JP5933920B2 - Coating apparatus and coating method - Google Patents

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Description

本発明は、塗布装置及び塗布方法に関する。   The present invention relates to a coating apparatus and a coating method.

液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、ガラス基板上にレジスト膜を形成する工程、このレジスト膜をパターン露光する工程、その後に当該レジスト膜を現像する工程がそれぞれ行われる。   A fine pattern such as a wiring pattern or an electrode pattern is formed on a glass substrate constituting a display panel such as a liquid crystal display. In general, such a pattern is formed by a technique such as photolithography. In the photolithography method, a step of forming a resist film on a glass substrate, a step of pattern exposing the resist film, and a step of developing the resist film are performed.

基板の表面上にレジスト膜を塗布する装置として、スリットノズルを固定し、当該スリットノズルの下を移動するガラス基板にレジストを塗布する塗布装置が知られている。その中でも、基板を浮上させて移動させる塗布装置が知られている。浮上型の塗布装置としては、例えば基板の端部を保持して移動させる構成が知られている。基板上に厚さが均一になるようにレジストを塗布するためには、基板の被処理面とレジストを吐出するノズル先端との間の距離を一定に保つ必要がある。このため、基板を均一な浮上量で浮上させる必要があった。   As a device for applying a resist film on the surface of a substrate, a coating device for fixing a slit nozzle and applying a resist to a glass substrate that moves under the slit nozzle is known. Among these, a coating apparatus that floats and moves a substrate is known. As a floating type coating apparatus, for example, a configuration in which an end portion of a substrate is held and moved is known. In order to apply the resist so that the thickness is uniform on the substrate, it is necessary to keep the distance between the surface to be processed of the substrate and the tip of the nozzle for discharging the resist constant. For this reason, it has been necessary to float the substrate with a uniform flying height.

特開2007−88201号公報JP 2007-88201 A

しかしながら、基板のうち例えば端部は、保持力が働いたり、基板の大きさによる撓みが発生したりする場合があるため、当該基板の端部の浮上量が当該基板の他の部分の浮上量とは異なる場合があった。   However, for example, the end portion of the substrate may have a holding force or bend due to the size of the substrate, so that the floating amount of the end portion of the substrate is the floating amount of other portions of the substrate. There were cases where it was different.

以上のような事情に鑑み、本発明は、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能な塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。   In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a coating apparatus and a coating method capable of floating a substrate with a uniform flying height.

本発明に係る塗布装置は、所定領域に液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、前記所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送部と、少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整部とを備えることを特徴とする。   The coating apparatus according to the present invention includes a coating unit having a nozzle that discharges a liquid material to a predetermined region, a substrate transport unit that floats and transports the substrate so as to pass through the predetermined region, and at least the substrate in the predetermined region. And an adjustment unit that adjusts the flying height of the end portion in the direction orthogonal to the substrate transport direction.

このような構成によれば、ノズルから液状体が吐出される所定領域において、基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整部を有するため、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。   According to such a configuration, in the predetermined area where the liquid material is discharged from the nozzle, the adjustment unit that adjusts the flying height of the end portion of the substrate in the direction orthogonal to the substrate transport direction is provided. The flying height can be adjusted to be equal to the flying height of other portions. As a result, the substrate can be floated with a uniform flying height.

上記の塗布装置は、前記端部の浮上量を検出する検出部と、前記検出部の検出結果に基づいて前記調整部による調整量を制御する調整量制御部とを更に備えることを特徴とする。
このような構成によれば、端部の浮上量を検出し、検出結果に基づいて調整部による調整量を制御することができるため、基板の浮上量を精密に調整することができる。
The coating apparatus further includes a detection unit that detects the flying height of the end portion, and an adjustment amount control unit that controls an adjustment amount by the adjustment unit based on a detection result of the detection unit. .
According to such a configuration, it is possible to detect the flying height of the end portion and to control the adjustment amount by the adjusting unit based on the detection result, so that the flying height of the substrate can be precisely adjusted.

上記の塗布装置は、前記検出部は、前記ノズルに設けられていることを特徴とする。
このような構成によれば、検出部がノズルに設けられているため、ノズルを基準としたときの検出結果を得ることができる。これにより、基板に対する液状体の吐出位置での浮上量を精密に調整することができる。
In the coating apparatus, the detection unit is provided in the nozzle.
According to such a structure, since the detection part is provided in the nozzle, the detection result when the nozzle is used as a reference can be obtained. Thereby, the flying height at the discharge position of the liquid material with respect to the substrate can be precisely adjusted.

上記の塗布装置は、前記検出部は、前記端部に向けて配置されたセンサを有することを特徴とする。
このような構成によれば、端部に向けて配置されたセンサを用いることで、基板の浮上量を精密に検出することができる。
In the coating apparatus, the detection unit includes a sensor disposed toward the end.
According to such a configuration, the flying height of the substrate can be accurately detected by using the sensor arranged toward the end.

上記の塗布装置は、前記センサは、複数設けられ、複数の前記センサは、前記基板搬送方向に直交する方向の両方の前記端部に対応する位置に配置されていることを特徴とする。
このような構成によれば、複数のセンサが基板搬送方向に直交する方向の両方の端部に対応する位置に配置されているので、基板の浮上量を精密に検出することができる。
In the coating apparatus, a plurality of sensors are provided, and the plurality of sensors are arranged at positions corresponding to both the end portions in a direction orthogonal to the substrate transport direction.
According to such a configuration, since the plurality of sensors are arranged at positions corresponding to both ends in the direction orthogonal to the substrate transport direction, the flying height of the substrate can be accurately detected.

上記の塗布装置は、前記基板搬送部は、前記基板を搬送する搬送部を有し、前記搬送部は、前記端部の少なくとも一部を保持する基板保持部を有することを特徴とする。
このような構成によれば、基板保持部によって基板の端部の少なくとも一部を保持される場合であっても、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
In the coating apparatus, the substrate transport unit includes a transport unit that transports the substrate, and the transport unit includes a substrate holding unit that holds at least a part of the end portion.
According to such a configuration, even when at least a part of the end portion of the substrate is held by the substrate holding portion, the flying height of the end portion of the substrate is adjusted to be equal to the flying height of the other portion. can do. As a result, the substrate can be floated with a uniform flying height.

上記の塗布装置は、前記基板に気体を噴出する気体噴出部を更に備え、前記調整部は、前記端部への前記気体の噴出量を調整する噴出量調整部を有することを特徴とする。
このような構成によれば、調整部が、端部への気体の噴出量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
The coating apparatus may further include a gas ejection unit that ejects gas onto the substrate, and the adjustment unit includes an ejection amount adjustment unit that adjusts an ejection amount of the gas to the end portion.
According to such a structure, the adjustment part can adjust the flying height of the edge part of a board | substrate precisely by adjusting the ejection amount of the gas to an edge part.

上記の塗布装置は、前記基板搬送部上を吸引する吸引部を更に備え、前記調整部は、前記端部に対応する部分の吸引量を調整する吸引量調整部を有することを特徴とする。
このような構成によれば、調整部が、端部に対応する部分の吸引量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
The coating apparatus further includes a suction unit that suctions the substrate transport unit, and the adjustment unit includes a suction amount adjustment unit that adjusts a suction amount of a portion corresponding to the end portion.
According to such a configuration, the adjustment unit can precisely adjust the flying height of the end portion of the substrate by adjusting the suction amount of the portion corresponding to the end portion.

本発明に係る塗布方法は、所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送ステップと、前記所定領域を通過する前記基板に液状体を吐出する塗布ステップと、少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整ステップとを含むことを特徴とする。   In the coating method according to the present invention, a substrate transport step for floating and transporting a substrate so as to pass through a predetermined region, a coating step for discharging a liquid material onto the substrate passing through the predetermined region, and at least the predetermined region And an adjusting step for adjusting a flying height of an end portion of the substrate in a direction orthogonal to the substrate transport direction.

このような構成によれば、ノズルから液状体が吐出される所定領域において、基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量が調整されるので、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整されることになる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。   According to such a configuration, the floating amount at the end of the substrate in the direction orthogonal to the substrate transport direction is adjusted in a predetermined region where the liquid material is discharged from the nozzle. It is adjusted to be equal to the flying height of the other part. As a result, the substrate can be floated with a uniform flying height.

上記の塗布方法は、前記端部の浮上量を検出する検出ステップと、前記検出ステップでの検出結果に基づいて前記調整ステップにおける調整量を制御する調整量制御ステップとを更に含むことを特徴とする。
このような構成によれば、端部の浮上量を検出し、検出結果に基づいて調整部による調整量を制御することができるため、基板の浮上量を精密に調整することができる。
The application method further includes a detection step of detecting the flying height of the end portion, and an adjustment amount control step of controlling the adjustment amount in the adjustment step based on a detection result in the detection step. To do.
According to such a configuration, it is possible to detect the flying height of the end portion and to control the adjustment amount by the adjusting unit based on the detection result, so that the flying height of the substrate can be precisely adjusted.

上記の塗布方法は、前記基板搬送ステップでは、前記端部の少なくとも一部を保持しつつ前記基板を搬送することを特徴とする。
このような構成によれば、基板の端部の少なくとも一部を保持される場合であっても、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
In the substrate transporting step, the substrate is transported while holding at least a part of the end portion.
According to such a configuration, even when at least a part of the end portion of the substrate is held, the flying height of the end portion of the substrate can be adjusted to be equal to the flying height of the other portion. . As a result, the substrate can be floated with a uniform flying height.

上記の塗布方法は、前記基板に気体を噴出する気体噴出ステップを更に含み、前記調整ステップは、前記端部への前記気体の噴出量を調整することを含むことを特徴とする。
このような構成によれば、端部への気体の噴出量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
The coating method further includes a gas ejection step of ejecting a gas to the substrate, and the adjusting step includes adjusting the amount of the gas ejected to the end portion.
According to such a structure, the flying height of the edge part of a board | substrate can be adjusted precisely by adjusting the amount of gas ejection to an edge part.

上記の塗布方法は、前記基板搬送部上を吸引する吸引ステップを更に含み、前記調整ステップは、前記端部に対応する部分の吸引量を調整することを含むことを特徴とする。
このような構成によれば、端部に対応する部分の吸引量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
The application method further includes a suction step of sucking the substrate transport unit, and the adjusting step includes adjusting a suction amount of a portion corresponding to the end portion.
According to such a configuration, the flying height of the end portion of the substrate can be precisely adjusted by adjusting the suction amount of the portion corresponding to the end portion.

本発明によれば、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。   According to the present invention, it is possible to float a substrate with a uniform flying height.

本実施形態に係る塗布装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the coating device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る塗布装置の構成を示す正面図である。It is a front view which shows the structure of the coating device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る塗布装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the coating device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る塗布装置の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the coating device which concerns on this embodiment. 搬送機の要部構成を示す図である。It is a figure which shows the principal part structure of a conveying machine. 本実施形態に係る塗布装置の処理ステージの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the process stage of the coating device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る塗布装置の処理ステージの一部の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a part of process stage of the coating device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る塗布装置の動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the coating device which concerns on this embodiment. 同、動作図である。FIG. 同、動作図である。FIG. 同、動作図である。FIG. 同、動作図である。FIG. 同、動作図である。FIG. 変形例に係る搬送機構の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conveyance mechanism which concerns on a modification. 変形例に係る搬送機構の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conveyance mechanism which concerns on a modification.

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図1は本実施形態に係る塗布装置1の斜視図である。
図1に示すように、本実施形態に係る塗布装置1は、例えば液晶パネルなどに用いられるガラス基板上にレジストを塗布する塗布装置であり、基板搬送部(基板搬送系)2と、塗布部(塗布系)3と、管理部4と、制御装置CONTとを主要な構成要素としている。この塗布装置1は、基板搬送部(基板搬送系)2によって基板を浮上させて搬送しつつ塗布部(塗布系)3によって当該基板上にレジストが塗布されるようになっており、管理部4によって塗布部3の状態が管理されるようになっている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a perspective view of a coating apparatus 1 according to this embodiment.
As shown in FIG. 1, a coating apparatus 1 according to the present embodiment is a coating apparatus that coats a resist on a glass substrate used for a liquid crystal panel, for example, and includes a substrate transport unit (substrate transport system) 2 and a coating unit. The (coating system) 3, the management unit 4, and the control device CONT are the main components. The coating apparatus 1 is configured such that a resist is applied onto a substrate by a coating unit (coating system) 3 while the substrate is floated and transported by a substrate transport unit (substrate transport system) 2. Thus, the state of the application unit 3 is managed.

図2は塗布装置1の正面図、図3は塗布装置1の平面図、図4は塗布装置1の側面図である。これらの図を参照して、塗布装置1の詳細な構成を説明する。   2 is a front view of the coating apparatus 1, FIG. 3 is a plan view of the coating apparatus 1, and FIG. The detailed configuration of the coating apparatus 1 will be described with reference to these drawings.

(基板搬送部)
まず、基板搬送部2の構成を説明する。
基板搬送部2は、基板搬入領域20と、塗布処理領域21と、基板搬出領域22と、搬送機構23と、これらを支持するフレーム部24とを有している。この基板搬送部2では、搬送機構23によって基板Sが基板搬入領域20、塗布処理領域21及び基板搬出領域22へと順に搬送されるようになっている。基板搬入領域20、塗布処理領域21及び基板搬出領域22は、基板搬送方向の上流側から下流側へこの順で配列されている。搬送機構23は、基板搬入領域20、塗布処理領域21及び基板搬出領域22の各部に跨るように当該各部の一側方に設けられている。
(Substrate transport section)
First, the structure of the board | substrate conveyance part 2 is demonstrated.
The substrate transport unit 2 includes a substrate carry-in region 20, a coating processing region 21, a substrate carry-out region 22, a transport mechanism 23, and a frame unit 24 that supports them. In the substrate transport unit 2, the transport mechanism 23 transports the substrate S sequentially to the substrate carry-in area 20, the coating processing area 21, and the substrate carry-out area 22. The substrate carry-in area 20, the coating treatment area 21, and the substrate carry-out area 22 are arranged in this order from the upstream side to the downstream side in the substrate carrying direction. The transport mechanism 23 is provided on one side of each part so as to straddle each part of the substrate carry-in area 20, the coating treatment area 21, and the substrate carry-out area 22.

以下、塗布装置1の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、XYZ座標系を用いて図中の方向を説明する。基板搬送部2の長手方向であって基板の搬送方向をX方向と表記する。平面視でX方向(基板搬送方向)に直交する方向をY方向と表記する。X方向軸及びY方向軸を含む平面に垂直な方向をZ方向と表記する。なお、X方向、Y方向及びZ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が+方向、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとする。   Hereinafter, in describing the configuration of the coating apparatus 1, for simplicity of description, directions in the figure will be described using an XYZ coordinate system. The substrate transport direction is the longitudinal direction of the substrate transport unit 2 and the substrate transport direction is referred to as the X direction. A direction orthogonal to the X direction (substrate transport direction) in plan view is referred to as a Y direction. A direction perpendicular to the plane including the X direction axis and the Y direction axis is referred to as a Z direction. In each of the X direction, the Y direction, and the Z direction, the arrow direction in the figure is the + direction, and the direction opposite to the arrow direction is the-direction.

基板搬入領域20は、装置外部から搬送されてきた基板Sを搬入する部位であり、搬入側ステージ25と、リフト機構26とを有している。
搬入側ステージ25は、フレーム部24の上部に設けられており、例えばSUSなどからなる平面視で矩形の板状部材である。この搬入側ステージ25は、X方向が長手になっている。搬入側ステージ25には、エア噴出口25aと、昇降ピン出没孔25bとがそれぞれ複数設けられている。これらエア噴出口25a及び昇降ピン出没孔25bは、搬入側ステージ25を貫通するように設けられている。
The substrate carry-in area 20 is a portion for carrying the substrate S carried from the outside of the apparatus, and has a carry-in stage 25 and a lift mechanism 26.
The carry-in stage 25 is provided on the upper portion of the frame portion 24, and is a rectangular plate-like member made of, for example, SUS or the like in plan view. The carry-in stage 25 has a long X direction. The carry-in stage 25 is provided with a plurality of air outlets 25a and a plurality of elevating / lowering pins 25b. The air outlet 25a and the lifting pin retracting hole 25b are provided so as to penetrate the carry-in stage 25.

エア噴出口25aは、搬入側ステージ25のステージ表面(搬送面)25c上にエアを噴出する孔であり、例えば搬入側ステージ25のうち基板Sの通過する領域に平面視マトリクス状に配置されている。このエア噴出口25aには図示しないエア供給源が接続されている。この搬入側ステージ25では、エア噴出口25aから噴出されるエアによって基板Sを+Z方向に浮上させることができるようになっている。   The air ejection port 25a is a hole through which air is ejected onto the stage surface (conveying surface) 25c of the carry-in side stage 25. For example, the air jet port 25a is arranged in a matrix in a plan view in the region through which the substrate S passes in the carry-in stage 25. Yes. An air supply source (not shown) is connected to the air outlet 25a. In the carry-in stage 25, the substrate S can be floated in the + Z direction by the air ejected from the air ejection port 25a.

昇降ピン出没孔25bは、搬入側ステージ25のうち基板Sの搬入される領域に設けられている。当該昇降ピン出没孔25bは、ステージ表面25cに供給されたエアが漏れ出さない構成になっている。   The elevating pin retracting hole 25b is provided in an area of the loading side stage 25 where the substrate S is loaded. The elevating pin retracting hole 25b is configured such that air supplied to the stage surface 25c does not leak out.

この搬入側ステージ25のうちY方向の両端部には、アライメント装置25dが1つずつ設けられている。アライメント装置25dは、搬入側ステージ25に搬入された基板Sの位置を合わせる装置である。各アライメント装置25dは長孔と当該長孔内に設けられた位置合わせ部材を有しており、搬入側ステージ25に搬入される基板を両側から機械的に挟持するようになっている。   One alignment device 25d is provided at each end of the carry-in stage 25 in the Y direction. The alignment device 25d is a device that aligns the position of the substrate S carried into the carry-in stage 25. Each alignment device 25d has a long hole and an alignment member provided in the long hole, and mechanically holds the substrate loaded into the loading side stage 25 from both sides.

リフト機構26は、搬入側ステージ25の基板搬入位置の裏面側に設けられている。このリフト機構26は、昇降部材26aと、複数の昇降ピン26bとを有している。昇降部材26aは、図示しない駆動機構に接続されており、当該駆動機構の駆動によって昇降部材26aがZ方向に移動するようになっている。複数の昇降ピン26bは、昇降部材26aの上面から搬入側ステージ25へ向けて立設されている。各昇降ピン26bは、それぞれ上記の昇降ピン出没孔25bに平面視で重なる位置に配置されている。昇降部材26aがZ方向に移動することで、各昇降ピン26bが昇降ピン出没孔25bからステージ表面25c上に出没するようになっている。各昇降ピン26bの+Z方向の端部はそれぞれZ方向上の位置が揃うように設けられており、装置外部から搬送されてきた基板Sを水平な状態で保持することができるようになっている。   The lift mechanism 26 is provided on the back side of the substrate loading position of the loading stage 25. The lift mechanism 26 includes an elevating member 26a and a plurality of elevating pins 26b. The elevating member 26a is connected to a driving mechanism (not shown), and the elevating member 26a is moved in the Z direction by driving the driving mechanism. The plurality of elevating pins 26b are erected from the upper surface of the elevating member 26a toward the carry-in stage 25. Each raising / lowering pin 26b is arrange | positioned in the position which overlaps with said raising / lowering pin retracting hole 25b, respectively by planar view. As the elevating member 26a moves in the Z direction, each elevating pin 26b appears and disappears on the stage surface 25c from the elevating pin appearing hole 25b. Ends in the + Z direction of the lift pins 26b are provided so that their positions in the Z direction are aligned, so that the substrate S transported from the outside of the apparatus can be held in a horizontal state. .

塗布処理領域21は、レジストの塗布が行われる部位であり、基板Sを浮上支持する処理ステージ27が設けられている。   The coating processing region 21 is a portion where resist coating is performed, and a processing stage 27 that floats and supports the substrate S is provided.

処理ステージ27は、ステージ表面(搬送面)27cが例えば硬質アルマイトを主成分とする光吸収材料で覆われた平面視で矩形の板状部材であり、搬入側ステージ25に対して+X方向側に設けられている。処理ステージ27のうち光吸収材料で覆われた部分では、レーザ光などの光の反射が抑制されるようになっている。この処理ステージ27は、Y方向が長手になっている。処理ステージ27のY方向の寸法は、搬入側ステージ25のY方向の寸法とほぼ同一になっている。処理ステージ27には、ステージ表面27c上にエアを噴出する複数のエア噴出口27aと、ステージ表面27c上のエアを吸引する複数のエア吸引口27bとが設けられている。これらエア噴出口27a及びエア吸引口27bは、処理ステージ27を貫通するように設けられている。また、処理ステージ27の内部には、エア噴出口27a及びエア吸引口27bを通過する気体の圧力に抵抗を与えるための図示しない溝が複数設けられている。この複数の溝は、ステージ内部においてエア噴出口27a及びエア吸引口27bに接続されている。   The processing stage 27 is a rectangular plate-like member in plan view in which the stage surface (conveying surface) 27c is covered with a light-absorbing material mainly composed of hard alumite, for example, on the + X direction side with respect to the loading-side stage 25. Is provided. In the portion of the processing stage 27 covered with the light absorbing material, reflection of light such as laser light is suppressed. The processing stage 27 has a longitudinal Y direction. The dimension of the processing stage 27 in the Y direction is substantially the same as the dimension of the loading stage 25 in the Y direction. The processing stage 27 is provided with a plurality of air ejection ports 27a for ejecting air onto the stage surface 27c and a plurality of air suction ports 27b for sucking air on the stage surface 27c. The air ejection port 27 a and the air suction port 27 b are provided so as to penetrate the processing stage 27. In addition, a plurality of grooves (not shown) are provided inside the processing stage 27 for imparting resistance to the pressure of the gas passing through the air ejection port 27a and the air suction port 27b. The plurality of grooves are connected to the air outlet 27a and the air suction port 27b inside the stage.

処理ステージ27では、エア噴出口27aのピッチが搬入側ステージ25に設けられるエア噴出口25aのピッチよりも狭く、搬入側ステージ25に比べてエア噴出口27aが密に設けられている。また、処理ステージ27においては、エア噴出口27aとともにエア吸引口27bが密に設けられている。これにより、この処理ステージ27では他のステージに比べて基板の浮上量を高精度で調節できるようになっており、基板の浮上量が例えば100μm以下、好ましくは50μm以下となるように制御することが可能になっている。処理ステージ27には、ステージ表面27cと基板Sとの間の距離を検出可能な検出部MSが設けられている。   In the processing stage 27, the pitch of the air jets 27 a is narrower than the pitch of the air jets 25 a provided in the carry-in stage 25, and the air jets 27 a are provided more densely than the carry-in stage 25. In the processing stage 27, the air suction ports 27b are densely provided together with the air ejection ports 27a. As a result, in this processing stage 27, the flying height of the substrate can be adjusted with higher accuracy than in the other stages, and the flying height of the substrate is controlled to be, for example, 100 μm or less, preferably 50 μm or less. Is possible. The processing stage 27 is provided with a detection unit MS that can detect the distance between the stage surface 27c and the substrate S.

基板搬出領域22は、レジストが塗布された基板Sを装置外部へ搬出する部位であり、搬出側ステージ28と、リフト機構29とを有している。この搬出側ステージ28は、処理ステージ27に対して+X方向側に設けられており、基板搬入領域20に設けられた搬入側ステージ25とほぼ同様の材質、寸法から構成されている。搬出側ステージ28には、搬入側ステージ25と同様、エア噴出口28a及び昇降ピン出没孔28bが設けられている。リフト機構29は、搬出側ステージ28の基板搬出位置の裏面側に設けられており、例えばフレーム部24に支持されている。リフト機構29の昇降部材29a及び昇降ピン29bは、基板搬入領域20に設けられたリフト機構26の各部位と同様の構成になっている。このリフト機構29は、搬出側ステージ28上の基板Sを外部装置へと搬出する際に、基板Sの受け渡しのため昇降ピン29bによって基板Sを持ち上げることができるようになっている。   The substrate carry-out area 22 is a part where the substrate S coated with resist is carried out of the apparatus, and includes a carry-out stage 28 and a lift mechanism 29. The carry-out stage 28 is provided on the + X direction side with respect to the processing stage 27, and is composed of substantially the same material and dimensions as the carry-in stage 25 provided in the substrate carry-in region 20. As with the carry-in stage 25, the carry-out stage 28 is provided with an air jet outlet 28 a and a lift pin retracting hole 28 b. The lift mechanism 29 is provided on the back side of the substrate carry-out position of the carry-out stage 28 and is supported by the frame unit 24, for example. The lift member 29 a and the lift pin 29 b of the lift mechanism 29 have the same configuration as each part of the lift mechanism 26 provided in the substrate carry-in area 20. The lift mechanism 29 can lift the substrate S by lift pins 29b for transferring the substrate S when the substrate S on the unloading stage 28 is unloaded to an external device.

搬送機構23は、図4に示すように、第一搬送機構60と、第二搬送機構61とを備えている。なお、図3においては、第一搬送機構60が基板Sを保持した状態を示し、第一搬送機構60の下方に配置されている第二搬送機構61の図示を省略している。   As shown in FIG. 4, the transport mechanism 23 includes a first transport mechanism 60 and a second transport mechanism 61. 3 shows a state where the first transport mechanism 60 holds the substrate S, and the second transport mechanism 61 disposed below the first transport mechanism 60 is not shown.

第一搬送機構60は、搬送機(保持部)60aと、真空パッド(吸着部)60bと、レール60cと、搬送機60aを基板Sの搬送面と平行な面上を移動可能とする移動機構(進退機構)63とを有している。また、第二搬送機構61は、搬送機(保持部)61aと、真空パッド(吸着部)61bと、レール61cと、搬送機61aを昇降(上下動作)可能とする昇降機構(進退機構)62とを有している。レール60c,61cは、搬入側ステージ25、処理ステージ27及び搬出側ステージ28の側方に各ステージに跨って延在している。   The first transport mechanism 60 includes a transporter (holding unit) 60a, a vacuum pad (suction unit) 60b, a rail 60c, and a moving mechanism that allows the transporter 60a to move on a surface parallel to the transport surface of the substrate S. (Advance / retreat mechanism) 63. The second transport mechanism 61 includes a transporter (holding unit) 61a, a vacuum pad (suction unit) 61b, a rail 61c, and an elevating mechanism (advancing / retracting mechanism) 62 that allows the transporter 61a to move up and down (up and down operation). And have. The rails 60c and 61c extend across the stages on the side of the carry-in stage 25, the processing stage 27, and the carry-out stage 28.

搬送機60a,61aは、内部に例えばリニアモータが設けられた構成になっており、当該リニアモータが駆動することによって搬送機60a,61aがレール60c,61c上を移動することで各ステージに沿って移動できるようになっている。すなわち、搬送機60a,61aは、基板Sを保持する保持部としての機能と、該保持部を駆動する駆動部としての機能とを備えたものとなっている。搬送機60a,61aは、所定の部分60d、61dが平面視で基板Sの−Y方向端部に重なるようになっている。この基板Sに重なる部分60d、61dは、基板Sを浮上させたときの基板裏面の高さ位置よりも低い位置に配置されるようになっている。   The conveyors 60a and 61a have a configuration in which, for example, a linear motor is provided therein. When the linear motor is driven, the conveyors 60a and 61a move on the rails 60c and 61c along the respective stages. Can move. In other words, the transporters 60a and 61a have a function as a holding unit that holds the substrate S and a function as a driving unit that drives the holding unit. The transporters 60a and 61a are configured such that predetermined portions 60d and 61d overlap with the −Y direction end of the substrate S in plan view. The portions 60d and 61d overlapping the substrate S are arranged at a position lower than the height position of the back surface of the substrate when the substrate S is levitated.

第二搬送機構61は、図4に示すように第一搬送機構60と比べて、フレーム部24の階段状の段差部24aの下段に配置されている。また、平面的に視ると、第二搬送機構61は、第一搬送機構60に対してステージ側に配置されている。   As shown in FIG. 4, the second transport mechanism 61 is disposed at the lower stage of the stepped step portion 24 a of the frame portion 24 compared to the first transport mechanism 60. Further, when viewed in plan, the second transport mechanism 61 is arranged on the stage side with respect to the first transport mechanism 60.

図4に示されるように、第二搬送機構61は、上記昇降機構62により搬送機61aを上昇させることで基板Sにアクセス可能(進退可能)となっている。一方、第一搬送機構60は、上記移動機構63により搬送機60aを基板Sの搬送面と平行な面上で水平移動させることで基板Sにアクセス可能(進退可能)となっている。第一搬送機構60の搬送機60aと第二搬送機構61の搬送機61aとは、それぞれ独立して移動可能となっている。   As shown in FIG. 4, the second transport mechanism 61 is accessible (can be advanced and retracted) by raising the transport device 61 a by the lifting mechanism 62. On the other hand, the first transfer mechanism 60 can access (retract) the substrate S by horizontally moving the transfer device 60 a on a plane parallel to the transfer surface of the substrate S by the moving mechanism 63. The transport device 60a of the first transport mechanism 60 and the transport device 61a of the second transport mechanism 61 can be moved independently of each other.

また、例えば、第一搬送機構60が基板Sを保持している場合、基板Sを保持していない第二搬送機構61の搬送機61aは、昇降機構62が下降することによって下方に待機し、第一搬送機構60(搬送機60a)の搬送経路から退避している。また、第二搬送機構61が基板Sを保持している場合、基板Sを保持していない第一搬送機構60の搬送機60aは、移動機構63によって−Y方向に移動し、第二搬送機構61(搬送機61a)の搬送経路から退避している。   Further, for example, when the first transport mechanism 60 holds the substrate S, the transport device 61a of the second transport mechanism 61 that does not hold the substrate S waits downward when the elevating mechanism 62 is lowered. The first transfer mechanism 60 (the transfer device 60a) is retracted from the transfer path. When the second transport mechanism 61 holds the substrate S, the transport device 60a of the first transport mechanism 60 that does not hold the substrate S moves in the −Y direction by the moving mechanism 63, and the second transport mechanism 61 (conveyor 61a) is retracted from the conveyance path.

図3に示すように、真空パッド60bは、搬送機60aのうち上記基板Sに重なる部分60dに基板Sの搬送方向に沿って複数(本実施形態では3個)配置されている。この真空パッド60bは、基板Sを真空吸着するための吸着面を有しており、当該吸着面が上方を向くように配置されている。真空パッド60bは、吸着面が基板Sの裏面端部を吸着することで当該基板Sを保持可能になっている。これら真空パッド60bは、基板Sの搬送方向前方側の端部から250mm以内を保持するのが好ましく、80mm以内とするのが望ましい。具体的に本実施形態では、搬送機60aは、基板Sの搬送方向前方の端部から真空パッド60bまでの距離Wが80mm以内となるように基板Sを保持している。これにより搬送機60aにより基板Sが均一に保持されて、基板端部が垂れ下がることが防止され、基板Sを均一に浮上させた状態で搬送することができる。したがって、基板S上に塗布されるレジストを乾燥固化させた膜にムラが生じるのを防止している。   As shown in FIG. 3, a plurality of (three in this embodiment) vacuum pads 60b are arranged along the transport direction of the substrate S in the portion 60d overlapping the substrate S of the transport device 60a. The vacuum pad 60b has a suction surface for vacuum-sucking the substrate S, and is arranged so that the suction surface faces upward. The vacuum pad 60b can hold the substrate S when the suction surface sucks the back surface end of the substrate S. These vacuum pads 60b are preferably held within 250 mm from the front end of the substrate S in the transport direction, and preferably within 80 mm. Specifically, in the present embodiment, the transporter 60a holds the substrate S such that the distance W from the front end of the substrate S in the transport direction to the vacuum pad 60b is within 80 mm. As a result, the substrate S is uniformly held by the transfer device 60a, and the end portion of the substrate is prevented from sagging, so that the substrate S can be transferred in a state of being uniformly lifted. Therefore, unevenness is prevented from occurring in the film obtained by drying and solidifying the resist applied on the substrate S.

なお、第二搬送機構61における搬送機61aの構造は、図3では図示されていないものの、上記搬送機60aと同一構成を有している。すなわち、搬送機61aにおける真空パッド61bは、上記基板Sに重なる部分に基板Sの搬送方向に沿って3個配置されている。   In addition, although the structure of the conveyance machine 61a in the 2nd conveyance mechanism 61 is not illustrated in FIG. 3, it has the same structure as the said conveyance machine 60a. That is, three vacuum pads 61b in the transport device 61a are arranged along the transport direction of the substrate S in a portion overlapping the substrate S.

ここで、搬送機60a、61aの要部構成について説明する。なお、上述のように搬送機60a、61aはそれぞれ同一構成を有するものであることから、本説明では搬送機60aを例に挙げ、その構成について図5を参照しつつ説明する。なお、図5(a)は搬送機60aの要部の平面構成を示す図であり、図5(b)は搬送機60aの要部の断面構成を示す図である。   Here, the configuration of the main parts of the transporters 60a and 61a will be described. Since the transporters 60a and 61a have the same configuration as described above, the transporter 60a is taken as an example in this description, and the configuration will be described with reference to FIG. 5A is a diagram illustrating a plan configuration of a main part of the transporting device 60a, and FIG. 5B is a diagram illustrating a cross-sectional configuration of a main part of the transporting device 60a.

図5(a)に示されるように、搬送機60aに設けられる真空パッド60bは、基板Sとの接触部が平面視略長円状となっている。そして、真空パッド60bの内部には不図示の真空ポンプ等に接続される排気孔65が設けられている。真空パッド60bは、この排気孔65を介して真空パッド60bと基板Sとの間に生じる密閉空間を排気することで基板Sを真空吸着することが可能となっている。   As shown in FIG. 5A, the vacuum pad 60b provided in the transporter 60a has a substantially oval shape in a plan view in contact with the substrate S. An exhaust hole 65 connected to a vacuum pump (not shown) or the like is provided inside the vacuum pad 60b. The vacuum pad 60b can vacuum-suck the substrate S by exhausting the sealed space formed between the vacuum pad 60b and the substrate S through the exhaust hole 65.

また、図5(b)に示すように、搬送機60a上に設けられた真空パッド60bの側方には、搬送中の基板Sの位置を規制するストッパー部材(位置規制部材)66を備えている。このストッパー部材66は、基板Sの側面S1に対向するとともに、基板Sの下面側に対向する凸部66aを備えている。この凸部66aは、基板Sの下方への撓みを規制するストッパーとして機能する。凸部66aは、図5(a)に示されるように、真空パッド60bの外周部を枠状に囲んだ状態に設けられている。凸部66aの上面は、搬入側ステージ25の上面に対して−30〜+30μmの範囲に設定するのが好ましく、−20μm近傍に設定するのが望ましい。また、凸部66aと真空パッド60bとの位置関係は、真空パッド60bを0〜1mm程度上方に設定するのが好ましい。   Further, as shown in FIG. 5B, a stopper member (position regulating member) 66 for regulating the position of the substrate S being transported is provided on the side of the vacuum pad 60b provided on the transport machine 60a. Yes. The stopper member 66 includes a convex portion 66a that faces the side surface S1 of the substrate S and faces the lower surface side of the substrate S. The convex portion 66a functions as a stopper that restricts downward bending of the substrate S. As shown in FIG. 5A, the convex portion 66a is provided in a state of surrounding the outer peripheral portion of the vacuum pad 60b in a frame shape. The upper surface of the convex portion 66a is preferably set in the range of −30 to +30 μm with respect to the upper surface of the carry-in stage 25, and is preferably set in the vicinity of −20 μm. The positional relationship between the convex portion 66a and the vacuum pad 60b is preferably set so that the vacuum pad 60b is about 0 to 1 mm upward.

なお、隣接する真空パッド60bの間に凸部66aが配置される構成、すなわち各真空パッド60bの四方を凸部66aが囲むようにしてもよい。   In addition, you may make it the structure where the convex part 66a is arrange | positioned between the adjacent vacuum pads 60b, ie, the convex part 66a surrounds the four sides of each vacuum pad 60b.

本実施形態に係る真空パッド60bは、基板Sに対して変位可能となっている。具体的な本実施形態では、真空パッド60bが蛇腹構造からなる蛇腹部67を有している。これにより、例えば基板Sの端部に撓みが生じることで基板Sの高さに変動が生じた場合でも、真空パッド60bが基板Sの動きに追従することで当該基板Sに対する吸着を確実に保持することができる。また、真空パッド60bは、ステージ上における基板Sの浮上量を変化させた場合でも、蛇腹部67が変位することで基板Sを良好に吸着することができるようになっている。   The vacuum pad 60b according to the present embodiment can be displaced with respect to the substrate S. In the specific embodiment, the vacuum pad 60b has a bellows portion 67 having a bellows structure. Thereby, for example, even when the height of the substrate S fluctuates due to bending at the end of the substrate S, the vacuum pad 60b follows the movement of the substrate S to reliably hold the suction to the substrate S. can do. Further, the vacuum pad 60b can adsorb the substrate S satisfactorily by the displacement of the bellows portion 67 even when the flying height of the substrate S on the stage is changed.

(塗布部)
次に、塗布部3の構成を説明する。
塗布部3は、基板S上にレジストを塗布する部分であり、門型フレーム31と、ノズル32とを有している。
(Applying part)
Next, the configuration of the application unit 3 will be described.
The application unit 3 is a part for applying a resist on the substrate S, and includes a portal frame 31 and a nozzle 32.

門型フレーム31は、支柱部材31aと、架橋部材31bとを有しており、処理ステージ27をY方向に跨ぐように設けられている。支柱部材31aは処理ステージ27のY方向側に1つずつ設けられており、各支柱部材31aがフレーム部24のY方向側の両側面にそれぞれ支持されている。各支柱部材31aは、上端部の高さ位置が揃うように設けられている。架橋部材31bは、各支柱部材31aの上端部の間に架橋されており、当該支柱部材31aに対して昇降可能となっている。   The portal frame 31 includes a support member 31a and a bridging member 31b, and is provided so as to straddle the processing stage 27 in the Y direction. One support member 31 a is provided on the Y direction side of the processing stage 27, and each support member 31 a is supported on both side surfaces of the frame portion 24 on the Y direction side. Each strut member 31a is provided so that the height positions of the upper end portions are aligned. The bridging member 31b is bridged between the upper end portions of the respective column members 31a, and can be moved up and down with respect to the column members 31a.

この門型フレーム31は移動機構31cに接続されており、X方向に移動可能になっている。この移動機構31cによって門型フレーム31が管理部4との間で移動可能になっている。すなわち、門型フレーム31に設けられたノズル32が管理部4との間で移動可能になっている。また、この門型フレーム31は、図示しない移動機構によりZ方向にも移動可能になっている。   The portal frame 31 is connected to a moving mechanism 31c and is movable in the X direction. The portal frame 31 is movable between the management unit 4 by the moving mechanism 31c. That is, the nozzle 32 provided in the portal frame 31 can move between the management unit 4. Further, the portal frame 31 can be moved in the Z direction by a moving mechanism (not shown).

ノズル32は、一方向が長手の長尺状に構成されており、門型フレーム31の架橋部材31bの−Z方向側の面に設けられている。このノズル32のうち−Z方向の先端32cには、自身の長手方向に沿ってスリット状の開口部32aが設けられており、当該開口部32aからレジストが吐出されるようになっている。ノズル32は、開口部32aの長手方向がY方向に平行になると共に、当該開口部32aが処理ステージ27に対向するように配置されている。開口部32aの長手方向の寸法は搬送される基板SのY方向の寸法よりも小さくなっており、基板Sの周辺領域にレジストが塗布されないようになっている。ノズル32の内部にはレジストを開口部32aに流通させる図示しない流通路が設けられており、この流通路には図示しないレジスト供給源が接続されている。このレジスト供給源は例えば図示しないポンプを有しており、当該ポンプでレジストを開口部32aへと押し出すことで開口部32aからレジストが吐出されるようになっている。支柱部材31aには不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によって架橋部材31bに保持されたノズル32がZ方向に移動可能になっている。ノズル32には不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によってノズル32が架橋部材31bに対してZ方向に移動可能になっている。   The nozzle 32 is formed in a long and long shape in one direction, and is provided on the surface on the −Z direction side of the bridging member 31 b of the portal frame 31. A slit-like opening 32 a is provided along the longitudinal direction of the nozzle 32 at the tip 32 c in the −Z direction, and a resist is discharged from the opening 32 a. The nozzle 32 is disposed so that the longitudinal direction of the opening 32 a is parallel to the Y direction and the opening 32 a faces the processing stage 27. The dimension in the longitudinal direction of the opening 32a is smaller than the dimension in the Y direction of the substrate S to be transported, so that the resist is not applied to the peripheral region of the substrate S. A flow passage (not shown) through which the resist flows through the opening 32a is provided inside the nozzle 32, and a resist supply source (not shown) is connected to the flow passage. The resist supply source has a pump (not shown), for example, and the resist is discharged from the opening 32a by pushing the resist to the opening 32a with the pump. The support member 31a is provided with a moving mechanism (not shown), and the nozzle 32 held by the bridging member 31b is movable in the Z direction by the moving mechanism. The nozzle 32 is provided with a moving mechanism (not shown), and the moving mechanism allows the nozzle 32 to move in the Z direction with respect to the bridging member 31b.

門型フレーム31の架橋部材31bの下面には、ノズル32の開口部32a、すなわち、ノズル32の先端32cと当該ノズル先端32cに対向する対向面との間のZ方向上の距離を測定するセンサ33が取り付けられている。センサ33としては、例えば光学式センサが用いられており、例えば不図示の発光部及び受光部を有している。センサ33は、例えば基板Sの端部Sdに向けられている。   On the lower surface of the bridging member 31b of the portal frame 31, a sensor that measures the distance in the Z direction between the opening 32a of the nozzle 32, that is, the tip 32c of the nozzle 32 and the facing surface facing the nozzle tip 32c. 33 is attached. As the sensor 33, for example, an optical sensor is used, and has, for example, a light emitting unit and a light receiving unit (not shown). The sensor 33 is directed to the end Sd of the substrate S, for example.

センサ33は、ノズル32に例えば3つ配置されている。3つのセンサ33は、例えばY方向に等ピッチで並んで配置されている。このうち2つのセンサ33は、例えば基板Sの端部Sdに向けられる位置に配置されている。この2つのセンサ33によって、例えば基板Sの端部Sdにおける上記距離を検出可能となっている。また、他の1つのセンサ33は、基板Sの他の部分Sc(例えばY方向中央部)における上記距離を検出可能となっている。   For example, three sensors 33 are arranged in the nozzle 32. The three sensors 33 are arranged side by side at an equal pitch in the Y direction, for example. Of these, the two sensors 33 are disposed at positions facing the end Sd of the substrate S, for example. With the two sensors 33, for example, the distance at the end Sd of the substrate S can be detected. Further, the other sensor 33 can detect the distance in the other part Sc (for example, the Y direction center) of the substrate S.

センサ33による検出結果は、例えば制御装置CONTに送信されるようになっている。制御装置CONTでは、例えばセンサ33による検出結果に基づき、基板Sの浮上量(D1)を算出可能である。この場合、制御装置CONTには、処理ステージ27の表面27cからノズル先端32cのまでの距離(D2)についてのデータと、基板Sの厚さ(D3)についてのデータとを予め記憶させておき、検出結果(D4)とこれらのデータとを用いて、以下の式(1)に基づいて、基板Sの浮上量(D1)を算出する。
D1=D2−D3−D4…(1)
(管理部)
管理部4の構成を説明する。
管理部4は、基板Sに吐出されるレジスト(液状体)の吐出量が一定になるようにノズル32を管理する部位であり、基板搬送部2のうち塗布部3に対して−X方向側(基板搬送方向の上流側)に設けられている。この管理部4は、予備吐出機構41と、ディップ槽42と、ノズル洗浄装置43と、これらを収容する収容部44と、当該収容部を保持する保持部材45とを有している。保持部材45は、移動機構45aに接続されている。当該移動機構45aにより、収容部44がX方向に移動可能になっている。
The detection result by the sensor 33 is transmitted to the control device CONT, for example. In the control device CONT, for example, the flying height (D1) of the substrate S can be calculated based on the detection result by the sensor 33. In this case, the control device CONT stores in advance data on the distance (D2) from the surface 27c of the processing stage 27 to the nozzle tip 32c and data on the thickness (D3) of the substrate S. Using the detection result (D4) and these data, the flying height (D1) of the substrate S is calculated based on the following equation (1).
D1 = D2-D3-D4 (1)
(Management Department)
The configuration of the management unit 4 will be described.
The management unit 4 is a part that manages the nozzle 32 so that the discharge amount of the resist (liquid material) discharged onto the substrate S is constant, and the −X direction side with respect to the coating unit 3 in the substrate transport unit 2. (Upstream in the substrate transport direction). The management unit 4 includes a preliminary discharge mechanism 41, a dip tank 42, a nozzle cleaning device 43, a storage unit 44 that stores them, and a holding member 45 that holds the storage unit. The holding member 45 is connected to the moving mechanism 45a. The accommodating portion 44 is movable in the X direction by the moving mechanism 45a.

予備吐出機構41、ディップ槽42及びノズル洗浄装置43は、−X方向側へこの順で配列されている。これら予備吐出機構41、ディップ槽42及びノズル洗浄装置43のY方向の各寸法は上記門型フレーム31の支柱部材31a間の距離よりも小さくなっており、上記門型フレーム31が各部位を跨いでアクセスできるようになっている。   The preliminary discharge mechanism 41, the dip tank 42, and the nozzle cleaning device 43 are arranged in this order in the −X direction side. The dimensions of the preliminary discharge mechanism 41, the dip tank 42, and the nozzle cleaning device 43 in the Y direction are smaller than the distance between the columnar members 31a of the portal frame 31, and the portal frame 31 straddles each part. It can be accessed at.

予備吐出機構41は、レジストを予備的に吐出する部分である。当該予備吐出機構41はノズル32に最も近くに設けられている。ディップ槽42は、内部にシンナーなどの溶剤が貯留された液体槽である。ノズル洗浄装置43は、ノズル32の開口部32a近傍をリンス洗浄する装置であり、Y方向に移動する図示しない洗浄機構と、当該洗浄機構を移動させる図示しない移動機構とを有している。この移動機構は、洗浄機構よりも−X方向側に設けられている。ノズル洗浄装置43は、移動機構が設けられる分、予備吐出機構41及びディップ槽42に比べてX方向の寸法が大きくなっている。なお、予備吐出機構41、ディップ槽42、ノズル洗浄装置43の配置については、本実施形態の配置に限られず、他の配置であっても構わない。   The preliminary ejection mechanism 41 is a part that ejects the resist preliminary. The preliminary discharge mechanism 41 is provided closest to the nozzle 32. The dip tank 42 is a liquid tank in which a solvent such as thinner is stored. The nozzle cleaning device 43 is a device for rinsing and cleaning the vicinity of the opening 32a of the nozzle 32, and includes a cleaning mechanism (not shown) that moves in the Y direction and a moving mechanism (not shown) that moves the cleaning mechanism. This moving mechanism is provided on the −X direction side of the cleaning mechanism. The nozzle cleaning device 43 has a larger dimension in the X direction than the preliminary discharge mechanism 41 and the dip tank 42 because the moving mechanism is provided. In addition, about arrangement | positioning of the preliminary discharge mechanism 41, the dip tank 42, and the nozzle washing | cleaning apparatus 43, it is not restricted to arrangement | positioning of this embodiment, Other arrangement | positioning may be sufficient.

(エア噴出機構・吸引機構)
図6は、基板搬送部2の搬入側ステージ25、処理ステージ27及び搬出側ステージ28のエア噴出機構・吸引機構の構成を示す図である。同図をもとにして、上記の各ステージのエア噴出及びエア吸引に関する構成を説明する。
(Air ejection mechanism / suction mechanism)
FIG. 6 is a diagram illustrating the configuration of the air ejection mechanism / suction mechanism of the carry-in stage 25, the processing stage 27, and the carry-out stage 28 of the substrate transport unit 2. Based on the same figure, the structure regarding the air ejection and air suction of each said stage is demonstrated.

搬入側ステージ25及び搬出側ステージ28にはエア噴出機構150、155のみが設けられており、吸引機構は設けられていない。各エア噴出機構150、155の構成は両ステージにおいて同一の構成になっている。これらのエア噴出機構150、155は、それぞれブロアー151、156、温度コントロールユニット152、157、マニホールド153、158をそれぞれ有している。   The carry-in stage 25 and the carry-out stage 28 are provided with only air ejection mechanisms 150 and 155, and are not provided with a suction mechanism. The air ejection mechanisms 150 and 155 have the same configuration in both stages. These air ejection mechanisms 150 and 155 have blowers 151 and 156, temperature control units 152 and 157, and manifolds 153 and 158, respectively.

各ブロアー151、156からは配管150a、155aによって温度コントロールユニット152、157にそれぞれ接続されている。この温度コントロールユニット152、157は、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられており、これら冷却機構及び加熱機構によって、供給されるエアの温度を調節可能に構成されている。温度コントロールユニット152と温度コントロールユニット157とでは、独立してエアの温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット152、157は、配管150b、155bによってマニホールド153、158にそれぞれ接続されている。   The blowers 151 and 156 are connected to temperature control units 152 and 157 by pipes 150a and 155a, respectively. The temperature control units 152 and 157 are provided with, for example, a cooling mechanism such as a refrigerant mechanism or a heating mechanism such as a heating wire, and the temperature of the supplied air can be adjusted by the cooling mechanism and the heating mechanism. Yes. The temperature control unit 152 and the temperature control unit 157 can adjust the temperature of the air independently. The temperature control units 152 and 157 are connected to the manifolds 153 and 158 by pipes 150b and 155b, respectively.

マニホールド153、158には、それぞれ温度センサ154、159が取り付けられている。   Temperature sensors 154 and 159 are attached to the manifolds 153 and 158, respectively.

温度センサ154、159は、マニホールド153、158内のエアの温度を計測し、計測結果をそれぞれ温度コントロールユニット152、157に送信するようになっている。温度コントロールユニット152、157では、この温度センサ154、159の計測結果をフィードバックさせてエアの温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット152、157及び温度センサ154、159は、エアの温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構181、182をそれぞれ構成している。   The temperature sensors 154 and 159 measure the temperature of the air in the manifolds 153 and 158, and transmit the measurement results to the temperature control units 152 and 157, respectively. The temperature control units 152 and 157 can adjust the air temperature by feeding back the measurement results of the temperature sensors 154 and 159. As described above, the temperature control units 152 and 157 and the temperature sensors 154 and 159 constitute temperature adjustment mechanisms 181 and 182 that respectively adjust the air temperature by feeding back.

配管150b、155bには圧力計が取り付けられており、配管150c、155cによって搬入側ステージ25及び搬出側ステージ28にそれぞれ接続されている。各配管150a〜150c、155a〜155cには、各種バルブが設けられている。また、配管150a〜150c、155a〜155cには、気中パーティクル量を測定する気中パーティクル量測定器を設けてもよい。   Pressure gauges are attached to the pipes 150b and 155b, and are connected to the carry-in stage 25 and the carry-out stage 28 by pipes 150c and 155c, respectively. Various valves are provided in each of the pipes 150a to 150c and 155a to 155c. The pipes 150a to 150c and 155a to 155c may be provided with an air particle amount measuring device that measures the amount of air particles.

一方、処理ステージ27には、エア噴出機構160に加えて吸引機構170が設けられている。
図7は、処理ステージ27に設けられたエア噴出機構及び吸引機構の構成を示す図である。同図に示すように、エア噴出機構160は、ブロアー161、温度コントロールユニット162、フィルタ163、オートプレッシャーコントローラー(APC)164、マニホールド165、温度センサ166及び噴出量監視ポート167を有している。
On the other hand, the processing stage 27 is provided with a suction mechanism 170 in addition to the air ejection mechanism 160.
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of an air ejection mechanism and a suction mechanism provided in the processing stage 27. As shown in the figure, the air ejection mechanism 160 has a blower 161, a temperature control unit 162, a filter 163, an auto pressure controller (APC) 164, a manifold 165, a temperature sensor 166, and an ejection amount monitoring port 167.

ブロアー161は、エア噴出機構にエアを供給するエア供給源であり、配管160aによって温度コントロールユニット162に接続されている。エア供給源として、ブロアー161の代わりに工場などのエア供給ラインを接続してもよい。   The blower 161 is an air supply source that supplies air to the air ejection mechanism, and is connected to the temperature control unit 162 by a pipe 160a. As an air supply source, an air supply line such as a factory may be connected instead of the blower 161.

温度コントロールユニット162は、例えば供給されるエアの温度を調節するユニットである。温度コントロールユニット162内のエア流通部には、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられている。これらの冷却機構や加熱機構によって、エアの温度を上昇させたり下降させたりすることができるようになっている。温度コントロールユニット162では、上記の温度コントロールユニット152、157に対して独立してエアの温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット162は、配管160bによってAPC164に接続されている。   The temperature control unit 162 is a unit that adjusts the temperature of supplied air, for example. In the air circulation part in the temperature control unit 162, for example, a cooling mechanism such as a refrigerant mechanism and a heating mechanism such as a heating wire are provided. By these cooling mechanism and heating mechanism, the temperature of air can be raised or lowered. In the temperature control unit 162, the temperature of the air can be adjusted independently of the temperature control units 152 and 157 described above. The temperature control unit 162 is connected to the APC 164 by a pipe 160b.

配管160bにはフィルタ163が設けられている。フィルタ163は供給されるエアに混合する異物を除去する部位である。また、配管160bに不図示の逃がし弁を設ける構成であっても構わない。   A filter 163 is provided in the pipe 160b. The filter 163 is a part that removes foreign matters mixed in the supplied air. Further, a relief valve (not shown) may be provided in the pipe 160b.

APC164は、エアの供給量を調節するユニットである。APC164は、バタフライバルブ164aとコントローラ164bとを有している。コントローラ164bはバタフライバルブ164aの開度を調節できるようになっており、当該バタフライバルブ164aの開度を調節することでエアの供給量を調節可能になっている。APC164は、配管160cを介してマニホールド165に接続されている。   The APC 164 is a unit that adjusts the supply amount of air. The APC 164 includes a butterfly valve 164a and a controller 164b. The controller 164b can adjust the opening degree of the butterfly valve 164a, and the supply amount of air can be adjusted by adjusting the opening degree of the butterfly valve 164a. The APC 164 is connected to the manifold 165 via a pipe 160c.

配管160cには、流量計169a及び圧力計169bが取り付けられている。これら流量計169a及び圧力計169bによって配管160c内のエアの流量及び圧力が測定されるようになっている。各測定結果は、例えばAPC164へ送信されるようになっている。   A flow meter 169a and a pressure gauge 169b are attached to the pipe 160c. The flow rate and pressure of the air in the pipe 160c are measured by the flow meter 169a and the pressure gauge 169b. Each measurement result is transmitted to the APC 164, for example.

マニホールド165は、配管160cを流通するエアを分岐するユニットである。当該マニホールド165において、配管160cは分岐された複数の配管160dに接続されている。各配管160dは、処理ステージ27のエア噴出口27aに接続されている。また、マニホールド165には、配管160fが設けられている。当該配管160fは、処理ステージ27のY方向の端部に配置されたエア噴出口27aに接続されている。   The manifold 165 is a unit that branches the air flowing through the pipe 160c. In the manifold 165, the pipe 160c is connected to a plurality of branched pipes 160d. Each pipe 160d is connected to an air outlet 27a of the processing stage 27. The manifold 165 is provided with a pipe 160f. The piping 160f is connected to an air outlet 27a disposed at the end of the processing stage 27 in the Y direction.

配管160fには、噴出量調整機構GCTが設けられている。噴出量調整機構GCTは、処理ステージ27のY方向の端部に配置されたエア噴出口27aから噴出されるエアの噴出量を調整する。このように、APC164からのエアは、配管160c及び各配管160dを介してエア噴出口27aから噴出されるようになっている。   The piping 160f is provided with an ejection amount adjusting mechanism GCT. The ejection amount adjustment mechanism GCT adjusts the ejection amount of air ejected from the air ejection port 27a disposed at the end of the processing stage 27 in the Y direction. Thus, the air from the APC 164 is ejected from the air ejection port 27a via the piping 160c and each piping 160d.

図7に戻って、温度センサ166は、マニホールド165内のエアの温度を測定するセンサである。温度センサ166によって測定されたエアの温度のデータは、例えば通信回線などを介して温度コントロールユニット162へ送信されるようになっている。温度コントロールユニット162では、この温度センサ166の計測結果をフィードバックさせることでエアの温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット162及び温度センサ166は、エアの温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構183を構成している。   Returning to FIG. 7, the temperature sensor 166 is a sensor that measures the temperature of air in the manifold 165. The air temperature data measured by the temperature sensor 166 is transmitted to the temperature control unit 162 via, for example, a communication line. In the temperature control unit 162, the temperature of the air can be adjusted by feeding back the measurement result of the temperature sensor 166. As described above, the temperature control unit 162 and the temperature sensor 166 constitute a temperature adjustment mechanism 183 that adjusts the air temperature by feeding back.

噴出量監視ポート167は、エアの流量検知用のポートを有する構成になっており、この流量検知用のポートによってステージ直下の気体流量を検出可能になっている。この噴出量監視ポート167には流量計167a及び圧力計167bが設けられており、エア噴出口27aから噴出されるエアの流量及び圧力が測定可能になっている。なお、流量計167a及び圧力計167bによる測定結果については、APC164内のコントローラ164bに送信される構成であっても構わない。   The ejection amount monitoring port 167 is configured to have a port for air flow rate detection, and the gas flow rate immediately below the stage can be detected by this port for flow rate detection. The ejection amount monitoring port 167 is provided with a flow meter 167a and a pressure gauge 167b, and the flow rate and pressure of air ejected from the air ejection port 27a can be measured. In addition, about the measurement result by the flowmeter 167a and the pressure gauge 167b, the structure transmitted to the controller 164b in APC164 may be sufficient.

また、上記の配管160a〜160eには、各種のバルブ等が取り付けられており、各バルブにおいて適宜開度を調節できるようになっている。   Moreover, various valves etc. are attached to said piping 160a-160e, and an opening degree can be suitably adjusted in each valve.

吸引機構170は、ブロアー171と、オートプレッシャーコントローラー(APC)172と、トラップタンク173と、マニホールド174と、吸引量監視ポート175とを有している。ブロアー171、APC172、トラップタンク173、マニホールド174は、互いに配管170a〜170cによって接続されており、各配管170a〜170cには各種バルブが取り付けられている。なお、ブロアー171の代わりに工場などのエア吸引ラインを使用してもよい。また、マニホールド174が設けられない構成であっても構わない。   The suction mechanism 170 includes a blower 171, an auto pressure controller (APC) 172, a trap tank 173, a manifold 174, and a suction amount monitoring port 175. The blower 171, the APC 172, the trap tank 173, and the manifold 174 are connected to each other by pipes 170a to 170c, and various valves are attached to the pipes 170a to 170c. An air suction line such as a factory may be used instead of the blower 171. Moreover, the structure which is not provided with the manifold 174 may be sufficient.

マニホールド174は、分岐された複数の配管170dに接続されている。各配管170dは、処理ステージ27のエア吸引口27bに接続されている。また、マニホールド174には、配管170fが設けられている。当該配管170fは、例えば処理ステージ27に接続されている。配管170fには、吸引量調整機構VCTが設けられている。当該吸引量調整機構VCTは、処理ステージ27のY方向の端部に配置されたエア吸引口27bの吸引量を調整する。   The manifold 174 is connected to a plurality of branched pipes 170d. Each piping 170 d is connected to an air suction port 27 b of the processing stage 27. The manifold 174 is provided with a pipe 170f. The pipe 170f is connected to the processing stage 27, for example. The piping 170f is provided with a suction amount adjusting mechanism VCT. The suction amount adjustment mechanism VCT adjusts the suction amount of the air suction port 27b disposed at the end of the processing stage 27 in the Y direction.

図7に戻って、APC172は、エアの供給量を調節するバタフライバルブ172aとコントローラ172bとが設けられている。吸引量監視ポート175は、配管170eによって処理ステージ27に接続され、当該接続部分にエアの流量検知用のポートが接続された構成になっている。吸引量監視ポート175では、この流量検知用のポートによって処理ステージ27の直下の気体流量を検出可能になっている。また、吸引量監視ポート175には流量計175a及び圧力計175bが取り付けられており、エア吸引口27bによって吸引されるエアの流量及び圧力を測定可能になっている。なお、流量計175a及び圧力計175bによる測定結果については、APC172内のコントローラ172bに送信される構成であっても構わない。   Returning to FIG. 7, the APC 172 is provided with a butterfly valve 172a and a controller 172b for adjusting the air supply amount. The suction amount monitoring port 175 is connected to the processing stage 27 by a pipe 170e, and has a configuration in which a port for detecting an air flow rate is connected to the connection portion. In the suction amount monitoring port 175, the gas flow rate directly below the processing stage 27 can be detected by this flow rate detection port. Further, a flow meter 175a and a pressure meter 175b are attached to the suction amount monitoring port 175 so that the flow rate and pressure of air sucked by the air suction port 27b can be measured. In addition, about the measurement result by the flowmeter 175a and the pressure gauge 175b, the structure transmitted to the controller 172b in APC172 may be sufficient.

APC172とエア吸引口27bとの間に流量計を設けて、測定結果を電線(図中破線で示す)等を介してAPC172内のコントローラ172bに送信するようにしても良い。配管160cと配管170cとの間は接続部180によって接続されており、パージ用の洗浄液吸引ラインと真空吸引(エア吸引)ラインとを切り替え可能になっている。   A flow meter may be provided between the APC 172 and the air suction port 27b, and the measurement result may be transmitted to the controller 172b in the APC 172 via an electric wire (indicated by a broken line in the figure). The pipe 160c and the pipe 170c are connected to each other by a connecting portion 180 so that a purge cleaning liquid suction line and a vacuum suction (air suction) line can be switched.

次に、上記のように構成された塗布装置1の動作を説明する。
図8〜図13は、塗布装置1の動作過程を示す平面図である。各図を参照して、基板Sにレジストを塗布する動作を説明する。この動作では、基板Sを基板搬入領域20に搬入し、当該基板Sを浮上させて搬送しつつ塗布処理領域21でレジストを塗布し、当該レジストを塗布した基板Sを基板搬出領域22から搬出する。図9〜図11には門型フレーム31及び管理部4の輪郭のみを破線で示し、ノズル32及び処理ステージ27の構成を判別しやすくした。以下、各部分における詳細な動作を説明する。
Next, operation | movement of the coating device 1 comprised as mentioned above is demonstrated.
8-13 is a top view which shows the operation | movement process of the coating device 1. FIG. With reference to each figure, the operation | movement which apply | coats a resist to the board | substrate S is demonstrated. In this operation, the substrate S is carried into the substrate carry-in region 20, a resist is applied in the coating treatment region 21 while the substrate S is floated and conveyed, and the substrate S coated with the resist is carried out from the substrate carry-out region 22. . In FIGS. 9 to 11, only the outlines of the portal frame 31 and the management unit 4 are indicated by broken lines, so that the configurations of the nozzle 32 and the processing stage 27 can be easily discriminated. Hereinafter, detailed operations in each part will be described.

基板搬入領域20に基板を搬入する前に、塗布装置1をスタンバイさせておく。具体的には、搬入側ステージ25の基板搬入位置の−Y方向側に第一搬送機構60の搬送機60aを配置させ、真空パッド60bの高さ位置を基板の浮上高さ位置に合わせておくと共に、搬入側ステージ25のエア噴出口25a、処理ステージ27のエア噴出口27a、エア吸引口27b及び搬出側ステージ28のエア噴出口28aからそれぞれエアを噴出又は吸引し、各ステージ表面に基板が浮上する程度にエアが供給された状態にしておく。   Before the substrate is carried into the substrate carry-in area 20, the coating apparatus 1 is put on standby. Specifically, the transport device 60a of the first transport mechanism 60 is arranged on the −Y direction side of the substrate carry-in position of the carry-in stage 25, and the height position of the vacuum pad 60b is matched with the flying height position of the substrate. At the same time, air is ejected or sucked from the air ejection port 25a of the loading side stage 25, the air ejection port 27a of the processing stage 27, the air suction port 27b, and the air ejection port 28a of the unloading side stage 28, and the substrate is placed on the surface of each stage Air should be supplied to the extent that it rises.

この状態で、例えば図示しない搬送アームなどによって外部から図3に示した基板搬入位置に基板Sが搬送されてきたら、昇降部材26aを+Z方向に移動させて昇降ピン26bを昇降ピン出没孔25bからステージ表面25cに突出させる。そして、昇降ピン26bによって基板Sが持ち上げられ、当該基板Sの受け取りが行われる。また、アライメント装置25dの長孔から位置合わせ部材をステージ表面25cに突出させておく。   In this state, for example, when the substrate S is transferred from the outside to the substrate loading position shown in FIG. 3 by a transfer arm (not shown), the lifting member 26a is moved in the + Z direction to move the lifting pin 26b from the lifting pin retracting hole 25b. Project to the stage surface 25c. And the board | substrate S is lifted by the raising / lowering pin 26b, and the said board | substrate S is received. Further, an alignment member is projected from the long hole of the alignment device 25d to the stage surface 25c.

基板Sを受け取った後、昇降部材26aを下降させて昇降ピン26bを昇降ピン出没孔25b内に収容する。このとき、ステージ表面25cにはエアの層が形成されているため、基板Sは当該エアによりステージ表面25cに対して浮上した状態で保持される。基板Sがエア層の表面に到達した際、アライメント装置25dの位置合わせ部材によって基板Sの位置合わせが行われ、基板搬入位置の−Y方向側に配置された第一搬送機構60の移動機構63により搬送機60aの真空パッド60bを基板Sの−Y方向側端部に真空吸着させることができる(図3)。真空パッド60bによって基板Sの−Y方向側端部が吸着された後、搬送機60aをレール60cに沿って移動させる。基板Sが浮上した状態になっているため、搬送機60aの駆動力を比較的小さくしても基板Sはレール60cに沿ってスムーズに移動する。   After receiving the board | substrate S, the raising / lowering member 26a is lowered | hung and the raising / lowering pin 26b is accommodated in the raising / lowering pin retracting hole 25b. At this time, since the air layer is formed on the stage surface 25c, the substrate S is held in a state of being floated with respect to the stage surface 25c by the air. When the substrate S reaches the surface of the air layer, the alignment member 25d aligns the substrate S, and the moving mechanism 63 of the first transport mechanism 60 disposed on the −Y direction side of the substrate loading position. Thus, the vacuum pad 60b of the transfer device 60a can be vacuum-sucked to the end of the substrate S on the −Y direction side (FIG. 3). After the −Y direction side end of the substrate S is adsorbed by the vacuum pad 60b, the transporter 60a is moved along the rail 60c. Since the substrate S is in a floating state, the substrate S moves smoothly along the rail 60c even if the driving force of the transporter 60a is relatively small.

基板Sの搬送方向の先端が、処理ステージ27に到達したら、制御装置CONTは、センサ33を用いて基板Sの+Z側の面とノズル32の先端32cとの距離を検出させる。制御装置CONTは、センサ33内の不図示の発光部から検出光を射出させる。当該検出光は、基板Sの+Z側の面で反射され、不図示の受光部によって受光される。受光された検出光は、電気信号として制御装置CONTに送信される。制御装置CONTは、送信された電気信号に基づいて、基板Sの+Z側の面とノズル32の先端32cとの距離を求める。制御装置CONTは、求めた結果から、上記の式(1)を用いて、基板Sの浮上量を算出する。   When the front end of the substrate S in the transport direction reaches the processing stage 27, the control device CONT uses the sensor 33 to detect the distance between the + Z side surface of the substrate S and the front end 32 c of the nozzle 32. The control device CONT emits detection light from a light emitting unit (not shown) in the sensor 33. The detection light is reflected by the surface on the + Z side of the substrate S and is received by a light receiving unit (not shown). The received detection light is transmitted to the control device CONT as an electrical signal. The control device CONT obtains the distance between the + Z side surface of the substrate S and the tip 32c of the nozzle 32 based on the transmitted electrical signal. The control device CONT calculates the flying height of the substrate S from the obtained result using the above formula (1).

このとき、例えば図8(a)及び図8(c)に示すように、例えば基板SのうちY方向において第一搬送機構60及び第二搬送機構61によって保持された部分とは反対側の端部Sdが撓んだ状態(−Z方向に湾曲した状態)になる場合がある。この場合、当該基板Sの端部Sdの浮上量は、当該基板Sの他の部分Scの浮上量とは異なってしまう。このように、センサ33を用いた検出結果から得られた浮上量が上記のように端部Sdと他の部分Scとで異なる場合、制御装置CONTは、端部Sdの浮上量を調整させるようにする。   At this time, for example, as shown in FIG. 8A and FIG. 8C, for example, the end of the substrate S opposite to the portion held by the first transport mechanism 60 and the second transport mechanism 61 in the Y direction. The portion Sd may be bent (bent in the −Z direction). In this case, the flying height of the end portion Sd of the substrate S is different from the flying height of the other portion Sc of the substrate S. As described above, when the flying height obtained from the detection result using the sensor 33 is different between the end portion Sd and the other portion Sc as described above, the control device CONT adjusts the flying height of the end portion Sd. To.

例えば、図8(b)に示すように、制御装置CONTは、噴出量調整機構GCTを介して配管160fからのエアの流通量を大きくする。この動作により、処理ステージ27のY方向の端部におけるエア噴出口27aの噴出量が大きくなる。当該エア噴出口27aの噴出量が大きくなることにより、基板Sの端部Sdに対して+Z方向に作用する力(浮上力)が大きくなり、端部Sdの撓みが解消される。このため、基板SのY方向全体において均一な浮上量となる。   For example, as shown in FIG. 8B, the control device CONT increases the amount of air flowing from the pipe 160f via the ejection amount adjustment mechanism GCT. By this operation, the amount of ejection from the air ejection port 27a at the end in the Y direction of the processing stage 27 is increased. By increasing the ejection amount of the air ejection port 27a, the force (levitation force) acting on the end Sd of the substrate S in the + Z direction is increased, and the bending of the end Sd is eliminated. For this reason, the flying height is uniform over the entire Y direction of the substrate S.

また、例えば図8(d)に示すように、制御装置CONTは、吸引量調整機構VCTを介して配管170fからのエアの流通量を小さくする。この動作により、処理ステージ27のY方向の端部におけるエア吸引口27bの吸引量が小さくなる。当該エア吸引口27bの吸引量が小さくなることにより、基板Sの端部Sdにおいて−Z方向に作用する力(吸引力)が小さくなり、相対的に+Z方向に作用する力(浮上力)が大きくなるため、端部Sdの撓みが解消される。このため、基板SのY方向全体において均一な浮上量となる。   For example, as shown in FIG. 8D, the control device CONT reduces the amount of air flowing from the pipe 170f via the suction amount adjustment mechanism VCT. By this operation, the suction amount of the air suction port 27b at the end of the processing stage 27 in the Y direction is reduced. By reducing the suction amount of the air suction port 27b, the force (suction force) acting in the −Z direction at the end portion Sd of the substrate S becomes small, and the force (levitation force) acting in the + Z direction is relatively small. Since it becomes large, the bending of the end Sd is eliminated. For this reason, the flying height is uniform over the entire Y direction of the substrate S.

このように基板Sの端部Sdの浮上量を調整しつつ、基板Sの搬送方向先端がノズル32の開口部32aの位置に到達したら、図9に示すように、ノズル32の開口部32aから基板Sへ向けてレジストを吐出する。レジストの吐出は、ノズル32の位置を固定させ搬送機60aによって基板Sを搬送させながら行う。   When the tip of the substrate S in the transport direction reaches the position of the opening 32a of the nozzle 32 while adjusting the flying height of the end Sd of the substrate S in this way, as shown in FIG. Resist is discharged toward the substrate S. The resist is discharged while the position of the nozzle 32 is fixed and the substrate S is transported by the transport device 60a.

本実施形態では、第一搬送機構60により搬送される基板Sに対してレジスト塗布を行っている途中において、例えば図示しない搬送アームなどによって外部から基板搬入位置に他の基板S´を受け渡すようにしている。基板S´を受け取った後、昇降部材26aを下降させて昇降ピン26bを昇降ピン出没孔25b内に収容することで、基板S´はエアによりステージ表面25cに対して浮上した状態で保持される。   In the present embodiment, in the middle of applying the resist to the substrate S transported by the first transport mechanism 60, for example, another substrate S ′ is transferred from the outside to the substrate loading position by a transport arm (not shown). I have to. After receiving the substrate S ′, the elevating member 26a is lowered and the elevating pins 26b are accommodated in the elevating pin retracting holes 25b, whereby the substrate S ′ is held in a state of being floated with respect to the stage surface 25c by air. .

基板S´がエア層の表面に到達した際、アライメント装置25dの位置合わせ部材によって基板S´の位置合わせが行われ、基板搬入位置の−Z方向側に配置された第二搬送機構61の昇降機構62により搬送機61aを上昇させ、真空パッド61bを基板S´の−Y方向側端部に真空吸着させる。制御装置CONTは、当該基板S´についても、上記の基板Sと同様に浮上量の検出を適宜行わせる。   When the substrate S ′ reaches the surface of the air layer, the alignment member 25d aligns the substrate S ′ and moves up and down the second transport mechanism 61 disposed on the −Z direction side of the substrate loading position. The transporting device 61a is raised by the mechanism 62, and the vacuum pad 61b is vacuum-sucked to the −Y direction side end portion of the substrate S ′. The control device CONT also causes the flying height to be appropriately detected for the substrate S ′ as in the case of the substrate S.

このように本実施形態では、第一搬送機構60の搬送機60aと第二搬送機構61の搬送機61aとがそれぞれ独立して移動可能となっているので、第一搬送機構60によって搬送される基板Sに対するレジスト塗布の処理が終了する前に、第二搬送機構61により他の基板S´をステージ上に搬送することができる。よって、片持ち状態で順次搬送する基板S、S´上にレジストを良好に塗布することができ、レジスト塗布処理において高いスループットを得ることができる。   As described above, in the present embodiment, the transport device 60a of the first transport mechanism 60 and the transport device 61a of the second transport mechanism 61 are movable independently of each other, so that they are transported by the first transport mechanism 60. Before the resist coating process on the substrate S is completed, another substrate S ′ can be transported onto the stage by the second transport mechanism 61. Therefore, the resist can be satisfactorily applied onto the substrates S and S ′ that are sequentially conveyed in a cantilever state, and high throughput can be obtained in the resist application process.

基板Sの移動に伴い、図10に示すように基板S上にレジスト膜Rが塗布されていく。基板Sがレジストを吐出する開口部32aの下を通過することにより、基板Sの所定の領域にレジスト膜Rが形成される。また、第二搬送機構61の搬送機61aは、基板S´を開口部32aの下方に移動させる。   As the substrate S moves, a resist film R is applied onto the substrate S as shown in FIG. As the substrate S passes under the opening 32a for discharging the resist, a resist film R is formed in a predetermined region of the substrate S. Further, the transporter 61a of the second transport mechanism 61 moves the substrate S ′ below the opening 32a.

レジスト膜Rの形成された基板Sは、搬送機60aによって搬出側ステージ28へと搬送される。搬出側ステージ28では、ステージ表面28cに対して浮上した状態で、図11に示す基板搬出位置まで基板Sが搬送される。また、搬送機61aにより搬送された他の基板S´が開口部32aの下を通過することにより、他の基板S´の所定の領域にレジスト膜Rが形成される。   The substrate S on which the resist film R is formed is transferred to the carry-out stage 28 by the transfer device 60a. In the carry-out stage 28, the substrate S is transferred to the substrate carry-out position shown in FIG. Further, when another substrate S ′ transported by the transport device 61a passes under the opening 32a, a resist film R is formed in a predetermined region of the other substrate S ′.

基板Sが基板搬出位置に到達したら、真空パッド60bの吸着を解除し、リフト機構29の昇降部材29aを+Z方向に移動させる。すると、昇降ピン29bが昇降ピン出没孔28bから基板Sの裏面へ突出し、基板Sが昇降ピン29bによって持ち上げられる。この状態で、例えば搬出側ステージ28の+X方向側に設けられた外部の搬送アームが搬出側ステージ28にアクセスし、基板Sを受け取る。基板Sを搬送アームに渡した後、第一搬送機構60は、移動機構63により搬送機60a(真空パッド60b)を基板Sの下方から退避し、他の基板S´を搬送している第二搬送機構61の搬送経路(移動経路)から退避する。   When the substrate S reaches the substrate unloading position, the suction of the vacuum pad 60b is released, and the elevating member 29a of the lift mechanism 29 is moved in the + Z direction. Then, the elevating pins 29b protrude from the elevating pin retracting holes 28b to the back surface of the substrate S, and the substrate S is lifted by the elevating pins 29b. In this state, for example, an external transfer arm provided on the + X direction side of the carry-out stage 28 accesses the carry-out stage 28 and receives the substrate S. After passing the substrate S to the transport arm, the first transport mechanism 60 uses the moving mechanism 63 to retract the transport device 60a (vacuum pad 60b) from below the substrate S and transports another substrate S ′. Retreats from the transport path (movement path) of the transport mechanism 61.

そして、第一搬送機構60は、再び搬入側ステージ25の基板搬入位置まで戻り、次の基板が搬送されるまで待機する。このとき、図11に示されるように、第二搬送機構61に搬送される基板S´に対してレジスト塗布が行われているが、第一搬送機構60は、上述のように第二搬送機構61の搬送経路から退避しているので、第二搬送機構61に接触して他の基板S´の搬送を妨げることが無く、搬入側ステージ25の基板搬入位置まで戻ることができる。   Then, the first transport mechanism 60 returns to the substrate carry-in position of the carry-in stage 25 again and waits until the next substrate is transported. At this time, as shown in FIG. 11, the resist coating is performed on the substrate S ′ that is transported to the second transport mechanism 61, but the first transport mechanism 60 is the second transport mechanism as described above. Since it is retracted from the transport path 61, it can return to the substrate transport position of the transport side stage 25 without contacting the second transport mechanism 61 and preventing the transport of other substrates S '.

また、第二搬送機構61により搬送された基板S´が基板搬出位置に到達したら、同様に外部の搬送アームが搬出側ステージ28にアクセスし、基板Sを受け取る。そして、再び搬入側ステージ25の基板搬入位置まで戻り、次の基板Sが搬送されるまで待機する。   When the substrate S ′ transported by the second transport mechanism 61 reaches the substrate unloading position, the external transport arm similarly accesses the unloading stage 28 and receives the substrate S. And it returns to the board | substrate carrying-in position of the carrying-in side stage 25 again, and waits until the next board | substrate S is conveyed.

次の基板が搬送されてくるまでの間、塗布部3では、ノズル32の吐出状態を保持するための予備吐出が行われる。図12に示すように、移動機構31cによって門型フレーム31を管理部4の位置まで−X方向へ移動させる。   Until the next substrate is conveyed, the application unit 3 performs preliminary discharge for maintaining the discharge state of the nozzles 32. As shown in FIG. 12, the portal frame 31 is moved in the −X direction to the position of the management unit 4 by the moving mechanism 31 c.

管理部4の位置まで門型フレーム31を移動させた後、門型フレーム31の位置を調整してノズル32の先端32cをノズル洗浄装置43にアクセスさせ、当該ノズル洗浄装置43によってノズル先端32cを洗浄する。   After the portal frame 31 is moved to the position of the management unit 4, the position of the portal frame 31 is adjusted so that the tip 32 c of the nozzle 32 is accessed to the nozzle cleaning device 43, and the nozzle tip 32 c is moved by the nozzle cleaning device 43. Wash.

ノズル先端32cの洗浄後、当該ノズル32を予備吐出機構41にアクセスさせる。予備吐出機構41では、開口部32aと予備吐出面との間の距離を測定しながらノズル32の先端32cの開口部32aをZ方向上の所定の位置に移動させ、ノズル32を−X方向へ移動させながら開口部32aからレジストを予備吐出する。   After cleaning the nozzle tip 32 c, the nozzle 32 is accessed to the preliminary discharge mechanism 41. The preliminary discharge mechanism 41 moves the opening 32a at the tip 32c of the nozzle 32 to a predetermined position in the Z direction while measuring the distance between the opening 32a and the preliminary discharge surface, and moves the nozzle 32 in the −X direction. The resist is preliminarily discharged from the opening 32a while being moved.

予備吐出動作を行った後、門型フレーム31を元の位置に戻す。次の基板Sが搬送されてきたら、図13に示すようにノズル32をZ方向上の所定の位置に移動させる。このように、基板Sにレジスト膜Rを塗布する塗布動作と予備吐出動作とを繰り返し行わせることで、基板Sには良質なレジスト膜Rが形成されることになる。   After performing the preliminary discharge operation, the portal frame 31 is returned to the original position. When the next substrate S is transported, the nozzle 32 is moved to a predetermined position in the Z direction as shown in FIG. In this way, a high-quality resist film R is formed on the substrate S by repeatedly performing the coating operation for applying the resist film R on the substrate S and the preliminary ejection operation.

なお、必要に応じて、例えば管理部4に所定の回数アクセスする毎に、当該ノズル32をディップ槽42内にアクセスさせても良い。ディップ槽42では、ノズル32の開口部32aをディップ槽42に貯留された溶剤(シンナー)の蒸気雰囲気に曝すことでノズル32の乾燥を防止する。   If necessary, for example, each time the management unit 4 is accessed a predetermined number of times, the nozzle 32 may be accessed in the dip tank 42. In the dip tank 42, drying of the nozzle 32 is prevented by exposing the opening 32 a of the nozzle 32 to a vapor atmosphere of a solvent (thinner) stored in the dip tank 42.

以上のように、本実施形態によれば、ノズル32からレジストRが吐出される処理ステージ27において、基板Sのうち基板搬送方向(+X方向)に直交する方向(Y方向)の端部Sdの浮上量を調整する調整部として噴出量調整機構GCT及び吸引量調整機構VCTを有するため、基板Sの端部Sdの浮上量を他の部分Scの浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板Sを浮上させることが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, in the processing stage 27 in which the resist R is discharged from the nozzle 32, the end Sd of the substrate S in the direction (Y direction) orthogonal to the substrate transport direction (+ X direction). Since the ejection amount adjustment mechanism GCT and the suction amount adjustment mechanism VCT are provided as the adjustment units for adjusting the flying height, the flying height of the end portion Sd of the substrate S can be adjusted to be equal to the flying height of the other portion Sc. . As a result, the substrate S can be floated with a uniform flying height.

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、第一搬送機構60及び第二搬送機構61が、それぞれ搬送機60a、61aを一個ずつ備えた構成について説明したが、本発明はこれに限定されることはない。例えば、図14に示すように、第一搬送機構60としてレール60cに搬送機60aが3個設けられた構成とすることができる。なお、図14においては、図示を省略するものの、第二搬送機構61についても搬送機61aを3個備えた構成とすることができる。また、本説明では、搬送機60a、61aが3個ずつ備える構成について説明するが、本発明はこれに限定されることは無く、搬送機60a、61aを2個ずつ、或いは4個以上ずつ備える構成についても適用可能である。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the configuration in which the first transport mechanism 60 and the second transport mechanism 61 are each provided with one transport device 60a and 61a has been described, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 14, the first transport mechanism 60 may have a configuration in which three transporters 60 a are provided on a rail 60 c. In addition, although illustration is abbreviate | omitted in FIG. 14, the 2nd conveyance mechanism 61 can also be set as the structure provided with three conveyance machines 61a. In this description, a configuration in which each of the three transporters 60a and 61a is provided is described. However, the present invention is not limited to this, and the transporters 60a and 61a are provided in two or four or more. The configuration can also be applied.

本説明では、基板Sの搬送方向上流側から順に第1の搬送機261、第2の搬送機262、第3の搬送機263と称し、総称して搬送機261、262、263と呼ぶこともある。   In this description, the first transfer device 261, the second transfer device 262, and the third transfer device 263 are sequentially referred to from the upstream side in the transfer direction of the substrate S, and may be collectively referred to as the transfer devices 261, 262, and 263. is there.

これら搬送機261、262、263は、基板Sの搬送時においてはそれぞれが同期した状態でレール60c上を移動する。また、各搬送機261、262、263は、基板Sの非搬送時においては、レール60c上でそれぞれ独立に移動可能となっている。この構成によれば、搬送する基板Sの長さに応じて各搬送機261、262、263における基板Sの保持位置を任意に設定することができる。   These transporters 261, 262, and 263 move on the rail 60 c in a synchronized state when the substrate S is transported. Each of the transporters 261, 262, and 263 can move independently on the rail 60c when the substrate S is not transported. According to this configuration, the holding position of the substrate S in each of the transporters 261, 262, and 263 can be arbitrarily set according to the length of the substrate S to be transported.

搬送機261の真空パッド60bは、基板Sの搬送方向前方側の端部から250mm以内を保持するのが好ましく、80mm以内とするのが望ましい。具体的に搬送機261は、基板Sの搬送方向前方の端部から真空パッド60bまでの距離W1が80mm以内となるように基板Sを保持している。   The vacuum pad 60b of the transport machine 261 preferably holds within 250 mm from the front end of the substrate S in the transport direction, and preferably within 80 mm. Specifically, the transporter 261 holds the substrate S such that the distance W1 from the front end of the substrate S in the transport direction to the vacuum pad 60b is within 80 mm.

また、搬送機263の真空パッド60bは、基板Sの搬送方向後方側の端部から250mm以内を保持するのが好ましく、80mm以内とするのが望ましい。具体的に搬送機263は、基板Sの搬送方向後方の端部から真空パッド60bまでの距離W2が80mm以内となるように基板Sを保持している。   Further, the vacuum pad 60b of the transport machine 263 preferably holds within 250 mm from the end of the substrate S in the transport direction rear side, and preferably within 80 mm. Specifically, the transporter 263 holds the substrate S so that the distance W2 from the rear end of the substrate S in the transport direction to the vacuum pad 60b is within 80 mm.

これら搬送機261、262、263により基板Sが均一に保持されて、基板端部が垂れ下がることが防止され、大型の基板Sを均一に浮上させた状態で搬送することができる。したがって、大型の基板S上に塗布されるレジストを乾燥固化させた膜にムラが生じるのを防止できる。   These transporters 261, 262, and 263 hold the substrate S uniformly, prevent the end portion of the substrate from sagging, and allow the large substrate S to be transported in a state of evenly floating. Therefore, unevenness can be prevented from occurring in the film obtained by drying and solidifying the resist applied on the large substrate S.

また、上記実施形態では、基板Sの浮上量を検出する検出部として、ノズル32に設けられたセンサ33を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図15(a)及び図15(b)に示すように、処理ステージ27側に検出部が設けられた構成であっても構わない。   In the above embodiment, the sensor 33 provided in the nozzle 32 is described as an example of the detection unit that detects the flying height of the substrate S. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIGS. 15A and 15B, a configuration in which a detection unit is provided on the processing stage 27 side may be employed.

図15(a)は、処理ステージ27の構成を示す平面図である。
図15(a)に示すように、処理ステージ27は、第一浮上領域FA、第二浮上領域SA及び第三浮上領域TAを有している。第一浮上領域FAは、処理ステージ27のX方向の両端に配置されている。第一浮上領域FAは、上記の搬入側ステージ25及び搬出側ステージ28よりも浮上量の管理が厳密に行われる領域である。
FIG. 15A is a plan view showing the configuration of the processing stage 27.
As shown in FIG. 15A, the processing stage 27 has a first flying area FA, a second flying area SA, and a third flying area TA. The first levitation area FA is disposed at both ends of the processing stage 27 in the X direction. The first levitation area FA is an area where the levitation amount is managed more strictly than the carry-in stage 25 and the carry-out stage 28 described above.

第二浮上領域SAは、第一浮上領域FAよりもX方向の内側に配置されている。第二浮上領域SAは、第一浮上領域FAよりも浮上量の管理が更に厳密に行われる領域である。第二浮上領域SAにおける基板Sの浮上量は、例えば第一浮上領域FAにおける基板の浮上量に対して異なる量に設定されている。   The second flying area SA is arranged on the inner side in the X direction than the first flying area FA. The second flying area SA is an area where the flying height is managed more strictly than the first flying area FA. For example, the flying height of the substrate S in the second flying area SA is set to be different from the flying height of the substrate in the first flying area FA.

第三浮上領域TAは、処理ステージ27のX方向のほぼ中央に配置されており、第二浮上領域SAに挟まれた領域である。第三浮上領域TAは、ノズル32の開口部32aに対向する吐出領域CAを含む領域である。第三浮上領域TAでは、基板Sの浮上量の管理が第一浮上領域FA及び第二浮上領域SAよりも厳密に行われる。第三浮上領域TAにおける基板Sの浮上量は、第二浮上領域SAにおける基板の浮上量に対して異なる量に設定されている。   The third levitation area TA is disposed at substantially the center in the X direction of the processing stage 27 and is an area sandwiched between the second levitation areas SA. The third floating area TA is an area including a discharge area CA that faces the opening 32 a of the nozzle 32. In the third flying area TA, the flying height of the substrate S is managed more strictly than in the first flying area FA and the second flying area SA. The flying height of the substrate S in the third flying area TA is set to be different from the flying height of the substrate in the second flying area SA.

上記の噴出量調整機構GCT及び吸引量調整機構VCTは、当該第三浮上領域TAの端部に接続される配管160f、170fに設けられている。これにより、第三浮上領域TAの端部のエアの噴出量及び吸引量を調整可能となっている。なお、噴出量調整機構GCT及び吸引量調整機構VCTは、第三浮上領域TAに加えて、第一浮上領域FAや第二浮上領域SAの端部におけるエアの噴出量及び吸引量を調整可能に設けられている構成にすると、より好ましい。この場合、噴出量調整機構GCT及び吸引量調整機構VCTを第一浮上領域FA及び第二浮上領域SAの端部に接続される配管160f、170fに配置させると良い。   The ejection amount adjustment mechanism GCT and the suction amount adjustment mechanism VCT are provided in the pipes 160f and 170f connected to the end portion of the third floating area TA. Thereby, it is possible to adjust the air ejection amount and the suction amount at the end of the third floating region TA. The ejection amount adjustment mechanism GCT and the suction amount adjustment mechanism VCT can adjust the air ejection amount and the suction amount at the end of the first levitation area FA and the second levitation area SA in addition to the third levitation area TA. It is more preferable to use the configuration provided. In this case, the ejection amount adjustment mechanism GCT and the suction amount adjustment mechanism VCT may be disposed in the pipes 160f and 170f connected to the end portions of the first levitation area FA and the second levitation area SA.

図15(a)に示すように、複数の検出部MSは、それぞれ基板Sが通過する領域内に配置されている。例えば、本実施形態では、処理ステージ27のうちY方向の中央部と、Y方向の両端部とにそれぞれ設けられている。このように、基板Sの搬送方向と直交する方向に分散して配置することにより、基板S全体における浮上量を検出可能になっている。   As shown in FIG. 15A, each of the plurality of detection units MS is arranged in a region through which the substrate S passes. For example, in the present embodiment, the processing stage 27 is provided at the center in the Y direction and at both ends in the Y direction. Thus, by dispersively arranging in the direction orthogonal to the transport direction of the substrate S, the flying height in the entire substrate S can be detected.

検出部MSのX方向の位置については、例えば図中−X側の第一浮上領域FAと第二浮上領域SAとの境界部分L1に3つ(MS1)配置されており、図中−X側の第二浮上領域SAと第三浮上領域TAとの境界部分L2に3つ(MS2)配置されており、図中+X側の第一浮上領域FAと第二浮上領域SAとの境界部分L3に3つ(MS3)配置されている。このように、基板Sの搬送方向にも分散して配置することにより、基板Sの各搬送位置における浮上量を検出可能になっている。本実施形態では、基板Sの浮上量が変化する位置に検出部MSが設けられているため、当該基板Sの浮上量の管理がより厳密に行われるようになっている。   Regarding the position of the detection unit MS in the X direction, for example, three (MS1) are arranged at the boundary portion L1 between the first levitation area FA and the second levitation area SA on the −X side in the figure, and the −X side in the figure Three (MS2) are arranged at the boundary portion L2 between the second levitation area SA and the third levitation area TA, and at the boundary portion L3 between the first levitation area FA and the second levitation area SA on the + X side in the figure. Three (MS3) are arranged. Thus, by dispersively arranging the substrates S in the transport direction, the flying height at each transport position of the substrate S can be detected. In the present embodiment, since the detection unit MS is provided at a position where the flying height of the substrate S changes, the flying height of the substrate S is managed more strictly.

上記の配置において、複数の検出部MSは、処理ステージ27のうちそれぞれ吐出領域CAから外れた位置に設けられている。ノズル32の開口部32aから吐出されるレジストRが検出部MSに直接掛かりにくいため、検出部MSの検出結果に誤差が生じるのを防ぐことができる構成となっている。   In the above arrangement, the plurality of detection units MS are provided at positions outside the discharge area CA in the processing stage 27, respectively. Since the resist R ejected from the opening 32a of the nozzle 32 is not directly applied to the detection unit MS, it is possible to prevent an error from occurring in the detection result of the detection unit MS.

例えば図中−X側の第二浮上領域SAと第三浮上領域TAとの境界部分に配置された3つの検出部MSは、吐出領域CAに沿った位置に設けられている。このように、検出部MSが吐出領域CAに沿った位置に設けられるため、吐出領域CAにおける浮上量がより精確に検出されるようになっている。また、この3つの検出部MSは、吐出領域CAに対して基板Sの搬送方向の上流側に設けられている。このため、基板Sに対してレジストRを吐出する直前の基板Sの浮上量を検出することができるようになっている。   For example, the three detection units MS arranged at the boundary portion between the second flying area SA and the third flying area TA on the −X side in the drawing are provided at positions along the ejection area CA. Thus, since the detection unit MS is provided at a position along the discharge area CA, the flying height in the discharge area CA is detected more accurately. The three detection units MS are provided on the upstream side in the transport direction of the substrate S with respect to the ejection area CA. For this reason, the flying height of the substrate S immediately before the resist R is discharged onto the substrate S can be detected.

処理ステージ27には、検出部MSを収容するための開口部(検出用開口部)27dが形成されている。各検出部MSは、この検出用開口部27d内に配置されている。検出用開口部27d(及び検出部MS)は、エア噴出口27a及びエア吸引口27bから外れた位置にそれぞれ設けられている。このため、各エア噴出口27aによる気体の噴出及びエア吸引口27bによる吸引にそれぞれ影響が及ばない構成となっている。   In the processing stage 27, an opening (detection opening) 27d for accommodating the detection unit MS is formed. Each detection unit MS is disposed in the detection opening 27d. The detection opening 27d (and the detection unit MS) are provided at positions away from the air ejection port 27a and the air suction port 27b, respectively. For this reason, it has the structure which does not affect the ejection of gas by each air ejection port 27a, and the suction by the air suction port 27b, respectively.

処理ステージ27の第一浮上領域FA、第二浮上領域SA及び第三浮上領域TAは、例えば上記の搬入側ステージ25及び搬出側ステージ28に比べて、基板Sの浮上量がより精密に調整される構成となっている。なお、処理ステージ27のうち、例えば第一浮上領域FA及び第二浮上領域SAについては、同一の浮上量となるように調整される構成であっても構わない。   In the first levitation area FA, the second levitation area SA, and the third levitation area TA of the processing stage 27, the flying height of the substrate S is adjusted more precisely than, for example, the carry-in stage 25 and the carry-out stage 28 described above. It is the composition which becomes. In the processing stage 27, for example, the first flying area FA and the second flying area SA may be adjusted to have the same flying height.

図15(b)は、処理ステージ27の一部の構成を示す断面図であり、1つの検出用開口部27d及び検出部MSの構成を示している。
図15(b)に示すように、検出用開口部27dは、内部に検出部MSを収容するポートPTを有している。検出部MSが当該ポートPTに収容されることにより、例えば検出部MSは、上端(+Z側の端部)がステージ表面27cに対して深さdx(1mm程度)だけ−Z側に位置するように配置される。
FIG. 15B is a cross-sectional view showing a partial configuration of the processing stage 27, and shows the configuration of one detection opening 27d and the detection unit MS.
As shown in FIG. 15B, the detection opening 27d has a port PT for accommodating the detection unit MS therein. When the detection unit MS is accommodated in the port PT, for example, the detection unit MS has an upper end (an end on the + Z side) positioned on the −Z side by a depth dx (about 1 mm) with respect to the stage surface 27c. Placed in.

検出部MSは、+Z側が球面状に形成されている。当該球面状に形成された部分の内部には、例えば発光部LD及び受光部PDが設けられている。発光部LDは、基板Sの−Z側の面に向けて検出光を照射する。受光部PDは、当該基板Sの−Z側の面で反射された検出光を受光する。   The detection unit MS is formed in a spherical shape on the + Z side. For example, a light emitting unit LD and a light receiving unit PD are provided inside the spherical portion. The light emitting unit LD irradiates detection light toward the −Z side surface of the substrate S. The light receiving unit PD receives the detection light reflected by the surface on the −Z side of the substrate S.

発光部LDとしては、例えばレーザダイオードなどが用いられる。また、受光部PDとしては、例えばフォトダイオードなどが用いられる。発光部LD及び受光部PDは、例えば上記の制御装置CONTに接続されている。制御装置CONTは、発光部LDにおける検出光の照射のタイミングや照射強度などを制御すると共に、受光部PDによって検出された検出光の解析を行う。   As the light emitting unit LD, for example, a laser diode or the like is used. For example, a photodiode is used as the light receiving unit PD. The light emitting unit LD and the light receiving unit PD are connected to the control device CONT, for example. The control device CONT controls the detection light irradiation timing and irradiation intensity in the light emitting unit LD, and analyzes the detection light detected by the light receiving unit PD.

図15(a)及び図15(b)に示す構成において、基板Sの搬送方向の先端が、処理ステージ27の境界部分L1に到達したら、制御装置CONTは、当該境界部分L1に配置された検出部MS1を用いて基板Sの−Z側の面とステージ表面27cとの距離(浮上量)を検出させる。制御装置CONTは、検出部MS1内の発光部LDから検出光を射出させる。当該検出光は、基板Sの−Z側の面で反射され、受光部PDによって受光される。受光された検出光は、電気信号として制御装置CONTに送信される。制御装置CONTは、送信された電気信号に基づいて、基板Sの浮上量を求める。   In the configuration shown in FIG. 15A and FIG. 15B, when the tip in the transport direction of the substrate S reaches the boundary portion L1 of the processing stage 27, the control device CONT detects the detection arranged at the boundary portion L1. The distance (flying amount) between the −Z side surface of the substrate S and the stage surface 27c is detected using the part MS1. The control device CONT emits detection light from the light emitting unit LD in the detection unit MS1. The detection light is reflected by the −Z side surface of the substrate S and is received by the light receiving unit PD. The received detection light is transmitted to the control device CONT as an electrical signal. The control device CONT obtains the flying height of the substrate S based on the transmitted electric signal.

また、基板Sの搬送方向の先端が、処理ステージ27の境界部分L2に到達したら、制御装置CONTは、当該境界部分L2に配置された検出部MS2を用いて基板Sの−Z側の面とステージ表面27cとの距離(浮上量)を検出させる。なお、制御装置CONTは、境界部分L1に配置された検出部MS1を同時に用いて基板Sの浮上量を検出させても構わない。   When the front end of the substrate S in the transport direction reaches the boundary portion L2 of the processing stage 27, the control device CONT uses the detection unit MS2 disposed in the boundary portion L2 to detect the surface on the −Z side of the substrate S. The distance (flying height) from the stage surface 27c is detected. Note that the control device CONT may detect the flying height of the substrate S by simultaneously using the detection unit MS1 disposed in the boundary portion L1.

また、検出部MS1を用いた検出結果から得られた浮上量が上記のように端部Sd(図8(a)〜図8(d)参照)と他の部分Sc(図8(a)〜図8(d)参照)とで異なる場合、制御装置CONTは、噴出量調整機構GCT及び吸引量調整機構VCTを用いて、端部Sdの浮上量を調整させるようにする。この動作により、基板Sの端部Sdの撓みが解消され、基板SのY方向全体において均一な浮上量となる。   Further, the flying height obtained from the detection result using the detection unit MS1 is the end portion Sd (see FIG. 8A to FIG. 8D) and the other portion Sc (FIG. 8A to FIG. 8). If the difference is different from that in FIG. 8D, the control device CONT uses the ejection amount adjustment mechanism GCT and the suction amount adjustment mechanism VCT to adjust the flying height of the end Sd. By this operation, the bending of the end portion Sd of the substrate S is eliminated, and the flying height is uniform over the entire Y direction of the substrate S.

このような検出及び端部Sdの浮上量の調整を行いつつ、基板Sの搬送方向先端がノズル32の開口部32aの位置に到達したら、上記実施形態に記載の図9に示すように、ノズル32の開口部32aから基板Sへ向けてレジストを吐出する。レジストの吐出は、ノズル32の位置を固定させ搬送機60aによって基板Sを搬送させながら行う。   When the tip in the transport direction of the substrate S reaches the position of the opening 32a of the nozzle 32 while performing such detection and adjustment of the flying height of the end Sd, as shown in FIG. 9 described in the above embodiment, the nozzle A resist is discharged toward the substrate S from the opening 32 a of 32. The resist is discharged while the position of the nozzle 32 is fixed and the substrate S is transported by the transport device 60a.

さらに、基板Sの搬送方向の先端が、処理ステージ27の境界部分L3に到達したら、制御装置CONTは、当該境界部分L3に配置された検出部MS3を用いて基板Sの−Z側の面とステージ表面27cとの距離(浮上量)を検出させる。なお、制御装置CONTは、境界部分L1に配置された検出部MS1及び境界部分L2に配置された検出部MS2を同時に用いて基板Sの浮上量を検出させても構わない。   Further, when the front end of the substrate S in the transport direction reaches the boundary portion L3 of the processing stage 27, the control device CONT uses the detection unit MS3 disposed in the boundary portion L3 to detect the surface on the −Z side of the substrate S. The distance (flying height) from the stage surface 27c is detected. Note that the control device CONT may detect the flying height of the substrate S by simultaneously using the detection unit MS1 disposed in the boundary portion L1 and the detection unit MS2 disposed in the boundary portion L2.

このように、基板Sの浮上量を処理ステージ27側から検出することにより、基板Sの表面状態(レジストRの有無、パターンの有無など)にかかわらず、より精確な検出結果が得られることとなる。なお、制御装置CONTにおいては、検出部MS(MS1〜MS3)における検出結果に基づいて、基板Sの浮上量を調整しても構わない。この場合、例えば制御装置CONTは、エア噴出口27aからのエア噴出量や、エア吸引口27bの吸引量を調整することにより、基板Sの浮上量を調整可能である。なお、検出部MS1〜MS3とセンサ33との両方を用いて基板Sの浮上量を検出し、当該検出結果を用いて基板Sの端部Sdの浮上量を調整しても構わない。   Thus, by detecting the flying height of the substrate S from the processing stage 27 side, a more accurate detection result can be obtained regardless of the surface state of the substrate S (presence of resist R, presence of pattern, etc.). Become. In the control device CONT, the flying height of the substrate S may be adjusted based on the detection result in the detection unit MS (MS1 to MS3). In this case, for example, the control device CONT can adjust the flying height of the substrate S by adjusting the air ejection amount from the air ejection port 27a and the suction amount of the air suction port 27b. Note that the flying height of the substrate S may be detected using both the detection units MS1 to MS3 and the sensor 33, and the flying height of the end portion Sd of the substrate S may be adjusted using the detection result.

また、上記実施形態においては、例えば図8(a)〜図8(d)に示すように、処理ステージ27のY方向の一方の端部(+Y側端部)において噴出量及び吸引量を調整する構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、勿論第一搬送機構60及び第二搬送機構61によって保持される側の端部(−Y側端部)においても、噴出量及び吸引量を調整可能な構成であっても構わない。   In the above embodiment, for example, as shown in FIGS. 8A to 8D, the ejection amount and the suction amount are adjusted at one end portion (+ Y side end portion) of the processing stage 27 in the Y direction. However, the present invention is not limited to this. Of course, it is also ejected at the end (−Y side end) held by the first transport mechanism 60 and the second transport mechanism 61. The configuration may be such that the amount and the suction amount can be adjusted.

CONT…制御装置 S…基板 Sd…端部 Sc…他の部分 33…センサ MS(MS1〜MS3)…検出部 GCT…噴出量調整機構 VCT…吸引量調整機構 CCT…噴出量調整機構 1…塗布装置 27…処理ステージ 27c…ステージ表面 27a…エア噴出口 27b…エア吸引口 32…ノズル   CONT ... Control device S ... Substrate Sd ... End Sc ... Other parts 33 ... Sensor MS (MS1 to MS3) ... Detection unit GCT ... Ejection amount adjustment mechanism VCT ... Suction amount adjustment mechanism CCT ... Ejection amount adjustment mechanism 1 ... Coating device 27 ... Processing stage 27c ... Stage surface 27a ... Air jet 27b ... Air suction port 32 ... Nozzle

Claims (10)

所定領域に液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、
前記所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送部と、
少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整部と、
基板搬送方向に直交する方向の前記端部の浮上量を検出する検出部と
を備え、
前記基板搬送部は、基板搬送方向に直交する方向の前記端部の少なくとも一部を保持する保持部と、前記保持部のうち平面視で前記基板に重なる部分に配置されて前記基板を吸着する吸着部とを有し、
前記保持部は、前記基板の搬送方向前方の端部から前記吸着部までの距離が80mm以内となるように前記基板を保持し、
前記吸着部は、前記吸着部の内部に設けられる排気孔を介して前記吸着部と前記基板との間に生じる密閉空間を排気し、
前記検出部は、前記基板の搬送方向に分散して配置される塗布装置。
An application unit having a nozzle for discharging a liquid material in a predetermined region;
A substrate transport unit that floats and transports the substrate so as to pass through the predetermined region;
An adjustment unit that adjusts the flying height of an end of the substrate in a direction orthogonal to the substrate transport direction at least in the predetermined region;
A detection unit that detects the flying height of the end in the direction orthogonal to the substrate transport direction ,
The substrate transfer unit is disposed in a holding unit that holds at least a part of the end in a direction orthogonal to the substrate transfer direction, and is disposed in a portion of the holding unit that overlaps the substrate in plan view, and sucks the substrate An adsorbing part,
The holding unit holds the substrate such that the distance from the front end in the conveyance direction of the substrate to the suction unit is within 80 mm,
The adsorption unit exhausts a sealed space generated between the adsorption unit and the substrate through an exhaust hole provided inside the adsorption unit,
The said detection part is a coating device disperse | distributed and arrange | positioned in the conveyance direction of the said board | substrate.
前記検出部の検出結果に基づいて前記調整部による調整量を制御する調整量制御部更に備える
請求項1に記載の塗布装置。
The coating apparatus according to claim 1, further comprising an adjustment amount control unit that controls an adjustment amount by the adjustment unit based on a detection result of the detection unit.
前記検出部は、基板搬送方向に直交する方向の前記端部に向けて配置されたセンサを有する
請求項又は請求項に記載の塗布装置。
The detection unit coating apparatus according to claim 1 or claim 2 having a sensor arranged toward the end portion in the direction perpendicular to the substrate conveying direction.
前記センサは、複数設けられ、
複数の前記センサは、前記基板搬送方向に直交する方向の両方の前記端部に対応する位置に配置されている
請求項に記載の塗布装置。
A plurality of the sensors are provided,
The coating device according to claim 3 , wherein the plurality of sensors are arranged at positions corresponding to both the end portions in a direction orthogonal to the substrate transport direction.
前記基板に気体を噴出する気体噴出部を更に備え、
前記調整部は、基板搬送方向に直交する方向の前記端部への前記気体の噴出量を調整する噴出量調整部を有する
請求項1から請求項のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
A gas ejection part for ejecting gas to the substrate;
The adjustment unit coating apparatus according to any one of claims 1 to claim 4 having the ejection amount adjustment unit for adjusting the ejection amount of the gas to the end portion in the direction perpendicular to the substrate conveying direction .
前記基板搬送部上を吸引する吸引部を更に備え、
前記調整部は、基板搬送方向に直交する方向の前記端部に対応する部分の吸引量を調整する吸引量調整部を有する
請求項1から請求項のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
A suction part for sucking the substrate transport part;
The coating apparatus according to any one of claims 1 to 5 , wherein the adjustment unit includes a suction amount adjustment unit that adjusts a suction amount of a portion corresponding to the end portion in a direction orthogonal to the substrate transport direction. .
所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送ステップと、
前記所定領域を通過する前記基板に液状体を吐出する塗布ステップと、
少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整ステップと、
基板搬送方向に直交する方向の前記端部の浮上量を検出する検出ステップと
を含み、
前記基板搬送ステップでは、基板搬送方向に直交する方向の前記端部の少なくとも一部を保持しつつ、前記基板の保持部のうち平面視で前記基板に重なる部分における前記基板を吸着し、
前記基板搬送ステップでは、前記基板の搬送方向前方の端部から前記基板の吸着部までの距離を80mm以内とし、
前記基板搬送ステップでは、前記基板を吸着する吸着部の内部に設けられる排気孔を介して前記吸着部と前記基板との間に生じる密閉空間を排気し、
前記検出ステップでは、前記基板の搬送方向に分散して配置された検出部で、基板搬送方向に直交する方向の前記端部の浮上量を検出する塗布方法。
A substrate transfer step of floating and transferring the substrate so as to pass through a predetermined area;
An application step of discharging a liquid material onto the substrate passing through the predetermined region;
An adjustment step for adjusting a flying height of an end portion in a direction orthogonal to the substrate transport direction of the substrate in at least the predetermined region;
Detecting the flying height of the end in the direction orthogonal to the substrate transport direction ,
In the substrate transporting step, while holding at least a part of the end portion in a direction orthogonal to the substrate transporting direction, the substrate in the portion overlapping the substrate in a plan view among the holding portions of the substrate is sucked,
In the substrate transport step, the distance from the front end in the transport direction of the substrate to the suction portion of the substrate is within 80 mm,
In the substrate transporting step, the sealed space generated between the suction unit and the substrate is exhausted through an exhaust hole provided inside the suction unit that sucks the substrate,
In the detecting step, the detecting unit arranged in a distributed manner in the substrate transport direction detects a flying height of the end portion in a direction orthogonal to the substrate transport direction .
前記検出ステップでの検出結果に基づいて前記調整ステップにおける調整量を制御する調整量制御ステップ更に含む
請求項に記載の塗布方法。
The coating method according to claim 7, further comprising an adjustment amount control step of controlling the adjustment amount in said adjustment step based on the detection result in the detecting step.
前記基板に気体を噴出する気体噴出ステップを更に含み、
前記調整ステップは、基板搬送方向に直交する方向の前記端部への前記気体の噴出量を調整することを含む
請求項又は請求項に記載の塗布方法。
A gas ejection step for ejecting gas to the substrate;
The adjusting step The coating method according to claim 7 or claim 8 comprising adjusting the ejection amount of the gas to the end portion in the direction perpendicular to the substrate conveying direction.
前記所定領域を通過するように前記基板を浮上させて搬送する基板搬送部上を吸引する吸引ステップを更に含み、
前記調整ステップは、基板搬送方向に直交する方向の前記端部に対応する部分の吸引量を調整することを含む
請求項から請求項のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
A suction step of sucking a substrate transport unit that floats and transports the substrate so as to pass through the predetermined region;
The coating method according to any one of claims 7 to 9 , wherein the adjusting step includes adjusting a suction amount of a portion corresponding to the end portion in a direction orthogonal to the substrate transport direction .
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