of the substrate is corrected by sticking a laminate film on the holding surface side opposite to the coated surface of the substrate. However, even if an attempt is made to correct the warpage of the substrate by applying a laminate film, there is a problem that the warpage of the substrate cannot be corrected reliably.

このため、基板の塗布溶液が塗布される塗布面とは反対側の保持面側を真空吸着で吸引することにより反りのある基板を平坦化する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。また、基板の縁部を基板押さえ部材によって押さえつけることで基板を平坦化する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。しかしながら、特許文献１及び２の方法で基板を平坦化しても、基板が大きく反っている場合、基板が割れたりクラック等が生じてしまうという問題がある。   For this reason, there has been proposed a method of flattening a warped substrate by sucking the holding surface side opposite to the coating surface on which the coating solution of the substrate is coated by vacuum suction (see, for example, Patent Document 2). ). In addition, a method for flattening the substrate by pressing the edge of the substrate with a substrate pressing member has been proposed (see, for example, Patent Document 3). However, even if the substrate is flattened by the methods of Patent Documents 1 and 2, if the substrate is greatly warped, there is a problem that the substrate is cracked or cracked.

また、平坦な基板であっても、基板に基板とは異なる材料の成膜を行うことで引っ張り若しくは圧縮応力が発生し、基板に反りが生じてしまうため、成膜温度を低下させたり、Ａｒ圧力を変更することで基板の反りを矯正する方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。しかしながら、成膜温度やＡｒ圧力を調整して平坦化する方法では、基板の反りを完全に矯正することができないという問題がある。   Even if a flat substrate is used, a film of a material different from that of the substrate is formed on the substrate, which may cause tensile or compressive stress and warp the substrate. A method for correcting the warpage of the substrate by changing the pressure has been proposed (see, for example, Patent Document 4). However, the method of flattening by adjusting the film formation temperature and the Ar pressure has a problem that the warpage of the substrate cannot be completely corrected.

特開平６−３４３９０８号公報（第１〜２図、第２〜４頁）JP-A-6-343908 (FIGS. 1-2 and 2-4) 特開２００１−１８５６０７号公報（第５〜８頁、第１〜３図）JP 2001-185607 A (pages 5 to 8, FIGS. 1 to 3) 特開２００１−１２７０４１号公報（第２〜４頁、第２〜３図）Japanese Patent Laid-Open No. 2001-127041 (pages 2-4, FIGS. 2-3) 特開平１０−１２５９０５号公報（第３〜５頁、第１〜３図）Japanese Patent Laid-Open No. 10-125905 (pages 3 to 5 and FIGS. 1 to 3)

本発明はこのような事情に鑑み、シリコンウェハが割れることなくシリコンウェハの反りを確実に矯正して塗布ムラ等の発生を防止することができるスリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法を提供することを課題とする。   In view of such circumstances, the present invention provides a slit coat type coating apparatus and a slit coat type coating method capable of reliably correcting warpage of a silicon wafer without cracking the silicon wafer and preventing occurrence of coating unevenness and the like. The task is to do.

上記課題を解決する本発明の第１の態様は、シリコンウェハの塗布溶液が塗布される塗布面とは反対側の保持面を吸引保持する吸引手段の設けられた保持テーブルと、前記シリコンウェハの前記塗布面に相対向して塗布溶液が塗布されるスリット状のノズル開口が設けられた塗布ヘッドと、前記シリコンウェハの周方向に亘って当該シリコンウェハの反り量を測定する測定手段と、前記シリコンウェハの周縁部を先端で押圧する複数の押圧ピンを有すると共に当該押圧ピンのそれぞれが異なるタイミングで前記シリコンウェハを押圧可能に設けられた押圧手段とを具備し、前記測定手段の測定結果に基づいて前記押圧手段が前記押圧ピンで前記シリコンウェハの周縁部を周方向で異なるタイミングで押圧すると共に前記吸引手段によって前記シリコンウェハを前記保持テーブル上に吸着させて当該シリコンウェハを平坦化することを特徴とするスリットコート式塗布装置にある。
かかる第１の態様では、測定手段によって測定したシリコンウェハの反り量に応じて押圧手段の押圧ピンで選択的にシリコンウェハを押圧することで、反りが大きなシリコンウェハであってもクラックや割れが生じることがなく、シリコンウェハの反りを確実に矯正して平坦化することができる。これにより、塗布ヘッドとシリコンウェハの塗布面とのクリアランスを一定に保って均一な膜厚の塗布溶液をシリコンウェハに塗布することができる。 According to a first aspect of the present invention for solving the above problems, a holding table provided with suction means for sucking and holding a holding surface opposite to a coating surface on which a silicon wafer coating solution is applied; A coating head provided with a slit-like nozzle opening that is coated with a coating solution opposite to the coating surface, a measuring unit that measures the amount of warpage of the silicon wafer over the circumferential direction of the silicon wafer, A plurality of pressing pins for pressing the peripheral edge of the silicon wafer at the tip and each pressing pin provided so as to be able to press the silicon wafer at different timings; The pressing means presses the peripheral edge of the silicon wafer with the pressing pin at different timings in the circumferential direction, and the suction means Lying in slit coating type coating apparatus according to claim that the Rikon'weha adsorbed onto the holding table to flatten the silicon wafer.
In such a first aspect, the silicon wafer is selectively pressed with the pressing pin of the pressing means according to the amount of warpage of the silicon wafer measured by the measuring means, so that even a silicon wafer with a large warpage can be cracked or cracked. The warpage of the silicon wafer can be reliably corrected and flattened without occurring. As a result, a uniform coating solution can be applied to the silicon wafer while maintaining a constant clearance between the application head and the application surface of the silicon wafer.

本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記押圧手段が前記押圧ピンで前記シリコンウェハの周縁部の反り量の大きな領域から順次押圧することを特徴とするスリットコート式塗布装置にある。
かかる第２の態様では、押圧ピンによってシリコンウェハの反り量の大きな領域から順次押圧することで、シリコンウェハにクラックや割れが生じることなく確実に平坦化することができる。 According to a second aspect of the present invention, there is provided the slit coat type coating apparatus according to the first aspect, wherein the pressing means sequentially presses from a region having a large amount of warpage of the peripheral edge of the silicon wafer with the pressing pin. is there.
In this second aspect, the silicon wafer can be surely flattened without being cracked or cracked by sequentially pressing from the region where the warpage amount of the silicon wafer is large by the pressing pin.

本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記保持テーブルには、前記シリコンウェハを保持する領域に厚さ方向に貫通した複数の吸引孔が設けられていると共に、前記吸引手段が前記吸引孔の前記シリコンウェハの中央部に相対向する中央領域と、前記シリコンウェハの周縁部に相対向する周縁領域とを異なるタイミングで吸引可能なことを特徴とするスリットコート式塗布装置にある。
かかる第３の態様では、保持テーブル上に反ったシリコンウェハを確実に保持することができると共に、押圧手段によってシリコンウェハの反りを矯正した後、シリコンウェハを平坦化した状態で確実に保持することができる。 According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the holding table is provided with a plurality of suction holes penetrating in a thickness direction in a region holding the silicon wafer, and the suction table A slit coat type coating apparatus, characterized in that the means can suck the central area of the suction hole opposite to the central part of the silicon wafer and the peripheral area opposite to the peripheral part of the silicon wafer at different timings. It is in.
In the third aspect, the silicon wafer warped on the holding table can be reliably held, and after the silicon wafer is warped by the pressing means, the silicon wafer is securely held in a flattened state. Can do.

本発明の第４の態様は、第３の態様において、前記吸引手段が前記周縁領域の前記吸引孔のそれぞれを異なるタイミングで吸引可能なことを特徴とするスリットコート式塗布装置にある。
かかる第４の態様では、周縁領域の吸引孔を異なるタイミングで吸引することで、シリコンウェハにクラックや割れが生じることなく、シリコンウェハの反りを確実に矯正して平坦化することができる。 A fourth aspect of the present invention is the slit coat type coating apparatus according to the third aspect, wherein the suction means can suck each of the suction holes in the peripheral area at different timings.
In the fourth aspect, by sucking the suction holes in the peripheral region at different timings, it is possible to reliably correct and flatten the warpage of the silicon wafer without causing cracks or cracks in the silicon wafer.

本発明の第５の態様は、シリコンウェハの塗布溶液が塗布される塗布面とは反対側の保持面の中央領域を吸引することで保持テーブル上に前記シリコンウェハを保持させる工程と、前記シリコンウェハの周方向に亘って反り量を測定する工程と、前記シリコンウェハの反り量に応じて当該シリコンウェハの周縁部を周方向で異なるタイミングで複数の押圧ピンにより押圧して平坦化すると共に、前記シリコンウェハの周縁部を周縁領域を吸引することで前記保持テーブル上に前記シリコンウェハを吸着する工程と、前記シリコンウェハの前記塗布面と前記塗布溶液が流出される塗布ヘッドとを前記保持面の面方向に相対的に移動させることにより、前記基盤の前記塗布面に塗布溶液を塗布する工程とを具備することを特徴とするスリットコート式塗布方法にある。
かかる第５の態様では、シリコンウェハの反り量に応じて複数の押圧ピンで選択的にシリコンウェハを押圧することで、反りが大きなシリコンウェハであってもクラックや割れが生じることがなく、シリコンウェハの反りを確実に矯正して平坦化することができる。これにより、塗布ヘッドとシリコンウェハの塗布面とのクリアランスを一定に保って均一な膜厚の塗布溶液をシリコンウェハに塗布することができる。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a step of holding the silicon wafer on a holding table by sucking a central region of a holding surface opposite to a coating surface on which a silicon wafer coating solution is applied; A step of measuring the amount of warpage over the circumferential direction of the wafer, and pressing and flattening the peripheral portion of the silicon wafer with a plurality of pressing pins at different timings in the circumferential direction according to the amount of warpage of the silicon wafer, The step of adsorbing the silicon wafer on the holding table by sucking the peripheral area of the peripheral portion of the silicon wafer, and the coating surface of the silicon wafer and the coating head from which the coating solution flows out are held on the holding surface. And a step of applying a coating solution onto the coating surface of the substrate by moving the substrate in a direction relative to the surface of the slit coating. In the equation coating method.
In the fifth aspect, the silicon wafer is selectively pressed with a plurality of pressing pins in accordance with the warpage amount of the silicon wafer, so that even a silicon wafer having a large warp does not cause cracks or cracks. Wafer warpage can be reliably corrected and flattened. Thereby, it is possible to apply a coating solution having a uniform film thickness to the silicon wafer while keeping the clearance between the coating head and the coating surface of the silicon wafer constant.

本発明の第６の態様は、第５の態様において、前記押圧ピンにより前記シリコンウェハを押圧すると共に前記保持テーブル上に前記シリコンウェハを吸着する工程では、前記シリコンウェハの反り量の大きな領域から順次押圧することを特徴とするスリットコート式塗布方法にある。
かかる第６の態様では、押圧ピンによってシリコンウェハの反り量の大きな領域から順次押圧することで、シリコンウェハにクラックや割れが生じることなく確実に平坦化することができる。 According to a sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect, in the step of pressing the silicon wafer with the pressing pin and adsorbing the silicon wafer on the holding table, a region from a large amount of warpage of the silicon wafer is used. A slit coat type coating method characterized by sequentially pressing.
In the sixth aspect, the silicon wafer can be surely flattened without being cracked or cracked by sequentially pressing the silicon wafer from the region where the warpage amount of the silicon wafer is large.

本発明の第７の態様は、第５又は６の態様において、前記押圧ピンにより前記シリコンウェハを押圧すると共に前記保持テーブル上に前記シリコンウェハを吸着する工程では、前記押圧ピンに押圧された領域を順次吸引することを特徴とするスリットコート式塗布方法にある。
かかる第７の態様では、周縁領域の吸引孔を異なるタイミングで吸引することで、シリコンウェハにクラックや割れが生じることなく、シリコンウェハの反りを確実に矯正して平坦化することができる。 According to a seventh aspect of the present invention, in the fifth or sixth aspect, in the step of pressing the silicon wafer by the pressing pin and adsorbing the silicon wafer on the holding table, the region pressed by the pressing pin Are sequentially applied to the slit coat type coating method.
In the seventh aspect, by sucking the suction holes in the peripheral area at different timings, it is possible to reliably correct and flatten the warpage of the silicon wafer without causing cracks or cracks in the silicon wafer.

以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るスリットコート式塗布装置の概略構成を示す斜視図であり、図２は、スリットコート式塗布装置の要部平面図であり、図３は、スリットコート式塗布装置の要部断面図である。図１に示すように、スリットコート式塗布装置１０は、シリコンウェハ１が保持される保持テーブル２０と、保持テーブル２０のシリコンウェハ１を保持する面とは反対側に設けられた吸引手段３０と、保持テーブル２０のシリコンウェハ１側に設けられる塗布ヘッド４０と、シリコンウェハ１に塗布する塗布溶液２を塗布ヘッド４０に供給する貯留手段５０と、保持テーブル２０に保持されたシリコンウェハ１の反り量を測定する測定手段６０と、シリコンウェハ１を保持テーブル２０側に押圧する押圧手段７０とを具備する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a slit coat type coating apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 is a plan view of an essential part of the slit coat type coating apparatus, and FIG. It is principal part sectional drawing of a type | formula coating device. As shown in FIG. 1, the slit coat type coating apparatus 10 includes a holding table 20 that holds the silicon wafer 1, and a suction unit 30 that is provided on the opposite side of the holding table 20 from the surface that holds the silicon wafer 1. The coating head 40 provided on the silicon wafer 1 side of the holding table 20, the storage means 50 for supplying the coating solution 2 applied to the silicon wafer 1 to the coating head 40, and the warp of the silicon wafer 1 held on the holding table 20. Measuring means 60 for measuring the amount and pressing means 70 for pressing the silicon wafer 1 toward the holding table 20 are provided.

シリコンウェハ１は、円盤形状を有する単結晶シリコン基板からなり、一方面が塗布溶液１が塗布される塗布面１ａ、他方面が保持テーブル２０に保持される保持面１ｂとなっている。なお、シリコンウェハ１は、単結晶シリコン基板に限定されず、例えば、ＳＯＩ基板などでもよい。   The silicon wafer 1 is made of a single crystal silicon substrate having a disk shape, and has one surface as a coating surface 1 a on which the coating solution 1 is applied and the other surface as a holding surface 1 b held on a holding table 20. The silicon wafer 1 is not limited to a single crystal silicon substrate, and may be, for example, an SOI substrate.

保持テーブル２０は、鉛直方向上側の面に、シリコンウェハ１を塗布面１ａが鉛直方向上向きとなるように保持する。このような保持テーブル２０によるシリコンウェハ１の保持は、保持テーブル２０の基板１とは反対側に設けられた吸引手段３０によって行われる。なお、保持テーブル２０は、シリコンウェハ１を保持する面が平坦面で形成されており、シリコンウェハ１の保持面１ｂが吸引手段３０によって吸引されることでシリコンウェハ１の保持面１ｂ全体が保持テーブル２０に当接した状態で保持される。   The holding table 20 holds the silicon wafer 1 on the upper surface in the vertical direction so that the coating surface 1a faces upward in the vertical direction. The holding of the silicon wafer 1 by the holding table 20 is performed by the suction means 30 provided on the opposite side of the holding table 20 from the substrate 1. The holding table 20 has a flat surface for holding the silicon wafer 1, and the holding surface 1 b of the silicon wafer 1 is sucked by the suction means 30 to hold the entire holding surface 1 b of the silicon wafer 1. It is held in contact with the table 20.

吸引手段３０は、保持テーブル２０のシリコンウェハ１を保持する面とは反対側に設けられており、保持テーブル２０を厚さ方向に貫通して設けられた複数の吸引孔２１を介してシリコンウェハ１を吸引することで保持テーブル２０上にシリコンウェハ１を吸着させる。ここで保持テーブル２０の吸引孔２１は、シリコンウェハ１が保持される領域に複数設けられている。詳しくは、吸引孔２１は、図２（ａ）に示すように、シリコンウェハ１の中央部に相対向する中央領域Ａと、シリコンウェハ１の縁部に相対向する領域に設けられた周縁領域Ｂとに設けられている。そして、吸引手段３０は、中央領域Ａの吸引孔２１と、周縁領域Ｂの吸引孔２１とを異なるタイミングで吸引可能に設けられている。また、吸引手段３０は、周縁領域Ｂの各吸引孔２１をそれぞれ異なるタイミングで吸引可能に設けられている。すなわち、吸引手段３０は、中央領域Ａの吸引孔２１と周縁領域Ｂの吸引孔２１とで異なるタイミングで吸引可能で、且つ周縁領域Ｂの各吸引孔２１を異なるタイミングで吸引可能となっている。このような吸引手段３０としては、例えば、真空ポンプ等により吸引するものが挙げられる。そして、吸引手段３０によって吸引孔２１を介してシリコンウェハ１の保持面１ｂ側を吸引することで、シリコンウェハ１の保持面１ｂを保持テーブル２０に吸着させてシリコンウェハ１を保持テーブル２０上に保持させるようになっている。   The suction means 30 is provided on the opposite side of the holding table 20 from the surface that holds the silicon wafer 1, and the silicon wafer is inserted through a plurality of suction holes 21 that penetrate the holding table 20 in the thickness direction. The silicon wafer 1 is sucked onto the holding table 20 by sucking 1. Here, a plurality of suction holes 21 of the holding table 20 are provided in a region where the silicon wafer 1 is held. Specifically, as shown in FIG. 2A, the suction hole 21 has a central region A that faces the center of the silicon wafer 1 and a peripheral region that is provided in a region that faces the edge of the silicon wafer 1. B. The suction means 30 is provided so that the suction holes 21 in the central area A and the suction holes 21 in the peripheral area B can be sucked at different timings. The suction means 30 is provided so that the suction holes 21 in the peripheral region B can be sucked at different timings. That is, the suction means 30 can suck the suction holes 21 in the central area A and the suction holes 21 in the peripheral area B at different timings, and can suck the suction holes 21 in the peripheral area B at different timings. . As such a suction unit 30, for example, a suction unit using a vacuum pump or the like can be used. Then, the suction means 30 sucks the holding surface 1b side of the silicon wafer 1 through the suction hole 21 so that the holding surface 1b of the silicon wafer 1 is attracted to the holding table 20 and the silicon wafer 1 is placed on the holding table 20. It is supposed to be held.

また、保持テーブル２０は、図示しない駆動モータ等のテーブル駆動手段によってシリコンウェハ１の面方向に沿って移動自在に設けられている。さらに、保持テーブル２０は、軸２２を中心として回転自在に保持されており、図示しないテーブル駆動手段などによって回転されることでシリコンウェハ１の塗布面１ａが鉛直方向下向きとなるように設けられている。ここで、保持テーブル２０は、シリコンウェハ１の反りの矯正を行う場合には、シリコンウェハ１の塗布面１ａが鉛直方向上向きとなるように回転され、シリコンウェハ１に塗布溶液２を塗布する場合には、シリコンウェハ１の塗布面１ａが鉛直方向下向きとなるように回転されるようになっている。   The holding table 20 is provided so as to be movable along the surface direction of the silicon wafer 1 by table driving means such as a driving motor (not shown). Further, the holding table 20 is rotatably held around a shaft 22, and is provided so that the coating surface 1a of the silicon wafer 1 is directed downward in the vertical direction by being rotated by a table driving means (not shown). Yes. Here, when correcting the warp of the silicon wafer 1, the holding table 20 is rotated so that the application surface 1 a of the silicon wafer 1 is directed upward in the vertical direction, and the application solution 2 is applied to the silicon wafer 1. In this case, the coated surface 1a of the silicon wafer 1 is rotated so as to face downward in the vertical direction.

測定手段６０は、保持テーブル２０の鉛直方向上側に設けられて、保持テーブル２０上のシリコンウェハ１の反り量を周方向に亘って測定するものである。本実施形態では、測定手段６０として、レーザ光を照射することで非接触で距離を測定することができるレーザ変位計を用いた。このような測定手段６０は、保持テーブル２０がシリコンウェハ１を面方向に移動させる際にシリコンウェハ１との距離を測定することで、シリコンウェハ１の周方向の反り量を測定することができる。   The measuring means 60 is provided above the holding table 20 in the vertical direction, and measures the warpage amount of the silicon wafer 1 on the holding table 20 in the circumferential direction. In the present embodiment, a laser displacement meter that can measure the distance in a non-contact manner by irradiating laser light is used as the measuring unit 60. Such a measuring means 60 can measure the amount of warpage in the circumferential direction of the silicon wafer 1 by measuring the distance from the silicon wafer 1 when the holding table 20 moves the silicon wafer 1 in the surface direction. .

押圧手段７０は、測定手段６０に隣接する支持柱７１に支持アーム７２を介して固定されており、鉛直方向に移動自在に設けられている。押圧手段７０は、先端がシリコンウェハ１の塗布面１ａに当接するように鉛直方向下向きに設けられた複数の押圧ピン７３と、押圧ピン７３を軸方向に移動自在に保持すると共に所定の押圧ピン７３を独立して軸方向に移動させることができる移動手段７４とで構成されている。   The pressing means 70 is fixed to a support column 71 adjacent to the measuring means 60 via a support arm 72, and is provided so as to be movable in the vertical direction. The pressing means 70 includes a plurality of pressing pins 73 provided downward in the vertical direction so that the tip thereof is in contact with the coating surface 1a of the silicon wafer 1, and holds the pressing pins 73 so as to be movable in the axial direction and a predetermined pressing pin. It is comprised with the moving means 74 which can move 73 to an axial direction independently.

押圧ピン７３は、図２（ｂ）に示すように、シリコンウェハ１の塗布面１ａの縁部に相対向する領域に所定間隔で複数、本実施形態では５本設けられており、その先端には、ゴム等の弾性部材７３ａが設けられている。この弾性部材７３ａによって押圧ピン７３がシリコンウェハ１の塗布面１ａに当接した際に、塗布面１ａに傷が付かないようになっている。   As shown in FIG. 2 (b), a plurality of pressing pins 73 are provided at predetermined intervals in a region facing the edge of the coating surface 1a of the silicon wafer 1, and five are provided in the present embodiment. Is provided with an elastic member 73a such as rubber. When the pressing pin 73 comes into contact with the application surface 1a of the silicon wafer 1 by the elastic member 73a, the application surface 1a is not damaged.

移動手段７４は、複数の押圧ピン７３をそれぞれ独立して軸方向に移動させることができるものである。このような移動手段７４としては、例えば、モータ、油圧又は電磁力等により駆動させることができるものが挙げられる。   The moving means 74 is capable of independently moving the plurality of pressing pins 73 in the axial direction. Examples of such moving means 74 include those that can be driven by a motor, hydraulic pressure, electromagnetic force, or the like.

このような押圧手段７０は、測定手段６０が測定したシリコンウェハ１の周縁部の周方向の反り量に合わせて所定の押圧ピン７３によってシリコンウェハ１を保持テーブル２０側に押圧することでシリコンウェハ１の反りを矯正して平坦化するようになっている。そして、詳しくは後述するが、押圧手段７０によって押圧されたシリコンウェハ１は、吸引手段３０によって平坦化された状態で保持テーブル２０上に保持される。   Such a pressing means 70 presses the silicon wafer 1 toward the holding table 20 by a predetermined pressing pin 73 in accordance with the amount of warpage in the circumferential direction of the peripheral edge of the silicon wafer 1 measured by the measuring means 60. The warp of 1 is corrected and flattened. As will be described in detail later, the silicon wafer 1 pressed by the pressing unit 70 is held on the holding table 20 while being flattened by the suction unit 30.

塗布ヘッド４０は、鉛直方向上側に向かって開口し貯留手段５０から供給された塗布溶液２を流出するスリット状のノズル開口４１を有する。また、塗布ヘッド４０は、図示しない装置本体に鉛直方向に移動自在に保持されており、塗布ヘッド４０の先端とシリコンウェハ１の塗布面１ａとの間隔が、例えば、塗布溶液２の動粘度、塗布溶液２のシリコンウェハ１に対する濡れ性、シリコンウェハ１に塗布する塗布溶液２の厚さ等を考慮して適宜調整されるようになっている。   The coating head 40 has a slit-like nozzle opening 41 that opens toward the upper side in the vertical direction and flows out the coating solution 2 supplied from the storage means 50. Further, the coating head 40 is held in an apparatus body (not shown) so as to be movable in the vertical direction, and the distance between the tip of the coating head 40 and the coating surface 1a of the silicon wafer 1 is, for example, the kinematic viscosity of the coating solution 2, The wettability of the coating solution 2 to the silicon wafer 1 and the thickness of the coating solution 2 applied to the silicon wafer 1 are adjusted as appropriate.

貯留手段５０は、塗布溶液２を保持する貯留タンク５１と、一端が塗布ヘッド４０に接続され、他端が貯留タンク５１に接続される供給管５２とで構成され、貯留タンク５１の内部に貯留されている塗布溶液２を、供給管５２を介して塗布ヘッド４０に供給する。   The storage unit 50 includes a storage tank 51 that holds the coating solution 2, and a supply pipe 52 that has one end connected to the coating head 40 and the other end connected to the storage tank 51. The applied coating solution 2 is supplied to the coating head 40 via the supply pipe 52.

この貯留手段５０の貯留タンク５１から供給管５２を介して塗布ヘッド４０に塗布溶液２が供給され、塗布ヘッド４０の液体溜まり部４２内に塗布溶液２が充填されると、液体溜まり部４２内の塗布溶液２が毛細管現象によってノズル開口４１の先端まで上昇する。これにより、スリット状のノズル開口４１には、塗布溶液２が全体に均一に充填されるようになっている。そして、この状態から塗布ヘッド４０を上昇させてノズル開口４１から突出した塗布溶液２をシリコンウェハ１の塗布面１ａの表面に接触させ、この状態で、保持テーブル２０と塗布ヘッド４０とをシリコンウェハ１の面方向において相対的に移動させる。例えば、本実施形態では、塗布ヘッド４０を固定して保持テーブル２０をシリコンウェハ１の面方向に直線移動させることで、これら塗布ヘッド４０と保持テーブル２０とを相対的に移動させている。これにより、ノズル開口４１から塗布溶液２が連続的に流出し、シリコンウェハ１の塗布面１ａには塗布溶液２が均一な厚さで塗布される。   When the coating solution 2 is supplied from the storage tank 51 of the storage means 50 to the coating head 40 through the supply pipe 52 and the coating solution 2 is filled into the liquid pool portion 42 of the coating head 40, The coating solution 2 rises to the tip of the nozzle opening 41 by capillary action. Thereby, the coating solution 2 is uniformly filled in the slit-shaped nozzle openings 41. Then, the coating head 40 is raised from this state to bring the coating solution 2 protruding from the nozzle opening 41 into contact with the surface of the coating surface 1a of the silicon wafer 1, and in this state, the holding table 20 and the coating head 40 are connected to the silicon wafer. 1 is relatively moved in the surface direction. For example, in the present embodiment, the coating head 40 is fixed and the holding table 20 is linearly moved in the surface direction of the silicon wafer 1 to relatively move the coating head 40 and the holding table 20. As a result, the coating solution 2 continuously flows out from the nozzle opening 41, and the coating solution 2 is applied to the coating surface 1a of the silicon wafer 1 with a uniform thickness.

また、保持テーブル２０の移動方向で、塗布ヘッド４０の後方には、本実施形態では、シリコンウェハ１の塗布面１ａに接触することなく、シリコンウェハ１の塗布面１ａの一部を覆うように遮蔽板８０が設けられている。この遮蔽板８０を設けることにより、塗布溶液２を塗布しながらシリコンウェハ１上に塗布された塗布溶液を乾燥させる際など、塗布中の塗布溶液２が加熱されて粘度が変化することにより塗布条件が変化するのを防止することができる。   Further, in the moving direction of the holding table 20, behind the coating head 40, in this embodiment, a part of the coating surface 1 a of the silicon wafer 1 is covered without contacting the coating surface 1 a of the silicon wafer 1. A shielding plate 80 is provided. By providing this shielding plate 80, when the coating solution applied on the silicon wafer 1 is dried while the coating solution 2 is applied, the coating solution 2 being applied is heated to change the viscosity, thereby changing the coating conditions. Can be prevented from changing.

以下、このようなスリットコート式塗布装置１０を用いたスリットコート式塗布方法について詳しく説明する。なお、図４〜図６は、スリットコート式塗布装置の動作を示す概略断面図である。まず、図４（ａ）に示すように、保持テーブル２０上にシリコンウェハ１を保持させる。本実施形態では、シリコンウェハ１は塗布面１ａの中央部が凹んで半球状に反ったものであり、吸引手段３０がシリコンウェハ１の中央部に相対向する中央領域Ａの吸引孔２１から保持面１ｂを吸引することでシリコンウェハ１を保持テーブル２０上に保持させる。   Hereinafter, the slit coat type coating method using such a slit coat type coating apparatus 10 will be described in detail. 4 to 6 are schematic cross-sectional views showing the operation of the slit coat type coating apparatus. First, as shown in FIG. 4A, the silicon wafer 1 is held on the holding table 20. In the present embodiment, the silicon wafer 1 has a concave central portion of the coating surface 1 a and is warped in a hemispherical shape, and the suction means 30 is held from the suction hole 21 in the central region A facing the central portion of the silicon wafer 1. The silicon wafer 1 is held on the holding table 20 by sucking the surface 1b.

次に、図４（ｂ）に示すように、測定手段６０によってシリコンウェハ１の反り量を測定する。詳しくは、保持テーブル２０をシリコンウェハ１の塗布面１ａの面方向に移動させることで、測定手段６０からのレーザ光をシリコンウェハ１の全面に亘って照射してシリコンウェハ１の周縁部の周方向の反り量を測定する。本実施形態では、シリコンウェハ１は、塗布面１ａの中央部が凹んで半球状に反っているため、測定手段６０が測定するシリコンウェハ１の反り量は、シリコンウェハ１の中央部からの高さとして測定される。このように測定されたシリコンウェハ１の反り量は周方向で異なるものであり、周方向の反り量の違いは、シリコンウェハ１の結晶方位や、シリコンウェハ１上に予め成膜されている場合は、成膜条件などによってある程度決定されるものである。   Next, as shown in FIG. 4B, the warping amount of the silicon wafer 1 is measured by the measuring means 60. Specifically, the holding table 20 is moved in the surface direction of the coating surface 1 a of the silicon wafer 1, so that the laser light from the measuring unit 60 is irradiated over the entire surface of the silicon wafer 1 to surround the periphery of the silicon wafer 1. Measure the amount of warping in the direction. In the present embodiment, the silicon wafer 1 has a concave central portion of the coating surface 1 a and is warped in a hemispherical shape. Therefore, the amount of warpage of the silicon wafer 1 measured by the measuring means 60 is high from the central portion of the silicon wafer 1. Measured as The warpage amount of the silicon wafer 1 measured in this way is different in the circumferential direction, and the difference in the warpage amount in the circumferential direction is caused when the crystal orientation of the silicon wafer 1 or the film is formed in advance on the silicon wafer 1. Is determined to some extent by the film forming conditions and the like.

次に、シリコンウェハ１の反りを矯正して平坦化する。詳しくは、測定手段６０が測定したシリコンウェハ１の周方向の反り量に基づいて、押圧手段７０が押圧ピン７３のそれぞれの押圧力を調整してシリコンウェハ１の縁部を押圧する。このとき、図４（ｃ）に示すように、シリコンウェハ１の縁部の周方向で反り量が大きな領域には、先に押圧ピン７３が当接して押圧し、その後、図５（ａ）に示すように、反り量の大きな領域が所定量押圧された状態で、周方向で反り量の小さな領域を押圧ピン７３が押圧する。そして、図５（ｂ）に示すように、押圧ピン７３の押圧力を調整しながら、シリコンウェハ１の縁部が保持テーブル２０に当接するまで押圧することでシリコンウェハ１の反りを矯正して平坦化することができる。なお、押圧手段７０が先に反り量の大きな領域を押圧すると、押圧の影響によりシリコンウェハ１の反り量が小さな領域の反り量が大きくなってしまう場合がある。このような場合も想定して、測定手段６０が測定したシリコンウェハ１の反り量に基づいて押圧手段７０は押圧ピン７３による押圧のタイミングや押圧力を調整している。   Next, the warp of the silicon wafer 1 is corrected and flattened. Specifically, based on the amount of warpage in the circumferential direction of the silicon wafer 1 measured by the measuring unit 60, the pressing unit 70 adjusts the pressing force of each pressing pin 73 to press the edge of the silicon wafer 1. At this time, as shown in FIG. 4 (c), the pressing pin 73 is first brought into contact with and pressed into a region having a large amount of warpage in the circumferential direction of the edge of the silicon wafer 1, and thereafter, FIG. 5 (a). As shown in FIG. 5, the pressing pin 73 presses a region having a small amount of warpage in the circumferential direction in a state where a region having a large amount of warping is pressed by a predetermined amount. Then, as shown in FIG. 5 (b), the warp of the silicon wafer 1 is corrected by pressing until the edge of the silicon wafer 1 contacts the holding table 20 while adjusting the pressing force of the pressing pin 73. It can be flattened. Note that when the pressing means 70 first presses a region with a large amount of warping, the amount of warping in a region with a small amount of warping of the silicon wafer 1 may increase due to the influence of the pressing. Assuming such a case, the pressing means 70 adjusts the timing and pressing force of the pressing pins 73 based on the warpage amount of the silicon wafer 1 measured by the measuring means 60.

また、押圧手段７０によってシリコンウェハ１を押圧しながら、吸引手段３０は、シリコンウェハ１の反り量に応じて、シリコンウェハ１の縁部に相対向する周縁領域Ｂの吸引孔２１をそれぞれ異なるタイミングで吸引する。すなわち、吸引手段３０は、図４（ｃ）及び図５（ａ）に示すように、押圧手段７０の押圧ピン７３が押圧した領域に相対向する領域の吸引孔２１を選択的に吸引することで、シリコンウェハ１を保持テーブル２０に吸着させる。このように、シリコンウェハ１の周方向の反りに基づいて、押圧手段７０によってシリコンウェハ１の周縁部を異なるタイミングで押圧すると共に吸引手段３０によってシリコンウェハ１の周縁部を異なるタイミングで吸引することによって、反りの大きなシリコンウェハ１であっても、クラックや割れが生じるのを防止してシリコンウェハ１を確実に平坦化することができる。   Further, while the silicon wafer 1 is pressed by the pressing means 70, the suction means 30 sets the suction holes 21 in the peripheral region B facing the edge of the silicon wafer 1 at different timings according to the warpage amount of the silicon wafer 1. Aspirate with. That is, as shown in FIG. 4C and FIG. 5A, the suction unit 30 selectively sucks the suction holes 21 in a region opposite to the region pressed by the pressing pin 73 of the pressing unit 70. Thus, the silicon wafer 1 is attracted to the holding table 20. Thus, based on the warpage of the silicon wafer 1 in the circumferential direction, the peripheral portion of the silicon wafer 1 is pressed at different timings by the pressing means 70 and the peripheral portion of the silicon wafer 1 is sucked at different timings by the suction means 30. Thus, even if the silicon wafer 1 has a large warp, it is possible to prevent the occurrence of cracks and cracks and to flatten the silicon wafer 1 reliably.

このようにシリコンウェハ１の反りを矯正して平坦化した後、シリコンウェハ１の塗布面１ａに塗布溶液２を塗布する。詳しくは、図６（ａ）に示すように、保持テーブル２０を回転させることによってシリコンウェハ１の塗布面１ａが鉛直方向下向きとなるようにする。また、図６（ａ）に示すように、塗布ヘッド４０を上昇させてシリコンウェハ１の塗布面１ａと塗布ヘッド４０のノズル開口４１の先端面との間隔が所定の間隔となるように調整する。具体的には、ノズル開口４１から突出する塗布溶液２の先端部が、シリコンウェハ１の表面の位置よりも若干高い位置となるように塗布ヘッド４０を上昇させる。なお、本実施形態では、塗布ヘッド４０を移動させることで、塗布ヘッド４０とシリコンウェハ１との間隔を調整しているが、勿論、塗布ヘッド４０を固定して、保持テーブル２０を移動するようにしてもよい。   After correcting and flattening the warpage of the silicon wafer 1 in this way, the coating solution 2 is applied to the coating surface 1 a of the silicon wafer 1. Specifically, as shown in FIG. 6A, the holding table 20 is rotated so that the coating surface 1a of the silicon wafer 1 is directed downward in the vertical direction. Further, as shown in FIG. 6A, the coating head 40 is raised and adjusted so that the distance between the coating surface 1a of the silicon wafer 1 and the tip surface of the nozzle opening 41 of the coating head 40 becomes a predetermined distance. . Specifically, the coating head 40 is raised so that the tip of the coating solution 2 protruding from the nozzle opening 41 is positioned slightly higher than the position of the surface of the silicon wafer 1. In this embodiment, the distance between the coating head 40 and the silicon wafer 1 is adjusted by moving the coating head 40. Of course, the coating head 40 is fixed and the holding table 20 is moved. It may be.

次に、図６（ｂ）に示すように、図示しないテーブル駆動手段によって保持テーブル２０をシリコンウェハ１の塗布面１ａの面方向、すなわち水平方向に直線移動させることで、塗布ヘッド４０のノズル開口４１から突出している塗布溶液２がシリコンウェハ１の表面に接触し、塗布溶液２の塗布が開始される。   Next, as shown in FIG. 6B, the nozzle opening of the coating head 40 is moved by linearly moving the holding table 20 in the surface direction of the coating surface 1a of the silicon wafer 1, that is, in the horizontal direction by a table driving means (not shown). The coating solution 2 protruding from 41 comes into contact with the surface of the silicon wafer 1 and the coating of the coating solution 2 is started.

このようにシリコンウェハ１の塗布面１ａへの塗布溶液２の塗布が開始された後、図６（ｃ）に示すように、保持テーブル２０をさらに移動させることで、塗布溶液２がノズル開口４１から連続的に流出し、シリコンウェハ１の全面に塗布溶液２が塗布されていく。このとき、シリコンウェハ１の塗布面１ａに塗布された塗布溶液２は、遮蔽板８０によって遮蔽されるため、乾燥するのを防止することができる。また、シリコンウェハ１は、押圧手段７０及び吸引手段３０によって反りが矯正されて平坦化されているため、シリコンウェハ１の塗布面１ａと塗布ヘッド４０のノズル開口４１とのクリアランスが一定に保たれ、シリコンウェハ１の塗布面１ａに塗布溶液２を均一な厚さで塗布することができる。   After the application of the coating solution 2 to the coating surface 1a of the silicon wafer 1 is started as described above, the holding table 20 is further moved as shown in FIG. The coating solution 2 is applied to the entire surface of the silicon wafer 1. At this time, since the coating solution 2 applied to the coating surface 1a of the silicon wafer 1 is shielded by the shielding plate 80, it can be prevented from drying. In addition, since the silicon wafer 1 is flattened by correcting the warp by the pressing means 70 and the suction means 30, the clearance between the application surface 1a of the silicon wafer 1 and the nozzle opening 41 of the application head 40 is kept constant. The coating solution 2 can be applied to the coating surface 1a of the silicon wafer 1 with a uniform thickness.

そして、このようにシリコンウェハ１の全面に塗布溶液２を塗布した後は、図示しないが、例えば、ホットプレート等によってシリコンウェハ１を加熱して塗布溶液２を乾燥させ、さらに、例えば、クールプレート等によってシリコンウェハ１を冷却して塗布溶液２を常温に戻す。これにより、シリコンウェハ１の表面には所望の厚さの塗布膜が形成される。この塗布溶液２を乾燥及び冷却するときも、保持テーブル２０の吸引手段３０によってシリコンウェハ１を平坦化させた状態で行うことで、塗布膜の乾燥によるシリコンウェハ１の反りを防止することができる。   Then, after coating the coating solution 2 on the entire surface of the silicon wafer 1 in this manner, although not shown, the silicon wafer 1 is heated by, for example, a hot plate to dry the coating solution 2, and further, for example, a cool plate The silicon wafer 1 is cooled by, for example, and the coating solution 2 is returned to room temperature. As a result, a coating film having a desired thickness is formed on the surface of the silicon wafer 1. Even when the coating solution 2 is dried and cooled, warping of the silicon wafer 1 due to drying of the coating film can be prevented by performing the planarization of the silicon wafer 1 by the suction means 30 of the holding table 20. .

なお、シリコンウェハ１上に塗布膜を形成した後は、測定手段６０によってシリコンウェハ１の反り量を測定するようにしてもよい。すなわち、塗布膜が形成されたシリコンウェハ１の反り量を測定し、この測定結果を押圧手段７０による押圧や吸引手段３０による吸着にフィードバックさせることで、シリコンウェハ１の反りの矯正を確実に行ってシリコンウェハ１を平坦化することができる。   Note that after the coating film is formed on the silicon wafer 1, the warping amount of the silicon wafer 1 may be measured by the measuring unit 60. That is, the amount of warpage of the silicon wafer 1 on which the coating film is formed is measured, and the measurement result is fed back to the pressing by the pressing means 70 and the suction by the suction means 30, thereby reliably correcting the warpage of the silicon wafer 1. Thus, the silicon wafer 1 can be planarized.

（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、押圧手段７０によってシリコンウェハ１を押圧しながら、吸引手段３０によって押圧された領域に相対向する吸引孔２１を選択的に吸引することでシリコンウェハ１の反りを矯正して平坦化するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、押圧手段７０によってシリコンウェハ１を押圧して反りを矯正して平坦化した後、周縁領域Ｂの複数の吸引孔２１を同時に吸引することでシリコンウェハ１を保持テーブル２０上に平坦化した状態で吸着させるようにしてもよい。 (Other embodiments)
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to what was mentioned above. For example, in the above-described embodiment, the warp of the silicon wafer 1 is corrected by selectively sucking the suction holes 21 opposed to the area pressed by the suction means 30 while pressing the silicon wafer 1 by the pressing means 70. However, the present invention is not particularly limited to this. For example, after the silicon wafer 1 is pressed by the pressing means 70 to correct the warpage and flatten, the plurality of suction holes 21 in the peripheral region B are formed. At the same time, the silicon wafer 1 may be sucked on the holding table 20 in a flattened state.

また、例えば、上述した実施形態では、測定手段６０によってシリコンウェハ１の反り量を測定するようにしたが、材料や成膜条件などが同一の複数のシリコンウェハに塗布溶液２を塗布する場合には、１枚目のシリコンウェハ１の反り量のみを測定し、同一の反り量データを用いて２枚目以降のシリコンウェハに塗布溶液２を塗布するようにしてもよい。   Further, for example, in the above-described embodiment, the warping amount of the silicon wafer 1 is measured by the measuring unit 60. However, when the coating solution 2 is applied to a plurality of silicon wafers having the same material, film formation conditions, and the like. Alternatively, only the warpage amount of the first silicon wafer 1 may be measured, and the coating solution 2 may be applied to the second and subsequent silicon wafers using the same warpage amount data.

さらに、例えば、上述した実施形態では、保持テーブル２０をシリコンウェハ１の面方向に移動させることで、保持テーブル２０と塗布ヘッド４０とを相対的に移動させるようにしたが、これに限定されず、例えば、保持テーブル２０を固定して、塗布ヘッド４０を基板１の面方向に移動させるようにしてもよい。なお、この場合には、塗布ヘッド４０と共に遮蔽板８０も同時に移動させるようにする。   Furthermore, for example, in the above-described embodiment, the holding table 20 is moved in the surface direction of the silicon wafer 1 so that the holding table 20 and the coating head 40 are relatively moved. However, the present invention is not limited to this. For example, the holding table 20 may be fixed and the coating head 40 may be moved in the surface direction of the substrate 1. In this case, the shielding plate 80 is also moved together with the coating head 40.

また、上述した実施形態では、保持テーブル２０を軸２２を中心として回転自在とし、測定手段６０及び押圧手段７０と塗布ヘッド４０とを保持テーブル２０を挟んだ鉛直方向上下に設けるようにしたが、特にこれに限定されず、測定手段６０、押圧手段７０及び塗布ヘッド４０を保持テーブル２０の鉛直方向上下の一方側に並設するようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the holding table 20 is rotatable about the shaft 22, and the measuring unit 60, the pressing unit 70, and the application head 40 are provided vertically above and below the holding table 20. In particular, the measuring means 60, the pressing means 70, and the coating head 40 may be arranged side by side on the upper and lower sides of the holding table 20 in the vertical direction.

さらに、上述した実施形態では、シリコンウェハ１の保持面１ｂを保持テーブル２０上に当接するように保持させるようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、シリコンウェハ１に厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられている場合には、シリコンウェハ１の保持面１ｂ側にラミネートフィルム等を接着するようにすればよい。勿論、シリコンウェハ１に貫通孔が設けられていない場合にも、シリコンウェハ１にラミネートフィルム等を接着するようにしてもよい。   Furthermore, in the above-described embodiment, the holding surface 1b of the silicon wafer 1 is held so as to come into contact with the holding table 20. However, the present invention is not limited to this. For example, the silicon wafer 1 penetrates in the thickness direction. If a through hole is provided, a laminate film or the like may be adhered to the holding surface 1b side of the silicon wafer 1. Of course, a laminate film or the like may be bonded to the silicon wafer 1 even when the silicon wafer 1 is not provided with a through hole.

また、上述した実施形態では、保持テーブル２０の移動方向で塗布ヘッド４０の後方に遮蔽板８０を設けるようにしたが、勿論、この遮蔽板８０は設けなくてもよい。また、上述した実施形態では、中央部が凹形状のシリコンウェハ１を例示したが、これに限定されず、例えば、中央部が凸形状のシリコンウェハであっても同様の工程により平坦化することができる。   In the above-described embodiment, the shielding plate 80 is provided behind the coating head 40 in the moving direction of the holding table 20. However, of course, the shielding plate 80 may not be provided. In the above-described embodiment, the silicon wafer 1 having the concave central portion is illustrated. However, the present invention is not limited thereto. For example, even if the silicon wafer has the convex central portion, the silicon wafer 1 is planarized by the same process. Can do.

本発明の実施形態１に係る塗布装置の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of the coating device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１に係る塗布装置の要部平面図である。It is a principal part top view of the coating device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１に係る塗布装置の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the coating device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１に係る塗布装置の動作を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows operation | movement of the coating device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１に係る塗布装置の動作を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows operation | movement of the coating device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１に係る塗布装置の動作を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows operation | movement of the coating device which concerns on Embodiment 1 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

Ａ 中央領域、 Ｂ 周縁領域、 １ シリコンウェハ、 １ａ 塗布面、 １ｂ 保持面、 １０ スリットコート式塗布装置、 ２０ 保持テーブル、 ２１ 吸引孔、 ２２ 軸、 ３０ 吸引手段、 ４０ 塗布ヘッド、 ５０ 貯留手段、 ６０ 測定手段、 ７０ 押圧手段、 ７３ 押圧ピン、 ７４ 移動手段、 ８０ 遮蔽板
A central region, B peripheral region, 1 silicon wafer, 1a coating surface, 1b holding surface, 10 slit coat type coating device, 20 holding table, 21 suction hole, 22 shafts, 30 suction device, 40 coating head, 50 storage device, 60 measuring means, 70 pressing means, 73 pressing pins, 74 moving means, 80 shielding plate

Claims (7)

シリコンウェハの塗布溶液が塗布される塗布面とは反対側の保持面を吸引保持する吸引手段の設けられた保持テーブルと、前記シリコンウェハの前記塗布面に相対向して塗布溶液が塗布されるスリット状のノズル開口が設けられた塗布ヘッドと、前記シリコンウェハの周方向に亘って当該シリコンウェハの反り量を測定する測定手段と、前記シリコンウェハの周縁部を先端で押圧する複数の押圧ピンを有すると共に当該押圧ピンのそれぞれが異なるタイミングで前記シリコンウェハを押圧可能に設けられた押圧手段とを具備し、前記測定手段の測定結果に基づいて前記押圧手段が前記押圧ピンで前記シリコンウェハの周縁部を周方向で異なるタイミングで押圧すると共に前記吸引手段によって前記シリコンウェハを前記保持テーブル上に吸着させて当該シリコンウェハを平坦化することを特徴とするスリットコート式塗布装置。 The holding solution provided with suction means for sucking and holding the holding surface opposite to the application surface to which the application solution of the silicon wafer is applied, and the application solution are applied opposite to the application surface of the silicon wafer. A coating head provided with a slit-like nozzle opening, a measuring means for measuring the amount of warpage of the silicon wafer along the circumferential direction of the silicon wafer, and a plurality of pressing pins for pressing the peripheral edge of the silicon wafer at the tip And pressing means provided so that each of the pressing pins can press the silicon wafer at different timings, and the pressing means is the pressing pin based on the measurement result of the measuring means. The peripheral edge is pressed at different timings in the circumferential direction and the silicon wafer is sucked onto the holding table by the suction means. Allowed by slit coating type coating apparatus characterized by flattening the silicon wafer. 請求項１において、前記押圧手段が前記押圧ピンで前記シリコンウェハの周縁部の反り量の大きな領域から順次押圧することを特徴とするスリットコート式塗布装置。 2. The slit coat type coating apparatus according to claim 1, wherein the pressing means sequentially presses from a region with a large amount of warpage of the peripheral edge of the silicon wafer with the pressing pin. 請求項１又は２において、前記保持テーブルには、前記シリコンウェハを保持する領域に厚さ方向に貫通した複数の吸引孔が設けられていると共に、前記吸引手段が前記吸引孔の前記シリコンウェハの中央部に相対向する中央領域と、前記シリコンウェハの周縁部に相対向する周縁領域とを異なるタイミングで吸引可能なことを特徴とするスリットコート式塗布装置。 3. The suction table according to claim 1, wherein the holding table is provided with a plurality of suction holes penetrating in a thickness direction in a region for holding the silicon wafer, and the suction means is provided in the suction hole of the silicon wafer. A slit coat type coating apparatus capable of sucking a central region facing the central portion and a peripheral region facing the peripheral portion of the silicon wafer at different timings. 請求項３において、前記吸引手段が前記周縁領域の前記吸引孔のそれぞれを異なるタイミングで吸引可能なことを特徴とするスリットコート式塗布装置。 4. The slit coat type coating apparatus according to claim 3, wherein the suction means can suck each of the suction holes in the peripheral area at different timings. シリコンウェハの塗布溶液が塗布される塗布面とは反対側の保持面の中央領域を吸引することで保持テーブル上に前記シリコンウェハを保持させる工程と、前記シリコンウェハの周方向に亘って反り量を測定する工程と、前記シリコンウェハの反り量に応じて当該シリコンウェハの周縁部を周方向で異なるタイミングで複数の押圧ピンにより押圧して平坦化すると共に、前記シリコンウェハの周縁部を周縁領域を吸引することで前記保持テーブル上に前記シリコンウェハを吸着する工程と、前記シリコンウェハの前記塗布面と前記塗布溶液が流出される塗布ヘッドとを前記保持面の面方向に相対的に移動させることにより、前記基盤の前記塗布面に塗布溶液を塗布する工程とを具備することを特徴とするスリットコート式塗布方法。 A step of holding the silicon wafer on a holding table by sucking a central region of the holding surface opposite to the coating surface to which the coating solution of the silicon wafer is applied, and a warpage amount in the circumferential direction of the silicon wafer And measuring and flattening the peripheral portion of the silicon wafer with a plurality of pressing pins at different timings in the circumferential direction according to the amount of warpage of the silicon wafer. The silicon wafer is sucked onto the holding table by sucking and the coating surface of the silicon wafer and the coating head from which the coating solution flows out are relatively moved in the surface direction of the holding surface. And a step of applying a coating solution to the coating surface of the substrate. 請求項５において、前記押圧ピンにより前記シリコンウェハを押圧すると共に前記保持テーブル上に前記シリコンウェハを吸着する工程では、前記シリコンウェハの反り量の大きな領域から順次押圧することを特徴とするスリットコート式塗布方法。 6. The slit coat according to claim 5, wherein in the step of pressing the silicon wafer by the pressing pin and adsorbing the silicon wafer on the holding table, the silicon wafer is sequentially pressed from a region where the warpage amount of the silicon wafer is large. Formula application method. 請求項５又は６において、前記押圧ピンにより前記シリコンウェハを押圧すると共に前記保持テーブル上に前記シリコンウェハを吸着する工程では、前記押圧ピンに押圧された領域を順次吸引することを特徴とするスリットコート式塗布方法。
7. The slit according to claim 5, wherein in the step of pressing the silicon wafer with the pressing pin and sucking the silicon wafer onto the holding table, the area pressed by the pressing pin is sequentially sucked. Coating type coating method.
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