JP2012052155A - Mask unit for vacuum film deposition and vacuum film deposition apparatus with the same - Google Patents

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Inventor
Toshiaki Yoshikawa
俊明 吉川
Masanori Yoshida
正典 吉田
Masamichi Masuda
正道 増田
Junji Oyama
淳史 大山
Akio Koganei
昭雄 小金井
Naotoshi Miyamachi
尚利 宮町
Hiroto Yamaguchi
裕人 山口
Yoshiyuki Nakagawa
善之 中川
Tetsuya Karaki
哲也 唐木
Nobutaka Ukigaya
信貴 浮ケ谷
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask unit for vacuum vapor deposition that increases the accuracy of patterning, and to provide a vacuum film deposition apparatus including the same.SOLUTION: The vacuum film deposition apparatus 10 includes: the mask unit for vacuum film deposition; and a substrate pressing mechanism 6. The mask unit for vacuum film deposition includes: a metallic frame 2; and a metallic foil 4 fixed to the metallic frame 2, in which an opening pattern is formed. In the mask unit for vacuum film deposition, a substrate receiving part 3 that supports a substrate to be film-deposited (substrate 1) via the metallic foil and is formed in a tapered shape inclined concavely toward the central part of the substrate to be film-deposited, is provided on the inner edge side of the metallic frame. The substrate pressing mechanism 6 brings the substrate to be film-deposited into close-contact with the metallic foil to be mounted to the mask unit for vacuum film deposition.

Description

本発明は、真空成膜用マスクユニット及びこれを備えた真空成膜装置に関する。   The present invention relates to a vacuum film formation mask unit and a vacuum film formation apparatus including the same.

有機EL素子を構成する有機化合物層や電極を、スパッタリングや蒸着等の真空成膜手法によって特定のパターンで形成する場合、具体的な手法として、成膜部位に対応する開口部を形成したシャドウマスクを用いたパターニング手法が広く一般に採用されている。   When forming the organic compound layer or electrode constituting the organic EL element in a specific pattern by a vacuum film-forming method such as sputtering or vapor deposition, a shadow mask in which an opening corresponding to the film-forming site is formed as a specific method. A patterning technique using the is widely adopted.

近年、素子の高精細化の要求を受けて、高精細パターンを精度良く形成できる真空成膜用マスクが必要となっている。   In recent years, in response to a demand for higher definition of elements, a vacuum film forming mask that can form a high-definition pattern with high accuracy is required.

特許文献1では、厚さが数十μm〜百μmという薄い金属箔をマスク箔として利用する方法が開示されている。この方法によれば、精細なストライプ状にパターニングされた薄膜の形成を実現することができる。   Patent Document 1 discloses a method of using a thin metal foil having a thickness of several tens of μm to one hundred μm as a mask foil. According to this method, formation of a thin film patterned into a fine stripe can be realized.

ただし、マスク箔単体では剛性が保てず開口パターン精度が保てないため、このマスク箔の四辺をテンションがかかっている状態で金属フレーム上に固定した上で、その端部を溶接することマスク箔を金属フレーム上に保持している。   However, since the mask foil alone cannot maintain rigidity and the opening pattern accuracy cannot be maintained, fix the four sides of this mask foil on the metal frame in a tensioned state, and then weld the edges of the mask foil. The foil is held on a metal frame.

特開2004−323888号公報JP 2004-323888 A

ところで、真空成膜装置においては、薄膜を形成する基板を所定の開口パターンが形成されたマスク上に重ねて位置合わせ(アライメント)を行った後、蒸着源あるいはスパッタリングターゲットに対向した状態で固定してから成膜を行っている。しかし、基板をマスク上に載置する際に、基板自体の重みで、基板を載置する金属箔が基板と共にたわんでしまう。また金属箔を、テンションをかけて金属フレームに貼り付けたとしてもこのたわみは依然解消されない。   By the way, in a vacuum film forming apparatus, a substrate on which a thin film is to be formed is placed on a mask on which a predetermined opening pattern is formed and aligned (alignment), and then fixed in a state facing an evaporation source or a sputtering target. After that, the film is formed. However, when the substrate is placed on the mask, the metal foil on which the substrate is placed bends together with the substrate due to the weight of the substrate itself. Even if the metal foil is attached to the metal frame under tension, this deflection is still not resolved.

ここで金属箔はフレーム部で固定されているので、金属箔のたわみはフレーム部に近づくに従い緩和される傾向にある。しかし金属箔上に載置されている基板は金属箔よりも剛性が大きいため、フレーム部に近づくにつれて基板のたわみの方が金属箔のたわみよりも大きくなる。そうすると、基板が金属箔から離れる現象、いわゆる「浮き」が発生する。   Here, since the metal foil is fixed at the frame portion, the deflection of the metal foil tends to be relaxed as it approaches the frame portion. However, since the substrate placed on the metal foil has a higher rigidity than the metal foil, the deflection of the substrate becomes larger than the deflection of the metal foil as it approaches the frame portion. Then, a phenomenon that the substrate is separated from the metal foil, so-called “floating” occurs.

ここで、フレームの内縁部まで基板が金属箔と密着して上記「浮き」が発生しなければ、蒸着の際に何ら問題は生じないが、フレームの内縁部よりも内側の位置から上記「浮き」が発生すると、金属箔と基板との間に隙間が生じる。そうすると、蒸着の際にマスクのパターン通りに材料を蒸着することができないため、色ボケや混色の原因となっていた。   Here, if the above-mentioned “floating” does not occur when the substrate is in close contact with the metal foil up to the inner edge of the frame, there will be no problem during vapor deposition, but the above “floating” from a position inside the inner edge of the frame. Is generated, a gap is formed between the metal foil and the substrate. In this case, the material cannot be deposited according to the mask pattern at the time of deposition, which causes color blur and color mixing.

また上記「浮き」を解消するために基板の中央部及び「浮き」が発生する部分をマグネット吸着させたり、基板に押圧させたりしたとしてもマグネット吸着や押圧されていない部分から新たな「浮き」が発生する。このため従来からある基板の固定方法では基板と金属箔との密着性を確保することが困難であった。   In addition, even if the central part of the substrate and the part where the “floating” is generated are attracted to the magnet or pressed against the substrate in order to eliminate the above “floating”, a new “floating” is generated from the part that is not attracted or pressed by the magnet. Will occur. For this reason, it has been difficult to secure the adhesion between the substrate and the metal foil by the conventional method for fixing the substrate.

一方、近年ではパネル高精細化や基板サイズの大型化が進行しているため、基板と金属箔との密着性を確保する課題は、より顕在化すると考えられる。   On the other hand, in recent years, since the panel has been increased in definition and the substrate size has been increased, it is considered that the problem of ensuring the adhesion between the substrate and the metal foil becomes more obvious.

本発明は、上述した課題を解決するためのものであり、その目的は、パターニングの精度を向上させるための真空蒸着用マスクユニット及びこれを備えた真空成膜装置を提供することである。   The present invention is to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a vacuum vapor deposition mask unit for improving patterning accuracy and a vacuum film forming apparatus including the same.

本発明の真空成膜用マスクユニットは、金属フレームと、
前記金属フレームに固定され、開口パターンが形成されている金属箔と、から構成され、
前記金属フレームの内縁側に、前記金属箔を介して被成膜基板を支持する基板受け部を備え、
前記基板受け部が、前記被成膜基板の中央部に向かって凹形状に傾いているテーパー形状であることを特徴とする。
The vacuum deposition mask unit of the present invention includes a metal frame,
A metal foil fixed to the metal frame and having an opening pattern formed thereon;
Provided on the inner edge side of the metal frame with a substrate receiving portion that supports the film formation substrate via the metal foil,
The substrate receiving portion has a taper shape inclined in a concave shape toward a central portion of the deposition target substrate.

本発明の真空成膜用マスクユニット及びこれを用いた成膜装置は、基板(被成膜基板)にかかるたわみに対応するように、金属フレームの内縁側に、基板の中央部に向かって凹形状に傾いているテーパー形状である基板受け部を備えている。こうすることで金属箔を基板のたわみに対応するように変形させることが可能になる。このため、基板の全面において、基板と金属箔との密着が実現できる。   The vacuum deposition mask unit of the present invention and the deposition apparatus using the same are recessed toward the center of the substrate on the inner edge side of the metal frame so as to correspond to the deflection of the substrate (deposition substrate). A substrate receiving portion having a tapered shape inclined to the shape is provided. By doing so, the metal foil can be deformed so as to correspond to the deflection of the substrate. For this reason, adhesion of a board | substrate and metal foil is realizable in the whole surface of a board | substrate.

よって本発明によれば、パターニングの精度を向上させるための真空蒸着用マスクユニット及びこれを備えた真空成膜装置を提供することができる。   Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a vacuum deposition mask unit for improving the patterning accuracy and a vacuum film forming apparatus including the same.

本発明の真空成膜用マスクユニットを備えた真空成膜装置の実施形態の例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the example of embodiment of the vacuum film-forming apparatus provided with the mask unit for vacuum film-forming of this invention. 比較例で使用した真空成膜用マスクユニットを備えた真空成膜装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the vacuum film-forming apparatus provided with the mask unit for vacuum film-forming used by the comparative example.

本発明の真空成膜用マスクユニットは、金属フレームと、この金属フレームに固定され、開口パターンが形成されている金属箔と、から構成される。また金属フレームの内縁側には、金属箔を介して被成膜基板を支持する基板受け部が設けられており、この基板受け部は、被成膜基板の中央部に向かって凹形状に傾いているテーパー形状を有している。   The vacuum film-forming mask unit of the present invention includes a metal frame and a metal foil fixed to the metal frame and having an opening pattern. In addition, a substrate receiving portion that supports the film formation substrate via a metal foil is provided on the inner edge side of the metal frame, and this substrate reception portion is inclined in a concave shape toward the central portion of the film formation substrate. It has a tapered shape.

以下、図面を参照しながら、本発明の真空成膜用マスク及び真空成膜装置について説明する。   Hereinafter, a vacuum film formation mask and a vacuum film formation apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の真空成膜用マスクを備えた真空成膜装置の実施形態の例を示す断面模式図である。尚、本発明の真空成膜装置は、真空チャンバ内において真空蒸着を行う装置であるが、図1においては、説明の都合上真空チャンバは省略している。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of a vacuum film forming apparatus provided with the vacuum film forming mask of the present invention. The vacuum film forming apparatus of the present invention is an apparatus for performing vacuum deposition in a vacuum chamber, but in FIG. 1, the vacuum chamber is omitted for convenience of explanation.

図1の真空成膜装置10は、成膜手段7としての蒸着源と、真空成膜用マスク11と、基板押え機構6とを備えている。   The vacuum film forming apparatus 10 in FIG. 1 includes an evaporation source as the film forming means 7, a vacuum film forming mask 11, and a substrate pressing mechanism 6.

まず本発明の真空成膜用マスクについて説明する。   First, the vacuum film forming mask of the present invention will be described.

図1の真空成膜装置10の構成部材である真空成膜用マスク11は、金属フレーム2と、基板受け部3と、金属箔4とから構成される部材である。図1に示すように、薄膜が形成される被成膜基板(基板1)は、真空成膜用マスク11を構成する金属箔4上に載置されるが、この基板1の一部、具体的には、基板1の辺部及び角部は、金属箔4を介して、この金属膜4の直下にある基板受け部3に支持されている。   A vacuum film formation mask 11 which is a constituent member of the vacuum film formation apparatus 10 in FIG. 1 is a member composed of a metal frame 2, a substrate receiving part 3, and a metal foil 4. As shown in FIG. 1, a film formation substrate (substrate 1) on which a thin film is formed is placed on a metal foil 4 constituting a vacuum film formation mask 11, and a part of the substrate 1, specifically, Specifically, the sides and corners of the substrate 1 are supported by the substrate receiving part 3 directly below the metal film 4 via the metal foil 4.

基板受け部3は、金属フレーム2の内縁部を切削加工することにより形成される。ここで、基板受け部3が有するテーパーは、基板1と金属箔4との間に生じ得る浮きを軽減できるものであれば、その形状は特に限定されるものではない。尚、テーパーの形状は金属フレーム2の内縁部の切削加工によって決まるが、テーパーの具体的な形状として、切削面が平面となる形状(断面円錐形状)や切削面が曲面となる形状が挙げられる。また基板受け部3が有するテーパーのテーパー角(金属フレーム2の上面とテーパー端部の頂点を結んだ直線とでなす角度)は、0度よりも大きく0.5度以下の範囲が好ましい。0度よりも大きく1.0×10-3度以下の範囲がより好ましい。 The substrate receiving part 3 is formed by cutting the inner edge part of the metal frame 2. Here, the shape of the taper of the substrate receiving portion 3 is not particularly limited as long as it can reduce the floating that may occur between the substrate 1 and the metal foil 4. The shape of the taper is determined by the cutting of the inner edge portion of the metal frame 2, but specific shapes of the taper include a shape in which the cutting surface is flat (conical section) and a shape in which the cutting surface is curved. . The taper angle of the taper of the substrate receiving portion 3 (the angle formed by the straight line connecting the top surface of the metal frame 2 and the apex of the taper end) is preferably in the range of more than 0 degree and 0.5 degree or less. A range of more than 0 degree and 1.0 × 10 −3 degrees or less is more preferable.

ところでテーパー形状を有する基板受け部3を設けることにより、金属フレーム2の内縁部において、金属フレーム2と金属箔4との間に遊びに相当する空間が形成される。ここで、基板受け部3が設けられている位置に基板1を載置すると、基板1及び金属箔4が当該「遊びに相当する空間」に入り込む。そうすると、基板受け部3における金属フレーム2と基板1との相対距離が小さくなるため、基板受け部3における浮きはほとんど生じないか、生じたとしてもμm未満単位という小さいものとなる。   By providing the taper-shaped substrate receiving portion 3, a space corresponding to play is formed between the metal frame 2 and the metal foil 4 at the inner edge portion of the metal frame 2. Here, when the substrate 1 is placed at a position where the substrate receiving portion 3 is provided, the substrate 1 and the metal foil 4 enter the “space corresponding to play”. Then, since the relative distance between the metal frame 2 and the substrate 1 in the substrate receiving portion 3 becomes small, there is little or no floating in the substrate receiving portion 3 even if it occurs.

真空成膜用マスク11を構成する金属箔4は、図1に示されるように、金属フレーム2の外縁部、具体的には、図1に示される溶接部5で溶接を行うことで金属フレーム2上面に固定されている。また金属箔4は、所望のパターンで薄膜を形成することが可能になるように、所定の領域に開口パターンが形成されている。   As shown in FIG. 1, the metal foil 4 constituting the vacuum film forming mask 11 is welded at the outer edge portion of the metal frame 2, specifically, the welded portion 5 shown in FIG. 2 It is being fixed to the upper surface. The metal foil 4 has an opening pattern in a predetermined region so that a thin film can be formed in a desired pattern.

次に、基板押え機構について説明する。基板押え機構は、被成膜基板(基板1)を真空成膜用マスクユニットに備える金属箔上(金属箔4上)に密着させるために設けられている。   Next, the substrate pressing mechanism will be described. The substrate pressing mechanism is provided for closely attaching the deposition target substrate (substrate 1) onto the metal foil (on the metal foil 4) provided in the vacuum film formation mask unit.

図1の真空成膜装置の構成部材である基板押え機構6は、定盤等の平滑板(不図示)上に、基板1を押圧するための複数のピン6aを備えている。このピン6aは、少なくとも基板1の中央部、辺部及び角部に対応する位置に、一定の間隔を持って設けられる。ただし基板1と金属箔4との密着性を考慮して、基板の中央部に対応する位置にあるピンを省略してもよい。基板押え機構6は、成膜時には、図1(b)に示すように、ピン6aによって金属フレーム領域において押圧を加える。このとき、基板受け部3が被成膜基板の中央部に向かって凹形状に傾いているテーパー形状を有している。そのため、基板押え機構6で基板1を押圧等すると、基板受け部3が有するテーパー形状に基板1のたわみが吸収されると共に、基板1の全面を金属箔4と密着させることが可能となる。   A substrate pressing mechanism 6 which is a constituent member of the vacuum film forming apparatus of FIG. 1 includes a plurality of pins 6a for pressing the substrate 1 on a smooth plate (not shown) such as a surface plate. The pins 6a are provided at regular intervals at positions corresponding to at least the center, sides and corners of the substrate 1. However, in consideration of the adhesion between the substrate 1 and the metal foil 4, the pin at the position corresponding to the central portion of the substrate may be omitted. As shown in FIG. 1B, the substrate pressing mechanism 6 applies pressure in the metal frame region by pins 6a during film formation. At this time, the substrate receiving portion 3 has a tapered shape that is inclined concavely toward the central portion of the deposition target substrate. For this reason, when the substrate 1 is pressed by the substrate pressing mechanism 6, the deflection of the substrate 1 is absorbed into the tapered shape of the substrate receiving portion 3, and the entire surface of the substrate 1 can be brought into close contact with the metal foil 4.

この基板押え機構6に備わっているピン6aは、平滑板に固定されていてもよいが、基板1のたわみにより正確に対応させる目的で、バネ等の弾性部材を用いて上下方向に揺動できる形式であってもよい。   The pin 6a provided in the substrate pressing mechanism 6 may be fixed to a smooth plate, but can be swung in the vertical direction using an elastic member such as a spring for the purpose of accurately responding to the deflection of the substrate 1. It may be in the form.

また基板押え機構6は、上述したピン6aに限定されるものではない。マグネットを用いて磁性体フレームを吸着する方式も採用することができる。   The substrate pressing mechanism 6 is not limited to the pin 6a described above. A method of attracting the magnetic frame using a magnet can also be adopted.

ところで、基板1と金属箔4との間で発生する「浮き」がある状態で基板押え機構6による基板の押圧を行う際に、その「浮き」が小さいものであれば、基板1のたわみが矯正され基板1と金属箔4との密着性を確保することができる。しかし、この「浮き」が数十μmの大きさの場合、押圧をした箇所においては基板1のたわみが矯正されるが、押圧したときに生じる押圧に対する反発力によって押圧をしていない箇所に新たなたわみが生じる。このためこの力(反発力)が生じないために、テーパー形状の基板受け部3を設けて金属フレーム2の内縁部において発生し得る基板と金属箔との「浮き」を小さくする必要がある。   By the way, when the substrate pressing mechanism 6 presses the substrate in a state where “floating” occurs between the substrate 1 and the metal foil 4, if the “floating” is small, the deflection of the substrate 1 may be reduced. It is correct | amended and the adhesiveness of the board | substrate 1 and the metal foil 4 can be ensured. However, when this “floating” is a size of several tens of μm, the deflection of the substrate 1 is corrected at the pressed position, but it is newly added at the position where the pressure is not applied due to the repulsive force against the pressure generated when pressed. Deflection occurs. For this reason, in order not to generate this force (repulsive force), it is necessary to provide a taper-shaped substrate receiving portion 3 to reduce the “floating” between the substrate and the metal foil that can occur at the inner edge of the metal frame 2.

次に、成膜手段について説明する。   Next, the film forming means will be described.

図1の真空成膜装置の構成部材である成膜手段7は、蒸着源やスパッタリングターゲット等を備える装置であり、成膜手段7に備わっている部材・装置については公知のものを使用することができる。   The film forming means 7 which is a constituent member of the vacuum film forming apparatus in FIG. 1 is an apparatus provided with a vapor deposition source, a sputtering target, etc., and well-known members and apparatuses are used for the film forming means 7. Can do.

以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明するが、本発明は、本実施形態に限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the present embodiment.

図1の真空成膜装置10で蒸着膜を形成する場合は、まず、アラインメント処理を行った基板1(奥行360mm、幅460mm、厚さ0.5mmのガラス基板)を、図1(a)に示すように、金属箔4上に載置する。このとき、基板1は自重によるたわみのために、金属箔4上で緩やかな弧を描いた形状となる。このため基板1を支持する基板受け部3上において、基板1と金属箔4との間には隙間(浮き)が生じている。尚、この「浮き」は、基板1の角部において一番大きくなっている。   When forming a vapor deposition film with the vacuum film-forming apparatus 10 of FIG. 1, first, a substrate 1 (a glass substrate having a depth of 360 mm, a width of 460 mm, and a thickness of 0.5 mm) subjected to alignment processing is shown in FIG. As shown, it is placed on the metal foil 4. At this time, the substrate 1 has a shape in which a gentle arc is drawn on the metal foil 4 due to deflection due to its own weight. For this reason, a gap (floating) is generated between the substrate 1 and the metal foil 4 on the substrate receiving portion 3 that supports the substrate 1. This “float” is the largest at the corner of the substrate 1.

一方、金属フレーム2の内縁に設けられている基板受け部3は、テーパー角が基板1の中心方向に4.4×10-5度傾いた断面円錐形状となるように、金属フレーム2の内縁を切削加工して設けられている。 On the other hand, the substrate receiving portion 3 provided at the inner edge of the metal frame 2 has an inner edge of the metal frame 2 such that the taper angle is a conical section with a tilt of 4.4 × 10 −5 degrees toward the center of the substrate 1. It is provided by cutting.

次に、図1(b)に示すように、基板押え機構6により基板1を押圧し、基板1を金属箔4上に固定する。ここで基板1を押圧すると、基板1と金属箔4とが基板受け部3に押し込まれそれぞれ変形する。そうすると、基板1の自重による穏やかな弧を描いたたわみを生かしつつ基板1のたわみが基板受け部3に吸収される。このため、基板の全面が金属箔4に密着させることが可能になる。   Next, as shown in FIG. 1B, the substrate 1 is pressed by the substrate pressing mechanism 6 to fix the substrate 1 on the metal foil 4. When the substrate 1 is pressed here, the substrate 1 and the metal foil 4 are pushed into the substrate receiving portion 3 and deformed. Then, the deflection of the substrate 1 is absorbed by the substrate receiving portion 3 while making use of the deflection that draws a gentle arc due to the weight of the substrate 1. For this reason, the entire surface of the substrate can be brought into close contact with the metal foil 4.

このようにして基板を固定した後で真空蒸着を行ったところ、基板上に成膜された蒸着膜パターンには、パターン形状の不良や、パターニング精度の悪化は見られなかった。   When vacuum deposition was performed after the substrate was fixed in this manner, no defect in pattern shape or deterioration in patterning accuracy was observed in the deposited film pattern formed on the substrate.

[比較例]
金属フレーム2に基板受け部を設けていない真空成膜用マスクを用いて実施例と同様に真空成膜を行った。尚、この比較例で使用した真空成膜装置20は、図1の真空成膜装置10と同様の構成であるが、説明の都合上、その一部を省略する場合がある。
[Comparative example]
The vacuum film formation was performed in the same manner as in the example using a vacuum film formation mask in which the substrate receiving portion was not provided on the metal frame 2. The vacuum film forming apparatus 20 used in this comparative example has the same configuration as the vacuum film forming apparatus 10 in FIG. 1, but a part of it may be omitted for convenience of explanation.

本比較例において、図2(a)に示されるように金属箔4上に基板1を載置すると、基板1は自重によるたわみのために、金属箔4上で緩やかな弧を描いた形状となる。このとき、基板の辺部(図2(a)のA−A断面)では、基板1は、自重でたわんでいるものの金属フレーム2の内縁に至るまで金属箔4と密着している(図2(b))。一方、基板の角部(図2(a)のB−B断面)では、金属フレーム2の内縁よりも内側、具体的には、図2(c)中のCの部分において基板1が金属箔4から離れて「浮き」が生じている。尚、本比較例においてこの「浮き」は40μm〜50μmである。   In this comparative example, when the substrate 1 is placed on the metal foil 4 as shown in FIG. 2A, the substrate 1 has a shape in which a gentle arc is drawn on the metal foil 4 due to deflection due to its own weight. Become. At this time, the substrate 1 is in close contact with the metal foil 4 up to the inner edge of the metal frame 2 although it is bent by its own weight at the side of the substrate (AA cross section in FIG. 2A) (FIG. 2). (B)). On the other hand, at the corner portion of the substrate (cross section BB in FIG. 2A), the substrate 1 is the metal foil at the inner side of the inner edge of the metal frame 2, specifically, at the portion C in FIG. “Floating” has occurred away from 4. In this comparative example, the “floating” is 40 μm to 50 μm.

ここで、基板1を押圧しないで(図2(b)、(c)の状態で)真空成膜を行うと、特に、「浮き」が生じている部分において成膜パターン形状、精度が不良であることが観察された。   Here, when the vacuum film formation is performed without pressing the substrate 1 (in the state of FIGS. 2B and 2C), the film formation pattern shape and accuracy are particularly poor in the portion where the “floating” occurs. It was observed that there was.

ここで、上記「浮き」を解消するために基板1の角部を基板押え機構6により金属フレーム2に押圧した。そうすると、基板1は、押圧した部分において金属フレーム2と密着したものの、基板1を押圧していない箇所、具体的には図2(d)中Dの部分において、基板1の剛性に起因する新たな浮き上がり(50μm〜60μm)が発生した。この状態で真空成膜を行うと、特に、図2(d)中のDの部分において、成膜パターン形状、精度が不良であることが観察された。この結果、基板に押圧を加えるだけでは、金属箔と基板との密着性を向上させることは困難であることが判った。   Here, in order to eliminate the “floating”, the corner portion of the substrate 1 was pressed against the metal frame 2 by the substrate pressing mechanism 6. Then, although the substrate 1 is in close contact with the metal frame 2 at the pressed portion, the substrate 1 is newly pressed due to the rigidity of the substrate 1 at a position where the substrate 1 is not pressed, specifically, at a portion D in FIG. Lift (50 μm to 60 μm) occurred. When vacuum film formation was performed in this state, it was observed that the film formation pattern shape and accuracy were particularly poor in the portion D in FIG. As a result, it has been found that it is difficult to improve the adhesion between the metal foil and the substrate only by pressing the substrate.

1:基板、2:金属フレーム、3:基板受け部、4:金属箔、5:溶接部、6:基板押え機構、7:蒸着源、10(20):真空成膜装置、11:真空成膜用マスク   1: Substrate, 2: Metal frame, 3: Substrate receiving part, 4: Metal foil, 5: Welded part, 6: Substrate holding mechanism, 7: Deposition source, 10 (20): Vacuum film forming apparatus, 11: Vacuum formation Membrane mask

Claims (2)

金属フレームと、
前記金属フレームに固定され、開口パターンが形成されている金属箔と、から構成され、
前記金属フレームの内縁側に、前記金属箔を介して被成膜基板を支持する基板受け部を備え、
前記基板受け部が、前記被成膜基板の中央部に向かって凹形状に傾いているテーパー形状であることを特徴とする、真空成膜用マスクユニット。
A metal frame,
A metal foil fixed to the metal frame and having an opening pattern formed thereon;
Provided on the inner edge side of the metal frame with a substrate receiving portion that supports the film formation substrate via the metal foil,
The vacuum film-forming mask unit, wherein the substrate receiving portion has a tapered shape inclined in a concave shape toward a central portion of the deposition target substrate.
請求項1に記載の真空成膜用マスクユニットと、
被成膜基板を前記真空成膜用マスクユニットに備える金属箔上に密着させるための基板押え機構と、を備えることを特徴とする、真空成膜装置。
A vacuum deposition mask unit according to claim 1;
A vacuum film forming apparatus comprising: a substrate pressing mechanism for bringing a film formation substrate into close contact with a metal foil provided in the vacuum film forming mask unit.
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