JP4418262B2 - The substrate and the mask fixing unit - Google Patents

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本発明は、半導体基板やガラス基板等の基板と、所定のパターンに孔あけ加工されたマスクとを密接させ、マスク処理する際に用いる基板・マスク固定装置に関する。 The present invention includes a substrate such as a semiconductor substrate or a glass substrate, is in close contact with the drilling mask in a predetermined pattern, to the substrate-mask fixing apparatus used for masking.

半導体基板や有機ELパネルに用いられるガラス基板上に有機材料、金属等の薄膜形成を行うには、真空蒸着法、スパッタリング等のPVDあるいはCVD(化学的気層成長)等の処理方法が用いられる。 The organic material on a semiconductor substrate or a glass substrate used in the organic EL panel, in forming a thin film of metal or the like, a vacuum deposition method, the processing method such as PVD or CVD such as sputtering (chemical Vapor Deposition) is used . これらの処理は、基板上に所定のパターンで薄膜の形成を行うために、所定のパターンに孔あけ加工されたマスクを用いたマスク処理となっている。 These processes are supposed to carry out the formation of the thin film in a predetermined pattern on a substrate, a mask process using a drilling mask in a predetermined pattern.

ところで、このマスク処理を蒸着に用いた場合、蒸着を行うマスクと基板との間に空隙があると、基板表面に影が形成され、蒸着材のにじみおよびぼけが発生する。 In the case of using the mask process to the deposition, if there is a gap between the mask and the substrate in which evaporation is performed, a shadow is formed on the substrate surface, bleeding and blurring is generated in the vapor deposition material. この問題点を防止するために、マスクと基板とを隙間無く当接、すなわち密接させる。 To prevent this problem, the mask and the substrate without any gap abuts, i.e. to close.
これに対して下記特許文献1では、マスク処理する基板を保持する基板ホルダ部が電磁石を有し、この電磁石が基板を通して、強磁性体で構成されたマスクを吸着することにより、マスクを基板に密接させる構成の真空成膜装置が開示されている。 In Patent Document 1 contrast, the substrate holder unit for holding a substrate to be masked has an electromagnet, the electromagnet through the substrate, by adsorbing a mask made of a ferromagnetic material, a mask onto a substrate vacuum film forming apparatus configured to close the is disclosed.

図5(a)および(b)は、特許文献1に記載の基板・マスク固定装置の実施例を示す断面図である。 Figure 5 (a) and (b) is a sectional view showing an embodiment of a substrate-mask fixing device described in Patent Document 1. ここで、図5(a)は基板とマスクが離れている状態を示す。 Here, FIG. 5 (a) shows a state in which apart substrate and the mask. 図5(b)は基板とマスクが密接している状態を示す。 FIG. 5 (b) shows a state where the substrate and the mask are closely.

ここで、特許文献1記載の基板・マスク固定装置50においては、以下の順序で基板中央部の撓み、すなわちマスクと基板との間の空隙をなくすことができる。 Here, in the substrate-mask fixing device 50 described in Patent Document 1, deflection of the central portion of the substrate in the following order, that is, to eliminate the gap between the mask and the substrate.
まず、マスク62と基板52とは、互いに図5(a)に示すように離間した位置関係にある。 First, the mask 62 and the substrate 52, in a position spaced apart relationship, as shown in FIG. 5 (a) to each other. この時、基板ホルダ部58が基板52を保持、固定した状態にあり、基板52は下方に凸状に撓んでいる。 At this time, holding the substrate holder 58 is a substrate 52, in a fixed state, the substrate 52 is flexed in a convex shape downward. この状態からマスクホルダ部60を上昇させ、マスク62で基板52を上方に向けて押し上げながら、マスク62と基板52との隙間を減少させる。 Raising the mask holder 60 from this state, while pushing up toward the substrate 52 upward in the mask 62, to reduce the gap between the mask 62 and the substrate 52. この状態では、マスク62はマスクホルダ60に周辺部のみで保持されているため、マスク自体も下方に撓んでマスク62と基板52との隙間が無くならない。 In this state, the mask 62 because it is held only near portions in the mask holder 60, it is not eliminated the gap between the mask 62 and the substrate 52 flexes mask itself downwards. そこで、電磁石64を駆動して強磁性体で構成されたマスク62を強制的に吸着して、図5(b)に示すように基板の撓みを取り、基板52とマスク62とが密接した状態をつくる。 State Therefore, by forcibly adsorb the mask 62 made of a ferromagnetic material by driving the electromagnet 64 takes the deflection of the substrate shown in FIG. 5 (b), in which the substrate 52 and the mask 62 are closely spaced the making.
特許第2832836号公報 Patent No. 2832836 Publication

しかしながら、特許文献1で開示される基板・マスク固定装置50では、複数の薄膜層を順次蒸着して積層する場合、基板52とマスク62とを密接させる際に、既に形成された薄膜層に対してマスク62が摺動し、マスク62のパターンのエッジによって薄膜層に損傷を与える場合がある。 However, the substrate-mask fixing device 50 disclosed in Patent Document 1, the case of laminating sequentially depositing a plurality of thin film layers, when to close contact with the substrate 52 and the mask 62, to the already thin layer formed mask 62 slides Te, which may damage the thin-film layer by the edge of the pattern of the mask 62. また、基板52の中央部分を押し上げて基板52を基板ホルダ部58と沿わせているため、基板52とマスク62との位置ずれを起こす場合も多い。 Moreover, since the pushing up the central portion of the substrate 52 has a substrate 52 and along the substrate holder unit 58, also often cause positional displacement between the substrate 52 and the mask 62. このため、形成される薄膜が部分的に損傷したり、形成される薄膜のパターンの位置がずれ、精度の高い薄膜のパターンが形成されない。 Therefore, damage or partial thin film to be formed, misaligned of the pattern of the film to be formed, the pattern of highly accurate thin film is not formed.
さらに、マスクの吸着手段に電磁石64を用いているため、マスク62の材質は強磁性体に制限される。 Furthermore, due to the use of electromagnets 64 in the suction means of the mask, material of the mask 62 is limited to ferromagnetic.

そこで、本発明は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、半導体基板やガラス基板等に所定のパターンの薄膜を形成するマスク処理を行う場合、形成される薄膜に損傷が無く精度の高いパターンの薄膜を形成することができる基板・マスク固定装置を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention is the eliminate the prior art based on the problem, high case, damage to the thin film of no accuracy is formed to perform a masking process for forming a thin film of a predetermined pattern on a semiconductor substrate or a glass substrate such as pattern and to provide a substrate-mask fixing device capable of forming a thin film.

上記目的を達成するために、本発明は、基板の一方の面に、所定のパターンに孔あけ加工されたマスクを用いてマスク処理を施す際に基板およびマスクを固定し、保持する基板・マスク固定装置であって、基板のマスク処理を施さない非マスク処理面と当接して基板を保持する面であって、この面がマスク処理面に向けて凸状に湾曲した曲面形状をなした基板保持面を有し、この基板保持面よりマスク処理面の側に向けて基板を湾曲させて保持する基板ホルダ部と、マスク処理を施すためのマスクを、前記湾曲した基板のマスク処理面に密接して保持するために、前記基板の湾曲に対応するように前記マスクを湾曲して保持するマスクホルダ部とを有することを特徴とする基板・マスク固定装置を提供する。 To achieve the above object, the present invention includes a substrate-mask on one surface of the substrate, the substrate and the mask is fixed when performing the mask process using the drilling mask in a predetermined pattern, to hold a fixing device, a surface for holding a substrate in contact with the non-masked surface not subjected to the mask processing of the substrate, the surface was without a curved shape which is convexly curved toward the masking plane substrate It has a holding surface, and a substrate holder unit for holding by curving the substrate toward the side of the masking surfaces from the substrate holding surface, the mask for performing mask processing, close to the mask processing surface of a substrate on which said curved to hold the, to provide a substrate-mask fixing apparatus characterized by having a mask holder for holding a curved said mask so as to correspond to the curvature of the substrate.

さらに、前記基板の前記マスク処理面の側から基板の周辺部を前記基板ホルダ部に向かって押圧することで前記基板を前記基板ホルダ部に固定する基板固定部材を有することが好ましい。 Further, it is preferable to have a substrate fixing member for fixing the substrate to the substrate holder the periphery of the substrate from the side of the masking surface of the substrate by pressing toward the substrate holder.

さらに、前記マスクが基板の前記マスク処理面に密接して固定されるように、前記マスクを基板に対して固定するマスク固定部材を有することが好ましい。 Further, as the mask is closely fixed to the mask processing surface of the substrate, it is preferable to have a mask fixing member for fixing the mask to the substrate.

前記基板・マスク固定装置は、蒸着源を有する蒸着装置とともに用いられ、前記基板ホルダ部は、蒸着源で生成される蒸着物質が前記基板に蒸着するように、前記蒸着源に対して上方に設けられていることが好ましい。 The substrate mask fixing device is used in conjunction with deposition apparatus having a deposition source, the substrate holder unit, as the deposition material generated by the evaporation source is deposited on the substrate, provided above with respect to the deposition source it is preferable to have been.

前記蒸着装置は、基板に薄膜を形成する処理装置であることが好ましい。 The deposition apparatus is preferably a processing apparatus for forming a thin film on a substrate. また、前記基板は透明性を有する基板であって、前記処理装置は形成された薄膜にさらに別の薄膜を蒸着により積層する処理装置であってもよい。 The substrate is a substrate having transparency, it may be a processing device for stacking by further depositing another thin film on the thin film the processor formed. このような基板として、例えば有機ELパネルのガラス基板が例示される。 As such a substrate, for example, a glass substrate of the organic EL panel is exemplified.

本発明の基板・マスク固定装置によれば、基板保持面が基板のマスク処理面に向けて湾曲し、かつマスクホルダ部もマスクを湾曲して保持するので、マスクを基板に当接させる際、基板をマスクで押し上げることなく、すなわちマスクを基板に対して摺動させることなく、マスクと基板とを密接させることができるため、マスクの摺動による損傷が基板表面層に生じない。 According to the substrate-mask fixing device of the present invention, since the substrate holding surface is curved toward the masking surface of the substrate, and for holding the mask holder be curved mask, when brought into contact with the mask on the substrate, without pushing up the substrate with the mask, that is, without sliding the mask to the substrate, since it is possible to close the mask and the substrate, damage due to sliding of the mask does not occur in the substrate surface layer. また、基板とマスクの位置ずれを引き起こさない。 Also, it does not cause positional displacement of the substrate and the mask.
さらに、マスクを基板へ密接させる際、従来技術のように電磁石を用いないので、用いるマスクは強磁性体で構成されたマスクに制限されない。 Further, when to close contact with the mask to the substrate does not use a magnet as in the prior art, the mask is not limited to a mask made of a ferromagnetic material used.

以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の基板・マスク固定装置を詳細に説明する。 Hereinafter, with reference to preferred embodiments shown in the accompanying drawings, illustrating a substrate-mask fixing device of the present invention in detail.

図1は、本発明の基板・マスク固定装置の一実施例である基板・マスク固定装置10の各構成要素の分解斜視図であり、図2(a)は基板・マスク固定装置10の斜視図であり、図2(b)は図2(a)の断面図である。 Figure 1 is an exploded perspective view of the components of the substrate-mask fixing device 10 of one embodiment of a substrate-mask fixing device of the present invention, FIG. 2 (a) is a perspective view of the substrate-mask fixing device 10 , and the FIG. 2 (b) is a cross-sectional view of FIG. 2 (a).

図1に示す基板・マスク固定装置10は、基板ホルダ部12、基板固定部材14、マスクホルダ部16およびマスク固定部材18を有する。 Substrate-mask fixing device 10 shown in FIG. 1 includes a substrate holder 12, the substrate fixing member 14, the mask holder 16 and the mask fixing member 18. また、基板固定部材14には滑り止め22が、マスク固定部材18には滑り止め24が、それぞれ設けられている。 Also, slip 22 to the substrate fixing member 14, the mask fixing member 18 slip 24 are provided, respectively.

基板ホルダ部12は矩形形状のガラス基板26(例えば470mm×370mm×0.7mmのガラス基板)のマスク処理を施さない非マスク処理面28に当接する部分である。 Substrate holder unit 12 is a portion contacting the unmasked treated surface 28 not subjected to the masking process of the glass substrate 26 of rectangular shape (e.g., a glass substrate of 470mm × 370mm × 0.7mm). ガラス基板26のマスク処理を施すマスク処理面30には、マスクホルダ部16に固定されたマスク20が当接する。 The mask processing surface 30 performs masking processing of the glass substrate 26, the mask 20 fixed to the mask holder 16 abuts.
基板固定部材14は、ガラス基板26をマスク処理面30側から基板ホルダ部12に向かい押圧する部材である。 Board fixing member 14 is a member for pressing toward the glass substrate 26 from the mask processing surface 30 side on the substrate holder 12. マスクホルダ部16はマスク20が貼り付けられた面を上方とし、マスク固定部材18の上面に設けられた滑り止め24に載置される。 Mask holder 16 to the surface on which the mask 20 is adhered with the upper, it is placed on the cleat 24 provided on the upper surface of the mask fixing member 18.

基板ホルダ部12は、例えばアルミニウムやアルミニウム合金で構成される。 Substrate holder unit 12 is composed of for example aluminum or an aluminum alloy. 基板ホルダ部12には、ガラス基板26の非マスク処理面28と当接してガラス基板26を保持する面を有し、この面がマスク処理面に向けて凸状に湾曲した曲面形状を成して基板保持面となっている。 The substrate holder unit 12, has a surface for holding the glass substrate 26 in contact with the unmasked treated surface 28 of the glass substrate 26, forms a curved surface this surface is curved convexly toward the masking surface It has a substrate holding surface Te. この基板保持面は、凸状の円筒表面形状を成し、ガラス基板26の非マスク処理面28側に当接し、ガラス基板26を保持する。 The substrate holding surface forms a convex cylindrical surface shape, in contact with the non-masked surface 28 side of the glass substrate 26, for holding the glass substrate 26. このとき、基板保持面はガラス基板26をマスク処理面30の側に湾曲させる。 At this time, the substrate holding surface is curving the glass substrate 26 on the side of the mask processing surface 30.
ここで、円筒表面形状とは、所定の方向に一定の曲率で湾曲した3次元曲面形状をいう。 Here, the cylindrical surface shape, refers to three-dimensional curved shape curved at a certain curvature in a predetermined direction.

基板固定部材14は、例えばアルミニウムやアルミニウム合金で構成され、本実施形態では図1に示すように、底面が略矩形形状となっている。 Board fixing member 14 is composed of, for example, aluminum or an aluminum alloy, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, has bottom surface a substantially rectangular shape. この底面の図2(b)の紙面垂直方向に、この底面の長辺が配されており、ガラス基板26の長辺より長くなっている。 This in a direction perpendicular to the plane of the bottom FIG. 2 (b), the and the long sides of the bottom surface is disposed is longer than the long side of the glass substrate 26. さらに、この底面は開口部を有するとともに、底面の長辺に沿って、底面に対し垂直方向に延在する矩形形状の縁部が設けられている。 Further, the bottom surface and having an opening along the long sides of the bottom, the edges of the rectangular shape is provided extending in the direction perpendicular to the bottom surface. 基板固定部材14の底面にはゴム製の滑り止め22が上方に突設している。 The bottom surface of the substrate fixing member 14 made of rubber slip 22 is projected upward.
なお、基板固定部材14は、図1に示した一体構造に特に限定されない。 The substrate fixing member 14 is not particularly limited to the unitary structure illustrated in FIG. 例えば、滑り止め22が突設した複数のL字爪状金具を一体的に上昇するように基板の端に沿って配置して構成したものであってもよい。 For example, a plurality of L-shaped claw fitting slip 22 is projected or may be configured by arranging along the edge of the substrate so as to integrally rise.

ここで、基板固定部材14に設けられた滑り止め22にガラス基板26が載置される。 Here, the glass substrate 26 is placed on the slip 22 provided on the substrate fixing member 14. ガラス基板26のマスク処理面30は図1に示すガラス基板26の下側の部分である。 Masking surface 30 of the glass substrate 26 is a lower part of the glass substrate 26 shown in FIG. そして、基板固定部材14はマスク処理面30の側から基板の周辺部を基板ホルダ部12に向かい押圧し、基板を保持し固定するように構成される。 Then, the substrate fixing member 14 presses toward the side of the mask processing surface 30 of the peripheral portion of the substrate to the substrate holder 12 configured to hold the substrate fixing.

マスクホルダ部16は、例えばFe−Ni合金で構成され、矩形形状の平板の一部分が図1中の上方に、矩形形状の平板の2つの長辺に沿って突出している。 Mask holder 16, for example, a Fe-Ni alloy, a portion of the rectangular flat plate shape upward in FIG. 1, and projects along the two long sides of the rectangular flat plate shape. この突出部分の上部面は、前記矩形形状の短辺方向に一定の曲率を有する凹状の円筒内表面形状を成している。 Upper surface of the projecting portion is formed in a concave cylindrical inner surface shape having a constant curvature in the short side direction of the rectangular shape. また、マスクホルダ部16は前記上部面でマスクホルダ部16を貫通する開口部を有する。 Further, the mask holder 16 has an opening through the mask holder 16 in the upper surface. なお、基板固定部材14が一体的に上昇するような複数のL字爪状金具である場合、マスクホルダ部16はL字爪状金具と干渉しないように、ザグリまたは貫通穴が設けられる。 Incidentally, when the substrate fixing member 14 is a plurality of L-shaped claw fitting as rise integrally, the mask holder 16 so as not to interfere with the L-shaped claw bracket counterbore or through holes are provided.
前記凹状の円筒内表面形状は、基板ホルダ部12に湾曲して保持されるガラス基板26に対応した曲面形状となっている。 It said concave cylindrical inner surface shape has a curved shape corresponding to the glass substrate 26 held curved substrate holder 12. マスク20は、前記開口部の周囲に貼り付けられ、基板ホルダ部12に押圧されたガラス基板26のマスク処理面30と密接するように、凹状の円筒表面の形状に保持される。 Mask 20 is affixed to the periphery of the opening so as to close the masking surface 30 of the glass substrate 26 which is pressed against the substrate holder 12, it is held in the shape of a concave cylindrical surface.
ここで、凹状の円筒表面とは円筒の内表面をいう。 Here, it means the inner surface of the cylinder and concave cylindrical surface.

ここで、マスクホルダ部16に貼り付けられるマスクは、ガラス基板26上に薄膜形成を行う際、基板上に選択的な遮蔽を行うために用いられる。 Here, a mask is affixed to a mask holder 16, when a thin film is formed on the glass substrate 26, it is used to perform selective shielding on a substrate. マスクは図示されないが所定のパターンに孔あけ加工されている。 Mask is not shown is processed drilled in a predetermined pattern. このパターンは、例えば一辺の長さが数十〜数百μmの矩形形状のパターンが整列した形で加工されたものである。 This pattern, for example, those length of one side is processed in the form of patterns are aligned in several tens to several hundreds μm rectangular.
マスクの材質は、蒸着材料やその他の条件に応じて、例えばFe−Ni合金、Fe−Co合金等の強磁性体の合金や、SUS403等の非強磁性体の合金や鋼が用いられ、好ましくは、マスクの材質として、蒸着過程において熱膨張の小さなものが用いられる。 The material of the mask, in accordance with the vapor deposition material and other conditions, for example, Fe-Ni alloy, an alloy or a ferromagnetic material such as Fe-Co alloy is used an alloy or steel non-ferromagnetic material such as SUS 403, preferably as the material of the mask, as small a thermal expansion it is used in the deposition process.

マスク固定部材18は、例えばアルミニウムやアルミニウム合金で構成され、図1に示すように、底面が略矩形形状となっている。 Mask fixing member 18 is, for example, is made of aluminum or aluminum alloy, as shown in FIG. 1, has bottom surface a substantially rectangular shape. この底面の図2(b)の紙面垂直方向に、この底面の長辺が配されており、ガラス基板26の長辺より長くなっている。 This in a direction perpendicular to the plane of the bottom FIG. 2 (b), the and the long sides of the bottom surface is disposed is longer than the long side of the glass substrate 26. さらに、この底面は開口部を有するとともに、底面の長辺に沿って、底面に対し垂直方向に延在する矩形形状の縁部が設けられている。 Further, the bottom surface and having an opening along the long sides of the bottom, the edges of the rectangular shape is provided extending in the direction perpendicular to the bottom surface. マスク固定部材18の底面にはゴム製の滑り止め24が突設している。 The bottom surface of the mask fixing member 18 slip 24 made of rubber is projecting.
なお、マスク固定部材18は、図1に示した一体構造に特に限定されない。 The mask fixing member 18 is not particularly limited to the unitary structure illustrated in FIG. 例えば、滑り止め24が突設した複数のL字爪状金具を一体的に上昇するようにマスクホルダ部16の端に沿って配置して構成したものであってもよい。 For example, a plurality of L-shaped claw fitting slip 24 is projected or may be configured by arranging along the edge of the mask holder 16 so as to integrally rise.

ここで、マスク20を保持したマスクホルダ部16をマスク固定部材18に載置した状態で、マスク20とガラス基板26のマスク処理面30とを当接させ、保持することで、図2(a)に示す基板・マスク固定装置10の状態となる。 Here, in a state of placing the mask holder 16 holding the mask 20 to the mask fixing member 18, that is brought into contact with the mask processing surface 30 of the mask 20 and the glass substrate 26, held, FIG. 2 (a the state of the substrate-mask fixing device 10 shown in).

ここで、本実施形態の基板・マスク固定装置10において、基板ホルダ部12の基板保持面とマスクホルダ部16のマスク20が貼り付けられる面とは、ガラス基板26のマスク処理面30とマスクホルダ部16に貼り付けられたマスク20とが密接するような湾曲した曲面をそれぞれ有する。 Here, in the substrate-mask fixing device 10 of the present embodiment, the surface on which the mask 20 of the substrate holding surface and the mask holder 16 of the substrate holder 12 is attached, the mask processing surface 30 of the glass substrate 26 and the mask holder It has a mask 20 affixed to the part 16 is a curved curved surface as closely respectively. したがって、図2(a)および(b)に示すように、基板ホルダ部12とマスクホルダ部16により、マスクホルダ部16に貼り付けて保持されたマスク20と、ガラス基板26のマスク処理面30とが密接した状態に保持される。 Accordingly, as shown in FIG. 2 (a) and (b), the substrate holder 12 and the mask holder 16, and the mask 20 held affixed to the mask holder 16, mask processing surface 30 of the glass substrate 26 bets are held in close state.

また、基板固定部材14に設けられた滑り止め22は蒸着、加工または移設の過程で図2(b)の左右方向または、紙面垂直方向へガラス基板26が摺動することを防ぐように機能する。 Also, slip 22 provided on the substrate fixing member 14 is deposited, the left-right direction shown in FIG. 2 (b) in the course of processing or relocation or a glass substrate 26 to the direction perpendicular to the paper to function to prevent to slide . さらに、マスク固定部材18に設けられた滑り止め24は、蒸着、加工または移設の過程で図2(b)の左右方向または、紙面垂直方向へマスクホルダ部16が摺動することを防ぐように機能する。 Furthermore, slip 24 provided on the mask fixing member 18 is deposited, the left-right direction shown in FIG. 2 (b) in the course of processing or relocation or, to prevent the mask holder 16 to the direction perpendicular to the paper slides Function.

本発明では、従来の方法と異なり、ガラス基板26およびマスク20が共に下方に湾曲した状態となっているので、マスク20をガラス基板26のマスク処理面30に密接させるためにマスク20がガラス基板26の一部を押し上げることがない。 In the present invention, unlike the conventional method, the glass substrate 26 and the mask 20 is in the state of being bent together downward, the mask 20 is a glass substrate in order to close the mask 20 to the mask processing surface 30 of the glass substrate 26 It is not to push the part of the 26. よって、ガラス基板26とマスク20が接線方向に摺動することがない。 Therefore, never glass substrate 26 and the mask 20 slides tangentially. さらに、ガラス基板26のマスク処理面30上に形成された薄膜層へマスク20が損傷を与えることも少ない。 Furthermore, mask processing surface 30 mask 20 into a thin film layer formed on the glass substrate 26 can be less damaging. また、ガラス基板26とマスク20との位置ずれが生じることもない。 Moreover, it does not cause positional deviation of the glass substrate 26 and the mask 20.

また、本発明の基板・マスク固定装置10では、マスク20と基板26とを密接させるために電磁石による吸着が不要である。 Further, in the substrate-mask fixing device 10 of the present invention, the adsorption by the electromagnet in order to close the mask 20 and the substrate 26 is unnecessary. よって、マスクの材料として強磁性体でないもの、例えば、SUS430等を用いることができる。 Therefore, those non-ferromagnetic as a material for a mask, for example, can be used SUS430 or the like. もちろん、マスクの材料に強磁性体、例えば、Ni−Co合金またはNi−Fe合金等を用いてもよい。 Of course, ferromagnetic material of the mask, for example, may be used Ni-Co alloy or Ni-Fe alloy.

ここで、図1に示す基板ホルダ部12の基板保持面にガラス基板26を押圧する際、ガラス基板26のマスク処理面30とマスク20とを密接させるために、基板ホルダ部12の基板保持面の円筒表面形状およびマスクホルダ部16の円筒内表面形状は、基板固定部材14に設けられた滑り止め22に載置されたガラス基板26の撓みによる湾曲形状に比べてわずかに曲率の大きなものであることが好ましい。 Here, when pressing the glass substrate 26 on the substrate holding surface of the substrate holder 12 shown in FIG. 1, in order to close the masking surface 30 and the mask 20 of the glass substrate 26, the substrate holding surface of the substrate holder 12 cylindrical inner surface shape of a cylindrical surface shape and the mask holder 16 of, by slightly curvature larger than the curved shape due to bending of the glass substrate 26 placed slip 22 provided on the substrate fixing member 14 there it is preferable.

例えば、ガラス基板26として縦470mm、横370mm、厚さ0.7mmのサイズの基板が用いられる場合、ガラス基板26は2.5〜3.5mm程度下方に撓む。 For example, the vertical as the glass substrate 26 470 mm, if the horizontal 370 mm, a substrate size of thickness 0.7mm is used, the glass substrate 26 is bent downward about 2.5 to 3.5 mm. このため、基板ホルダ部12の基板保持面の円筒表面およびマスクホルダ部16の円筒内表面の湾曲による曲面の高低差を略4.5mm程度とすることが好ましい。 Therefore, it is preferable that the height difference between the surfaces by the curved cylindrical surface and the cylindrical inner surface of the mask holder 16 of the substrate holding surface of the substrate holder 12 is substantially 4.5mm approximately.

次に、基板・マスク固定装置10を用いてガラス基板26にマスク20を密接する過程を説明する。 Next, a process of closely illustrating the mask 20 on the glass substrate 26 using the substrate-mask fixing device 10.

まず、ロボットアーム32によりガラス基板26の端が保持され、基板ホルダ部12と基板固定部材14の間に矩形形状のガラス基板26が挿入される。 First, the edge of the glass substrate 26 is held by the robot arm 32, the glass substrate 26 of rectangular shape is inserted between the substrate holder 12 and the substrate fixing member 14. このとき、ガラス基板26の非マスク処理面28が基板ホルダ部12の側、マスク処理面30が基板固定部材14の側に向けられる。 At this time, the non-masked surface 28 side of the substrate holder 12 of the glass substrate 26, the mask processing surface 30 is directed to the side of the substrate fixing member 14.

次に、ロボットアーム32に保持されたガラス基板26は、基板固定部材14に突設された滑り止め22に移載される。 Then, the glass substrate 26 held by the robot arm 32 is transferred to the slip 22 projecting from the substrate fixing member 14.
この後、ガラス基板26を移載した基板固定部材14は、基板ホルダ部12に向けて上昇し、ガラス基板26は基板ホルダ部12の基板保持面と当接し基板保持面の円筒表面形状に沿って湾曲して保持される。 Thereafter, the substrate fixing member 14 that transfers the glass substrate 26 is raised toward the substrate holder 12, a glass substrate 26 along the cylindrical surface shape of the substrate holding surface abuts the substrate holding surface of the substrate holder 12 It is held in a curved Te.
この後、マスク20の載置されたマスクホルダ部16がガラス基板26に向かって上昇する。 Thereafter, the mask holder 16, which is placed in the mask 20 is increased toward the glass substrate 26. マスクホルダ部16の上昇の際、ガラス基板26と基板ホルダ部12の位置関係が所定の位置関係となるようにガラス基板26および基板ホルダ部12を撮影画像として取り込みながら位置補正が行われる。 Upon rise of the mask holder 16, the glass substrate 26 and the position correction while taking in a photographed image of the glass substrate 26 and the substrate holder 12 so that the position relation between the substrate holder 12 becomes a predetermined positional relationship is performed. この位置補正は、前述のガラス基板26を基板保持面に当接させて保持する際にも行う。 The position correction is performed even when holding by contact with the glass substrate 26 of the aforementioned substrate holding surface.

撮影画像の取り込みは、例えば図3に示す画像取込システムを用いて行われる。 Incorporation of the captured image is performed using the image capture system shown in Figure 3, for example. ガラス基板26のマスク処理面30にアライメントマーク(以降、マークという)40a,42aが予め施されたガラス基板26とマーク40b,42bが予め施されたマスク20の画像が画像入力装置44で取り込まれ、画像処理装置46にて、この画像を用いて画像処理によりマーク40a,42aおよびマーク40b,42bの位置が特定される。 The mask processing surface 30 of the glass substrate 26 alignment marks (hereinafter marked as) 40a, 42a in advance subjected glass substrate 26 and the mark 40b, the image of 42b mask 20 subjected advance is fetched by the image input device 44 , the image processing apparatus 46, the mark 40a by the image processing using the image, 42a and mark 40b, the position of 42b is specified. このマーク40a,42aとマーク40b,42bとの位置関係からガラス基板26とマスク20の位置誤差量と、基板ホルダ部12あるいはマスクホルダ部16の位置補正すべき位置補正量とが画像処理装置46で演算される。 This marks 40a, 42a and a mark 40b, the glass substrate 26 from the positional relationship between 42b and the position error of the mask 20, the position correction amount and the image processing apparatus 46 to be the position correction of the substrate holder 12 or the mask holder portion 16 in is calculated. この位置補正量を用いて、基板ホルダ移動機構68による基板ホルダ部12の位置補正あるいはマスクホルダ部移動機構48によるマスクホルダ部16の位置補正が行われる。 Using this position correction amount, position correction of the mask holder 16 by the position correction or the mask holder moving mechanism 48 of the substrate holder 12 by the substrate holder moving mechanism 68 is performed. ここで、マークの数は本実施形態での2つに特に限定されず、ガラス基板26およびマスク20相互に対応するマークが2つ以上設けられてもよい。 Here, the number of marks is not particularly limited to two in the present embodiment, marks corresponding to the glass substrate 26 and mask 20 each other may be provided two or more.

基板ホルダ部12の位置補正は基板ホルダ移動機構68にて行われ、求められた位置補正量の制御信号の入力に応じ、水平面(XY平面)上で基板ホルダ部12の位置補正を行う。 Positional correction of the substrate holder 12 is held at the substrate holder moving mechanism 68, according to the input of the position correction amount of the control signal obtained, correct the position of the substrate holder 12 on a horizontal plane (XY plane). この場合、マーク40aとマーク42aによって所定の位置に対する平面上位置誤差や所定の方向に対する角度誤差が求められ、これに基づいて、基板ホルダ移動機構68による基板ホルダ部12の位置補正が行われる。 In this case, the angle error is determined by the mark 40a and the mark 42a relative to the plane on the position error and a predetermined direction with respect to a predetermined position, based on this, the position correction of the substrate holder 12 by the substrate holder moving mechanism 68 is performed. 位置補正の内容は、XY平面上でX軸およびY軸に対する平行移動およびZ軸方向(鉛直方向)の軸を中心とした回転である。 The contents of the position correction is rotated about the axis of the X-axis and parallel to the Y-axis movement and the Z-axis direction in the XY plane (the vertical direction). マスクホルダ部16のマスクホルダ部移動機構48による位置補正も同様に行われる。 Position correction by the mask holder moving mechanism 48 of the mask holder 16 is also performed similarly.
この位置補正により、ガラス基板26とマスク20との間でマーク40aとマーク40bの位置およびマーク42aとマーク42bの位置が一致する。 The position correction, the position of the location and the mark 42a and the mark 42b of the mark 40a and the mark 40b between the glass substrate 26 and the mask 20 coincide. したがって、マスク20とガラス基板26との間の位置誤差が補正される。 Therefore, the position error between the mask 20 and the glass substrate 26 is corrected. 位置補正の精度誤差は、例えば5μm以下となっている。 Accuracy error of position correction is, for example, between 5μm or less.

ここで、画像入力装置44、画像処理装置46、位置補正量の演算方法、位置補正の方法、基板ホルダ移動機構68およびマスクホルダ部移動機構48は特に限定されず、公知技術または公知技術の組み合わせを用いることができる。 Here, the image input apparatus 44, the image processing apparatus 46, a method of calculating the position correction amount, a method of position correction, the substrate holder moving mechanism 68 and the mask holder moving mechanism 48 is not particularly limited, combinations of known techniques or known techniques it can be used. 例えば、画像処理装置46にDSP(Digital Signal Processor)を使用することができる。 For example, it is possible to use a DSP (Digital Signal Processor) in the image processing apparatus 46.
最後に、基板固定部材14を上昇させることにより、ガラス基板26は基板ホルダ部12の円筒表面形状の湾曲した基板保持面に当接し、マスク20が湾曲したガラス基板26に対して固定される。 Finally, by increasing the substrate fixing member 14, the glass substrate 26 is in contact with the curved substrate holding surface of the cylindrical surface shape of the substrate holder unit 12, the mask 20 is fixed to the glass substrate 26 that is curved.
こうして、図2(a)および(b)に示す基板・マスク固定装置10の状態となる。 Thus, the state of the substrate-mask fixing device 10 shown in FIG. 2 (a) and (b).

図2(a)に示すガラス基板26とガラス基板26に密接したマスク20とは、例えば、以下に示される真空蒸着による薄膜形成の処理に供される。 The mask 20 into close contact with the glass substrate 26 and the glass substrate 26 shown in FIG. 2 (a), for example, is subjected to a process of forming a thin film by vacuum vapor deposition as shown below.
以下、ガラス基板26として有機ELパネルのガラス基板を例にとり、真空蒸着によりガラス基板に複数の薄膜を積層した有機ELパネルの作製を例として説明する。 Hereinafter, the glass substrate of the organic EL panel as the glass substrate 26 as an example will be described as an example the construction of the organic EL panel obtained by laminating a plurality of thin films on a glass substrate by vacuum evaporation.

有機EL素子は、例えば赤色・緑色・青色に発光する(低分子系)有機発光材料で形成され、3原色で自己発光して画像を表示するカラーディスプレイに利用される。 The organic EL element, for example, emitting red light, green and blue are formed by (low molecular weight) organic light emitting material, self light emission is used in a color display for displaying images in three primary colors. この有機EL素子を用いたガラス基板には、例えば各原色による発光のための発光層や電極層をはじめとする各層が細かい薄膜のパターンによって形成されている。 The organic EL element glass substrate using, for example, is formed by the pattern of fine layers thin film including a light-emitting layer and the electrode layer for light emission by each primary color.

図4(a),(b)は、前述の基板・マスク固定装置を設置した有機ELパネル製造装置の構成概略図である。 Figure 4 (a), (b) is a schematic diagram of the structure of the organic EL panel manufacturing apparatus was installed above the substrate-mask fixing device. 図4(a)は有機ELパネル製造装置の概略平面図であり、図4(b)は側面図である。 4 (a) is a schematic plan view of an organic EL panel manufacturing equipment, FIG. 4 (b) is a side view. 図4(c)は有機ELパネル製造装置のうち、複数のチャンバー34a〜34hのうちの1つを模式的に説明する説明図である。 FIG. 4 (c) of the organic EL panel manufacturing equipment, is an explanatory diagram schematically illustrating one of a plurality of chambers 34a - 34h.

図4(a)および(b)に示すように、有機ELパネル製造装置70は複数のチャンバー34a〜34hと、チャンバー34a〜34hにガラス基板を挿入するトランスファーチャンバー72a,72b、ガラス基板を供給するロードロックチャンバー74、完成したガラス基板を取り出すアンロードチャンバー76および、マスクを保存するマスクストッカー78a,78b等を有する。 As shown in FIG. 4 (a) and (b) supplying the organic EL panel manufacturing apparatus 70 and a plurality of chambers 34a - 34h, transfer chamber 72a for inserting the glass substrate into the chamber 34a - 34h, 72b, the glass substrate the load lock chamber 74, the unloading chamber 76 takes out the finished glass substrate and a mask stocker 78a for storing the mask, having a 78b or the like. また、ロードロックチャンバー74、アンロードチャンバー76、マスクストッカー78a,78bと、トランスファーチャンバー72aもしくは72bとの間には、しきり弁(図示せず)が設けられる。 The load lock chamber 74, the unloading chamber 76, a mask stocker 78a, between the 78b, the transfer chamber 72a or 72b, a gate valve (not shown) is provided.

ここで、有機ELパネル製造装置70はトランスファーチャンバー72aを中心として、チャンバー34a〜34d、ロードロックチャンバー74、マスクストッカー78a等が同心円状(クラスタータイプ)に配置された部分と、トランスファーチャンバー72bを中心として、チャンバー34e〜34hとアンロードチャンバー76とマスクストッカー78b等が同心円状(クラスタータイプ)に配置された部分とを有する。 The center organic EL panel manufacturing apparatus 70 about the transfer chamber 72a, chamber 34a to 34d, the load lock chamber 74, a portion where the mask stocker 78a and the like are arranged concentrically (cluster type), a transfer chamber 72b as, and a portion where the chamber 34e~34h and unloading chamber 76 and the mask stocker 78b and the like are arranged concentrically (cluster type). これらの部分は各トランスファーチャンバー72a,72bを連結するバッファ80を介して結合されている。 These parts are coupled via a buffer 80 for connecting the transfer chamber 72a, a 72b.

チャンバー34a〜34hでは、チャンバー毎に定められた一種類の蒸着材((低分子系)有機発光材料、金属材料等)がガラス基板に蒸着される。 In the chamber 34a - 34h, one type of vapor deposition material determined for each chamber ((low molecular weight) organic light-emitting material, a metal material or the like) is deposited on a glass substrate. この際に、蒸着材に応じたマスクによりマスク処理が行われる。 At this time, the mask process is performed by a mask in accordance with the vapor deposition material. 各過程は、定められた順序で連続して行われ、蒸着過程では、チャンバー間でトランスファーチャンバー72a,72bのロボットアーム(図示せず)によりマスク処理されるガラス基板のみが移動するように構成されている。 Each process is carried out continuously in a prescribed order, the deposition process, only the glass substrate to be masked by the transfer chamber 72a, 72b of the robot arm (not shown) between the chambers are arranged to move ing.
また前述のトランスファーチャンバー72aとトランスファーチャンバー72bの間にあるバッファ80との基板の移設、受け渡しもロボットアームによって行われる。 The relocation of the substrate between the buffer 80 located between the aforementioned transfer chamber 72a and the transfer chamber 72b, transfer is also performed by the robot arm.
ロードロックチャンバー74は、外部から供給されたガラス基板をトランスファーチャンバー72aのロボットアームに供給し、アンロードチャンバー76は、完成したガラス基板を外部へまとめて送り出すものである。 The load lock chamber 74, to supply the glass substrate that has been supplied from the outside to the robot arm of the transfer chamber 72a, unload chamber 76 is intended to feed together the finished glass substrate to the outside.

このような有機ELパネル製造装置70におけるガラス基板へ薄膜を積層する過程は、まず、図4(a)のロードロックチャンバー74にガラス基板が供給される。 The process of laminating the thin film to the glass substrate in the organic EL panel manufacturing apparatus 70 first, a glass substrate is supplied to the load lock chamber 74 in FIG. 4 (a). 次に、トランスファーチャンバー72aのロボットアームがガラス基板の端を保持し、最初のチャンバー34aにガラス基板が挿入される。 Then, the robot arm of the transfer chamber 72a holds the edge of the glass substrate, the glass substrate is inserted into the first chamber 34a. この際、チャンバー内部において、前述の画像処理による位置制御の後、基板・マスク固定装置にガラス基板とマスクが保持される。 At this time, inside the chamber, after the position control by the image processing described above, the glass substrate and the mask is held by the substrate-mask fixing device.

有機ELパネル製造工程において正確な位置に発光層や電極層となる薄膜等を蒸着するため、特に(低分子系)有機発光材料の蒸着にあたり、マスクのアライメントに高い精度が必要であり、前述の画像処理による位置制御が行われる。 For depositing a thin film such as a light emitting layer and the electrode layer in the correct position in the organic EL panel production process, especially Upon deposition of (low molecular weight) organic light emitting material requires a high precision alignment of the mask, the aforementioned position control by the image processing is performed. この画像処理により位置制御は高速に行うことができる。 Position control by the image processing can be performed at high speed.

蒸着を行うチャンバーには、図4(c)に示すように、上部に前述の基板・マスク固定装置10が設置される。 The chamber in which evaporation is performed, as shown in FIG. 4 (c), the substrate-mask fixing device 10 of the aforementioned upper is installed. さらに、チャンバー34a〜34h内下部に薄膜の材料である蒸着材38aと蒸着源36が設置されて、基板・マスク固定装置10はチャンバー34a〜34hの上部にガラス基板26が上方、マスクが下方となる向きに設置されている。 Furthermore, vapor deposition source 36 and the deposition material 38a is a material of the thin film in the lower chamber 34a~34h is installed, a glass substrate 26 on the upper portion of the chamber 34a~34h substrate mask fixing device 10 upward, the mask and the lower It is installed to become orientation.

蒸着材38aはガラス基板26に蒸着される薄膜の材料である。 Deposition material 38a is a material of the thin film to be deposited on the glass substrate 26. 有機ELパネル製造装置では、例えば、(低分子系)有機発光材料、金属等である。 In the organic EL panel manufacturing equipment, for example, a (low molecular weight) organic light-emitting material, a metal or the like. また、蒸着材38aには、用途に応じ有機材料または金属等、各種の材料を用いることができる。 Further, the deposition material 38a may be formed using an organic material or metal, various materials depending on the application.
蒸着源36は蒸着材38aを抵抗加熱により加熱、蒸発させるものである。 Evaporation source 36 is heated by resistance heating vapor deposition material 38a, it is intended to evaporate. 蒸着材等の諸条件に応じ、蒸着源36には抵抗加熱以外に公知技術、例えば、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱またはレーザービーム加熱等を用いることができる。 Depending on various conditions such as the deposition material, known techniques other than resistance heating evaporation source 36, for example, may be an electron beam heating, high frequency induction heating or laser beam heating.

まず、チャンバー34a〜34hが真空ポンプ(図示せず)により所定の真空度に減圧して略真空状態が設定される。 First, the chamber 34a~34h a substantially vacuum state is set in reduced to a predetermined degree of vacuum by a vacuum pump (not shown). この状態で、前述のようにガラス基板が、ロボットアームによりトランスファーチャンバー72aもしくは72bからチャンバー34a〜34h内部の基板・マスク固定装置10へ組み込まれる。 In this state, the glass substrate as described above is incorporated from the transfer chamber 72a or 72b by the robot arm to the substrate-mask fixing device 10 in the chambers 34a - 34h.
次に、図4(c)に示すように、蒸着源36がチャンバー34a〜34h内下部に設置された蒸着材38aの加熱が行われる。 Next, as shown in FIG. 4 (c), the evaporation source 36 is heated in the vapor deposition material 38a disposed in the lower chamber 34a~34h performed. さらに、加熱により蒸発した蒸着材38bが、基板・マスク固定装置10に保持されたガラス基板26のマスク処理面に蒸着される。 Furthermore, the deposition material 38b evaporated by heating, is deposited on the masking surface of the glass substrate 26 held by the substrate-mask fixing device 10. ガラス基板のマスク処理面の蒸着パターンは、孔あけ加工されたマスク20に描かれたパターンで蒸着材ごとに定められている。 Deposition pattern of the mask processing surface of the glass substrate is determined for each vapor deposition material in a pattern drawn on a mask 20 which is machined drilled.

最初の蒸着が完了した後、基板・マスク固定装置によるガラス基板およびマスクの保持が解除される。 After the first deposition is completed, the holding of the glass substrate and the mask by the substrate-mask fixing device is released. この後、トランスファーチャンバー72aのロボットアームによりガラス基板はチャンバー34aから取り出され、トランスファーチャンバー72aを経て、次のチャンバー34bにガラス基板が挿入される。 Thereafter, the glass substrate by the robot arm of the transfer chamber 72a is removed from the chamber 34a, through the transfer chamber 72a, the glass substrate is inserted into the next chamber 34b. このチャンバー34bでは前述と同様に蒸着が行われる。 This in chamber 34b deposited in the same manner as described above is performed. またこのとき、蒸着の処理が施されていないガラス基板が、最初のチャンバー34aに挿入され、前述の過程で蒸着が実施される。 At this time, the glass substrate of the processing of deposition is not subjected, is inserted into the first chamber 34a, the vapor deposition is carried out by the aforementioned process. このように、各蒸着過程は、予め定められた順序で連続して行われる。 Thus, each deposition process is carried out continuously in a predetermined order.

この有機ELパネル製造装置70では、正孔注入層・正孔輸送層・発光層R・発光層Gをなす薄膜が記載の順にトランスファーチャンバー72aの周囲のチャンバー34a〜34dで蒸着され、さらに必要に応じて、正孔注入などの各処理がおこなわれる。 In the organic EL panel manufacturing apparatus 70, the thin film constituting the hole injection layer, a hole transport layer, emission layer R · emitting layer G is deposited around the chamber 34a~34d transfer chamber 72a in the order described, to need in response, the processing such as the hole injection is carried out. 次に、発光層B・電子輸送層・電子注入層・電極をなす薄膜が記載の順にトランスファーチャンバー72bの周囲のチャンバー34e〜34hで蒸着や各処理が施される。 Next, the thin film constituting the light-emitting layer B, an electron transport layer, an electron injection layer electrode is deposited and the processing in chamber 34e~34h around the transfer chamber 72b is subjected to the order described.

このような工程を繰り返し、全ての蒸着材が蒸着されたガラス基板はアンロードチャンバー76に移送され、有機ELパネルとして装置外部に取り出される。 Repeat these steps, the glass substrate on which all the vapor deposition material is deposited is transferred to the unload chamber 76, it is taken out from the apparatus as an organic EL panel.

なお、蒸着は所定の圧力に減圧された略真空の雰囲気で行われ、有機ELパネル製造装置内の全てのチャンバー、例えばチャンバー34a〜34h、トランスファーチャンバー72a,72b等が略真空状態に保たれる。 Incidentally, the deposition is carried out in an atmosphere of substantially vacuum pressure is reduced to a predetermined pressure, all chambers of the organic EL panel manufacturing equipment, for example a chamber 34a - 34h, transfer chamber 72a, 72b, etc. is kept substantially vacuum state . ロードロックチャンバー74、アンロードチャンバー76、マスクストッカー78a,78bではガラス基板あるいはマスクの装置への投入あるいは取り出しは、大気圧の状態で行われる。 The load lock chamber 74, the unloading chamber 76, a mask stocker 78a, poured or taken out of the apparatus for a glass substrate or a mask in 78b is performed in the state of atmospheric pressure. その際、トランスファーチャンバー72aもしくは72bとの間のしきり弁を閉鎖することにより他のチャンバーの略真空状態を破ることがない。 At that time, there is no breaking the substantially vacuum state of the other chambers by closing the gate valve between the transfer chamber 72a or 72b.
また、前述のマスクホルダ部およびマスク保持部の位置補正は各チャンバーの真空を保持した状態で行われる。 The position correction of the mask holder and the mask holder of the above is carried out while maintaining the vacuum of the chamber.

このように、蒸着により基板に薄膜を形成するチャンバー内で、基板の蒸着面を下向きに配置するので、前述したように基板は重力により下方に撓む。 Thus, in a chamber for forming a thin film on a substrate by vapor deposition, since placing a deposition surface of the substrate facing downward, the substrate as described above is bent downward by gravity. ガラス基板は、他の材質の基板、例えば、シリコン基板等より撓みやすい。 Glass substrate, a substrate of another material, for example, more flexible than the silicon substrate. また、縦470mm、横370mm、厚さ0.7mm等のサイズの大きなガラス基板となると、その撓みもより大きくなる。 The vertical 470 mm, horizontal 370 mm, when a large glass substrate of the size of the thickness of 0.7mm or the like, the bending becomes larger. 本発明の基板・マスク固定装置は、この時の基板の撓みを効果的に利用してマスクの位置ずれやマスクによる基板面の摺動、さらには、マスクの摺動による基板表面の損傷が生じないように、基板ホルダ部の基板保持面を湾曲させている。 Substrate mask fixing device of the present invention, the sliding of the substrate surface due to positional deviation and the mask of the mask by utilizing the deflection of the substrate when this effectively, further, caused damage to the substrate surface due to sliding of the mask as no, thereby bending the substrate holding surface of the substrate holder. 特にガラス基板を用いて有機ELパネルを大量に作製するには、撓みが大きい大きなサイズのガラス基板に一度に大面積でマスク処理を行うことが望ましい。 Especially in producing an organic EL panel in large quantities using a glass substrate, it is desirable to perform the masking process a large area at a time to the glass substrate of a large deflection larger size. 本発明では、このような大きなサイズのガラス基板を用いた時のガラス基板の無視できない撓みを有効に利用して精度の高いマスク処理を行うことができる。 In the present invention, it is possible to perform a highly accurate masking process by effectively utilizing the deflection can not be ignored in the glass substrate when using a glass substrate of such a large size.

本発明においては、真空蒸着槽、関連機器および部材等は、特に限定されるものではない。 In the present invention, the vacuum deposition chamber, related equipment and components, etc., are not particularly limited. 例えば、真空蒸着槽、蒸着源、蒸着材、蒸着方法を目的に合わせて選択および使用することができる。 For example, a vacuum deposition chamber, the deposition source, the deposition material can be selected and used together deposition method on the purpose. さらに、真空蒸着装置に附帯したもの、例えば、膜厚計、ガス導入手段、基板加熱手段、装置制御システム等を選択および使用することができる。 Furthermore, those incidental to a vacuum deposition apparatus, for example, a film thickness meter, a gas introduction means, a substrate heating means, it is possible to select and use a control system or the like.

また、本実施例は有機ELパネル製造装置に限定して述べてきたが、本発明は以上の例に特に限定されるものではない。 Further, this embodiment has been described as limited to the organic EL panel manufacturing equipment, the present invention is not particularly limited to the above examples. 例えば、通常の真空蒸着装置および、真空成膜装置であれば前述の真空蒸着法、スパッタリング等のPVDおよびCVD等にも適用することができる。 For example, conventional vacuum deposition apparatus and a vacuum deposition method described above as long as vacuum deposition apparatus, it can be applied to PVD and CVD such as sputtering or the like. また、有機ELパネル製造装置においても前述のように形式はクラスターの数が2のクラスタータイプに限定されず、基板サイズ等の条件によりラインタイプへ変更することや、クラスターの数を、例えば、3に変更することができる。 Moreover, is not limited to form a cluster type in the number of clusters is 2 as described above in the organic EL panel manufacturing equipment, and changing the conditions such as substrate size to the line type, the number of clusters, for example, 3 it can be changed to.

本実施形態において、図1に示すようにガラス基板は矩形形状を成している。 In this embodiment, the glass substrate as shown in FIG. 1 is a rectangular shape. また、基板ホルダ部の基板の非マスク処理面に当接する面(基板保持面)およびマスクホルダ部のマスクが貼り付けられる面の形状はそれぞれ凸状の円筒表面形状および凹状の円筒表面形状である。 The shape of the surface on which the mask is stuck unmasked treated surface in contact with the surface (substrate holding surface) and the mask holder portion of the substrate of the substrate holder and each is a convex cylindrical surface shape and a concave cylindrical surface shape . しかし、本発明ではこれらの形状に特に限定されるものではない。 However, the invention is not particularly limited to these shapes in the present invention. 基板ホルダ部、基板固定部材、マスクホルダ部およびマスク固定部材の形状は、基板およびマスクの形状に応じて変更することができる。 Substrate holder portion, the shape of the substrate fixing member, a mask holder and the mask fixing member can be changed according to the shape of the substrate and the mask. さらに、基板の種類もガラス基板に限定されず、例えば、シリコン基板等、各種基板を使用することができる。 Furthermore, the type of substrate is not limited to a glass substrate, for example, it can be used a silicon substrate or the like, the various substrates. これに合わせて、基板ホルダ部、マスクホルダ部の湾曲の大きさも自在に変更してもよい。 In accordance with this, the substrate holder unit may be freely changed even the size of the curvature of the mask holder.
さらに、基板・マスク固定装置の各部の材質も、マスクホルダ部以外は、真空蒸着装置の真空蒸着槽等での温度、気圧等の環境条件において使用が可能である軽量な材質、例えば、樹脂・セラミックス等を使用してもよい。 In addition, the material of each part of the substrate-mask fixing device, other than the mask holder unit, lightweight material which can be used temperature, in the environmental conditions of the atmospheric pressure such as in a vacuum deposition chamber such as a vacuum deposition apparatus, for example, a resin- the ceramics and the like may be used.

以上、本発明である基板・マスク固定装置について説明を行ったが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってよいのはもちろんである。 Has been described with reference to the substrate-mask fixing device is present invention, the present invention is not limited to the above embodiments without departing from the scope and spirit of the present invention, that various improvements and modifications good is a matter of course.

本発明に係る基板・マスク固定装置の一実施形態を示す分解斜視図である。 It is an exploded perspective view showing one embodiment of a substrate-mask fixing device according to the present invention. (a)は図1に示す基板・マスク固定装置の外観の斜視図、(b)は断面図である。 (A) is a perspective view of the appearance of the substrate-mask fixing device shown in FIG. 1, (b) is a cross-sectional view. 本発明の基板・マスク固定装置において、基板ホルダおよびマスクホルダの位置制御を行うために用いる画像取込システムの説明図である。 In the substrate-mask fixing device of the present invention, it is an explanatory diagram of an image capture system used to control the position of the substrate holder and the mask holder. (a)は本発明に係る基板・マスク固定装置を用いた有機ELパネル製造装置の俯瞰図であり、(b)はこの有機ELパネル製造装置の側面図である。 (A) is an overhead view of an organic EL panel manufacturing apparatus using the substrate-mask fixing device according to the present invention, (b) is a side view of the organic EL panel manufacturing equipment. (c)は有機ELパネル製造装置のうち、チャンバーの一例を模式的に説明する説明図である。 (C) Of the organic EL panel manufacturing equipment, it is an explanatory diagram for explaining an example of a chamber schematically. 従来の基板・マスク固定装置の実施例を示す断面図であり、(a)は基板とマスクが離れている状態の断面図であり、(b)は基板とマスクが密接した状態の断面図である。 Is a sectional view showing an example of a conventional substrate-mask fixing device, (a) is a cross-sectional view of a state in which apart substrate and the mask, (b) is a sectional view of a state where the substrate and the mask is closely spaced is there.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10,50 基板・マスク固定装置 12、58 基板ホルダ部 14、54 基板固定部材 16、60 マスクホルダ部 18 マスク固定部材 20、62 マスク 22、24、56 滑り止め 26 ガラス基板 28 非マスク処理面 30 マスク処理面 32 ロボットアーム 34a〜34h チャンバー 36 蒸着源 38a、38b 蒸着材 40a、40b、42a、42b (アライメント)マーク 44 画像入力装置 46 画像処理装置 48 マスクホルダ部移動機構 52 基板 64 電磁石 68 基板ホルダ移動機構 70 有機ELパネル製造装置 72a、72b トランスファーチャンバー 74 ロードロックチャンバー 76 アンロードチャンバー 78a、78b マスクストッカー 80 バッファ 10,50 substrate mask fixing device 12,58 substrate holder portion 14, 54 substrate fixing member 16,60 mask holder 18 mask fixing member 20,62 mask 22,24,56 slip 26 glass substrate 28 unmasked treated surface 30 masking surfaces 32 robot arm 34a~34h chamber 36 vapor deposition source 38a, 38b evaporation material 40a, 40b, 42a, 42b (alignment) mark 44 image input device 46 an image processing apparatus 48 the mask holder moving mechanism 52 substrate 64 electromagnet 68 the substrate holder moving mechanism 70 organic EL panel manufacturing equipment 72a, 72b transfer chamber 74 the load lock chamber 76 unloading chamber 78a, 78b mask stocker 80 buffer

Claims (6)

  1. 基板の一方の面に、所定のパターンに孔あけ加工されたマスクを用いてマスク処理を施す際に基板およびマスクを固定し、保持する基板・マスク固定装置であって、 On one surface of the substrate, a substrate-mask fixing apparatus substrate and the mask is fixed when performing the mask processing, it holds with the drilling mask in a predetermined pattern,
    前記基板の両端部を載置し、該基板を重力によって湾曲した状態に保持する滑り止めを設けた基板固定部材と、 Placing the ends of the substrate, and the substrate fixing member and the substrate provided with the slip to keep the curved state by gravity,
    前記湾曲した基板のマスク処理を施さない非マスク処理面と当接して基板を保持する基板保持面を有する基板ホルダ部と、 A substrate holder having a substrate holding surface for holding the substrate by the non-masking processing surface not subjected to mask processing curved substrate abuts,
    前記マスク処理を施すためのマスク 、前記湾曲した基板のマスク処理面に当接する湾曲面を形成し、該マスクを保持するマスクホルダ部と、 A mask for performing the mask processing, the in masking surfaces of the curved substrate to form a curved surface that abuts a mask holder for holding the mask,
    を有することを特徴とする基板・マスク固定装置。 Substrate mask fixing apparatus characterized by having a.
  2. さらに、前記基板の前記マスク処理面の側から基板の周辺部を前記基板ホルダ部に向かって押圧することで前記基板を前記基板ホルダ部に固定する基板固定部材を有する請求項1に記載の基板・マスク固定装置。 Furthermore, the substrate according to claim 1 having a substrate fixing member for fixing the substrate to the substrate holder by pressing the direction from the side of the masking surface peripheral portion of the substrate on the substrate holder of the substrate mask fixation device.
  3. さらに、前記マスクが基板の前記マスク処理面に密接して固定されるように、前記マスクを基板に対して固定するマスク固定部材を有する請求項1または2に記載の基板・マスク固定装置。 Further, as the mask is closely fixed to the mask processing surface of the substrate, the substrate-mask fixing device according to claim 1 or 2 having a mask fixing member for fixing the mask to the substrate.
  4. 前記基板・マスク固定装置は、蒸着源を有する蒸着装置とともに用いられ、 The substrate mask fixing device is used in conjunction with deposition apparatus having a deposition source,
    前記基板ホルダ部は、蒸着源で生成される蒸着物質が前記基板に蒸着するように、前記蒸着源に対して上方に設けられている請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板・マスク固定装置。 The substrate holder unit, as the deposition material generated by the evaporation source is deposited on the substrate, the substrate-as claimed in any one of claims 1 to 3, provided above with respect to the deposition source mask fixation device.
  5. 前記蒸着装置は、基板に薄膜を形成する処理装置である請求項4に記載の基板・マスク固定装置。 The deposition apparatus, the substrate and the mask fixing device according to claim 4 is a processing apparatus for forming a thin film on a substrate.
  6. 前記基板は透明性を有する基板であって、前記処理装置は形成された薄膜にさらに別の薄膜を蒸着により積層する処理装置である請求項4に記載の基板・マスク固定装置。 The substrate is a substrate having transparency, the processing device substrate mask fixing apparatus according to claim 4 a further thin film formed thin film is a processing apparatus for laminated by vapor deposition.
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