KR102541305B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

[과제] 기판의 2종류의 휨을 적절히 교정하면서, 기판을 유지하고, 기판에 처리를 행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
[해결 수단] 이 기판 처리 장치(1)는, 휨 계측부(20)와, 반송 기구(30)와, 제1 스테이지(41)와, 제2 스테이지(42)를 구비한다. 제1 스테이지(41)는, 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판(9)의 하면을 흡착하여 유지한다. 제2 스테이지(42)는, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지한다. 휨 계측부(20)는, 기판(9)의 휨의 상태를 계측한다. 반송 기구(30)는, 휨 계측부(20)의 계측 결과에 따라, 기판(9)을 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)로 반송한다. 이에 의하여, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중, 기판(9)의 휨의 상태에 적합한 스테이지를 선택하여 사용할 수 있다. 따라서, 기판(9)의 휨을 적절히 교정하면서, 기판(9)에 대한 처리를 행할 수 있다.[PROBLEMS] To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing processing on a substrate while holding the substrate while appropriately correcting two types of warpage of the substrate.
[Solution] This substrate processing apparatus 1 includes a warpage measuring unit 20 , a transport mechanism 30 , a first stage 41 , and a second stage 42 . The first stage 41 adsorbs and holds the lower surface of the substrate 9 by means of a plurality of adsorption grooves. The second stage 42 adsorbs and holds the lower surface of the substrate by means of a plurality of adsorption pads made of an elastic material. The warpage measurement unit 20 measures the state of warpage of the substrate 9 . The conveyance mechanism 30 conveys the board|substrate 9 to the 1st stage 41 or the 2nd stage 42 according to the measurement result of the warpage measurement part 20. Thereby, among the 1st stage 41 and the 2nd stage 42, the stage suitable for the state of the board|substrate 9 can be selected and used. Accordingly, the processing of the substrate 9 can be performed while properly correcting the warpage of the substrate 9 .

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}

본 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing predetermined processing on a substrate.

종래, 반도체 패키지 등의 기판의 제조 공정에서는, 포토리소그래피 처리를 위하여, 기판의 상면에 레지스트액을 도포한다. 당해 공정에서는, 우선, 스테이지의 상면에 기판을 재치(載置)한다. 스테이지의 상면에는, 복수의 흡착 홈이 형성되어 있다. 기판의 하면은, 이 흡착 홈에 흡착됨으로써, 스테이지의 상면에 유지된다. 그리고, 스테이지의 상면에 유지된 기판의 상면에, 레지스트액이 도포된다. 이러한 종류의 처리를 행하는 종래의 장치에 대해서는, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재되어 있다.Conventionally, in a manufacturing process of a substrate such as a semiconductor package, a resist liquid is applied to the upper surface of the substrate for photolithography processing. In this process, first, a board|substrate is placed on the upper surface of a stage. A plurality of suction grooves are formed on the upper surface of the stage. The lower surface of the substrate is held on the upper surface of the stage by being sucked into the suction groove. Then, a resist liquid is applied to the upper surface of the substrate held on the upper surface of the stage. A conventional device for performing this kind of treatment is described in Patent Literature 1, for example.

일본국 특허공개 2017-112197호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2017-112197

그러나, 처리 대상이 되는 기판은, 완전하게 평탄하지는 않고, 약간의 휨(만곡)을 갖는다. 이 때문에, 스테이지의 상면에 기판을 정상적으로 흡착시키기 위해서는, 기판의 휨을 교정할 필요가 있다. 단, 처리 대상이 되는 복수의 기판 중에는, 주연부보다 중앙부가 낮은 오목 형상의 휨을 갖는 것과, 주연부보다 중앙부가 높은 볼록 형상의 휨을 갖는 것이, 혼재하는 경우가 있다. 이 때문에, 단일의 교정 기구를 구비한 1개의 스테이지에서, 이들 2종류의 휨을 적절히 교정하는 것은, 곤란했다.However, the substrate to be processed is not completely flat, but has slight warpage (curvature). For this reason, it is necessary to correct the warpage of the substrate in order to normally adsorb the substrate to the upper surface of the stage. However, among a plurality of substrates to be processed, there are cases in which substrates having a concave warp lower in the central portion than the periphery and those having a convex warp higher in the central portion than the periphery are mixed. For this reason, it was difficult to appropriately correct these two types of warpage on one stage provided with a single straightening mechanism.

본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 2종류의 휨을 적절히 교정하면서, 기판을 유지하고, 기판에 처리를 행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing processing on a substrate while holding a substrate while appropriately correcting two types of warpage of the substrate.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본원의 제1 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치이며, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와, 평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와, 기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구를 구비한다.In order to solve the above problems, the first invention of the present application is a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate, has a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and by the plurality of suction grooves, A first stage that adsorbs and holds the lower surface of the substrate, a second stage that has a flat upper surface and a plurality of adsorption pads made of an elastic material, and adsorbs and holds the lower surface of the substrate by the plurality of adsorption pads; A warpage measurement unit for measuring the state of warpage of the substrate, and a transfer mechanism for transporting the substrate to the first stage or the second stage according to the measurement result of the warpage measurement unit.

본원의 제2 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치이며, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와, 상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치된 기판을 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 챔버와, 기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구를 구비했다.A second invention of the present application is a substrate processing apparatus that performs a predetermined treatment on a substrate, and has a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and the lower surface of the substrate is suctioned and held by the plurality of suction grooves. a first stage having a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and a second stage for adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves; A chamber for covering the mounted substrate and supplying a high-pressure gas to a space formed between the substrate, a warpage measurement unit for measuring the state of warpage of the substrate, and the substrate according to the measurement result of the warpage measurement unit as described above. A conveying mechanism for conveying to the first stage or the second stage was provided.

본원의 제3 발명은, 제1 발명 또는 제2 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부는, 기판의 표면과의 거리를 계측하면서 기판의 표면을 따라 이동하는 레이저 변위계를 갖는다.3rd invention of this application is the substrate processing apparatus of 1st invention or 2nd invention, The said warp measurement part has a laser displacement meter which moves along the surface of a board|substrate while measuring the distance with respect to the surface of a board|substrate.

본원의 제4 발명은, 제3 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부는, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동하는 복수의 상기 레이저 변위계를 갖는다.4th invention of this application is the substrate processing apparatus of 3rd invention, The said warp measurement part has a some said laser displacement meter which moves parallel to each other along the surface of a board|substrate.

본원의 제5 발명은, 제1 발명 내지 제4 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부는, 계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정하는 위치 결정 기구를 갖는다.5th invention of this application is the substrate processing apparatus of any one of 1st - 4th invention, The said warpage measurement part has a positioning mechanism which positions a board|substrate on a measurement stage.

본원의 제6 발명은, 제1 발명 내지 제5 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송한다.6th invention of this application is the substrate processing apparatus of any one of 1st invention - 5th invention, In the case where a board|substrate has a concave warp according to the measurement result of the said warp measuring part, the said conveyance mechanism moves a board|substrate to the above-mentioned When the substrate is conveyed to the first stage and the substrate has a convex warp according to the measurement result of the warpage measurement unit, the conveyance mechanism conveys the substrate to the second stage.

본원의 제7 발명은, 제1 발명 내지 제6 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 제1 스테이지는, 기판의 주연부를 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 클램퍼를 갖는다.The seventh invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth inventions, wherein the first stage has a clamper that presses the periphery of the substrate against the upper surface of the first stage.

본원의 제8 발명은, 제1 발명 내지 제7 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 유지된 기판의 상면을 따라 이동하면서, 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 슬릿 노즐을 추가로 구비한다.The eighth invention of the present application is the substrate processing apparatus of any one of the first to seventh inventions, wherein the substrate is discharged from the slit-shaped discharge port while moving along the upper surface of the substrate held on the first stage or the second stage. It is further provided with a slit nozzle for discharging the treatment liquid toward the upper surface of the.

본원의 제9 발명은, 제1 발명 내지 제8 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 흡착 검출부를 추가로 구비한다.The ninth invention of the present application is the substrate processing apparatus of any one of the first to eighth inventions, wherein in the first stage or the second stage, detecting whether adsorption to the lower surface of the substrate is normally performed. An adsorption detection unit is further provided.

본원의 제10 발명은, 제1 발명 내지 제9 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시키는 스테이지 이동 기구를 추가로 구비한다.The tenth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to ninth inventions, wherein, according to the measurement result of the warpage measurement unit, the substrate is transported by the transport mechanism to the first stage or the first stage. A stage moving mechanism for moving the two stages is further provided.

본원의 제11 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법이며, a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과, b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정을 갖고, 상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고, 상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이다.An eleventh invention of the present application is a substrate processing method in which a predetermined process is performed on a substrate, a) a step of measuring the warp state of the substrate, and b) according to the measurement result of the step a), the substrate is moved to a first stage or a step of conveying to a second stage, wherein the first stage has a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and sucks and holds the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves. , The second stage is a stage having a flat upper surface and a plurality of suction pads made of an elastic material, and adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction pads.

본원의 제12 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법이며, a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과, b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정을 실행하고, 상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고, 상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고, 기판이 상기 제2 스테이지로 반송된 경우, c) 상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치된 기판을 챔버로 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 공정을 추가로 실행한다.The twelfth invention of the present application is a substrate processing method in which a predetermined process is performed on a substrate, a) a step of measuring the warp state of the substrate, and b) a substrate is moved to a first stage according to the measurement result of the step a) or carrying out a step of conveying to a second stage, wherein the first stage has a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and sucks and holds the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves. The second stage is a stage having a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves, and the substrate is transported to the second stage. In this case, c) a process of covering the substrate placed on the upper surface of the second stage with a chamber and supplying a high-pressure gas to a space formed between the substrate and the substrate is additionally performed.

본원의 제13 발명은, 제11 발명 또는 제12 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)에서는, 레이저 변위계에 의하여 기판의 표면과의 거리를 계측하면서, 상기 레이저 변위계를 기판의 표면을 따라 이동시킨다.The thirteenth invention of the application is the substrate processing method of the eleventh or twelfth invention, wherein in step a), the laser displacement meter is moved along the surface of the substrate while measuring the distance to the surface of the substrate with the laser displacement meter. let it

본원의 제14 발명은, 제13 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)에서는, 복수의 상기 레이저 변위계를, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동시킨다.The fourteenth invention of the present application is the substrate processing method of the thirteenth invention, and in the step a), a plurality of the laser displacement meters are moved parallel to each other along the surface of the substrate.

본원의 제15 발명은, 제11 발명 내지 제14 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)에서는, 계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정한다.15th invention of this application is the substrate processing method of any one of 11th invention - 14th invention, In said process a), a board|substrate is positioned on a measurement stage.

본원의 제16 발명은, 제11 발명 내지 제15 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송한다.The sixteenth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the eleventh to fifteenth inventions. According to the measurement result of the step a), when the substrate has a concave warp, in the step b), The substrate is conveyed to the first stage, and when the substrate has a convex warp according to the measurement result in step a), the substrate is conveyed to the second stage in step b).

본원의 제17 발명은, 제11 발명 내지 제16 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 기판이 상기 제1 스테이지로 반송된 경우, d) 기판의 주연부를 클램퍼에 의하여 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 공정을 추가로 실행한다.The seventeenth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the eleventh to sixteenth inventions, wherein when the substrate is transferred to the first stage, d) the upper surface of the first stage by clamping the periphery of the substrate The pressing process is additionally performed.

본원의 제18 발명은, 제11 발명 내지 제17 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, e) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 기판이 유지된 후, 기판의 상면을 따라 슬릿 노즐을 이동시키면서, 상기 슬릿 노즐이 갖는 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 공정을 추가로 실행한다.The eighteenth invention of the present application is the substrate processing method of any one of the eleventh to seventeenth inventions, e) after the substrate is held on the first stage or the second stage, a slit nozzle is provided along the upper surface of the substrate While moving, a step of discharging the processing liquid from the slit-shaped discharge port of the slit nozzle toward the upper surface of the substrate is further executed.

본원의 제19 발명은, 제11 발명 내지 제18 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, f) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 공정을 추가로 실행한다.The 19th invention of the present application is the substrate processing method of any one of the 11th to 18th inventions, f) whether adsorption to the lower surface of the substrate is normally performed in the first stage or the second stage. The detection process is additionally performed.

본원의 제20 발명은, 제11 발명 내지 제19 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 b)에서는, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시킨다.The twentieth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the eleventh to nineteenth inventions, wherein in the step b), the substrate is transported to the first stage or the first stage according to the measurement result of the step a). Move the second stage.

본원의 제1 발명~제20 발명에 의하면, 제1 스테이지 및 제2 스테이지 중, 기판의 휨의 상태에 적합한 스테이지를 선택하여 사용할 수 있다. 따라서, 기판의 휨을 적절히 교정하면서, 기판에 대한 처리를 행할 수 있다.According to the first to twentieth inventions of the present application, a stage suitable for the warp state of the substrate can be selected and used from among the first stage and the second stage. Therefore, it is possible to process the substrate while appropriately correcting the warpage of the substrate.

특히, 본원의 제3 발명 및 제13 발명에 의하면, 레이저 변위계로 주사함으로써, 기판의 휨의 상태를 비접촉으로 계측할 수 있다.In particular, according to the third invention and the thirteenth invention of the present application, the warp state of the substrate can be measured in a non-contact manner by scanning with a laser displacement meter.

특히, 본원의 제4 발명 및 제14 발명에 의하면, 기판의 2방향의 휨의 상태를 계측할 수 있다.In particular, according to the fourth invention and the fourteenth invention of the present application, it is possible to measure the warp state of the substrate in two directions.

특히, 본원의 제5 발명 및 제15 발명에 의하면, 기판을 위치 결정한 상태로, 기판의 휨의 상태를 높은 정밀도로 계측할 수 있다.In particular, according to the fifth invention and the fifteenth invention of the present application, the state of warpage of the substrate can be measured with high accuracy in a state in which the substrate is positioned.

특히, 본원의 제6 발명 및 제16 발명에 의하면, 흡착 홈에 의하여 교정하는 것이 어려운 볼록 형상의 휨을 갖는 기판을, 제2 스테이지로 반송하고, 휨을 교정하면서 유지할 수 있다.In particular, according to the sixth invention and the sixteenth invention of the present application, a substrate having a convex warp that is difficult to correct by the adsorption groove can be conveyed to the second stage and held while correcting the warp.

특히, 본원의 제8 발명 및 제18 발명에 의하면, 제1 스테이지 또는 제2 스테이지에 유지됨으로써, 휨이 교정된 기판의 상면에, 처리액을 도포할 수 있다.In particular, according to the eighth invention and the eighteenth invention of the present application, the processing liquid can be applied to the upper surface of the substrate whose warpage has been corrected by being held on the first stage or the second stage.

특히, 본원의 제9 발명 및 제19 발명에 의하면, 기판의 하면을 정상적으로 흡착하여 유지되어 있는지 여부를 검지할 수 있다.In particular, according to the ninth and nineteenth inventions of the present application, it is possible to detect whether or not the lower surface of the substrate is normally adsorbed and held.

특히, 본원의 제10 발명 및 제20 발명에 의하면, 기판의 반송처의 위치를 변경하는 일 없이, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로, 선택적으로 반송할 수 있다.In particular, according to the tenth and twentieth inventions of the present application, the substrate can be selectively transported to the first stage or the second stage without changing the position of the transport destination of the substrate.

도 1은, 기판 처리 장치의 개략 평면도이다.
도 2는, 제어부와 기판 처리 장치 내의 각 부와의 전기적 접속을 나타낸 블록도이다.
도 3은, 휨 계측부의 상면도이다.
도 4는, 휨 계측부(20)의 측면도이다.
도 5는, 제1 스테이지 및 제2 스테이지의 상면도이다.
도 6은, 제1 스테이지의 종단면도이다.
도 7은, 제1 스테이지의 종단면도이다.
도 8은, 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 9는, 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 10은, 기판 처리 장치에 있어서의 처리의 흐름을 나타낸 플로차트이다.
도 11은, 제2 실시 형태의 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 12는, 제2 실시 형태의 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 13은, 제2 실시 형태의 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 14는, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일부분을 나타낸 평면도이다.1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus.
2 is a block diagram showing electrical connections between a control unit and each unit in the substrate processing apparatus.
Fig. 3 is a top view of a warpage measurement unit.
4 : is a side view of the curvature measuring part 20. As shown in FIG.
5 is a top view of the first stage and the second stage.
6 is a longitudinal sectional view of the first stage.
Fig. 7 is a longitudinal sectional view of the first stage.
Fig. 8 is a longitudinal sectional view of the second stage.
Fig. 9 is a longitudinal sectional view of the second stage.
10 is a flowchart showing the flow of processing in the substrate processing apparatus.
Fig. 11 is a longitudinal sectional view of a second stage according to a second embodiment.
Fig. 12 is a longitudinal sectional view of the second stage of the second embodiment.
13 is a longitudinal sectional view of the second stage of the second embodiment.
14 is a plan view showing a part of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings.

<1. 제1 실시 형태><1. First Embodiment>

<1-1. 기판 처리 장치의 전체 구성><1-1. Overall composition of the substrate processing device>

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 평면도이다. 이 기판 처리 장치(1)는, 반도체 패키지의 제조 공정에 사용되는 장치이다. 기판 처리 장치(1)는, 반도체 패키지용 직사각형의 기판(9)에 대하여, 레지스트액의 도포, 감압 건조, 및 베이크 처리를 행한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 기판 수납부(10), 휨 계측부(20), 반송 기구(30), 도포부(40), 감압 건조부(50), 베이크부(60), 및 제어부(70)를 구비한다.1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus 1 is an apparatus used in a manufacturing process of a semiconductor package. The substrate processing apparatus 1 performs coating of a resist solution, drying under reduced pressure, and baking processing on a rectangular substrate 9 for a semiconductor package. As shown in FIG. 1 , the substrate processing apparatus 1 includes a substrate storage unit 10, a warpage measurement unit 20, a transport mechanism 30, an application unit 40, a reduced pressure drying unit 50, and a bake unit ( 60), and a control unit 70.

기판 수납부(10)는, 처리 전 및 처리 후의 기판(9)을 수납하는 유닛이다. 기판 수납부(10)에는, 복수의 기판(9)을 수용하는 캐리어가, 복수 배치된다. 또, 기판 수납부(10)는, 도시를 생략한 반출입 로봇을 갖는다. 반출입 로봇은, 기판 수납부(10) 내의 캐리어로부터 처리 전의 기판(9)을 반출하고, 휨 계측부(20)로 이송한다. 또, 반출입 로봇은, 후술하는 반송 로봇(31)으로부터 처리 후의 기판을 수취하고, 기판 수납부(10) 내의 캐리어로 반입한다.The substrate accommodating section 10 is a unit for accommodating the substrate 9 before and after processing. A plurality of carriers accommodating a plurality of substrates 9 are arranged in the substrate storage section 10 . In addition, the board storage unit 10 has a carry-in/out robot, not shown. The carry-in/out robot carries out the substrate 9 before processing from the carrier in the substrate storage unit 10 and transfers it to the warpage measuring unit 20 . In addition, the carry-in/out robot receives the processed substrates from the transfer robot 31 described later, and carries them into carriers in the substrate storage unit 10 .

휨 계측부(20)는, 기판(9)의 휨의 상태를 계측하기 위한 유닛이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 휨 계측부(20)는, 계측 스테이지(21)와, 3개의 레이저 변위계(22)를 갖는다. 기판(9)은, 상술한 반출입 로봇에 의하여, 기판 수납부(10)로부터 반출되고, 계측 스테이지(21) 상에 재치된다. 휨 계측부(20)는, 3개의 레이저 변위계(22)에 의하여, 계측 스테이지(21) 상에 재치된 기판(9)의 휨의 상태를 계측한다. 레이저 변위계(22)의 계측 결과는, 휨 계측부(20)로부터 제어부(70)로 송신된다.The warpage measurement unit 20 is a unit for measuring the state of warpage of the substrate 9 . As shown in FIG. 1 , the warpage measurement unit 20 has a measurement stage 21 and three laser displacement meters 22 . The board|substrate 9 is carried out from the board|substrate accommodating part 10 by the carrying-in/out robot mentioned above, and is placed on the measurement stage 21. The warpage measurement unit 20 measures the state of warpage of the substrate 9 placed on the measurement stage 21 by means of three laser displacement meters 22 . The measurement result of the laser displacement meter 22 is transmitted from the warpage measurement unit 20 to the control unit 70 .

휨 계측부(20)의 보다 상세한 구성에 대해서는, 후술한다.A more detailed configuration of the warpage measurement unit 20 will be described later.

반송 기구(30)는, 휨 계측부(20), 도포부(40), 감압 건조부(50), 및 베이크부(60)의 사이에서, 기판(9)을 반송하는 기구이다. 반송 기구(30)는, 반송 로봇(31)을 갖는다. 반송 로봇(31)은, 휨 계측부(20), 도포부(40), 감압 건조부(50), 및 베이크부(60)에 둘러싸인 반송 공간에 배치되어 있다. 반송 로봇(31)은, 예를 들면, 기판(9)을 유지하는 핸드와, 핸드를 상하 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 아암을 갖는다.The transport mechanism 30 is a mechanism that transports the substrate 9 between the warpage measuring unit 20 , the coating unit 40 , the vacuum drying unit 50 , and the baking unit 60 . The transport mechanism 30 includes a transport robot 31 . The transfer robot 31 is disposed in a transfer space surrounded by the warpage measurement unit 20 , the application unit 40 , the vacuum drying unit 50 , and the bake unit 60 . The transport robot 31 has, for example, a hand that holds the substrate 9 and an arm that moves the hand vertically and horizontally.

반송 로봇(31)은, 휨 계측부(20)에 있어서 계측이 완료된 기판(9)을, 휨 계측부(20)로부터 도포부(40)로 반송한다. 또, 반송 로봇(31)은, 도포부(40)에 있어서의 처리가 완료된 기판(9)을, 도포부(40)로부터 감압 건조부(50)로 반송한다. 또, 반송 로봇(31)은, 감압 건조부(50)에 있어서의 처리가 완료된 기판(9)을, 감압 건조부(50)로부터 베이크부(60)로 반송한다. 또, 반송 로봇(31)은, 베이크부(60)에 있어서의 처리가 완료된 기판(9)을, 베이크부(60)로부터 다시 휨 계측부(20)로 반송하고, 기판 수납부(10)의 반출입 로봇에 수도(受渡)한다.The transfer robot 31 transports the substrate 9 whose measurement has been completed in the warpage measurement unit 20 from the warpage measurement unit 20 to the coating unit 40 . In addition, the transfer robot 31 transports the substrate 9 on which processing in the coating unit 40 has been completed from the coating unit 40 to the vacuum drying unit 50 . In addition, the transfer robot 31 conveys the substrate 9 on which processing in the reduced pressure drying unit 50 has been completed from the reduced pressure drying unit 50 to the baking unit 60 . In addition, the transfer robot 31 transports the substrate 9, which has been processed in the bake unit 60, from the bake unit 60 back to the warpage measurement unit 20, and carries in and out of the substrate storage unit 10. Transform into a robot.

도포부(40)는, 기판(9)의 상면에, 처리액인 레지스트액을 도포하는 유닛이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 도포부(40)는, 제1 스테이지(41), 제2 스테이지(42), 및 슬릿 노즐(43)을 갖는다. 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)는, 평탄한 상면을 갖는 일체의 석재에 의하여 구성된다. 반송 로봇(31)은, 휨 계측부(20)에 있어서 계측된 휨의 상태에 따라, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중 어느 하나로, 기판(9)을 반송한다. 기판(9)은, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)의 상면에 재치되고, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)의 상면에 흡착됨으로써 유지된다.The coating unit 40 is a unit that applies a resist liquid as a processing liquid to the upper surface of the substrate 9 . As shown in FIG. 1 , the application unit 40 includes a first stage 41 , a second stage 42 , and a slit nozzle 43 . The first stage 41 and the second stage 42 are constructed of a single stone material having a flat upper surface. The transport robot 31 transports the substrate 9 to either the first stage 41 or the second stage 42 according to the state of the warpage measured by the warpage measuring unit 20 . The substrate 9 is placed on the upper surface of the first stage 41 or the second stage 42 and held by being attracted to the upper surface of the first stage 41 or the second stage 42 .

제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 보다 상세한 구성에 대해서는, 후술한다.More detailed configurations of the first stage 41 and the second stage 42 will be described later.

슬릿 노즐(43)은, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)에 유지된 기판(9)의 상면에, 레지스트액을 토출하는 노즐이다. 슬릿 노즐(43)은, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)를 사이에 끼도록 설치된 한 쌍의 대기부(44)의 사이에서, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 상면을 따라 이동한다. 또, 슬릿 노즐(43)의 하단부에는, 슬릿 노즐(43)의 이동 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는, 슬릿 형상의 토출구가 형성되어 있다. 슬릿 노즐(43)은, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)에 유지된 기판(9)의 상면을 따라 이동하면서, 토출구로부터 기판(9)의 상면을 향하여 레지스트액을 토출한다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 레지스트액이 도포된다.The slit nozzle 43 is a nozzle that discharges a resist liquid onto the upper surface of the substrate 9 held on the first stage 41 or the second stage 42 . The slit nozzle 43 is between the first stage 41 and the second stage 42 between a pair of atmospheric parts 44 installed so as to sandwich the first stage 41 and the second stage 42. ) moves along the upper surface of Further, at the lower end of the slit nozzle 43, a slit-shaped discharge port extending in a direction orthogonal to the moving direction of the slit nozzle 43 is formed. The slit nozzle 43 discharges the resist liquid from the discharge port toward the upper surface of the substrate 9 while moving along the upper surface of the substrate 9 held on the first stage 41 or the second stage 42 . As a result, the resist liquid is applied to the upper surface of the substrate 9 .

감압 건조부(50)는, 기판(9)의 상면에 도포된 레지스트액을 건조시키기 위한 유닛이다. 감압 건조부(50)는, 밀폐 가능한 감압실(51)과, 감압실(51)에 접속된 감압 기구(도시 생략)를 갖는다. 감압실(51) 내에 기판(9)을 반입하고, 감압 기구를 동작시키면, 감압실(51)의 내부로부터 기체가 빨려나가, 감압실(51) 내의 기압이 저하한다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 도포된 레지스트액 중의 용매가 기화한다. 그 결과, 레지스트액이 건조되어, 기판(9)의 상면에 레지스트막이 형성된다.The reduced pressure drying unit 50 is a unit for drying the resist liquid applied on the upper surface of the substrate 9 . The reduced pressure drying unit 50 has a decompression chamber 51 that can be hermetically sealed, and a decompression mechanism (not shown) connected to the decompression chamber 51 . When the substrate 9 is loaded into the decompression chamber 51 and the decompression mechanism is operated, gas is sucked out from the inside of the decompression chamber 51 and the air pressure in the decompression chamber 51 decreases. As a result, the solvent in the resist liquid applied to the upper surface of the substrate 9 is vaporized. As a result, the resist liquid is dried, and a resist film is formed on the upper surface of the substrate 9 .

베이크부(60)는, 기판(9)의 상면에 형성된 레지스트막을, 가열에 의하여 고화시키는 유닛이다. 베이크부(60)는, 베이크실(61)과, 베이크실(61) 내에 배치된 가열 플레이트(62)를 갖는다. 가열 플레이트(62)는, 환경 온도보다 높은 소정의 온도로 유지된다. 베이크실(61) 내에 반입된 기판(9)은, 가열 플레이트(62)의 상면에 재치된다. 이에 의하여, 기판(9)이 가열되어, 레지스트막 중에 잔존하는 용매 성분이 제거된다. 또, 기판(9)에 대한 레지스트막의 밀착성이 향상된다.The bake unit 60 is a unit that solidifies the resist film formed on the upper surface of the substrate 9 by heating. The baking unit 60 has a baking chamber 61 and a heating plate 62 arranged in the baking chamber 61 . The heating plate 62 is maintained at a predetermined temperature higher than the environmental temperature. The substrate 9 carried into the bake chamber 61 is placed on the upper surface of the heating plate 62 . As a result, the substrate 9 is heated, and the solvent component remaining in the resist film is removed. Also, the adhesion of the resist film to the substrate 9 is improved.

제어부(70)는, 기판 처리 장치(1) 내의 각 부를 동작 제어하기 위한 유닛이다. 도 2는, 제어부(70)와, 기판 처리 장치(1) 내의 각 부의 전기적 접속을 나타낸 블록도이다. 도 2 중에 개념적으로 나타낸 바와 같이, 제어부(70)는, CPU 등의 프로세서(71), RAM 등의 메모리(72), 및 하드 디스크 드라이브 등의 기억부(73)를 갖는 컴퓨터에 의하여 구성된다.The control unit 70 is a unit for controlling operation of each unit in the substrate processing apparatus 1 . 2 is a block diagram showing electrical connections between the control unit 70 and each unit in the substrate processing apparatus 1 . As conceptually shown in FIG. 2, the control unit 70 is constituted by a computer having a processor 71 such as a CPU, a memory 72 such as RAM, and a storage unit 73 such as a hard disk drive.

또, 제어부(70)는, 상술한 기판 수납부(10)(반출입 로봇을 포함한다), 휨 계측부(20)(레이저 변위계(22), 후술하는 주사 기구(24), 및 후술하는 에어 실린더(231~234)를 포함한다), 반송 기구(30)(반송 로봇(31)을 포함한다), 도포부(40)(슬릿 노즐(43), 후술하는 리프트 핀(411, 421), 후술하는 개폐 밸브(414, 426), 및 후술하는 클램퍼(416, 427)를 포함한다), 감압 건조부(50)(감압 기구를 포함한다), 및 베이크부(60)(가열 플레이트(62)를 포함한다)와, 각각 전기적으로 접속되어 있다. 제어부(70)는, 컴퓨터 프로그램 및 각종 데이터에 따라 CPU를 동작시킴으로써, 이들 각 부를 동작 제어한다. 이에 의하여, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판(9)의 처리가 진행된다.In addition, the control unit 70 includes the above-described substrate storage unit 10 (including a carrying-in/out robot), the warpage measurement unit 20 (laser displacement meter 22, a scanning mechanism 24 described later, and an air cylinder (described later) 231 to 234), transport mechanism 30 (including transport robot 31), applicator 40 (slit nozzle 43, lift pins 411 and 421 described later, opening and closing described later) It includes valves 414 and 426 and clampers 416 and 427 described later), a reduced pressure drying unit 50 (including a pressure reducing mechanism), and a bake unit 60 (including a heating plate 62). ) and are electrically connected to each other. The control unit 70 operates the CPU according to the computer program and various types of data to control the operation of each of these units. Thereby, processing of the substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 proceeds.

<1-2. 휨 계측부의 구성><1-2. Composition of the warpage measurement part>

계속해서, 휨 계측부(20)의 보다 상세한 구성에 대하여, 설명한다. 도 3은, 휨 계측부(20)의 상면도이다. 도 4는, 휨 계측부(20)의 측면도이다. 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 휨 계측부(20)는, 계측 스테이지(21), 3개의 레이저 변위계(22), 및 위치 결정 기구(23)를 갖는다. 또한, 도 3에는, x방향 및 y방향이 화살표로 나타내어져 있다. x방향 및 y방향은, 모두 수평 방향이다. 또, x방향과 y방향은, 서로 직교한다.Subsequently, a more detailed configuration of the warpage measurement unit 20 will be described. 3 is a top view of the warpage measurement unit 20 . 4 is a side view of the warpage measurement unit 20 . As shown in FIGS. 3 and 4 , the warpage measurement unit 20 includes a measurement stage 21 , three laser displacement meters 22 , and a positioning mechanism 23 . 3, the x-direction and the y-direction are indicated by arrows. Both the x direction and the y direction are horizontal directions. In addition, the x direction and the y direction are orthogonal to each other.

계측 스테이지(21)는, 평탄한 상면(211)을 갖는 직사각형 형상의 대(臺)이다. 계측 스테이지(21)는, 상면(211)으로부터 상방을 향하여 돌출하는 복수의 지지 핀(212)을 갖는다. 복수의 지지 핀(212)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배열되어 있다. 기판(9)은, 이들 지지 핀(212) 위에 재치된다.The measurement stage 21 is a rectangular platform having a flat upper surface 211 . The measurement stage 21 has a plurality of support pins 212 protruding upward from the upper surface 211 . The plurality of support pins 212 are arranged at equal intervals in the x direction and the y direction. The substrate 9 is placed on these support pins 212 .

위치 결정 기구(23)는, 복수의 지지 핀(212)에 지지된 기판(9)을, 일정한 위치 및 자세로 위치 결정하는 기구이다. 위치 결정 기구(23)는, 4개의 에어 실린더(231~234)를 갖는다. 4개의 에어 실린더(231~234) 중, 2개의 에어 실린더(231, 232)는, 직사각형 형상의 기판(9)의 1개의 정점의 부근에 있어서, 기판(9)을 +x방향 및 +y방향으로 각각 압압한다. 또, 다른 2개의 에어 실린더(233, 234)는, 기판(9)의 상기 정점과는 대각 위치에 있는 다른 정점의 부근에 있어서, 기판(9)을 -x방향 및 -y방향으로 각각 압압한다. 이에 의하여, 기판(9)이, x방향 및 y방향으로 위치 결정된다.The positioning mechanism 23 is a mechanism for positioning the substrate 9 supported by the plurality of support pins 212 at a constant position and posture. The positioning mechanism 23 has four air cylinders 231 to 234. Among the four air cylinders 231 to 234, the two air cylinders 231 and 232 move the substrate 9 in the +x direction and the +y direction in the vicinity of one apex of the rectangular substrate 9. press each with Further, the other two air cylinders 233 and 234 press the substrate 9 in the -x direction and the -y direction, respectively, in the vicinity of another apex of the substrate 9 at a position diagonal to the apex of the substrate 9. . As a result, the substrate 9 is positioned in the x direction and the y direction.

레이저 변위계(22)는, 기판(9)의 상면의 높이를 비접촉으로 계측하는 센서이다. 레이저 변위계(22)는, 기판(9)의 상면을 향하여 레이저광을 출사하고, 기판(9)의 상면으로부터 반사되는 광의 변위량을 검출한다. 이에 의하여, 삼각 측량의 원리로, 레이저 변위계(22)와 기판(9)의 상면 사이의 상하 방향의 거리를 계측한다.The laser displacement meter 22 is a sensor that measures the height of the upper surface of the substrate 9 in a non-contact manner. The laser displacement meter 22 emits laser light toward the upper surface of the substrate 9 and detects the amount of displacement of the light reflected from the upper surface of the substrate 9 . In this way, the distance in the vertical direction between the laser displacement meter 22 and the upper surface of the substrate 9 is measured on the principle of triangulation.

또, 휨 계측부(20)는, 레이저 변위계(22)를 이동시키는 주사 기구(24)를 갖는다. 주사 기구(24)는, 레이저 변위계(22)를, 기판(9)의 표면을 따라 y방향으로 이동시킨다. 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 때에는, 레이저 변위계(22)에 의한 계측을 실행하면서, 주사 기구(24)에 의하여, 레이저 변위계(22)를 y방향으로 이동시킨다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면의 높이의 y방향에 있어서의 변화가 계측된다. 따라서, y방향에 있어서의 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다.In addition, the warpage measuring unit 20 has a scanning mechanism 24 that moves the laser displacement meter 22 . The scanning mechanism 24 moves the laser displacement meter 22 in the y direction along the surface of the substrate 9 . When measuring the state of warp of the substrate 9, the laser displacement meter 22 is moved in the y direction by the scanning mechanism 24 while performing the measurement by the laser displacement meter 22 . In this way, the change in the height of the upper surface of the substrate 9 in the y direction is measured. Therefore, the warp state of the substrate 9 in the y-direction can be measured.

또, 본 실시 형태의 휨 계측부(20)는, 3개의 레이저 변위계(22)를 갖는다. 3개의 레이저 변위계(22)는, x방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 3개의 레이저 변위계(22)는, 기판(9)의 상면과의 거리를 계측하면서, y방향을 따라 서로 평행하게 이동한다. 이 때문에, 3개의 레이저 변위계(22)의 계측값을 비교함으로써, 기판(9)의 상면의 높이의 x방향에 있어서의 변화를 알 수 있다. 즉, x방향에 있어서의 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태의 휨 계측부(20)는, x방향 및 y방향의 2방향에 있어서, 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다.In addition, the warpage measuring unit 20 of this embodiment has three laser displacement meters 22 . The three laser displacement gauges 22 are arranged at equal intervals in the x direction. The three laser displacement gauges 22 move parallel to each other along the y direction while measuring the distance to the upper surface of the substrate 9 . For this reason, by comparing the measured values of the three laser displacement meters 22, the change in the height of the upper surface of the board|substrate 9 in the x direction can be known. That is, the warp state of the substrate 9 in the x direction can be measured. In this way, the warpage measuring unit 20 of the present embodiment can measure the state of warpage of the substrate 9 in two directions, the x direction and the y direction.

<1-3. 제1 스테이지 및 제2 스테이지의 구성><1-3. Configuration of the first stage and the second stage>

계속해서, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 보다 상세한 구성에 대하여 설명한다. 도 5는, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 상면도이다. 도 6 및 도 7은, 제1 스테이지(41)의 종단면도이다. 도 8 및 도 9는, 제2 스테이지(42)의 종단면도이다. 또한, 도 5~도 9에는, 도 3~도 4와 동일하게, x방향 및 y방향이 화살표로 나타내어져 있다.Subsequently, more detailed configurations of the first stage 41 and the second stage 42 will be described. 5 is a top view of the first stage 41 and the second stage 42 . 6 and 7 are longitudinal sectional views of the first stage 41 . 8 and 9 are longitudinal sectional views of the second stage 42 . In addition, in FIGS. 5-9, like FIGS. 3-4, the x-direction and the y-direction are shown by arrows.

우선, 제1 스테이지(41)의 구성에 대하여 설명한다. 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 스테이지(41)는, 평탄한 상면(410)을 갖는다. 또, 제1 스테이지(41)는, 복수의 리프트 핀(411)(도 5에서는 도시 생략)을 갖는다. 복수의 리프트 핀(411)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 또, 복수의 리프트 핀(411)은, 도 6에 나타내는 상승 위치와, 도 7에 나타내는 하강 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상승 위치에서는, 리프트 핀(411)의 상단부가, 제1 스테이지(41)의 상면(410)보다 상방으로 돌출한다. 하강 위치에서는, 리프트 핀(411)의 상단부가, 제1 스테이지(41)의 상면(410)보다 하방으로 퇴피한다.First, the configuration of the first stage 41 will be described. As shown in FIGS. 6 and 7 , the first stage 41 has a flat upper surface 410 . Moreover, the 1st stage 41 has several lift pins 411 (not shown in FIG. 5). The plurality of lift pins 411 are arranged at equal intervals in the x direction and the y direction. In addition, the plurality of lift pins 411 move up and down between the rising position shown in FIG. 6 and the lowering position shown in FIG. 7 . In the raised position, the upper end of the lift pin 411 protrudes upward from the upper surface 410 of the first stage 41 . In the lowered position, the upper end of the lift pin 411 retracts downward from the upper surface 410 of the first stage 41 .

제1 스테이지(41) 상에 기판(9)을 배치할 때에는, 우선, 반송 로봇(31)이, 도 6과 같이, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(411) 위에 기판(9)을 재치한다. 그 후, 도 7과 같이, 복수의 리프트 핀(411)이, 상승 위치로부터 하강 위치로 이동한다. 이에 의하여, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 재치된다.When arranging the board|substrate 9 on the 1st stage 41, first, the transfer robot 31 places the board|substrate 9 on the several lift pins 411 of an elevated position, like FIG. Then, as shown in FIG. 7 , the plurality of lift pins 411 move from the rising position to the lowering position. Accordingly, the substrate 9 is placed on the upper surface 410 of the first stage 41 .

또, 제1 스테이지(41)는, 복수의 흡착 구멍(412)을 갖는다. 복수의 흡착 구멍(412)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 각 흡착 구멍(412)은, 제1 스테이지(41)를 상하 방향으로 관통한다. 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 복수의 흡착 구멍(412)은, 흡인 배관(413)을 통하여 도면 밖의 진공원에 접속되어 있다. 또, 흡인 배관(413)의 경로 상에는, 개폐 밸브(414)가 설치되어 있다. 이 때문에, 개폐 밸브(414)를 개방하면, 복수의 흡착 구멍(412)으로부터 흡인 배관(413)을 통하여 진공원으로, 기체가 흡인된다. 이에 의하여, 각 흡착 구멍(412)에, 대기압보다 낮은 부압이 생긴다.In addition, the first stage 41 has a plurality of suction holes 412 . The plurality of suction holes 412 are arranged at equal intervals in the x direction and the y direction. Each suction hole 412 penetrates the first stage 41 in the vertical direction. As shown in FIGS. 6 and 7 , the plurality of suction holes 412 are connected to a vacuum source outside the drawing via a suction pipe 413 . Further, on the path of the suction pipe 413, an on-off valve 414 is installed. For this reason, when the opening/closing valve 414 is opened, gas is sucked from the plurality of suction holes 412 to the vacuum source through the suction pipe 413. As a result, a negative pressure lower than atmospheric pressure is generated in each adsorption hole 412 .

또, 제1 스테이지(41)는, 상면에 복수의 흡착 홈(415)을 갖는다. 복수의 흡착 홈(415)은, x방향 및 y방향을 따라, 그리드 형상으로 형성되어 있다. 즉, 복수의 흡착 홈(415)은, x방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(415)과, y방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(415)을 포함한다. 상술한 흡착 구멍(412)의 상단부는, x방향으로 연장되는 흡착 홈(415)과, y방향으로 연장되는 흡착 홈(415)이 교차하는 위치에 개구한다. 이 때문에, 개폐 밸브(414)가 개방되면, 복수의 흡착 구멍(412)뿐만 아니라, 복수의 흡착 홈(415)에도, 부압이 생긴다.In addition, the first stage 41 has a plurality of suction grooves 415 on the upper surface. The plurality of suction grooves 415 are formed in a grid shape along the x-direction and the y-direction. That is, the plurality of suction grooves 415 include a plurality of suction grooves 415 extending in the x direction and a plurality of suction grooves 415 extending in the y direction. The upper end of the aforementioned suction hole 412 opens at a position where the suction groove 415 extending in the x direction and the suction groove 415 extending in the y direction intersect. For this reason, when the opening/closing valve 414 is opened, negative pressure is generated not only in the plurality of suction holes 412 but also in the plurality of suction grooves 415 .

제1 스테이지(41)의 상면(410)에 재치된 기판(9)은, 이 부압에 의하여, 흡착 홈(415)에 흡착된다. 그리고, 기판(9)의 하면이, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 밀착한다. 이에 의하여, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 유지된다.The substrate 9 placed on the upper surface 410 of the first stage 41 is attracted to the suction groove 415 by this negative pressure. Then, the lower surface of the substrate 9 adheres to the upper surface 410 of the first stage 41 . Thus, the substrate 9 is held on the upper surface 410 of the first stage 41 .

또, 제1 스테이지(41)는, 4개의 클램퍼(416)를 갖는다. 4개의 클램퍼(416)는, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 재치된 후, 기판(9)의 주연부에 접근한다. 구체적으로는, 4개의 클램퍼(416)가, 직사각형 형상의 기판(9)의 4개의 변에, 각각 접근한다. 그리고, 각 클램퍼(416)가, 기판(9)의 주연부를, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 누른다. 이에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제1 스테이지(41)로부터 뜨는 것을 억제할 수 있다.In addition, the first stage 41 has four clampers 416 . The four clampers 416 approach the periphery of the substrate 9 after the substrate 9 is placed on the upper surface 410 of the first stage 41 . Specifically, the four clampers 416 respectively approach the four sides of the rectangular substrate 9 . Then, each clamper 416 presses the periphery of the substrate 9 against the upper surface 410 of the first stage 41 . In this way, it is possible to suppress the periphery of the substrate 9 from floating from the first stage 41 .

계속해서, 제2 스테이지(42)의 구성에 대하여 설명한다. 도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 제2 스테이지(42)는, 평탄한 상면(420)을 갖는다. 또, 제2 스테이지(42)는, 복수의 리프트 핀(421)(도 5에서는 도시 생략)을 갖는다. 복수의 리프트 핀(421)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 또, 복수의 리프트 핀(421)은, 도 8에 나타내는 상승 위치와, 도 9에 나타내는 하강 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상승 위치에서는, 리프트 핀(421)의 상단부가, 제2 스테이지(42)의 상면(420)보다 상방으로 돌출한다. 하강 위치에서는, 리프트 핀(421)의 상단부가, 제2 스테이지(42)의 상면(420)보다 하방으로 퇴피한다.Subsequently, the configuration of the second stage 42 will be described. As shown in FIGS. 8 and 9 , the second stage 42 has a flat upper surface 420 . Moreover, the 2nd stage 42 has several lift pins 421 (not shown in FIG. 5). The plurality of lift pins 421 are arranged at equal intervals in the x direction and the y direction. In addition, the plurality of lift pins 421 move up and down between the rising position shown in FIG. 8 and the lowering position shown in FIG. 9 . In the raised position, the upper end of the lift pin 421 protrudes upward from the upper surface 420 of the second stage 42 . In the lowered position, the upper end of the lift pin 421 retracts downward from the upper surface 420 of the second stage 42 .

제2 스테이지(42) 상에 기판(9)을 배치할 때에는, 우선, 반송 로봇(31)이, 도 8과 같이, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(421) 위에 기판(9)을 재치한다. 그 후, 도 9와 같이, 복수의 리프트 핀(421)이, 상승 위치로부터 하강 위치로 이동한다. 이에 의하여, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 기판(9)이 재치된다.When arranging the board|substrate 9 on the 2nd stage 42, first, the transfer robot 31 places the board|substrate 9 on the several lift pins 421 of an elevated position, as shown in FIG. After that, as shown in FIG. 9 , the plurality of lift pins 421 move from the rising position to the lowering position. Accordingly, the substrate 9 is placed on the upper surface 420 of the second stage 42 .

또, 제2 스테이지(42)는, 복수의 세로 구멍(422), 복수의 흡인 파이프(423), 및 복수의 흡착 패드(424)를 갖는다. 복수의 세로 구멍(422)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 각 세로 구멍(422)은, 제2 스테이지(42)를 상하 방향으로 관통한다. 흡인 파이프(423)는, 상하 방향으로 연장되는 원통 형상의 파이프이다. 흡인 파이프(423)는, 복수의 세로 구멍(422)에, 각각 삽입되어 있다.In addition, the second stage 42 has a plurality of vertical holes 422 , a plurality of suction pipes 423 , and a plurality of suction pads 424 . The plurality of vertical holes 422 are arranged at equal intervals in the x direction and the y direction. Each vertical hole 422 penetrates the second stage 42 in the vertical direction. The suction pipe 423 is a cylindrical pipe extending in the vertical direction. The suction pipe 423 is inserted into each of the plurality of vertical holes 422 .

복수의 흡착 패드(424)는, 고무 등의 탄성 재료로 이루어지는 원환 형상의 부재이다. 흡착 패드(424)는, 복수의 흡인 파이프(423)의 상단부에, 각각 장착되어 있다. 흡착 패드(424)는, 자바라 형상의 측면을 갖는다. 이 때문에, 흡착 패드(424)는, 상하 방향으로 신축 가능하게 되어 있다. 기판(9)을 유지하고 있지 않은 상태에서는, 도 7과 같이, 흡착 패드(424)의 상단은, 제2 스테이지(42)의 상면(420)보다 약간 상방으로 돌출하고 있다.The plurality of suction pads 424 are annular members made of an elastic material such as rubber. The suction pads 424 are attached to the upper ends of the plurality of suction pipes 423, respectively. The suction pad 424 has bellows-shaped side surfaces. For this reason, the suction pad 424 is capable of expansion and contraction in the vertical direction. In a state where the substrate 9 is not held, the upper end of the suction pad 424 slightly protrudes upward from the upper surface 420 of the second stage 42 as shown in FIG. 7 .

도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 복수의 흡인 파이프(423)의 하단부는, 흡인 배관(425)을 통하여 도면 밖의 진공원에 접속되어 있다. 또, 흡인 배관(425)의 경로 상에는, 개폐 밸브(426)가 설치되어 있다. 이 때문에, 개폐 밸브(426)를 개방하면, 흡인 파이프(423)로부터 흡인 배관(425)을 통하여 진공원으로, 기체가 흡인된다. 이에 의하여, 각 흡인 파이프(423) 및 흡착 패드(424)의 내부에, 대기압보다 낮은 부압이 생긴다.As shown in FIGS. 8 and 9 , lower ends of the plurality of suction pipes 423 are connected to a vacuum source outside the drawing via a suction pipe 425 . Further, on the path of the suction pipe 425, an on-off valve 426 is installed. For this reason, when the opening/closing valve 426 is opened, gas is sucked from the suction pipe 423 to the vacuum source through the suction pipe 425. As a result, a negative pressure lower than atmospheric pressure is generated inside each suction pipe 423 and suction pad 424 .

제2 스테이지(42)의 상면(420)에 재치된 기판(9)은, 이 부압에 의하여, 흡착 패드(424)에 흡착된다. 또, 흡착 패드(424)는, 기판(9)에 흡착함으로써, 상하 방향으로 수축한다. 그 결과, 도 9와 같이, 기판(9)의 하면이, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 접촉한다. 이에 의하여, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 기판(9)이 유지된다.The substrate 9 placed on the upper surface 420 of the second stage 42 is attracted to the suction pad 424 by this negative pressure. Also, the suction pad 424 shrinks in the vertical direction by adsorbing to the substrate 9 . As a result, as shown in FIG. 9 , the lower surface of the substrate 9 contacts the upper surface 420 of the second stage 42 . Thus, the substrate 9 is held on the upper surface 420 of the second stage 42 .

또, 제2 스테이지(42)는, 4개의 클램퍼(427)를 갖는다. 4개의 클램퍼(427)는, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 기판(9)이 재치된 후, 기판(9)의 주연부에 접근한다. 구체적으로는, 4개의 클램퍼(427)가, 직사각형 형상의 기판(9)의 4개의 변에, 각각 접근한다. 그리고, 각 클램퍼(427)가, 기판(9)의 주연부를, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 누른다. 이에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제2 스테이지(42)로부터 뜨는 것을 억제할 수 있다.In addition, the second stage 42 has four clampers 427 . The four clampers 427 approach the periphery of the substrate 9 after the substrate 9 is placed on the upper surface 420 of the second stage 42 . Specifically, the four clampers 427 respectively approach the four sides of the rectangular substrate 9 . Then, each clamper 427 presses the periphery of the substrate 9 against the upper surface 420 of the second stage 42 . In this way, it is possible to suppress the periphery of the substrate 9 from floating from the second stage 42 .

<1-4. 기판 처리 장치에 있어서의 처리의 흐름><1-4. Process Flow in Substrate Processing Apparatus>

계속해서, 상술한 기판 처리 장치(1)에 있어서의 처리의 흐름에 대하여 설명한다. 도 10은, 당해 처리의 흐름을 나타낸 플로차트이다. 또한, 이하에서는, 1장의 기판(9)에 대한 처리의 흐름을 설명한다. 기판 처리 장치(1)는, 이와 같은 처리를, 복수의 기판(9)에 대하여 순차적으로 실행한다.Subsequently, the processing flow in the substrate processing apparatus 1 described above will be described. 10 is a flowchart showing the flow of the process. Incidentally, below, the flow of processing for one substrate 9 will be described. The substrate processing apparatus 1 sequentially performs such processing on a plurality of substrates 9 .

기판 처리 장치(1)는, 우선, 기판 수납부(10)에 수납된 기판(9)을, 반출입 로봇에 의하여 취출(取出)한다(단계 S1). 취출한 기판(9)은, 휨 계측부(20)에 배치된다. 구체적으로는, 반출입 로봇이, 계측 스테이지(21) 상의 복수의 지지 핀(212) 위에, 기판(9)을 재치한다. 그 후, 위치 결정 기구(23)가, 복수의 지지 핀(212)에 지지된 기판(9)을, 일정한 위치 및 자세로 위치 결정한다.The substrate processing apparatus 1 first takes out the substrate 9 stored in the substrate storage unit 10 by a carrying in/out robot (step S1). The board|substrate 9 taken out is arrange|positioned in the warp measurement part 20. Specifically, the carry-in/out robot places the substrate 9 on the plurality of support pins 212 on the measurement stage 21 . After that, the positioning mechanism 23 positions the substrate 9 supported by the plurality of support pins 212 at a constant position and attitude.

계속해서, 휨 계측부(20)는, 3개의 레이저 변위계(22)에 의하여, 기판(9)의 휨의 상태를 계측한다(단계 S2). 구체적으로는, 3개의 레이저 변위계(22)를, 기판(9)의 상면을 따라 이동시키면서, 레이저 변위계(22)로부터 기판(9)의 상면까지의 거리를 계측한다. 레이저 변위계(22)의 계측 결과는, 제어부(70)로 송신된다. 제어부(70)는, 3개의 레이저 변위계(22)의 계측 결과에 의거하여, 처리 대상의 기판(9)이, 주연부보다 중앙부가 낮은 오목 형상의 휨을 갖는 기판(이하 「오목 형상 기판」이라고 칭한다)인지, 그렇지 않으면, 주연부보다 중앙부가 높은 볼록 형상의 휨을 갖는 기판(이하 「볼록 형상 기판」이라고 칭한다)인지를, 판별한다.Subsequently, the warpage measurement unit 20 measures the state of warpage of the substrate 9 using the three laser displacement meters 22 (step S2). Specifically, while moving the three laser displacement meters 22 along the upper surface of the substrate 9, the distance from the laser displacement meters 22 to the upper surface of the substrate 9 is measured. The measurement results of the laser displacement meter 22 are transmitted to the control unit 70 . Based on the measurement results of the three laser displacement meters 22, the control unit 70 determines that the substrate 9 to be processed has a concave warp lower in the central portion than the peripheral portion (hereinafter referred to as a "concave substrate"). If not, it is determined whether or not the substrate has a convex warp with a central portion higher than the periphery (hereinafter referred to as a "convex substrate").

휨 계측부(20)에 있어서의 계측이 완료되면, 반송 로봇(31)이, 휨 계측부(20)로부터 기판(9)을 취출한다. 그리고, 반송 로봇(31)은, 도포부(40)의 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)로, 기판(9)을 반송한다(단계 S3). 이때, 제어부(70)는, 단계 S2의 계측 결과에 따라, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중 어느 하나로, 기판(9)을 반송하도록, 반송 로봇(31)을 제어한다. 구체적으로는, 기판(9)이 오목 형상 기판이라고 판별된 경우에는, 당해 기판(9)을, 반송 로봇(31)에 의하여, 제1 스테이지(41)로 반송한다. 또, 기판(9)이 볼록 형상 기판이라고 판별된 경우에는, 당해 기판(9)을, 반송 로봇(31)에 의하여, 제2 스테이지(42)로 반송한다.When the measurement by the warpage measurement unit 20 is completed, the transfer robot 31 takes out the substrate 9 from the warpage measurement unit 20 . Then, the transport robot 31 transports the substrate 9 to the first stage 41 or the second stage 42 of the coating unit 40 (step S3). At this time, the controller 70 controls the transport robot 31 to transport the substrate 9 to either the first stage 41 or the second stage 42 according to the measurement result in step S2. Specifically, when it is determined that the substrate 9 is a concave substrate, the substrate 9 is transported to the first stage 41 by the transfer robot 31 . In addition, when it is determined that the substrate 9 is a convex substrate, the substrate 9 is transported to the second stage 42 by the transfer robot 31 .

제1 스테이지(41)에 반송된 기판(9)은, 우선, 상승 위치에 있는 복수의 리프트 핀(411) 위에 재치된다. 그리고, 복수의 리프트 핀(411)이 상승 위치로부터 하강 위치로 이동함으로써, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 재치된다. 그리고, 기판(9)의 하면이, 복수의 흡착 홈(415)에 흡착하여 유지된다. 또, 4개의 클램퍼(416)에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 눌린다.The substrate 9 transported to the first stage 41 is first placed on a plurality of lift pins 411 in an elevated position. Then, the substrate 9 is placed on the upper surface 410 of the first stage 41 by moving the plurality of lift pins 411 from the raised position to the lowered position. Then, the lower surface of the substrate 9 is attracted to and held by the plurality of suction grooves 415 . Further, the periphery of the substrate 9 is pressed against the upper surface 410 of the first stage 41 by the four clampers 416 .

이와 같이, 제1 스테이지(41)에서는, 기판(9)의 주연부가, 클램퍼(416)에 의하여 고정된다. 이 때문에, 기판(9)이 오목 형상 기판인 경우에, 그 기판(9)의 주연부가, 기판(9)의 중앙부와 같은 높이까지 하강한다. 따라서, 기판(9)의 오목 형상의 휨을 교정하면서, 기판(9)을 유지할 수 있다. 또, 복수의 흡착 홈(415) 전체의 면적은, 복수의 흡착 패드(424)의 개구 면적보다, 크다. 이 때문에, 기판(9)의 주연부 이외의 부분은, 복수의 흡착 홈(415)에 생기는 완만한 부압에 의하여, 유지된다. 이 때문에, 기판(9)의 강성이 낮은 경우여도, 기판(9)의 균열을 억제하면서, 기판(9)을 유지할 수 있다.In this way, in the first stage 41 , the periphery of the substrate 9 is fixed by the clamper 416 . For this reason, when the board|substrate 9 is a concave board|substrate, the periphery of the board|substrate 9 descends to the same height as the center part of the board|substrate 9. Therefore, the board|substrate 9 can be held while correcting the warp of the concave shape of the board|substrate 9. In addition, the area of the entire plurality of suction grooves 415 is larger than the opening area of the plurality of suction pads 424 . For this reason, portions other than the periphery of the substrate 9 are maintained by the gentle negative pressure generated in the plurality of adsorption grooves 415 . For this reason, even when the rigidity of the substrate 9 is low, the substrate 9 can be held while suppressing cracking of the substrate 9 .

제2 스테이지(42)에 반송된 기판(9)은, 우선, 상승 위치에 있는 복수의 리프트 핀(421) 위에 재치된다. 그리고, 복수의 리프트 핀(421)이 상승 위치로부터 하강 위치로 이동함으로써, 기판(9)의 하면이, 복수의 흡착 패드(424)에 흡착된다. 그리고, 흡착 패드(424)가 상하 방향으로 수축함으로써, 기판(9)의 하면이, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 접촉한다. 또, 4개의 클램퍼(427)에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 고정된다.The substrate 9 transported to the second stage 42 is first placed on a plurality of lift pins 421 in an elevated position. Then, as the plurality of lift pins 421 move from the raised position to the lowered position, the lower surface of the substrate 9 is attracted to the plurality of suction pads 424 . Then, the lower surface of the substrate 9 comes into contact with the upper surface 420 of the second stage 42 as the suction pad 424 contracts in the vertical direction. Further, the periphery of the substrate 9 is fixed to the upper surface 420 of the second stage 42 by the four clampers 427 .

이와 같이, 제2 스테이지(42)에서는, 기판(9)의 주연부 이외의 부분이, 흡착 패드(424)에 흡착되고, 하방으로 끌어들여진다. 이 때문에, 기판(9)이 볼록 형상 기판인 경우에, 그 기판(9)의 중앙부가, 기판(9)의 주연부와 같은 높이까지 하강한다. 따라서, 기판(9)의 볼록 형상의 휨을 교정하면서, 기판(9)을 유지할 수 있다. 특히, 제2 스테이지(42)에 있어서의 흡착 패드(424)의 수는, 제1 스테이지(41)에 있어서의 흡착 구멍(412)의 수보다 적다. 또, 복수의 흡착 패드(424)의 개구 면적은, 복수의 흡착 홈(415)의 면적보다 작다. 이 때문에, 각 흡착 패드(424)에 강한 흡인력이 생긴다. 따라서, 기판(9)의 강성이 높은 경우여도, 기판(9)의 휨을 교정할 수 있다.In this way, in the second stage 42, portions other than the periphery of the substrate 9 are attracted to the suction pad 424 and drawn downward. For this reason, in the case where the substrate 9 is a convex substrate, the central portion of the substrate 9 descends to the same height as the periphery of the substrate 9 . Therefore, the board|substrate 9 can be held while correcting the warp of the convex shape of the board|substrate 9. In particular, the number of suction pads 424 in the second stage 42 is smaller than the number of suction holes 412 in the first stage 41 . Also, the opening area of the plurality of suction pads 424 is smaller than the area of the plurality of suction grooves 415 . For this reason, a strong suction force is generated in each suction pad 424 . Therefore, even when the rigidity of the board|substrate 9 is high, the warp of the board|substrate 9 can be corrected.

제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)에 기판(9)이 유지된 후, 슬릿 노즐(43)이 기판(9)의 상면을 따라 이동하면서, 슬릿 형상의 토출구로부터 기판(9)의 상면을 향하여, 레지스트액을 토출한다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 레지스트액이 도포된다(단계 S4).After the substrate 9 is held on the first stage 41 or the second stage 42, the slit nozzle 43 moves along the upper surface of the substrate 9 and discharges the substrate 9 from the slit-shaped discharge port. The resist liquid is discharged toward the upper surface. In this way, a resist liquid is applied to the upper surface of the substrate 9 (step S4).

레지스트액의 도포가 종료되면, 반송 로봇(31)은, 도포부(40)로부터 기판(9)을 취출하고, 감압 건조부(50)로 기판(9)을 반송한다(단계 S5). 그리고, 감압 건조부(50)가, 기판(9)의 상면에 도포된 레지스트액을 감압에 의하여 건조시키는, 감압 건조 처리를 행한다(단계 S6). 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 레지스트막이 형성된다.When the application of the resist liquid is finished, the transfer robot 31 takes out the substrate 9 from the coating unit 40 and transports the substrate 9 to the vacuum drying unit 50 (step S5). Then, the reduced pressure drying unit 50 performs a reduced pressure drying process in which the resist liquid applied to the upper surface of the substrate 9 is dried by reducing the pressure (step S6). As a result, a resist film is formed on the upper surface of the substrate 9 .

감압 건조 처리가 종료되면, 반송 로봇(31)은, 감압 건조부(50)로부터 기판(9)을 취출하고, 베이크부(60)로 기판(9)을 반송한다(단계 S7). 그리고, 베이크부(60)가, 가열 플레이트(62)에 의하여 기판(9)을 가열하는, 베이크 처리를 행한다(단계 S8). 이에 의하여, 레지스트막 중에 잔존하는 용매 성분이 제거된다. 또, 기판(9)에 대한 레지스트막의 밀착성이 향상된다.When the reduced pressure drying process is completed, the transport robot 31 takes out the substrate 9 from the reduced pressure drying unit 50 and transports the substrate 9 to the bake unit 60 (step S7). Then, a bake process in which the bake unit 60 heats the substrate 9 with the heating plate 62 is performed (step S8). This removes the solvent component remaining in the resist film. Also, the adhesion of the resist film to the substrate 9 is improved.

베이크 처리가 종료되면, 반송 로봇(31)은, 베이크부(60)로부터 기판(9)을 취출하고, 다시 휨 계측부(20)로 기판(9)을 반송한다. 그리고, 기판 수납부(10)의 반출입 로봇이, 반송 로봇(31)으로부터 기판(9)을 수취하고, 기판 수납부(10)에 기판(9)을 수납한다(단계 S9).When the baking process is completed, the transfer robot 31 takes out the substrate 9 from the bake unit 60 and transports the substrate 9 to the warpage measuring unit 20 again. Then, the carry-in/out robot of the substrate storage unit 10 receives the substrate 9 from the transfer robot 31 and stores the substrate 9 in the substrate storage unit 10 (step S9).

이상과 같이, 이 기판 처리 장치(1)에서는, 휨 계측부(20)의 계측 결과에 따라, 도포부(40)의 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중, 휨의 상태에 적합한 스테이지를 선택하여 사용한다. 이 때문에, 각 스테이지에 있어서, 기판(9)의 휨을 적절히 교정하고, 휨이 교정된 기판(9)의 상면에, 레지스트액을 도포할 수 있다. 특히, 제1 스테이지(41)의 흡착 홈(415)에 의하여 교정하는 것이 어려운 볼록 형상의 휨을, 복수의 흡착 패드(424)를 갖는 제2 스테이지(42)에 있어서, 교정할 수 있다.As described above, in this substrate processing apparatus 1, according to the measurement result of the warpage measuring unit 20, among the first stage 41 and the second stage 42 of the coating unit 40, suitable for the state of warpage Choose a stage to use. Therefore, in each stage, warpage of the substrate 9 can be appropriately corrected, and the resist liquid can be applied to the upper surface of the substrate 9 whose warpage has been corrected. In particular, in the second stage 42 having a plurality of suction pads 424, convex warpage, which is difficult to correct by the suction groove 415 of the first stage 41, can be corrected.

또, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에서는, 휨 계측부(20)에 있어서, 위치 결정 기구(23)에 의하여 기판(9)을 위치 결정한 후에, 휨의 상태를 계측한다. 이 때문에, 기판(9)의 휨의 상태를, 높은 정밀도로 계측할 수 있다. 또, 레이저 변위계(22)로 주사함으로써, 기판(9)의 휨의 상태를, 비접촉으로 계측할 수 있다. 또, 3개의 레이저 변위계(22)를 사용함으로써, x방향 및 y방향의 2방향에 있어서, 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다. 따라서, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중, 기판(9)에 적절한 스테이지를, 높은 정밀도로 선택할 수 있다.Moreover, in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, in the warp measurement part 20, after positioning the board|substrate 9 by the positioning mechanism 23, the warp state is measured. For this reason, the warp state of the board|substrate 9 can be measured with high precision. Moreover, by scanning with the laser displacement meter 22, the warp state of the board|substrate 9 can be measured non-contactly. In addition, by using three laser displacement gauges 22, the warp state of the substrate 9 can be measured in two directions, the x direction and the y direction. Therefore, among the first stage 41 and the second stage 42, a stage suitable for the substrate 9 can be selected with high precision.

<2. 제2 실시 형태><2. Second Embodiment>

계속해서, 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 제2 실시 형태는, 도포부에 있어서의 제2 스테이지의 구성과, 도포부가 챔버를 갖는 점이, 상술한 제1 실시 형태와 상이하다. 이하에서는, 제1 실시 형태와의 차이점을 중심으로 설명하고, 제1 실시 형태와 동등한 구성 및 처리에 대해서는, 중복 설명을 생략한다.Subsequently, a second embodiment of the present invention will be described. The second embodiment differs from the above-described first embodiment in that the configuration of the second stage in the applicator and the applicator have a chamber. Hereinafter, differences from the first embodiment will be mainly described, and redundant explanations of the configuration and processing equivalent to those of the first embodiment will be omitted.

도 11~도 13은, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)의 종단면도이다. 도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)는, 평탄한 상면(450)을 갖는다. 또, 제2 스테이지(45)는, 복수의 리프트 핀(451)을 갖는다. 복수의 리프트 핀(451)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 또, 복수의 리프트 핀(451)은, 도 11에 나타내는 상승 위치와, 도 12 및 도 13에 나타내는 하강 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상승 위치에서는, 리프트 핀(451)의 상단부가, 제2 스테이지(45)의 상면(450)보다 상방으로 돌출한다. 하강 위치에서는, 리프트 핀(451)의 상단부가, 제2 스테이지(45)의 상면(450)보다 하방으로 퇴피한다.11 to 13 are longitudinal sectional views of the second stage 45 of the second embodiment. As shown in FIGS. 11 to 13 , the second stage 45 of the second embodiment has a flat upper surface 450 . In addition, the second stage 45 has a plurality of lift pins 451 . The plurality of lift pins 451 are arranged at equal intervals in the x direction and the y direction. In addition, the plurality of lift pins 451 move up and down between the rising position shown in FIG. 11 and the lowering position shown in FIGS. 12 and 13 . In the raised position, the upper end of the lift pin 451 protrudes upward from the upper surface 450 of the second stage 45 . In the lowered position, the upper end of the lift pin 451 retracts downward from the upper surface 450 of the second stage 45 .

제2 스테이지(45) 상에 기판(9)을 배치할 때에는, 우선, 반송 로봇(31)이, 도 11과 같이, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(451) 위에 기판(9)을 재치한다. 그 후, 도 12와 같이, 복수의 리프트 핀(451)이, 상승 위치로부터 하강 위치로 이동한다. 이에 의하여, 제2 스테이지(45)의 상면(450)에 기판(9)이 재치된다.When arranging the board|substrate 9 on the 2nd stage 45, first, the transfer robot 31 places the board|substrate 9 on the several lift pins 451 of an elevated position, like FIG. After that, as shown in FIG. 12 , the plurality of lift pins 451 move from the rising position to the lowering position. Accordingly, the substrate 9 is placed on the upper surface 450 of the second stage 45 .

또, 제2 스테이지(45)는, 복수의 흡착 구멍(452)을 갖는다. 복수의 흡착 구멍(452)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 각 흡착 구멍(452)은, 제2 스테이지(45)를 상하 방향으로 관통한다. 도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 복수의 흡착 구멍(452)은, 흡인 배관(453)을 통하여 도면 밖의 진공원에 접속되어 있다. 또, 흡인 배관(453)의 경로 상에는, 개폐 밸브(454)가 설치되어 있다. 이 때문에, 개폐 밸브(454)를 개방하면, 복수의 흡착 구멍(452)으로부터 흡인 배관(453)을 통하여 진공원으로, 기체가 흡인된다. 이에 의하여, 각 흡착 구멍(452)에, 대기압보다 낮은 부압이 생긴다.In addition, the second stage 45 has a plurality of suction holes 452 . The plurality of suction holes 452 are arranged at equal intervals in the x direction and the y direction. Each suction hole 452 penetrates the second stage 45 in the vertical direction. As shown in FIGS. 11 to 13 , the plurality of adsorption holes 452 are connected to a vacuum source outside the drawing via a suction pipe 453 . Further, on the path of the suction pipe 453, an on-off valve 454 is installed. For this reason, when the opening/closing valve 454 is opened, gas is sucked from the plurality of suction holes 452 to the vacuum source via the suction pipe 453. As a result, a negative pressure lower than atmospheric pressure is generated in each adsorption hole 452 .

또, 제2 스테이지(45)는, 상면에 복수의 흡착 홈(455)을 갖는다. 복수의 흡착 홈(455)은, x방향 및 y방향을 따라, 그리드 형상으로 형성되어 있다. 즉, 복수의 흡착 홈(455)은, x방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(455)과, y방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(455)을 포함한다. 상술한 흡착 구멍(452)의 상단부는, x방향으로 연장되는 흡착 홈(455)과, y방향으로 연장되는 흡착 홈(455)이 교차하는 위치에 개구한다. 이 때문에, 개폐 밸브(454)가 개방되면, 복수의 흡착 구멍(452)뿐만 아니라, 복수의 흡착 홈(455)에도, 부압이 생긴다. 제2 스테이지(45)의 상면(450)에 재치된 기판(9)은, 이 부압에 의하여, 흡착 홈(455)에 흡착된다.In addition, the second stage 45 has a plurality of suction grooves 455 on the upper surface. The plurality of suction grooves 455 are formed in a grid shape along the x-direction and the y-direction. That is, the plurality of suction grooves 455 include a plurality of suction grooves 455 extending in the x direction and a plurality of suction grooves 455 extending in the y direction. The upper end of the aforementioned adsorption hole 452 opens at a position where the adsorption groove 455 extending in the x direction and the adsorption groove 455 extending in the y direction intersect. For this reason, when the opening/closing valve 454 is opened, negative pressure is generated not only in the plurality of suction holes 452 but also in the plurality of suction grooves 455 . The substrate 9 placed on the upper surface 450 of the second stage 45 is attracted to the suction groove 455 by this negative pressure.

이와 같이, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)는, 4개의 클램퍼(416)를 갖고 있지 않은 점을 제외하고, 제1 실시 형태의 제1 스테이지(41)와 동등한 구성을 갖는다.In this way, the second stage 45 of the second embodiment has the same configuration as the first stage 41 of the first embodiment except that it does not include the four clampers 416 .

또, 제2 실시 형태의 도포부(40)는, 제2 스테이지(45)의 상방에 위치하는 챔버(46)와, 챔버(46)를 승강 이동시키는 승강 기구(47)를 갖는다. 챔버(46)는, 하방을 향하여 열린 컵 형상의 내압 용기이다. 챔버(46)는, 그 하단부에, 직사각형 형상의 개구를 갖는다. 또, 챔버(46)는, 당해 개구의 주위에, 직사각형 형상의 O링(461)을 갖는다. O링(461)은, 고무 등의 탄성을 갖는 재료로 이루어진다.Moreover, the applicator 40 of the second embodiment has a chamber 46 located above the second stage 45 and a lifting mechanism 47 for moving the chamber 46 up and down. The chamber 46 is a cup-shaped pressure-resistant container opened downward. The chamber 46 has a rectangular opening at its lower end. In addition, the chamber 46 has a rectangular O-ring 461 around the opening. The O-ring 461 is made of an elastic material such as rubber.

승강 기구(47)는, 예를 들면, 에어 실린더에 의하여 구성된다. 승강 기구(47)는, 제어부(70)에 의하여 동작 제어된다. 승강 기구(47)를 동작시키면, 챔버(46)는, 도 11~도 12에 나타내는 상측 위치와, 도 13에 나타내는 하측 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상측 위치에서는, 챔버(46)는, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(451)에 지지되는 기판(9)보다 상방에 위치한다. 반송 로봇(31)이, 기판(9)을 제2 스테이지(45)로 반송할 때에는, 챔버(46)는, 상측 위치에 있어서 대기한다.The elevating mechanism 47 is constituted by an air cylinder, for example. The operation of the lifting mechanism 47 is controlled by the controller 70 . When the lifting mechanism 47 is operated, the chamber 46 moves up and down between the upper position shown in Figs. 11 and 12 and the lower position shown in Fig. 13 . In the upper position, the chamber 46 is located above the substrate 9 supported by the plurality of lift pins 451 in the elevated position. When the transfer robot 31 transfers the substrate 9 to the second stage 45, the chamber 46 stands by at the upper position.

리프트 핀(451)이 하강하고, 제2 스테이지(45)의 상면(450)에 기판(9)이 재치된 후, 승강 기구(47)에 의하여, 챔버(46)가 상측 위치로부터 하측 위치로 이동한다. 그렇다면, 도 13과 같이, 기판(9)의 상면이, 챔버(46)에 덮인다. 그리고, 기판(9)의 주연부의 상면에, 챔버(46)의 O링(461)이 접촉한다. 이에 의하여, 기판(9)과 챔버(46)의 사이에, 밀폐 공간(460)이 형성된다.After the lift pins 451 are lowered and the substrate 9 is placed on the upper surface 450 of the second stage 45, the chamber 46 is moved from the upper position to the lower position by the lifting mechanism 47. do. Then, as shown in FIG. 13 , the upper surface of the substrate 9 is covered with the chamber 46 . Then, the O-ring 461 of the chamber 46 contacts the upper surface of the periphery of the substrate 9 . Thus, a closed space 460 is formed between the substrate 9 and the chamber 46 .

또, 도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 챔버(46)는, 급기 배관(462)을 통하여 고압 기체 공급원(463)에 접속되어 있다. 또, 급기 배관(462)의 경로 상에는, 개폐 밸브(464)가 설치되어 있다. 이 때문에, 도 13과 같이 밀폐 공간(460)을 형성한 상태로, 개폐 밸브(464)를 개방하면, 고압 기체 공급원(463)으로부터 급기 배관(462)을 통하여 밀폐 공간(460)으로, 대기압보다 고압인 기체가 공급된다. 따라서, 기판(9)이 볼록 형상 기판인 경우에, 기판(9)의 상면이 고압의 기체에 눌림으로써, 기판(9)의 볼록 형상의 휨이 교정된다. 또한, 고압의 기체는, 클린 드라이 에어여도 되고, 혹은, 질소 가스 등의 불활성 가스여도 된다.Moreover, as shown in FIGS. 11-13, the chamber 46 is connected to the high-pressure gas supply source 463 via the air supply pipe 462. Further, on the path of the air supply pipe 462, an on-off valve 464 is provided. For this reason, when opening/closing valve 464 is opened in a state where closed space 460 is formed as shown in FIG. 13 , air pressure is higher than atmospheric pressure from high-pressure gas supply source 463 to closed space 460 via air supply pipe 462. High-pressure gas is supplied. Therefore, in the case where the substrate 9 is a convex substrate, the upper surface of the substrate 9 is pressed by the high-pressure gas, thereby correcting the warpage of the convex shape of the substrate 9 . In addition, the high-pressure gas may be clean dry air or an inert gas such as nitrogen gas.

이 제2 실시 형태에서는, 기판(9)의 주연부는, 클램퍼가 아니라, 챔버(46)의 O링(461)에 의하여, 제2 스테이지(45)의 상면에 눌린다. 따라서, 기판(9)의 주연부의 하면은, 흡착 홈(455)에 양호하게 흡착된다. 또, 기판(9)의 중앙부는, 고압의 기체에 의하여, 기판(9)의 상면을 향하여 눌린다. 따라서, 기판(9)의 중앙부의 하면도, 흡착 홈(455)에 양호하게 흡착된다. 그 결과, 기판(9)의 하면의 전체를, 제2 스테이지(45)의 상면에 밀착시킬 수 있다.In this second embodiment, the periphery of the substrate 9 is pressed against the upper surface of the second stage 45 by the O-ring 461 of the chamber 46, not by the clamper. Therefore, the lower surface of the periphery of the substrate 9 is favorably attracted to the suction groove 455 . Further, the central portion of the substrate 9 is pressed toward the upper surface of the substrate 9 by the high-pressure gas. Therefore, the lower surface of the central portion of the substrate 9 is also satisfactorily attracted to the suction groove 455 . As a result, the entire lower surface of the substrate 9 can be brought into close contact with the upper surface of the second stage 45 .

도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 흡인 배관(453)의 경로 상에는, 압력계(456)가 설치되어 있다. 압력계(456)의 계측값은, 제어부(70)로 송신된다. 기판(9)의 하면이 흡착 홈(455)에 정상적으로 흡착되면, 압력계(456)의 계측값이, 미리 설정된 역치보다 낮아진다. 이에 의하여, 제어부(70)는, 기판(9)의 하면이 흡착 홈(455)에 정상적으로 흡착된 것을 검출한다. 즉, 압력계(456)는, 제2 스테이지(45)에 있어서, 기판(9)의 하면에 대한 흡착 홈(455)의 흡착이, 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 「흡착 검출부」로서 기능한다.As shown in FIGS. 11 to 13 , a pressure gauge 456 is installed on the path of the suction pipe 453 . The measured value of the pressure gauge 456 is transmitted to the controller 70 . When the lower surface of the substrate 9 is normally sucked into the suction groove 455, the measured value of the pressure gauge 456 is lower than a preset threshold value. In this way, the controller 70 detects that the lower surface of the substrate 9 is normally attracted to the suction groove 455 . That is, in the second stage 45, the pressure gauge 456 functions as an "adsorption detection unit" that detects whether or not the suction of the suction groove 455 to the lower surface of the substrate 9 is normally performed.

제어부(70)는, 기판(9)의 하면이 흡착 홈(455)에 정상적으로 흡착된 것을 검출하면, 다시 개폐 밸브(464)를 폐쇄한다. 그리고, 승강 기구(47)에 의하여, 챔버(46)를 하강 위치로부터 상승 위치로 상승시킨다. 흡착 홈(455)에 일단 정상적으로 흡착된 기판(9)은, 챔버(46)가 상승 위치로 이동해도, 정상적인 흡착 상태로 유지된다. 그 후, 제1 실시 형태와 동일하게, 슬릿 노즐(43)에 의한 레지스트액의 도포 처리를 행한다.The control unit 70 closes the on-off valve 464 again when detecting that the lower surface of the substrate 9 is normally attracted to the suction groove 455 . Then, the chamber 46 is raised from the lowered position to the raised position by the lifting mechanism 47 . The substrate 9 once normally adsorbed to the adsorption groove 455 is maintained in a normal adsorbed state even when the chamber 46 moves to the elevated position. Then, as in the first embodiment, the resist liquid coating process is performed by the slit nozzle 43 .

이 제2 실시 형태에서는, 휨 계측부(20)의 계측 결과에 따라, 볼록 형상 기판으로 판별된 기판(9)이, 상술한 제2 스테이지(45)로 반송된다. 그리고, 제2 스테이지(45)에 있어서, 고압의 기체에 의하여, 기판(9)의 볼록 형상의 휨이 교정된다. 따라서, 휨이 교정된 기판(9)의 상면에, 레지스트액을 도포할 수 있다.In this second embodiment, the substrate 9 determined to be a convex substrate according to the measurement result of the warpage measurement unit 20 is transported to the second stage 45 described above. Then, in the second stage 45, the convex warp of the substrate 9 is corrected by the high-pressure gas. Therefore, the resist liquid can be applied to the upper surface of the substrate 9 whose warpage has been corrected.

<3. 제3 실시 형태><3. Third Embodiment>

계속해서, 본 발명의 제3 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 14는, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 일부분을 나타낸 평면도이다.Subsequently, a third embodiment of the present invention will be described. 14 is a plan view showing a part of the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment.

상술한 제1 실시 형태에서는, 도포부(40)에 있어서의 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 위치가 고정되어 있었다. 그리고, 반송 로봇(31)이, 제1 스테이지(41)의 위치와, 제2 스테이지(42)의 위치로, 기판(9)을 반송 가능했다.In the first embodiment described above, the positions of the first stage 41 and the second stage 42 in the coating unit 40 are fixed. And the transfer robot 31 was able to transfer the board|substrate 9 to the position of the 1st stage 41, and the position of the 2nd stage 42.

이에 대하여, 제3 실시 형태에서는, 제1 스테이지(41)와 제2 스테이지(42)가, 별체의 석재에 의하여 형성되어 있다. 그리고, 도 14에 나타내는 바와 같이, 도포부(40)가, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)를 개별적으로 이동시키는 스테이지 이동 기구(48)를 갖는다. 스테이지 이동 기구(48)는, 제어부(70)에 의하여 동작 제어된다. 스테이지 이동 기구(48)는, 기판(9)이 반송되는 처리 위치(P0)와, 제1 대기 위치(P1)의 사이에서, 제1 스테이지(41)를 이동시킬 수 있다. 또, 스테이지 이동 기구(48)는, 상기의 처리 위치(P0)와, 제2 대기 위치(P2)의 사이에서, 제2 스테이지(42)를 이동시킬 수 있다.In contrast, in the third embodiment, the first stage 41 and the second stage 42 are formed of separate stone materials. Then, as shown in FIG. 14 , the application unit 40 has a stage moving mechanism 48 that individually moves the first stage 41 and the second stage 42 . The operation of the stage moving mechanism 48 is controlled by the controller 70 . The stage moving mechanism 48 can move the first stage 41 between the processing position P0 where the substrate 9 is transported and the first standby position P1. Moreover, the stage moving mechanism 48 can move the 2nd stage 42 between the said processing position P0 and the 2nd standby position P2.

이 제3 실시 형태에서는, 휨 계측부(20)의 계측 결과에 따라, 스테이지 이동 기구(48)가, 제1 스테이지(41)와 제2 스테이지(42) 중 어느 한 쪽을, 선택적으로 처리 위치(P0)에 배치한다. 그리고, 반송 로봇(31)은, 처리 위치(P0)에 배치된 스테이지로, 기판(9)을 반송한다. 이와 같이 하면, 반송 로봇(31)에 의한 기판(9)의 반송처의 위치를 변경하는 일 없이, 기판(9)을 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)로, 선택적으로 반송할 수 있다.In this third embodiment, the stage moving mechanism 48 selectively moves either of the first stage 41 and the second stage 42 to a processing position ( P0) is placed. And the transfer robot 31 transfers the board|substrate 9 to the stage arrange|positioned at the processing position P0. In this way, the substrate 9 can be selectively transferred to the first stage 41 or the second stage 42 without changing the position of the transfer destination of the substrate 9 by the transfer robot 31. can

<4. 변형예><4. Variation>

이상, 제1 실시 형태~제3 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은, 상기의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.As mentioned above, although the 1st - 3rd embodiment was described, this invention is not limited to said embodiment.

상기의 실시 형태에서는, 휨 계측부(20)가, 3개의 레이저 변위계(22)를 갖고 있었다. 그러나, 휨 계측부(20)가 갖는 레이저 변위계(22)의 수는, 3개 이외여도 된다. 또, 휨 계측부(20)는, 레이저 변위계(22) 이외의 수단으로, 기판(9)의 휨의 상태를 계측해도 된다. 또, 상기의 실시 형태에서는, 기판(9)의 상면의 높이를 계측함으로써, 기판(9)의 휨의 상태를 계측하고 있었다. 그러나, 기판(9)의 하면의 높이를 계측함으로써, 기판(9)의 휨의 상태를 계측해도 된다.In the above embodiment, the warpage measuring unit 20 has three laser displacement meters 22 . However, the number of laser displacement gauges 22 included in the warpage measurement unit 20 may be other than three. In addition, the warpage measurement unit 20 may measure the state of warpage of the substrate 9 by a means other than the laser displacement meter 22 . Further, in the above embodiment, the warp state of the substrate 9 is measured by measuring the height of the upper surface of the substrate 9 . However, the warp state of the substrate 9 may be measured by measuring the height of the lower surface of the substrate 9 .

또, 상기의 예에서는, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)에, 흡착 검출부로서의 압력계(456)가 접속되어 있었다. 그러나, 제1 실시 형태의 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)에도, 동일한 압력계(456)가 접속되어 있어도 된다. 그리고, 당해 압력계(456)의 계측값에 의거하여, 제어부(70)가, 기판(9)의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하도록 해도 된다.In the above example, a pressure gauge 456 as an adsorption detection unit is connected to the second stage 45 of the second embodiment. However, the same pressure gauge 456 may also be connected to the first stage 41 and the second stage 42 of the first embodiment. Then, based on the measured value of the pressure gauge 456, the controller 70 may detect whether or not the suction to the lower surface of the substrate 9 is normally performed.

또, 상기의 실시 형태에서는, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42, 45)는, 기판(9)에 대하여 레지스트액을 도포하는 공정에, 사용되는 것이었다. 그러나, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42, 45)는, 기판(9)에 대하여 레지스트액 이외의 처리액을 도포하는 공정이나, 도포 이외의 처리를 행하는 공정에, 사용되는 것이어도 된다.In the above embodiment, the first stage 41 and the second stages 42 and 45 are used in the step of applying the resist liquid to the substrate 9 . However, the first stage 41 and the second stages 42 and 45 may be used in a process of applying a treatment liquid other than the resist liquid to the substrate 9 or a process of performing a process other than the application. do.

또, 상기의 실시 형태에서는, 반도체 패키지용 기판(9)에 대하여 처리를 행하는 장치에 대하여 설명했다. 그러나, 본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 포토마스크 등의 다른 기판에 대하여 처리를 행하는 것이어도 된다.In the above embodiment, the device for processing the substrate 9 for a semiconductor package has been described. However, the substrate processing apparatus and substrate processing method of the present invention may perform processing on other substrates such as semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, and photomasks.

또, 기판 처리 장치의 세부에 대해서는, 본원의 각 도면에 나타내어진 구성과, 상이해도 된다. 또, 상기의 실시 형태나 변형예에 등장한 각 요소를, 모순이 생기지 않는 범위에서, 적절히 조합해도 된다.Further, details of the substrate processing apparatus may be different from the configurations shown in each drawing of the present application. Moreover, you may combine each element which appeared in the said embodiment or modified example suitably within the range which does not generate a contradiction.

1 기판 처리 장치
9 기판
10 기판 수납부
20 계측부
21 계측 스테이지
22 레이저 변위계
23 위치 결정 기구
24 주사 기구
30 반송 기구
31 반송 로봇
40 도포부
41 제1 스테이지
42 제2 스테이지
43 슬릿 노즐
44 대기부
45 제2 스테이지
46 챔버
47 승강 기구
48 스테이지 이동 기구
50 감압 건조부
60 베이크부
70 제어부
212 지지 핀
231 에어 실린더
232 에어 실린더
233 에어 실린더
234 에어 실린더
411 리프트 핀
412 흡착 구멍
415 흡착 홈
416 클램퍼
421 리프트 핀
422 세로 구멍
423 흡인 파이프
424 흡착 패드
427 클램퍼
451 리프트 핀
452 흡착 구멍
455 흡착 홈
456 압력계
461 O링1 substrate processing unit
9 substrate
10 Board storage part
20 measurement part
21 instrumentation stages
22 Laser Displacement Gauge
23 positioning mechanism
24 injection apparatus
30 transport mechanism
31 Transfer robot
40 applicator
41 first stage
42 second stage
43 slit nozzle
44 Waiting Department
45 second stage
46 chamber
47 lifting mechanism
48 stage moving mechanism
50 Reduced pressure drying unit
60 bake part
70 Control
212 support pin
231 Air Cylinder
232 air cylinder
233 Air Cylinder
234 air cylinder
411 lift pin
412 adsorption hole
415 suction groove
416 clamper
421 lift pin
422 vertical hole
423 suction pipe
424 suction pad
427 clamper
451 lift pin
452 adsorption hole
455 suction groove
456 Manometer
461 o-ring

Claims (20)

기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서,
평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와,
평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와,
기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와,
상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구
를 구비한, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, comprising:
A first stage having a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves;
a second stage having a flat upper surface and a plurality of suction pads made of an elastic material, and adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction pads;
a warpage measuring unit for measuring a state of warpage of the substrate;
A conveying mechanism for conveying the substrate to the first stage or the second stage according to the measurement result of the warpage measurement unit.
A substrate processing apparatus having a. 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서,
평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와,
평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와,
상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치(載置)된 기판을 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 챔버와,
기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와,
상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구
를 구비한, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, comprising:
A first stage having a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves;
a second stage having a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves;
a chamber for covering a substrate placed on the upper surface of the second stage and supplying a high-pressure gas to a space formed between the chamber and the substrate;
a warpage measuring unit for measuring a state of warpage of the substrate;
A conveying mechanism for conveying the substrate to the first stage or the second stage according to the measurement result of the warpage measurement unit.
A substrate processing apparatus having a. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 휨 계측부는,
기판의 표면과의 거리를 계측하면서 기판의 표면을 따라 이동하는 레이저 변위계를 갖는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or claim 2,
The warpage measurement unit,
A substrate processing apparatus having a laser displacement meter that moves along the surface of a substrate while measuring a distance to the surface of the substrate. 청구항 3에 있어서,
상기 휨 계측부는, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동하는 복수의 상기 레이저 변위계를 갖는, 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the warpage measuring unit has a plurality of the laser displacement meters moving parallel to each other along the surface of the substrate. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 휨 계측부는,
계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정하는 위치 결정 기구를 갖는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or claim 2,
The warpage measurement unit,
A substrate processing apparatus having a positioning mechanism for positioning a substrate on a measurement stage. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고,
상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송하는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or claim 2,
According to the measurement result of the warpage measurement unit, when the substrate has a concave warp, the transport mechanism transports the substrate to the first stage;
According to the measurement result of the warpage measurement unit, when the substrate has a convex warp, the transport mechanism transports the substrate to the second stage. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 스테이지는,
기판의 주연부를 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 클램퍼를 갖는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or claim 2,
The first stage,
A substrate processing apparatus having a clamper for pressing a periphery of a substrate to an upper surface of the first stage. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 유지된 기판의 상면을 따라 이동하면서, 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 슬릿 노즐을 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or claim 2,
and a slit nozzle for discharging a processing liquid from a slit-shaped discharge port toward an upper surface of the substrate while moving along the upper surface of the substrate held on the first stage or the second stage. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 흡착 검출부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or claim 2,
In the first stage or the second stage, the substrate processing apparatus further includes an adsorption detection unit for detecting whether adsorption to the lower surface of the substrate is normally performed. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시키는 스테이지 이동 기구를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or claim 2,
The substrate processing apparatus further includes a stage moving mechanism for moving the first stage or the second stage to a transport destination of the substrate by the transport mechanism according to a measurement result of the warpage measurement unit. 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서,
a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과,
b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정
을 갖고,
상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고,
상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지인, 기판 처리 방법.A substrate processing method for performing a predetermined treatment on a substrate,
a) a step of measuring the warp state of the substrate;
b) a step of conveying the substrate to the first stage or the second stage according to the measurement result of step a)
have
The first stage is a stage having a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves;
The substrate processing method of claim 1 , wherein the second stage has a flat upper surface and a plurality of suction pads made of an elastic material, and sucks and holds the lower surface of the substrate by the plurality of suction pads. 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서,
a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과,
b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정
을 실행하고,
상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고,
상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고,
기판이 상기 제2 스테이지로 반송된 경우,
c) 상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치된 기판을 챔버로 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 공정
을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.A substrate processing method for performing a predetermined treatment on a substrate,
a) a step of measuring the warp state of the substrate;
b) a step of conveying the substrate to the first stage or the second stage according to the measurement result of step a)
run,
The first stage is a stage having a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves;
The second stage is a stage having a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves,
When the substrate is conveyed to the second stage,
c) a step of covering the substrate placed on the upper surface of the second stage with a chamber and supplying a high-pressure gas to a space formed between the substrate and the substrate;
A substrate processing method that further executes. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
상기 공정 a)에서는, 레이저 변위계에 의하여 기판의 표면과의 거리를 계측하면서, 상기 레이저 변위계를 기판의 표면을 따라 이동시키는, 기판 처리 방법.According to claim 11 or claim 12,
In the step a), the laser displacement meter is moved along the surface of the substrate while measuring the distance to the surface of the substrate by the laser displacement meter. 청구항 13에 있어서,
상기 공정 a)에서는, 복수의 상기 레이저 변위계를, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동시키는, 기판 처리 방법.The method of claim 13,
In the step a), a plurality of the laser displacement meters are moved parallel to each other along the surface of the substrate. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
상기 공정 a)에서는, 계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정하는, 기판 처리 방법.According to claim 11 or claim 12,
In step a), the substrate is positioned on the measurement stage. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고,
상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송하는, 기판 처리 방법.According to claim 11 or claim 12,
According to the measurement result in step a), when the substrate has a concave warp, in step b), the substrate is conveyed to the first stage;
According to the measurement result of the step a), when the substrate has a convex warp, in the step b), the substrate is conveyed to the second stage. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
기판이 상기 제1 스테이지로 반송된 경우,
d) 기판의 주연부를 클램퍼에 의하여 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.According to claim 11 or claim 12,
When the substrate is conveyed to the first stage,
d) further performing a step of pressing the periphery of the substrate to the upper surface of the first stage by means of a clamper. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
e) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 기판이 유지된 후, 기판의 상면을 따라 슬릿 노즐을 이동시키면서, 상기 슬릿 노즐이 갖는 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.According to claim 11 or claim 12,
e) a process of discharging a processing liquid from a slit-shaped discharge port of the slit nozzle toward the upper surface of the substrate while moving the slit nozzle along the upper surface of the substrate after the substrate is held on the first stage or the second stage; A substrate processing method that further executes. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
f) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.According to claim 11 or claim 12,
f) In the first stage or the second stage, a substrate processing method further performing a step of detecting whether adsorption to the lower surface of the substrate is normally performed. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
상기 공정 b)에서는, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시키는, 기판 처리 방법.According to claim 11 or claim 12,
In the step b), the first stage or the second stage is moved to a substrate transport destination according to the measurement result of the step a).
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