JP2013209697A6 - Film forming apparatus and film forming method - Google Patents

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【課題】有機ELデバイスの蒸着膜を形成する際に、不要な斜面状の膜が生じないように、マスクと基板との間の隙間を無くしてマスクと基板とを密着させる。
【解決手段】成膜装置は、真空チャンバ内に搬入された有機ELデバイス用基板にマスクを介して蒸着源から噴射される蒸着物質を成膜する。基板を垂直に保持する基板支持手段の基板に対向する表面を、基板側に凸の曲面で構成した。
【選択図】図1
When forming a deposited film of an organic EL device, the mask and the substrate are brought into close contact with each other without a gap between the mask and the substrate so that an unnecessary inclined film is not formed.
A film forming apparatus forms a vapor deposition material sprayed from a vapor deposition source through a mask on an organic EL device substrate carried into a vacuum chamber. The surface of the substrate support means that holds the substrate vertically and that faces the substrate was formed as a curved surface that protruded toward the substrate.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は真空チャンバ内で成膜する成膜装置および成膜方法に係り、特に有機ELデバイスの成膜に好適な成膜装置および成膜方法に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method for forming a film in a vacuum chamber, and more particularly to a film forming apparatus and a film forming method suitable for forming an organic EL device.

従来の有機ELデバイスの製造方法が、特許文献1に記載されている。この公報に記載の有機ELデバイスの製造方法においては、材料の損失が少なく経済的に有機ELデバイスを生産するために、真空チャンバ内にN枚(Nは2以上)の基板を収容し、第1枚目の基板の蒸着中に第N枚目の基板を搬入し、第2枚目の基板の蒸着中に第1枚目の基板を真空チャンバ外へ搬出している。以下、この手順を繰り返すことにより、成膜の能率を向上させている。そのため、真空チャンバを複数に分割している。   A conventional method for manufacturing an organic EL device is described in Patent Document 1. In the method of manufacturing an organic EL device described in this publication, in order to produce an organic EL device economically with little material loss, N substrates (N is 2 or more) are accommodated in a vacuum chamber. During deposition of the first substrate, the Nth substrate is carried in, and during deposition of the second substrate, the first substrate is carried out of the vacuum chamber. Hereinafter, the efficiency of film formation is improved by repeating this procedure. Therefore, the vacuum chamber is divided into a plurality of parts.

特開2010−86956号公報JP 2010-86956 A

上記特許文献1に記載の従来の有機ELの製造方法においては、真空チャンバを複数に分割し、分割したそれぞれのチャンバでの動作を異ならせているので、一方の基板が蒸着中に他方の基板の搬入または搬出が可能になり、成膜の能率が向上する。しかしながら、この公報に記載の方法では、基板とマスクのアライメントについて、基板を直立させた後、アライメントカメラによりマスクおよび基板に設けられたアライメントマークを撮像し、アライメント機構でマスクを動かしてアライメントすることが記載されているだけで、実際のアライメントにおいてマスクと基板間の密着度がどの程度であるかについては、十分には考慮されていない。   In the conventional organic EL manufacturing method described in Patent Document 1, since the vacuum chamber is divided into a plurality of parts and the operations in the divided chambers are different, one substrate is subjected to the other substrate during vapor deposition. Can be carried in or out, and the film forming efficiency is improved. However, in the method described in this publication, for alignment between the substrate and the mask, after the substrate is upright, the alignment camera is used to image the alignment mark provided on the mask and the substrate, and the alignment mechanism is used to move the mask for alignment. However, the degree of adhesion between the mask and the substrate in actual alignment is not sufficiently considered.

一般的にマスクは、成膜する部分に微小な孔の開いた厚さ数十μmのマスクシートを有し、マスクシートの外周にマスクシートを保持するための強固な金属枠(マスクフレーム)が設けられている。金属枠とマスクシートとは溶接接合されており、総称してマスクと呼ばれている。   Generally, a mask has a mask sheet having a thickness of several tens of μm with a minute hole in a film forming portion, and a strong metal frame (mask frame) for holding the mask sheet on the outer periphery of the mask sheet. Is provided. The metal frame and the mask sheet are joined by welding and are collectively referred to as a mask.

ところで、有機EL膜等の形成に当たっては、基板の前面に配置されるマスクの孔にいかに忠実に蒸着膜が形成されるかが重要となる。マスクと基板は機械的に密着させているが、実際には、基板を保持するための基板支持板とマスクフレームには部品加工時の歪があり、基板とマスクの全面を密着させることはできない。このような場合には、真空蒸着後の基板面を観察すると、マスクに形成した孔をなぞってほぼ均一厚さの膜が形成されている一方、孔の周囲には孔部に形成した膜厚さに比較して非常に薄い斜面状の膜が形成されている。この斜面状の膜の幅は最大で数十μm以上になることもある。   By the way, in forming the organic EL film or the like, it is important how faithfully the deposited film is formed in the hole of the mask arranged on the front surface of the substrate. Although the mask and the substrate are mechanically in close contact with each other, in reality, the substrate support plate and the mask frame for holding the substrate are distorted during component processing, and the entire surface of the substrate and the mask cannot be in close contact with each other. . In such a case, when the substrate surface after vacuum deposition is observed, a film having a substantially uniform thickness is formed by tracing the hole formed in the mask, while the film thickness formed in the hole portion around the hole. Compared to this, a very thin slope-like film is formed. The sloped film may have a maximum width of several tens of μm or more.

有機物分子は蒸発源から一定の噴射角を持って噴射されるので、マスクと基板の隙間が大きいほど広い範囲に成膜され、上記斜面状の膜が広い範囲に形成されることになる。近年、小型画面で高精細なディスプレイが求められ、画素配置の密度(PPI:ピクセル パー インチ)が高まっており、300PPI程度まで高くなると予想されている。一方、成膜される膜の面積を広く取り、高い輝度を確保する傾向にあるため、例えばR発光膜とG発光膜の間隔は狭くなり、上記斜面状の膜を限りなく小さくすることが要求されている。   Since organic molecules are ejected from the evaporation source with a constant ejection angle, the larger the gap between the mask and the substrate, the wider the film is formed, and the inclined film is formed in a wide area. In recent years, a high-definition display with a small screen has been demanded, and the density of pixel arrangement (PPI: pixel per inch) has increased, and is expected to increase to about 300 PPI. On the other hand, since the area of the film to be formed tends to be large and high luminance tends to be ensured, for example, the interval between the R light emitting film and the G light emitting film is narrowed, and the sloped film is required to be as small as possible. Has been.

ディスプレイの場合、電流を制御して各色を発光させる際に、斜面状の膜近傍の膜厚が薄くなり輝度が不均一になるとともに、劣化も早く、有効な膜として使用できない。そのため、マスクと基板とを密着させることにより、斜面状の膜の形成を限りなく小さくすることが強く求められている。   In the case of a display, when controlling the current to emit each color, the film thickness in the vicinity of the sloped film becomes thin, the luminance becomes nonuniform, and the deterioration is fast, so that it cannot be used as an effective film. Therefore, there is a strong demand to make the formation of the sloped film as small as possible by bringing the mask and the substrate into close contact with each other.

本発明は上記従来技術の不具合に鑑みなされたものであり、その目的は成膜装置および成膜方法において、蒸着膜を形成する際に不要な斜面状の膜が生じないように、マスクと基板との間の隙間を無くしてマスクと基板とを密着させることにある。本発明の他の目的は、有機EL用の成膜装置および成膜方法において、マスクと基板とを密着させることにある。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to form a mask and a substrate so that an unnecessary inclined film is not formed when forming a vapor deposition film in a film forming apparatus and a film forming method. The mask and the substrate are brought into close contact with each other. Another object of the present invention is to bring a mask and a substrate into close contact in an organic EL film forming apparatus and film forming method.

上記目的を達成する本発明の特徴は、真空チャンバ内に搬入された有機ELデバイス用基板にマスクを介して蒸発源から噴射される蒸着物質を成膜する成膜装置において、前記基板を垂直に保持する基板支持手段の前記基板に対向する表面を前記基板側に凸の曲面で構成したことにある。   A feature of the present invention that achieves the above object is that in a film forming apparatus for forming a deposition material sprayed from an evaporation source through a mask on a substrate for an organic EL device carried into a vacuum chamber, the substrate is placed vertically. The surface of the substrate supporting means to be held facing the substrate is a curved surface convex toward the substrate.

そしてこの特徴において、前記基板支持手段と前記基板との間に、シリコンゴム製の緩衝シートを配置してもよく、前記基板支持手段の上端部および下端部にシリコンゴム製の緩衝材を配置してもよい。また、基板支持手段の前記基板側表面に多数の突起を間隔を置いて配列してもよい。   In this feature, a cushioning sheet made of silicon rubber may be disposed between the substrate support means and the substrate, and a cushioning material made of silicon rubber is disposed at the upper end portion and the lower end portion of the substrate support means. May be. Further, a large number of protrusions may be arranged at intervals on the substrate-side surface of the substrate support means.

上記目的を達成する本発明の他の特徴は、真空チャンバ内に有機ELデバイス用基板を水平状態で搬入し、その後前記基板を垂直状態に保持し、この垂直状態に保持された基板の蒸発源に対向する面とは反対側の面である背面側に配置した曲面で構成した基板支持板を前記基板側に押圧し、前記基板の前面側に配置したマスクのマスクシートをこの基板形状に倣わせるようにしたことにある。   Another feature of the present invention that achieves the above object is that an organic EL device substrate is carried into a vacuum chamber in a horizontal state, and then the substrate is held in a vertical state, and the evaporation source of the substrate held in the vertical state A substrate support plate composed of a curved surface disposed on the back surface, which is the surface opposite to the surface facing the substrate, is pressed against the substrate side, and the mask sheet of the mask disposed on the front surface side of the substrate is copied to this substrate shape. It is to let you let it.

そしてこの特徴において、前記基板支持板の前記基板側表面をこの基板側に凸の曲面とし、前記マスクシートを前記基板のマスクシートに対向する面の形状に倣わせるようにするのがよい。   In this feature, it is preferable that the substrate-side surface of the substrate support plate has a curved surface convex toward the substrate, and the mask sheet follows the shape of the surface of the substrate facing the mask sheet.

本発明によれば、基板背面に配置した基板支持板の表面を滑らかな曲面としたので、成膜方法および成膜装置において、蒸着膜を形成する際に不要な斜面状の膜を生ぜず、マスクと基板との間の隙間を無くして、マスクと基板とが密着する。また、有機EL用の成膜装置および成膜方法において、基板およびマスクが基板支持板に倣って変形するので、マスクと基板とが密着できる。   According to the present invention, since the surface of the substrate support plate disposed on the back surface of the substrate is a smooth curved surface, the film forming method and the film forming apparatus do not produce an unnecessary inclined film when forming the vapor deposition film, The gap between the mask and the substrate is eliminated, and the mask and the substrate are in close contact with each other. In the organic EL film forming apparatus and film forming method, the substrate and the mask are deformed following the substrate support plate, so that the mask and the substrate can be in close contact with each other.

本発明に係る成膜装置に用いる基板支持板の一実施例の詳細を示す正面図(a)およびその部分拡大図(b)である。It is the front view (a) which shows the detail of one Example of the board | substrate support plate used for the film-forming apparatus which concerns on this invention, and its partial enlarged view (b). 図1に示した基板支持板の作用を説明する図で、縦断面図である。It is a figure explaining the effect | action of the board | substrate support plate shown in FIG. 1, and is a longitudinal cross-sectional view. 図1に示した基板支持板を内蔵させた本発明に係る成膜装置の一実施例の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of one Example of the film-forming apparatus which concerns on this invention incorporating the board | substrate support plate shown in FIG. 図3に示した成膜装置の主要部の斜視図である。It is a perspective view of the principal part of the film-forming apparatus shown in FIG. 本発明に係る成膜装置に使用するマスクの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the mask used for the film-forming apparatus which concerns on this invention.

以下、本発明に係る成膜装置の実施例を、図面を用いて説明する。図1は、成膜装置に用いる基板支持板の一実施例の正面図(同図(a))およびその部分拡大図(同図(b))である。図2は、図1に示した基板支持板の作用を説明する図で、その縦断面図である。図3は、図1に示した基板支持板を内蔵した成膜装置の一実施例の縦断面図であり、図4は成膜装置の主要部の斜視図、図5は、成膜装置に使用するマスクの一例を示す図である。   Embodiments of a film forming apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a front view (FIG. 1A) and a partially enlarged view (FIG. 1B) of an embodiment of a substrate support plate used in a film forming apparatus. FIG. 2 is a longitudinal sectional view for explaining the operation of the substrate support plate shown in FIG. 3 is a longitudinal sectional view of an embodiment of the film forming apparatus incorporating the substrate support plate shown in FIG. 1, FIG. 4 is a perspective view of the main part of the film forming apparatus, and FIG. It is a figure which shows an example of the mask to be used.

初めに、図3、4を用いて、本発明に係る成膜装置100の概要を説明する。以下の説明では、有機ELデバイスでの成膜について説明するが、本発明は有機ELデバイスに限るものではなく、通常のELデバイス等にも適用できることは言うまでもない。また、本実施例で説明する基板6は第5〜第6世代であり、1500mm×1800mmの大きさにもなるものである。   First, the outline of the film forming apparatus 100 according to the present invention will be described with reference to FIGS. In the following description, film formation using an organic EL device will be described. However, it goes without saying that the present invention is not limited to an organic EL device but can be applied to a normal EL device or the like. Moreover, the board | substrate 6 demonstrated by a present Example is the 5th-6th generation, and also becomes a magnitude | size of 1500 mm x 1800 mm.

成膜装置100は、図示しない真空ポンプで真空引きされた真空チャンバ1と、この真空チャンバ1へ基板6を搬入、搬送する際に真空チャンバ1を開閉するゲート弁10とを有している。成膜装置100で成膜中は、真空チャンバ1内はゲート弁10により仕切られ、10−5Paオーダの圧力に保たれる。 The film forming apparatus 100 includes a vacuum chamber 1 that is evacuated by a vacuum pump (not shown), and a gate valve 10 that opens and closes the vacuum chamber 1 when the substrate 6 is loaded into and transported to the vacuum chamber 1. During film formation by the film forming apparatus 100, the inside of the vacuum chamber 1 is partitioned by the gate valve 10 and maintained at a pressure on the order of 10 −5 Pa.

基板6は、図示しない搬送手段を用いて機外からこの真空チャンバ1へ、水平状態で導かれる。そして、基板を載置可能で回動可能に設けられた基板保持手段90に載置される。基板保持手段90は真空チャンバ内1に固定された回転機構92に接続されており、回転機構92により水平位置から垂直位置まで、90度回動可能になっている。基板保持手段90は、基板6を保持し、基板載置面を形成する基板支持板91を有している。基板支持板91は、成膜時に基板6の温度が過度に上昇するのを防止するために、その内部に冷却手段、例えば冷却流路が形成されており、CP(冷却板)とも呼ばれる。基板6が回動して垂直方向に位置したときに、基板支持板91の上端部および下端部になる位置の近傍には、アライメントカメラ86が取り付けられている。   The substrate 6 is guided in a horizontal state from the outside of the apparatus to the vacuum chamber 1 using a conveying means (not shown). And it mounts on the board | substrate holding means 90 provided so that a board | substrate can be mounted and it can rotate. The substrate holding means 90 is connected to a rotation mechanism 92 fixed in the vacuum chamber 1 and can be rotated 90 degrees from a horizontal position to a vertical position by the rotation mechanism 92. The substrate holding means 90 has a substrate support plate 91 that holds the substrate 6 and forms a substrate mounting surface. In order to prevent the temperature of the substrate 6 from excessively rising during film formation, the substrate support plate 91 has cooling means, for example, a cooling channel formed therein, and is also called CP (cooling plate). An alignment camera 86 is attached in the vicinity of the positions of the upper and lower ends of the substrate support plate 91 when the substrate 6 is rotated and positioned in the vertical direction.

基板6を回動して垂直状態になる位置に対向して、詳細を後述するマスク81が真空チャンバ1に固定した保持手段を介して、垂直に保持される。つまり、マスク81はその背面側(基板6に対向する側の反対側)周縁部で、マスクホルダ89により固定保持される。マスクホルダ89の上部は、この真空チャンバ1の外側にモータが取り付けられたアライメント駆動部83に接続されている。   A mask 81, which will be described in detail later, is held vertically via a holding means fixed to the vacuum chamber 1 so as to face the position where the substrate 6 is rotated to be in a vertical state. That is, the mask 81 is fixedly held by the mask holder 89 at the peripheral portion on the back side (the side opposite to the side facing the substrate 6). The upper part of the mask holder 89 is connected to an alignment driving unit 83 in which a motor is attached to the outside of the vacuum chamber 1.

マスク81から少し距離を置いて、左右方向(図ではY方向)に延びる蒸発源71が配置されている。蒸発源71は、上下方向に移動可能になっている。蒸発源71の上下方向の移動およびマスク81のアライメントの調節は、コントローラ200の指示により実行される。   An evaporation source 71 extending in the left-right direction (Y direction in the figure) is arranged at a distance from the mask 81. The evaporation source 71 is movable in the vertical direction. The movement of the evaporation source 71 in the vertical direction and the adjustment of the alignment of the mask 81 are executed according to instructions from the controller 200.

ここで、アライメントの詳細を、図4を用いて説明する。なおこの図4では基板6を左右に2枚取り付け可能な場合を示しているが、基板6の取り付けが1枚しかできない場合でも、以下の説明は同様に適用できる。右側の基板6をアライメントする場合である。真空チャンバ1内に搬送された基板6は、最初水平状態になっている。基板支持板91に保持されているので、回転機構92を用いてずり落ちることなく、基板6は垂直に立てられる。   Here, details of the alignment will be described with reference to FIG. Although FIG. 4 shows a case where two substrates 6 can be attached to the left and right, the following description can be similarly applied even when only one substrate 6 can be attached. This is a case where the right substrate 6 is aligned. The substrate 6 transported into the vacuum chamber 1 is initially in a horizontal state. Since it is held by the substrate support plate 91, the substrate 6 is erected vertically without sliding down using the rotation mechanism 92.

マスク81の角部にはアライメントマークとしての窓(開口部)85が形成されており、基板6に設けたアライメントマークと、窓85をアライメントカメラ86で撮像してアライメントを行う。この撮像に基づいてアライメント駆動部83がマスク81の位置を調整し、マスク81と基板6との位置決めが実行される。位置決めが終了したら、蒸発源71を移動させて、蒸着を実行する。   A window (opening) 85 as an alignment mark is formed at the corner of the mask 81. The alignment mark provided on the substrate 6 and the window 85 are imaged by the alignment camera 86 to perform alignment. Based on this imaging, the alignment driving unit 83 adjusts the position of the mask 81, and positioning of the mask 81 and the substrate 6 is executed. When the positioning is completed, the evaporation source 71 is moved to perform vapor deposition.

PPIの高い基板6を作成するための蒸着用のマスク81では、長方形の孔が開けられている。この多数の孔は、エッチング等により形成されている。多数の孔が形成されたマスクシート81aは、張力を加えてマスクフレーム81bに溶接固定されている。なお、マスクフレーム81bは、基板6のサイズが第5〜第6世代では1500mm×1800mmにも達しているので、その基板6に応じた大きさとなっている。そのため、製作過程の加工誤差等により、数百μmの変形を生じている。蒸着時には、マスクフレーム81bを装置のマスク固定板に押し付け保持するが、上記製作過程で生じた変形を完全に強制することは困難であった。   In the mask 81 for vapor deposition for producing the substrate 6 having a high PPI, a rectangular hole is formed. The many holes are formed by etching or the like. The mask sheet 81a in which a large number of holes are formed is welded and fixed to the mask frame 81b by applying tension. The mask frame 81b has a size corresponding to the substrate 6 because the size of the substrate 6 has reached 1500 mm × 1800 mm in the fifth to sixth generations. For this reason, deformation of several hundred μm occurs due to processing errors in the manufacturing process. At the time of vapor deposition, the mask frame 81b is pressed against and held by the mask fixing plate of the apparatus, but it has been difficult to completely force the deformation generated in the manufacturing process.

ところで、従来からガラス基板と薄板のマスクの密着については十分検討されているが、成膜後の基板を調べると斜面状の膜が形成されている場合が多い。この原因の一つは、ガラス基板6と薄板のマスク81の間に非常に微細な隙間が形成されることにあると本願発明者らは考えて、隙間を可能な限りゼロとすることとした。   Conventionally, the adhesion between the glass substrate and the thin plate mask has been sufficiently studied. However, when the substrate after film formation is examined, a sloped film is often formed. One reason for this is that the present inventors consider that a very fine gap is formed between the glass substrate 6 and the thin mask 81, and the gap is made as zero as possible. .

図1および図2に、基板支持板91部を詳細に示す。図1(a)は、基板支持板91の正面図および縦断面図であり、図1(b)は、図1(a)のA部詳細平面図およびその縦断面図である。また、図2(a)は基板6とマスク81のアライメント前の状態を、図2(b)は基板6とマスク81のアライメント後の状態を、それぞれ縦断面で示した図である。   FIG. 1 and FIG. 2 show the substrate support plate 91 in detail. 1A is a front view and a longitudinal sectional view of the substrate support plate 91, and FIG. 1B is a detailed plan view of the portion A in FIG. 1A and a longitudinal sectional view thereof. 2A is a vertical cross-sectional view of the substrate 6 and the mask 81 before alignment, and FIG. 2B is a view of the substrate 6 and mask 81 after alignment.

基板6の背面側に配置される基板支持板91は、上記アライメントの際に、基板6を背面側からマスクシート81に押し付けるように作用する。そこで、マスクシート81aをわずかに変形させ、基板6に倣うようにする。基板6はガラス製なので、僅かの変形を有して垂直に保持される。   The substrate support plate 91 disposed on the back side of the substrate 6 acts to press the substrate 6 against the mask sheet 81 from the back side during the alignment. Therefore, the mask sheet 81 a is slightly deformed so as to follow the substrate 6. Since the substrate 6 is made of glass, it is held vertically with a slight deformation.

基板支持板91の基板側表面は、全体として基板6側に凸の曲面とすることが可能である。ここで、基板支持板91の表面には従来から幅W、高さhの無数の突起91bが間隔cで形成されている。この突起91bは、基板6を他の真空チャンバ1へ移動させるときに、基板6が基板支持板91に密着し基板6を剥離させるときに抵抗が増大するのを防止すること、および基板6を剥離させるときに帯電を防止することのために形成される。   The substrate-side surface of the substrate support plate 91 can be a curved surface that is convex toward the substrate 6 as a whole. Here, innumerable protrusions 91b having a width W and a height h are conventionally formed on the surface of the substrate support plate 91 at intervals c. The protrusion 91b prevents the resistance of the substrate 6 from increasing when the substrate 6 is brought into close contact with the substrate support plate 91 when the substrate 6 is moved to another vacuum chamber 1 and the substrate 6 is peeled off. Formed to prevent electrification when peeled.

この突起91b部の形状を全体として曲面とすることで、基板支持板91のガラス基板6へ密着させることができる。本実施例では、曲率を有する孔長手方向でマスク81と基板6とを密着させる。突起91b部の曲率は、マスク81を基板支持板91に倣わせたとき、マスクシート81aに加わる張力になるように選定するのがよい。例えば、マスク81が基板支持板91に倣ったときに生じる突起高さの変化が、500μm程度になるように選べばよい。すなわち、曲率半径としては560m程度になる。   By making the shape of this protrusion 91b part into a curved surface as a whole, the substrate support plate 91 can be brought into close contact with the glass substrate 6. In this embodiment, the mask 81 and the substrate 6 are adhered in the longitudinal direction of the hole having a curvature. The curvature of the protrusion 91b is preferably selected so as to be a tension applied to the mask sheet 81a when the mask 81 is made to follow the substrate support plate 91. For example, it may be selected so that the change in projection height that occurs when the mask 81 follows the substrate support plate 91 is about 500 μm. That is, the curvature radius is about 560 m.

従来は、基板6とマスク81を垂直に保ち、基板6とマスク81を均一に密着させようとしていた。そのため、基板6とマスク81の双方を平坦度ゼロに限りなく近づけることが試みられている。しかしながら、基板とマスク81の双方の平坦度をゼロにすることは現実的には無理である。本実施例によれば、曲面を形成した基板支持板91に局所的に凹部が存在しても、基板6は自己の剛性で凹部の無い形状を形成する。また、マスク81は基板6の剛性よりはるかに小さい剛性しか有していないので、基板6にマスク81を倣わせることができる。また、基板6にマスク81を倣わせるので、高い精度の部品や装置を用いずに、基板6とマスク81を全面的に密着させることができる。   Conventionally, the substrate 6 and the mask 81 are kept vertical, and the substrate 6 and the mask 81 are uniformly adhered. Therefore, attempts have been made to bring both the substrate 6 and the mask 81 as close as possible to zero flatness. However, it is practically impossible to make the flatness of both the substrate and the mask 81 zero. According to the present embodiment, even if a concave portion is locally present on the substrate support plate 91 having a curved surface, the substrate 6 forms a shape having no concave portion with its own rigidity. Further, since the mask 81 has a rigidity much smaller than the rigidity of the substrate 6, the mask 81 can be made to follow the substrate 6. In addition, since the mask 81 is made to follow the substrate 6, the substrate 6 and the mask 81 can be brought into close contact with each other without using high-precision components and apparatuses.

基板支持板91を曲面形状とし、この曲面に基板6およびマスク81を倣わせるようにしたので、マスク81の孔長辺方向(図5の上下方向)は、マスク81と基板6の密着度が向上する。しかし、マスク81の上端および下端では、マスクフレーム81bの幅方向(図5の左右方向)の加工誤差や組み立て誤差等に起因する変形の影響が残っているおそれがある。   Since the substrate support plate 91 has a curved shape, and the substrate 6 and the mask 81 follow the curved surface, the hole long side direction of the mask 81 (vertical direction in FIG. 5) indicates the degree of adhesion between the mask 81 and the substrate 6. Will improve. However, there is a possibility that the upper and lower ends of the mask 81 remain affected by deformation due to processing errors, assembly errors, and the like in the width direction (left and right direction in FIG. 5) of the mask frame 81b.

そこで、基板支持板91の全面または上端部および下端部に、シリコンゴムまたは、4フッ化エチレン樹脂製の緩衝シート98を配置している。基板6の上端部および下端部を緩衝シート98で押圧することにより、マスク81の幅方向(図5の左右方向)についても、基板6をマスクフレーム81bに倣わせることが可能になる。   Therefore, a buffer sheet 98 made of silicon rubber or tetrafluoroethylene resin is disposed on the entire surface of the substrate support plate 91 or on the upper and lower ends. By pressing the upper end portion and the lower end portion of the substrate 6 with the buffer sheet 98, the substrate 6 can be made to follow the mask frame 81b also in the width direction of the mask 81 (the left-right direction in FIG. 5).

なお、マスク81の中央部にも緩衝シート98を設けると緩衝シート98の反発力がマスク81の張力を高めるおそれがあるが、基板6の上端部および下端部では、緩衝シート98の反発力を高剛性のマスクフレーム81bが受けることになり張力が高まることは無い。また、マスク81を基板6の形状に倣わせているので、緩衝シート98を用いてマスク81の幅方向(図5の左右方向)を押圧しても、密着性を高める効果は損なわれない。   If the buffer sheet 98 is also provided at the center of the mask 81, the repulsive force of the buffer sheet 98 may increase the tension of the mask 81. However, the repulsive force of the buffer sheet 98 is increased at the upper and lower ends of the substrate 6. The high rigidity mask frame 81b receives and tension does not increase. Moreover, since the mask 81 is made to follow the shape of the board | substrate 6, even if it presses the width direction (left-right direction of FIG. 5) of the mask 81 using the buffer sheet 98, the effect which improves adhesiveness is not impaired.

なお、上記図2に示した実施例では、基板支持板91の表面突起部の断面形状を、ガラス基板6側に凸の形状としているが、その曲率半径はマスクシート81aを倣わせる押し込み量とマスクの大きさの相関から決めることができる。また、密着を優先させる場合には、曲面の形状は、球面であってもよく、楕円球面でも卵型であってもよい。ただし、凹面が無いことが望ましい。また、緩衝シート98の厚さは、5mm程度が望ましい。さらに基板支持板91の曲面は、上下方向だけでなく左右方向にもガラス基板側に凸の曲面であるのがよいが、上下方向だけの曲面でも本発明の効果は得られる。   In the embodiment shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the surface protrusion of the substrate support plate 91 is a convex shape toward the glass substrate 6, but the radius of curvature is the amount of pushing that follows the mask sheet 81a. And the correlation of the mask size. In the case where priority is given to close contact, the shape of the curved surface may be a spherical surface, and may be an elliptical spherical surface or an egg shape. However, it is desirable that there is no concave surface. Further, the thickness of the buffer sheet 98 is desirably about 5 mm. Further, the curved surface of the substrate support plate 91 is preferably a curved surface convex not only in the vertical direction but also in the horizontal direction in the glass substrate side. However, the effect of the present invention can be obtained even in a curved surface only in the vertical direction.

1…真空チャンバ、6…基板、10…ゲート弁、71…蒸発源、81…マスク、81a…マスクシート、81b…マスクフレーム、83…アライメント駆動部、84…アライメントマーク、85…窓、86…アライメントカメラ、89…マスクホルダ、91…基板支持板、91b…突起、92…回転機構、98…緩衝シート、100…成膜装置、200…コントローラ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum chamber, 6 ... Board | substrate, 10 ... Gate valve, 71 ... Evaporation source, 81 ... Mask, 81a ... Mask sheet, 81b ... Mask frame, 83 ... Alignment drive part, 84 ... Alignment mark, 85 ... Window, 86 ... Alignment camera 89 ... Mask holder 91 ... Substrate support plate 91b ... Projection 92 ... Rotating mechanism 98 ... Buffer sheet 100 ... Film forming apparatus 200 ... Controller

Claims (6)

真空チャンバ内に搬入された有機ELデバイス用基板にマスクを介して蒸発源から噴射される蒸着物質を成膜する成膜装置において、
前記基板を垂直に保持する基板支持手段の前記基板に対向する表面を前記基板側に凸の曲面で構成したことを特徴とする成膜装置。
In a film forming apparatus for forming a vapor deposition material sprayed from an evaporation source through a mask on an organic EL device substrate carried into a vacuum chamber,
A film forming apparatus, wherein a surface of the substrate supporting means that holds the substrate vertically is opposed to the substrate with a curved surface convex toward the substrate.
前記基板支持手段と前記基板との間に、シリコンゴム製の緩衝シートを配置したことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。   2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein a cushioning sheet made of silicon rubber is disposed between the substrate support means and the substrate. 前記基板支持手段と前記基板との間であって、前記基板支持手段の上端部および下端部にシリコンゴム製の緩衝材を配置したことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。   2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein a cushioning material made of silicon rubber is disposed between the substrate support means and the substrate at an upper end portion and a lower end portion of the substrate support means. 前記基板支持手段の前記基板側表面に多数の突起を間隔を置いて配列したことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。   3. The film forming apparatus according to claim 1, wherein a plurality of protrusions are arranged at intervals on the substrate side surface of the substrate support means. 真空チャンバ内に有機ELデバイス用基板を水平状態で搬入し、その後前記基板を垂直状態に保持し、この垂直状態に保持された基板の蒸発源に対向する面とは反対側の面である背面側に配置され、曲面で構成された基板支持板を前記基板側に押圧し、前記基板の前面側に配置したマスクのマスクシートをこの基板形状に倣わせるようにしたことを特徴とする成膜方法。   A substrate for organic EL device is carried into a vacuum chamber in a horizontal state, and then the substrate is held in a vertical state. The back surface is a surface opposite to the surface facing the evaporation source of the substrate held in the vertical state. The substrate support plate, which is arranged on the side and is configured by a curved surface, is pressed against the substrate side so that the mask sheet of the mask arranged on the front side of the substrate follows the substrate shape. Membrane method. 前記基板支持板の前記基板側表面をこの基板側に凸の曲面とし、前記マスクシートを前記基板のマスクシートに対向する面の形状に倣わせるようにしたことを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。   6. The substrate-side surface of the substrate support plate is a curved surface convex toward the substrate side, and the mask sheet is made to follow the shape of the surface of the substrate facing the mask sheet. The film-forming method of description.
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