KR20220029455A - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

An objective of the present invention is to provide a substrate treatment apparatus capable of properly correcting two types of bending of a substrate, holding the substrate, and treating the substrate, and a substrate treatment method. The substrate treatment apparatus (1) includes a bending measurement part (20), a carrying mechanism (30), a first stage (41), and a second stage (42). The first stage (41) adsorbs and holds a lower side of a substrate (9) through a plurality of adsorption grooves. The second stage (42) adsorbs and holds the lower side of the substrate (9) through a plurality of adsorption pads made of an elastic material. The bending measurement part (20) measures a state of bending of the substrate (9). The carrying mechanism (30) carries the substrate (9) to the first stage (41) or the second stage (42) in accordance with a measurement result of the bending measurement part (20). Accordingly, between the first stage (41) and the second stage (42), a stage suitable for the state of bending of the substrate (9) can be selected and used. Therefore, the substrate treatment apparatus can treat the substrate (9) while properly correcting the bending of the substrate (9).

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD

본 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing predetermined processing on a substrate.

종래, 반도체 패키지 등의 기판의 제조 공정에서는, 포토리소그래피 처리를 위하여, 기판의 상면에 레지스트액을 도포한다. 당해 공정에서는, 우선, 스테이지의 상면에 기판을 재치(載置)한다. 스테이지의 상면에는, 복수의 흡착 홈이 형성되어 있다. 기판의 하면은, 이 흡착 홈에 흡착됨으로써, 스테이지의 상면에 유지된다. 그리고, 스테이지의 상면에 유지된 기판의 상면에, 레지스트액이 도포된다. 이러한 종류의 처리를 행하는 종래의 장치에 대해서는, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재되어 있다.Conventionally, in the manufacturing process of substrates, such as a semiconductor package, a resist liquid is apply|coated to the upper surface of a board|substrate for photolithography processing. In this process, first, a board|substrate is mounted on the upper surface of a stage. A plurality of suction grooves are formed on the upper surface of the stage. The lower surface of the substrate is held on the upper surface of the stage by being sucked into the suction groove. Then, a resist solution is applied to the upper surface of the substrate held on the upper surface of the stage. About the conventional apparatus which performs this kind of process, it describes in patent document 1, for example.

일본국 특허공개 2017-112197호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2017-112197

그러나, 처리 대상이 되는 기판은, 완전하게 평탄하지는 않고, 약간의 휨(만곡)을 갖는다. 이 때문에, 스테이지의 상면에 기판을 정상적으로 흡착시키기 위해서는, 기판의 휨을 교정할 필요가 있다. 단, 처리 대상이 되는 복수의 기판 중에는, 주연부보다 중앙부가 낮은 오목 형상의 휨을 갖는 것과, 주연부보다 중앙부가 높은 볼록 형상의 휨을 갖는 것이, 혼재하는 경우가 있다. 이 때문에, 단일의 교정 기구를 구비한 1개의 스테이지에서, 이들 2종류의 휨을 적절히 교정하는 것은, 곤란했다.However, the substrate to be treated is not completely flat and has slight warpage (curvature). For this reason, in order to make the board|substrate normally adsorb|suck to the upper surface of a stage, it is necessary to correct the curvature of a board|substrate. However, among the plurality of substrates to be processed, those having a concave curvature lower in the center than the periphery and those having a convex curvature in the center higher than the periphery may coexist. For this reason, in one stage provided with a single correction mechanism, it was difficult to correct these two types of curvature appropriately.

본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 2종류의 휨을 적절히 교정하면서, 기판을 유지하고, 기판에 처리를 행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing the substrate while holding the substrate while appropriately correcting two types of warpage of the substrate.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본원의 제1 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치이며, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와, 평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와, 기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구를 구비한다.In order to solve the above problems, the first invention of the present application is a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, it has a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and by the plurality of suction grooves, A second stage comprising: a first stage for adsorbing and holding the lower surface of the substrate; a flat upper surface; and a plurality of adsorption pads made of an elastic material; A warpage measurement unit for measuring a state of warpage of , and a conveyance mechanism for conveying the substrate to the first stage or the second stage according to the measurement result of the warpage measurement unit.

본원의 제2 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치이며, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와, 상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치된 기판을 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 챔버와, 기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구를 구비했다.A second invention of the present application is a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate, has a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and the plurality of suction grooves adsorb and hold the lower surface of the substrate a second stage having a flat upper surface, a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves; A chamber for covering the placed substrate and supplying a high-pressure gas to a space formed between the substrate and a warpage measurement unit for measuring a state of warpage of the substrate; A conveying mechanism conveyed to the first stage or the second stage was provided.

본원의 제3 발명은, 제1 발명 또는 제2 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부는, 기판의 표면과의 거리를 계측하면서 기판의 표면을 따라 이동하는 레이저 변위계를 갖는다.3rd invention of this application is the substrate processing apparatus of 1st invention or 2nd invention, The said curvature measuring part has a laser displacement meter which moves along the surface of a board|substrate, measuring the distance with the surface of a board|substrate.

본원의 제4 발명은, 제3 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부는, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동하는 복수의 상기 레이저 변위계를 갖는다.4th invention of this application is the substrate processing apparatus of 3rd invention, The said curvature measuring part has the some said laser displacement meter which mutually moves in parallel along the surface of a board|substrate.

본원의 제5 발명은, 제1 발명 내지 제4 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부는, 계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정하는 위치 결정 기구를 갖는다.A fifth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth inventions, wherein the warpage measurement unit has a positioning mechanism for positioning a substrate on a measurement stage.

본원의 제6 발명은, 제1 발명 내지 제5 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송한다.A sixth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth inventions, wherein, according to the measurement result of the warpage measurement unit, when the substrate has concave warpage, the conveying mechanism is configured to: The conveyance mechanism conveys the board|substrate to the said 2nd stage when conveying to a 1st stage, and when a board|substrate has a convex-shaped curvature according to the measurement result of the said warpage measurement part.

본원의 제7 발명은, 제1 발명 내지 제6 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 제1 스테이지는, 기판의 주연부를 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 클램퍼를 갖는다.A seventh invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth inventions, wherein the first stage has a clamper for pressing the periphery of the substrate against the upper surface of the first stage.

본원의 제8 발명은, 제1 발명 내지 제7 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 유지된 기판의 상면을 따라 이동하면서, 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 슬릿 노즐을 추가로 구비한다.An eighth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh inventions, wherein the substrate moves from the slit-shaped discharge port while moving along the upper surface of the substrate held by the first stage or the second stage. It further includes a slit nozzle for discharging the treatment liquid toward the upper surface of the.

본원의 제9 발명은, 제1 발명 내지 제8 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 흡착 검출부를 추가로 구비한다.A ninth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to eighth inventions, wherein in the first stage or the second stage, it is detected whether the adsorption of the substrate to the lower surface is normally performed. An adsorption detection unit is further provided.

본원의 제10 발명은, 제1 발명 내지 제9 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 장치이며, 상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시키는 스테이지 이동 기구를 추가로 구비한다.A tenth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to ninth inventions, wherein, according to the measurement result of the warpage measurement unit, the substrate is transferred to the transfer destination by the transfer mechanism, the first stage or the first A stage moving mechanism for moving the second stage is further provided.

본원의 제11 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법이며, a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과, b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정을 갖고, 상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고, 상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이다.The eleventh invention of the present application is a substrate processing method for performing a predetermined process on a substrate, a) measuring the warpage state of the substrate, b) according to the measurement result of the step a) or a step of conveying to a second stage, wherein the first stage has a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and is a stage for adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves, , The second stage has a flat upper surface and a plurality of suction pads made of an elastic material, and the plurality of suction pads adsorbs and holds the lower surface of the substrate.

본원의 제12 발명은, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법이며, a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과, b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정을 실행하고, 상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고, 상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고, 기판이 상기 제2 스테이지로 반송된 경우, c) 상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치된 기판을 챔버로 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 공정을 추가로 실행한다.A twelfth invention of the present application is a substrate processing method for performing a predetermined process on a substrate, a) measuring the warpage state of the substrate, b) according to the measurement result of the step a), the substrate is transferred to the first stage or a step of conveying to a second stage is performed, wherein the first stage has a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and a stage for adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves and the second stage has a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and is a stage for adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves, and the substrate is transferred to the second stage In this case, c) covering the substrate mounted on the upper surface of the second stage with the chamber and supplying a high-pressure gas to the space formed between the substrate and the substrate is additionally performed.

본원의 제13 발명은, 제11 발명 또는 제12 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)에서는, 레이저 변위계에 의하여 기판의 표면과의 거리를 계측하면서, 상기 레이저 변위계를 기판의 표면을 따라 이동시킨다.A thirteenth invention of the present application is a substrate processing method according to the eleventh or twelfth invention, wherein in the step a), the laser displacement meter is moved along the surface of the substrate while measuring the distance to the surface of the substrate by the laser displacement meter. make it

본원의 제14 발명은, 제13 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)에서는, 복수의 상기 레이저 변위계를, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동시킨다.A fourteenth invention of the present application is the substrate processing method of the thirteenth invention, wherein, in the step a), the plurality of laser displacement meters are moved parallel to each other along the surface of the substrate.

본원의 제15 발명은, 제11 발명 내지 제14 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)에서는, 계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정한다.A fifteenth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the eleventh to fourteenth inventions, wherein, in the step a), the substrate is positioned on the measurement stage.

본원의 제16 발명은, 제11 발명 내지 제15 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송한다.A sixteenth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the eleventh to fifteenth inventions, wherein according to the measurement result of step a), when the substrate has concave curvature, in step b), The substrate is transferred to the first stage, and when the substrate has a convex curvature according to the measurement result of the step a), the substrate is transferred to the second stage in the step b).

본원의 제17 발명은, 제11 발명 내지 제16 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 기판이 상기 제1 스테이지로 반송된 경우, d) 기판의 주연부를 클램퍼에 의하여 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 공정을 추가로 실행한다.A seventeenth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the eleventh to sixteenth inventions, wherein when the substrate is conveyed to the first stage, d) the periphery of the substrate is clamped to the upper surface of the first stage Execute additional pressing process.

본원의 제18 발명은, 제11 발명 내지 제17 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, e) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 기판이 유지된 후, 기판의 상면을 따라 슬릿 노즐을 이동시키면서, 상기 슬릿 노즐이 갖는 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 공정을 추가로 실행한다.The eighteenth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the eleventh to seventeenth inventions, e) after the substrate is held in the first stage or the second stage, a slit nozzle is installed along the upper surface of the substrate. While moving, the step of discharging the processing liquid from the slit-shaped discharge port of the slit nozzle toward the upper surface of the substrate is further performed.

본원의 제19 발명은, 제11 발명 내지 제18 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, f) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 공정을 추가로 실행한다.The nineteenth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the eleventh to eighteenth inventions, f) determining whether adsorption of the substrate to the lower surface of the substrate is normally performed in the first stage or the second stage. The process of detecting is further performed.

본원의 제20 발명은, 제11 발명 내지 제19 발명 중 어느 한 발명의 기판 처리 방법이며, 상기 공정 b)에서는, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시킨다.A twentieth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the eleventh to nineteenth inventions, wherein in step b), according to the measurement result of step a), the substrate is transferred to the first stage or The second stage is moved.

본원의 제1 발명~제20 발명에 의하면, 제1 스테이지 및 제2 스테이지 중, 기판의 휨의 상태에 적합한 스테이지를 선택하여 사용할 수 있다. 따라서, 기판의 휨을 적절히 교정하면서, 기판에 대한 처리를 행할 수 있다.According to the 1st invention - 20th invention of this application, the stage suitable for the state of the curvature of a board|substrate can be selected and used among a 1st stage and a 2nd stage. Accordingly, the substrate can be treated while appropriately correcting the warpage of the substrate.

특히, 본원의 제3 발명 및 제13 발명에 의하면, 레이저 변위계로 주사함으로써, 기판의 휨의 상태를 비접촉으로 계측할 수 있다.In particular, according to the 3rd invention and 13th invention of this application, the state of the curvature of a board|substrate can be measured non-contact by scanning with a laser displacement meter.

특히, 본원의 제4 발명 및 제14 발명에 의하면, 기판의 2방향의 휨의 상태를 계측할 수 있다.In particular, according to the fourth invention and the fourteenth invention of the present application, the state of warpage in two directions of the substrate can be measured.

특히, 본원의 제5 발명 및 제15 발명에 의하면, 기판을 위치 결정한 상태로, 기판의 휨의 상태를 높은 정밀도로 계측할 수 있다.In particular, according to the 5th invention and 15th invention of this application, the state of the curvature of a board|substrate can be measured with high precision in the state which positioned the board|substrate.

특히, 본원의 제6 발명 및 제16 발명에 의하면, 흡착 홈에 의하여 교정하는 것이 어려운 볼록 형상의 휨을 갖는 기판을, 제2 스테이지로 반송하고, 휨을 교정하면서 유지할 수 있다.In particular, according to the 6th invention and 16th invention of this application, the board|substrate which has a convex-shaped curvature which is difficult to correct by an adsorption|suction groove|channel can be conveyed to a 2nd stage, and can hold|maintain, correcting a curvature.

특히, 본원의 제8 발명 및 제18 발명에 의하면, 제1 스테이지 또는 제2 스테이지에 유지됨으로써, 휨이 교정된 기판의 상면에, 처리액을 도포할 수 있다.In particular, according to the eighth invention and the eighteenth invention of the present application, the processing liquid can be applied to the upper surface of the substrate whose warpage is corrected by being held on the first stage or the second stage.

특히, 본원의 제9 발명 및 제19 발명에 의하면, 기판의 하면을 정상적으로 흡착하여 유지되어 있는지 여부를 검지할 수 있다.In particular, according to the 9th and 19th inventions of this application, it can detect whether the lower surface of a board|substrate is normally adsorb|sucked and hold|maintained.

특히, 본원의 제10 발명 및 제20 발명에 의하면, 기판의 반송처의 위치를 변경하는 일 없이, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로, 선택적으로 반송할 수 있다.In particular, according to the tenth and twentieth inventions of the present application, the substrate can be selectively transferred to the first stage or the second stage without changing the position of the transfer destination of the substrate.

도 1은, 기판 처리 장치의 개략 평면도이다.
도 2는, 제어부와 기판 처리 장치 내의 각 부와의 전기적 접속을 나타낸 블록도이다.
도 3은, 휨 계측부의 상면도이다.
도 4는, 휨 계측부(20)의 측면도이다.
도 5는, 제1 스테이지 및 제2 스테이지의 상면도이다.
도 6은, 제1 스테이지의 종단면도이다.
도 7은, 제1 스테이지의 종단면도이다.
도 8은, 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 9는, 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 10은, 기판 처리 장치에 있어서의 처리의 흐름을 나타낸 플로차트이다.
도 11은, 제2 실시 형태의 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 12는, 제2 실시 형태의 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 13은, 제2 실시 형태의 제2 스테이지의 종단면도이다.
도 14는, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일부분을 나타낸 평면도이다.1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus.
Fig. 2 is a block diagram showing electrical connection between the control unit and each unit in the substrate processing apparatus.
3 is a top view of a warpage measurement unit.
4 : is a side view of the curvature measuring part 20. As shown in FIG.
5 : is a top view of a 1st stage and a 2nd stage.
6 is a longitudinal sectional view of the first stage.
7 is a longitudinal sectional view of the first stage.
Fig. 8 is a longitudinal sectional view of the second stage.
9 is a longitudinal sectional view of the second stage.
10 is a flowchart showing the flow of processing in the substrate processing apparatus.
11 is a longitudinal sectional view of the second stage of the second embodiment.
12 is a longitudinal sectional view of the second stage of the second embodiment.
13 is a longitudinal sectional view of a second stage of the second embodiment.
14 is a plan view illustrating a part of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings.

<1. 제1 실시 형태><1. First embodiment>

<1-1. 기판 처리 장치의 전체 구성><1-1. Overall configuration of substrate processing equipment>

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 평면도이다. 이 기판 처리 장치(1)는, 반도체 패키지의 제조 공정에 사용되는 장치이다. 기판 처리 장치(1)는, 반도체 패키지용 직사각형의 기판(9)에 대하여, 레지스트액의 도포, 감압 건조, 및 베이크 처리를 행한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 기판 수납부(10), 휨 계측부(20), 반송 기구(30), 도포부(40), 감압 건조부(50), 베이크부(60), 및 제어부(70)를 구비한다.1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus 1 is an apparatus used in the manufacturing process of a semiconductor package. The substrate processing apparatus 1 performs application|coating of a resist liquid, reduced-pressure drying, and a baking process with respect to the rectangular board|substrate 9 for semiconductor packages. As shown in FIG. 1 , the substrate processing apparatus 1 includes a substrate storage unit 10 , a warpage measuring unit 20 , a conveying mechanism 30 , an application unit 40 , a reduced pressure drying unit 50 , and a baking unit ( 60), and a control unit 70 .

기판 수납부(10)는, 처리 전 및 처리 후의 기판(9)을 수납하는 유닛이다. 기판 수납부(10)에는, 복수의 기판(9)을 수용하는 캐리어가, 복수 배치된다. 또, 기판 수납부(10)는, 도시를 생략한 반출입 로봇을 갖는다. 반출입 로봇은, 기판 수납부(10) 내의 캐리어로부터 처리 전의 기판(9)을 반출하고, 휨 계측부(20)로 이송한다. 또, 반출입 로봇은, 후술하는 반송 로봇(31)으로부터 처리 후의 기판을 수취하고, 기판 수납부(10) 내의 캐리어로 반입한다.The board|substrate storage part 10 is a unit which accommodates the board|substrate 9 before and after a process. In the board|substrate storage part 10, the carrier which accommodates the some board|substrate 9 is arrange|positioned in multiple numbers. Moreover, the board|substrate storage part 10 has the carrying-out robot which abbreviate|omitted illustration. The carrying-in/out robot carries out the board|substrate 9 before a process from the carrier in the board|substrate storage part 10, and transfers it to the bending measurement part 20. Moreover, the carrying-in/out robot receives the board|substrate after a process from the conveyance robot 31 mentioned later, and carries it in to the carrier in the board|substrate storage part 10. FIG.

휨 계측부(20)는, 기판(9)의 휨의 상태를 계측하기 위한 유닛이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 휨 계측부(20)는, 계측 스테이지(21)와, 3개의 레이저 변위계(22)를 갖는다. 기판(9)은, 상술한 반출입 로봇에 의하여, 기판 수납부(10)로부터 반출되고, 계측 스테이지(21) 상에 재치된다. 휨 계측부(20)는, 3개의 레이저 변위계(22)에 의하여, 계측 스테이지(21) 상에 재치된 기판(9)의 휨의 상태를 계측한다. 레이저 변위계(22)의 계측 결과는, 휨 계측부(20)로부터 제어부(70)로 송신된다.The warpage measurement unit 20 is a unit for measuring the warpage state of the substrate 9 . As shown in FIG. 1 , the warp measurement unit 20 includes a measurement stage 21 and three laser displacement meters 22 . The board|substrate 9 is carried out from the board|substrate storage part 10 by the above-mentioned carrying-out robot, and is mounted on the measurement stage 21. As shown in FIG. The warpage measurement unit 20 measures the warpage state of the substrate 9 mounted on the measurement stage 21 by means of the three laser displacement meters 22 . The measurement result of the laser displacement meter 22 is transmitted from the warp measurement unit 20 to the control unit 70 .

휨 계측부(20)의 보다 상세한 구성에 대해서는, 후술한다.A more detailed configuration of the warpage measurement unit 20 will be described later.

반송 기구(30)는, 휨 계측부(20), 도포부(40), 감압 건조부(50), 및 베이크부(60)의 사이에서, 기판(9)을 반송하는 기구이다. 반송 기구(30)는, 반송 로봇(31)을 갖는다. 반송 로봇(31)은, 휨 계측부(20), 도포부(40), 감압 건조부(50), 및 베이크부(60)에 둘러싸인 반송 공간에 배치되어 있다. 반송 로봇(31)은, 예를 들면, 기판(9)을 유지하는 핸드와, 핸드를 상하 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 아암을 갖는다.The conveyance mechanism 30 is a mechanism which conveys the board|substrate 9 among the warpage measuring part 20, the application|coating part 40, the pressure reduction drying part 50, and the baking part 60. The transfer mechanism 30 includes a transfer robot 31 . The conveyance robot 31 is arrange|positioned in the conveyance space surrounded by the bending measuring part 20, the application|coating part 40, the pressure reduction drying part 50, and the baking part 60. As shown in FIG. The transfer robot 31 includes, for example, a hand for holding the substrate 9 and an arm for moving the hand in vertical and horizontal directions.

반송 로봇(31)은, 휨 계측부(20)에 있어서 계측이 완료된 기판(9)을, 휨 계측부(20)로부터 도포부(40)로 반송한다. 또, 반송 로봇(31)은, 도포부(40)에 있어서의 처리가 완료된 기판(9)을, 도포부(40)로부터 감압 건조부(50)로 반송한다. 또, 반송 로봇(31)은, 감압 건조부(50)에 있어서의 처리가 완료된 기판(9)을, 감압 건조부(50)로부터 베이크부(60)로 반송한다. 또, 반송 로봇(31)은, 베이크부(60)에 있어서의 처리가 완료된 기판(9)을, 베이크부(60)로부터 다시 휨 계측부(20)로 반송하고, 기판 수납부(10)의 반출입 로봇에 수도(受渡)한다.The conveyance robot 31 conveys the board|substrate 9 whose measurement has been completed in the warpage measurement part 20 from the warpage measurement part 20 to the application|coating part 40. As shown in FIG. Moreover, the conveyance robot 31 conveys the board|substrate 9 on which the process in the application|coating part 40 was completed from the application|coating part 40 to the pressure reduction drying part 50. As shown in FIG. Moreover, the conveyance robot 31 conveys the board|substrate 9 on which the process in the pressure reduction drying part 50 was completed from the pressure reduction drying part 50 to the baking part 60. As shown in FIG. Moreover, the conveyance robot 31 conveys the board|substrate 9 on which the process in the baking part 60 was completed from the baking part 60 again to the bending measuring part 20, and carrying out the board|substrate storage part 10. Transfer to the robot.

도포부(40)는, 기판(9)의 상면에, 처리액인 레지스트액을 도포하는 유닛이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 도포부(40)는, 제1 스테이지(41), 제2 스테이지(42), 및 슬릿 노즐(43)을 갖는다. 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)는, 평탄한 상면을 갖는 일체의 석재에 의하여 구성된다. 반송 로봇(31)은, 휨 계측부(20)에 있어서 계측된 휨의 상태에 따라, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중 어느 하나로, 기판(9)을 반송한다. 기판(9)은, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)의 상면에 재치되고, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)의 상면에 흡착됨으로써 유지된다.The application unit 40 is a unit that applies a resist liquid, which is a processing liquid, to the upper surface of the substrate 9 . As shown in FIG. 1 , the application unit 40 has a first stage 41 , a second stage 42 , and a slit nozzle 43 . The first stage 41 and the second stage 42 are made of an integral stone material having a flat upper surface. The conveyance robot 31 conveys the board|substrate 9 to either of the 1st stage 41 and the 2nd stage 42 according to the state of the bending measured in the bending measurement part 20. As shown in FIG. The substrate 9 is placed on the upper surface of the first stage 41 or the second stage 42 , and is held by being sucked on the upper surface of the first stage 41 or the second stage 42 .

제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 보다 상세한 구성에 대해서는, 후술한다.A more detailed configuration of the first stage 41 and the second stage 42 will be described later.

슬릿 노즐(43)은, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)에 유지된 기판(9)의 상면에, 레지스트액을 토출하는 노즐이다. 슬릿 노즐(43)은, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)를 사이에 끼도록 설치된 한 쌍의 대기부(44)의 사이에서, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 상면을 따라 이동한다. 또, 슬릿 노즐(43)의 하단부에는, 슬릿 노즐(43)의 이동 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는, 슬릿 형상의 토출구가 형성되어 있다. 슬릿 노즐(43)은, 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)에 유지된 기판(9)의 상면을 따라 이동하면서, 토출구로부터 기판(9)의 상면을 향하여 레지스트액을 토출한다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 레지스트액이 도포된다.The slit nozzle 43 is a nozzle that discharges a resist liquid onto the upper surface of the substrate 9 held by the first stage 41 or the second stage 42 . The slit nozzle 43 is disposed between the first stage 41 and the second stage 42 between a pair of waiting portions 44 provided so as to sandwich the first stage 41 and the second stage 42 therebetween. ) along the upper surface of the Moreover, the slit-shaped discharge port extending in the direction orthogonal to the moving direction of the slit nozzle 43 is formed in the lower end part of the slit nozzle 43. As shown in FIG. The slit nozzle 43 discharges the resist liquid from the discharge port toward the upper surface of the substrate 9 while moving along the upper surface of the substrate 9 held by the first stage 41 or the second stage 42 . Thereby, a resist liquid is apply|coated to the upper surface of the board|substrate 9. As shown in FIG.

감압 건조부(50)는, 기판(9)의 상면에 도포된 레지스트액을 건조시키기 위한 유닛이다. 감압 건조부(50)는, 밀폐 가능한 감압실(51)과, 감압실(51)에 접속된 감압 기구(도시 생략)를 갖는다. 감압실(51) 내에 기판(9)을 반입하고, 감압 기구를 동작시키면, 감압실(51)의 내부로부터 기체가 빨려나가, 감압실(51) 내의 기압이 저하한다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 도포된 레지스트액 중의 용매가 기화한다. 그 결과, 레지스트액이 건조되어, 기판(9)의 상면에 레지스트막이 형성된다.The reduced pressure drying unit 50 is a unit for drying the resist liquid applied on the upper surface of the substrate 9 . The pressure reduction drying unit 50 includes a sealable pressure reduction chamber 51 and a pressure reduction mechanism (not shown) connected to the pressure reduction chamber 51 . When the substrate 9 is loaded into the decompression chamber 51 and the decompression mechanism is operated, gas is sucked out from the inside of the decompression chamber 51 and the atmospheric pressure in the decompression chamber 51 decreases. Thereby, the solvent in the resist liquid applied to the upper surface of the substrate 9 is vaporized. As a result, the resist liquid is dried, and a resist film is formed on the upper surface of the substrate 9 .

베이크부(60)는, 기판(9)의 상면에 형성된 레지스트막을, 가열에 의하여 고화시키는 유닛이다. 베이크부(60)는, 베이크실(61)과, 베이크실(61) 내에 배치된 가열 플레이트(62)를 갖는다. 가열 플레이트(62)는, 환경 온도보다 높은 소정의 온도로 유지된다. 베이크실(61) 내에 반입된 기판(9)은, 가열 플레이트(62)의 상면에 재치된다. 이에 의하여, 기판(9)이 가열되어, 레지스트막 중에 잔존하는 용매 성분이 제거된다. 또, 기판(9)에 대한 레지스트막의 밀착성이 향상된다.The bake part 60 is a unit which solidifies the resist film formed on the upper surface of the board|substrate 9 by heating. The bake part 60 has the baking chamber 61 and the heating plate 62 arrange|positioned in the baking chamber 61. As shown in FIG. The heating plate 62 is maintained at a predetermined temperature higher than the environmental temperature. The substrate 9 carried in the baking chamber 61 is placed on the upper surface of the heating plate 62 . Thereby, the substrate 9 is heated, and the solvent component remaining in the resist film is removed. Moreover, the adhesiveness of the resist film with respect to the board|substrate 9 improves.

제어부(70)는, 기판 처리 장치(1) 내의 각 부를 동작 제어하기 위한 유닛이다. 도 2는, 제어부(70)와, 기판 처리 장치(1) 내의 각 부의 전기적 접속을 나타낸 블록도이다. 도 2 중에 개념적으로 나타낸 바와 같이, 제어부(70)는, CPU 등의 프로세서(71), RAM 등의 메모리(72), 및 하드 디스크 드라이브 등의 기억부(73)를 갖는 컴퓨터에 의하여 구성된다.The control unit 70 is a unit for controlling operation of each unit in the substrate processing apparatus 1 . FIG. 2 is a block diagram showing the electrical connection between the control unit 70 and each unit in the substrate processing apparatus 1 . As conceptually shown in FIG. 2 , the control unit 70 is constituted by a computer having a processor 71 such as a CPU, a memory 72 such as a RAM, and a storage unit 73 such as a hard disk drive.

또, 제어부(70)는, 상술한 기판 수납부(10)(반출입 로봇을 포함한다), 휨 계측부(20)(레이저 변위계(22), 후술하는 주사 기구(24), 및 후술하는 에어 실린더(231~234)를 포함한다), 반송 기구(30)(반송 로봇(31)을 포함한다), 도포부(40)(슬릿 노즐(43), 후술하는 리프트 핀(411, 421), 후술하는 개폐 밸브(414, 426), 및 후술하는 클램퍼(416, 427)를 포함한다), 감압 건조부(50)(감압 기구를 포함한다), 및 베이크부(60)(가열 플레이트(62)를 포함한다)와, 각각 전기적으로 접속되어 있다. 제어부(70)는, 컴퓨터 프로그램 및 각종 데이터에 따라 CPU를 동작시킴으로써, 이들 각 부를 동작 제어한다. 이에 의하여, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판(9)의 처리가 진행된다.Moreover, the control part 70 includes the above-mentioned board|substrate storage part 10 (including carrying-in/out robot), the bending measurement part 20 (laser displacement meter 22, the scanning mechanism 24 mentioned later, and the air cylinder ( 231-234), the conveying mechanism 30 (including the conveying robot 31), the application part 40 (the slit nozzle 43, the lift pins 411, 421 mentioned later, the opening and closing mentioned later) valves 414 and 426 and clampers 416 and 427 described later), a reduced pressure drying unit 50 (including a pressure reducing mechanism), and a baking unit 60 (including a heating plate 62) ) and are electrically connected to each other. The control unit 70 operates the CPU according to the computer program and various data, thereby operating and controlling each of these units. Thereby, the process of the board|substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 advances.

<1-2. 휨 계측부의 구성><1-2. Configuration of Warp Measuring Unit>

계속해서, 휨 계측부(20)의 보다 상세한 구성에 대하여, 설명한다. 도 3은, 휨 계측부(20)의 상면도이다. 도 4는, 휨 계측부(20)의 측면도이다. 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 휨 계측부(20)는, 계측 스테이지(21), 3개의 레이저 변위계(22), 및 위치 결정 기구(23)를 갖는다. 또한, 도 3에는, x방향 및 y방향이 화살표로 나타내어져 있다. x방향 및 y방향은, 모두 수평 방향이다. 또, x방향과 y방향은, 서로 직교한다.Then, the more detailed structure of the curvature measuring part 20 is demonstrated. 3 : is a top view of the curvature measuring part 20. As shown in FIG. 4 : is a side view of the curvature measuring part 20. As shown in FIG. 3 and 4 , the warp measurement unit 20 includes a measurement stage 21 , three laser displacement meters 22 , and a positioning mechanism 23 . In addition, in FIG. 3, the x-direction and the y-direction are indicated by arrows. Both the x-direction and the y-direction are horizontal directions. Moreover, the x-direction and the y-direction are mutually orthogonal to each other.

계측 스테이지(21)는, 평탄한 상면(211)을 갖는 직사각형 형상의 대(臺)이다. 계측 스테이지(21)는, 상면(211)으로부터 상방을 향하여 돌출하는 복수의 지지 핀(212)을 갖는다. 복수의 지지 핀(212)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배열되어 있다. 기판(9)은, 이들 지지 핀(212) 위에 재치된다.The measurement stage 21 is a rectangular platform having a flat upper surface 211 . The measurement stage 21 has a plurality of support pins 212 that protrude upward from the upper surface 211 . The plurality of support pins 212 are arranged at equal intervals in the x-direction and the y-direction. The substrate 9 is mounted on these support pins 212 .

위치 결정 기구(23)는, 복수의 지지 핀(212)에 지지된 기판(9)을, 일정한 위치 및 자세로 위치 결정하는 기구이다. 위치 결정 기구(23)는, 4개의 에어 실린더(231~234)를 갖는다. 4개의 에어 실린더(231~234) 중, 2개의 에어 실린더(231, 232)는, 직사각형 형상의 기판(9)의 1개의 정점의 부근에 있어서, 기판(9)을 +x방향 및 +y방향으로 각각 압압한다. 또, 다른 2개의 에어 실린더(233, 234)는, 기판(9)의 상기 정점과는 대각 위치에 있는 다른 정점의 부근에 있어서, 기판(9)을 -x방향 및 -y방향으로 각각 압압한다. 이에 의하여, 기판(9)이, x방향 및 y방향으로 위치 결정된다.The positioning mechanism 23 is a mechanism for positioning the substrate 9 supported by the plurality of support pins 212 at a fixed position and posture. The positioning mechanism 23 has four air cylinders 231-234. Of the four air cylinders 231 to 234 , two air cylinders 231 and 232 move the substrate 9 in the +x direction and +y direction in the vicinity of one vertex of the rectangular substrate 9 . press each one with Further, the other two air cylinders 233 and 234 press the substrate 9 in the -x direction and the -y direction, respectively, in the vicinity of the other apex at a diagonal position from the apex of the substrate 9 . . Thereby, the substrate 9 is positioned in the x-direction and the y-direction.

레이저 변위계(22)는, 기판(9)의 상면의 높이를 비접촉으로 계측하는 센서이다. 레이저 변위계(22)는, 기판(9)의 상면을 향하여 레이저광을 출사하고, 기판(9)의 상면으로부터 반사되는 광의 변위량을 검출한다. 이에 의하여, 삼각 측량의 원리로, 레이저 변위계(22)와 기판(9)의 상면 사이의 상하 방향의 거리를 계측한다.The laser displacement meter 22 is a sensor that measures the height of the upper surface of the substrate 9 in a non-contact manner. The laser displacement meter 22 emits a laser beam toward the upper surface of the substrate 9 , and detects a displacement amount of light reflected from the upper surface of the substrate 9 . Thereby, the distance in the up-down direction between the laser displacement meter 22 and the upper surface of the board|substrate 9 is measured by the principle of triangulation.

또, 휨 계측부(20)는, 레이저 변위계(22)를 이동시키는 주사 기구(24)를 갖는다. 주사 기구(24)는, 레이저 변위계(22)를, 기판(9)의 표면을 따라 y방향으로 이동시킨다. 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 때에는, 레이저 변위계(22)에 의한 계측을 실행하면서, 주사 기구(24)에 의하여, 레이저 변위계(22)를 y방향으로 이동시킨다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면의 높이의 y방향에 있어서의 변화가 계측된다. 따라서, y방향에 있어서의 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다.Moreover, the bending measurement part 20 has the scanning mechanism 24 which moves the laser displacement meter 22. As shown in FIG. The scanning mechanism 24 moves the laser displacement meter 22 along the surface of the substrate 9 in the y-direction. When measuring the state of the curvature of the board|substrate 9, the laser displacement meter 22 is moved in the y direction by the scanning mechanism 24, performing measurement by the laser displacement meter 22. As shown in FIG. Thereby, the change in the y direction of the height of the upper surface of the board|substrate 9 is measured. Therefore, the state of the curvature of the board|substrate 9 in the y direction can be measured.

또, 본 실시 형태의 휨 계측부(20)는, 3개의 레이저 변위계(22)를 갖는다. 3개의 레이저 변위계(22)는, x방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 3개의 레이저 변위계(22)는, 기판(9)의 상면과의 거리를 계측하면서, y방향을 따라 서로 평행하게 이동한다. 이 때문에, 3개의 레이저 변위계(22)의 계측값을 비교함으로써, 기판(9)의 상면의 높이의 x방향에 있어서의 변화를 알 수 있다. 즉, x방향에 있어서의 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태의 휨 계측부(20)는, x방향 및 y방향의 2방향에 있어서, 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다.Moreover, the curvature measuring part 20 of this embodiment has the three laser displacement meters 22. As shown in FIG. The three laser displacement meters 22 are arranged at equal intervals in the x direction. The three laser displacement meters 22 move parallel to each other along the y-direction while measuring the distance from the upper surface of the substrate 9 . For this reason, by comparing the measured values of the three laser displacement meters 22, the change in the x direction of the height of the upper surface of the board|substrate 9 is known. That is, the state of the curvature of the board|substrate 9 in the x direction can be measured. In this way, the warpage measurement unit 20 of the present embodiment can measure the warpage state of the substrate 9 in two directions of the x-direction and the y-direction.

<1-3. 제1 스테이지 및 제2 스테이지의 구성><1-3. Configuration of the first stage and the second stage>

계속해서, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 보다 상세한 구성에 대하여 설명한다. 도 5는, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 상면도이다. 도 6 및 도 7은, 제1 스테이지(41)의 종단면도이다. 도 8 및 도 9는, 제2 스테이지(42)의 종단면도이다. 또한, 도 5~도 9에는, 도 3~도 4와 동일하게, x방향 및 y방향이 화살표로 나타내어져 있다.Subsequently, more detailed configurations of the first stage 41 and the second stage 42 will be described. 5 is a top view of the first stage 41 and the second stage 42 . 6 and 7 are longitudinal sectional views of the first stage 41 . 8 and 9 are longitudinal sectional views of the second stage 42 . 5 to 9, the x direction and the y direction are indicated by arrows similarly to FIGS. 3 to 4 .

우선, 제1 스테이지(41)의 구성에 대하여 설명한다. 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 스테이지(41)는, 평탄한 상면(410)을 갖는다. 또, 제1 스테이지(41)는, 복수의 리프트 핀(411)(도 5에서는 도시 생략)을 갖는다. 복수의 리프트 핀(411)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 또, 복수의 리프트 핀(411)은, 도 6에 나타내는 상승 위치와, 도 7에 나타내는 하강 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상승 위치에서는, 리프트 핀(411)의 상단부가, 제1 스테이지(41)의 상면(410)보다 상방으로 돌출한다. 하강 위치에서는, 리프트 핀(411)의 상단부가, 제1 스테이지(41)의 상면(410)보다 하방으로 퇴피한다.First, the configuration of the first stage 41 will be described. 6 and 7 , the first stage 41 has a flat upper surface 410 . Moreover, the 1st stage 41 has several lift pins 411 (not shown in FIG. 5). The plurality of lift pins 411 are arranged at equal intervals in the x-direction and the y-direction. Moreover, the some lift pin 411 moves up and down between the raising position shown in FIG. 6, and the lowering position shown in FIG. In the raised position, the upper end of the lift pin 411 protrudes upward from the upper surface 410 of the first stage 41 . In the lowered position, the upper end of the lift pin 411 is retracted below the upper surface 410 of the first stage 41 .

제1 스테이지(41) 상에 기판(9)을 배치할 때에는, 우선, 반송 로봇(31)이, 도 6과 같이, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(411) 위에 기판(9)을 재치한다. 그 후, 도 7과 같이, 복수의 리프트 핀(411)이, 상승 위치로부터 하강 위치로 이동한다. 이에 의하여, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 재치된다.When arranging the substrate 9 on the first stage 41 , first, the transfer robot 31 mounts the substrate 9 on the plurality of lift pins 411 in the raised position as shown in FIG. 6 . Thereafter, as shown in Fig. 7 , the plurality of lift pins 411 move from the raised position to the lowered position. Accordingly, the substrate 9 is placed on the upper surface 410 of the first stage 41 .

또, 제1 스테이지(41)는, 복수의 흡착 구멍(412)을 갖는다. 복수의 흡착 구멍(412)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 각 흡착 구멍(412)은, 제1 스테이지(41)를 상하 방향으로 관통한다. 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 복수의 흡착 구멍(412)은, 흡인 배관(413)을 통하여 도면 밖의 진공원에 접속되어 있다. 또, 흡인 배관(413)의 경로 상에는, 개폐 밸브(414)가 설치되어 있다. 이 때문에, 개폐 밸브(414)를 개방하면, 복수의 흡착 구멍(412)으로부터 흡인 배관(413)을 통하여 진공원으로, 기체가 흡인된다. 이에 의하여, 각 흡착 구멍(412)에, 대기압보다 낮은 부압이 생긴다.In addition, the first stage 41 has a plurality of adsorption holes 412 . The plurality of suction holes 412 are arranged at equal intervals in the x-direction and the y-direction. Each adsorption hole 412 penetrates the 1st stage 41 in an up-down direction. 6 and 7 , the plurality of adsorption holes 412 are connected to a vacuum source outside the figure through a suction pipe 413 . Moreover, on the path|route of the suction pipe 413, the on-off valve 414 is provided. For this reason, when the on-off valve 414 is opened, gas is sucked from the plurality of adsorption holes 412 to the vacuum source through the suction pipe 413 . Thereby, a negative pressure lower than atmospheric pressure is generated in each of the adsorption holes 412 .

또, 제1 스테이지(41)는, 상면에 복수의 흡착 홈(415)을 갖는다. 복수의 흡착 홈(415)은, x방향 및 y방향을 따라, 그리드 형상으로 형성되어 있다. 즉, 복수의 흡착 홈(415)은, x방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(415)과, y방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(415)을 포함한다. 상술한 흡착 구멍(412)의 상단부는, x방향으로 연장되는 흡착 홈(415)과, y방향으로 연장되는 흡착 홈(415)이 교차하는 위치에 개구한다. 이 때문에, 개폐 밸브(414)가 개방되면, 복수의 흡착 구멍(412)뿐만 아니라, 복수의 흡착 홈(415)에도, 부압이 생긴다.Moreover, the 1st stage 41 has the some suction groove|channel 415 in the upper surface. The plurality of suction grooves 415 are formed in a grid shape along the x-direction and the y-direction. That is, the plurality of adsorption grooves 415 includes a plurality of adsorption grooves 415 extending in the x-direction and a plurality of adsorption grooves 415 extending in the y-direction. The upper end of the above-described suction hole 412 opens at a position where the suction groove 415 extending in the x-direction and the suction groove 415 extending in the y-direction intersect. For this reason, when the on-off valve 414 is opened, a negative pressure will generate|occur|produce not only in the some adsorption|suction hole 412 but also in the some adsorption|suction groove|channel 415.

제1 스테이지(41)의 상면(410)에 재치된 기판(9)은, 이 부압에 의하여, 흡착 홈(415)에 흡착된다. 그리고, 기판(9)의 하면이, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 밀착한다. 이에 의하여, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 유지된다.The substrate 9 placed on the upper surface 410 of the first stage 41 is sucked by the suction groove 415 by this negative pressure. Then, the lower surface of the substrate 9 is in close contact with the upper surface 410 of the first stage 41 . Accordingly, the substrate 9 is held on the upper surface 410 of the first stage 41 .

또, 제1 스테이지(41)는, 4개의 클램퍼(416)를 갖는다. 4개의 클램퍼(416)는, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 재치된 후, 기판(9)의 주연부에 접근한다. 구체적으로는, 4개의 클램퍼(416)가, 직사각형 형상의 기판(9)의 4개의 변에, 각각 접근한다. 그리고, 각 클램퍼(416)가, 기판(9)의 주연부를, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 누른다. 이에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제1 스테이지(41)로부터 뜨는 것을 억제할 수 있다.In addition, the first stage 41 has four clampers 416 . The four clampers 416 approach the periphery of the substrate 9 after the substrate 9 is placed on the upper surface 410 of the first stage 41 . Specifically, the four clampers 416 approach the four sides of the rectangular-shaped board|substrate 9, respectively. Then, each clamper 416 presses the peripheral edge of the substrate 9 against the upper surface 410 of the first stage 41 . Thereby, it can suppress that the periphery of the board|substrate 9 floats from the 1st stage 41. As shown in FIG.

계속해서, 제2 스테이지(42)의 구성에 대하여 설명한다. 도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 제2 스테이지(42)는, 평탄한 상면(420)을 갖는다. 또, 제2 스테이지(42)는, 복수의 리프트 핀(421)(도 5에서는 도시 생략)을 갖는다. 복수의 리프트 핀(421)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 또, 복수의 리프트 핀(421)은, 도 8에 나타내는 상승 위치와, 도 9에 나타내는 하강 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상승 위치에서는, 리프트 핀(421)의 상단부가, 제2 스테이지(42)의 상면(420)보다 상방으로 돌출한다. 하강 위치에서는, 리프트 핀(421)의 상단부가, 제2 스테이지(42)의 상면(420)보다 하방으로 퇴피한다.Next, the structure of the 2nd stage 42 is demonstrated. 8 and 9 , the second stage 42 has a flat upper surface 420 . Moreover, the 2nd stage 42 has several lift pins 421 (not shown in FIG. 5). The plurality of lift pins 421 are arranged at equal intervals in the x-direction and the y-direction. Moreover, the some lift pin 421 raises and lowers between the raising position shown in FIG. 8, and the lowering position shown in FIG. In the raised position, the upper end of the lift pin 421 protrudes upward from the upper surface 420 of the second stage 42 . In the lowered position, the upper end of the lift pin 421 is retracted below the upper surface 420 of the second stage 42 .

제2 스테이지(42) 상에 기판(9)을 배치할 때에는, 우선, 반송 로봇(31)이, 도 8과 같이, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(421) 위에 기판(9)을 재치한다. 그 후, 도 9와 같이, 복수의 리프트 핀(421)이, 상승 위치로부터 하강 위치로 이동한다. 이에 의하여, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 기판(9)이 재치된다.When arranging the substrate 9 on the second stage 42 , first, the transfer robot 31 places the substrate 9 on the plurality of lift pins 421 in the raised position as shown in FIG. 8 . Thereafter, as shown in Fig. 9 , the plurality of lift pins 421 move from the raised position to the lowered position. Accordingly, the substrate 9 is placed on the upper surface 420 of the second stage 42 .

또, 제2 스테이지(42)는, 복수의 세로 구멍(422), 복수의 흡인 파이프(423), 및 복수의 흡착 패드(424)를 갖는다. 복수의 세로 구멍(422)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 각 세로 구멍(422)은, 제2 스테이지(42)를 상하 방향으로 관통한다. 흡인 파이프(423)는, 상하 방향으로 연장되는 원통 형상의 파이프이다. 흡인 파이프(423)는, 복수의 세로 구멍(422)에, 각각 삽입되어 있다.In addition, the second stage 42 has a plurality of vertical holes 422 , a plurality of suction pipes 423 , and a plurality of suction pads 424 . The plurality of vertical holes 422 are arranged at equal intervals in the x-direction and the y-direction. Each vertical hole 422 penetrates the second stage 42 in the vertical direction. The suction pipe 423 is a cylindrical pipe extending in the vertical direction. The suction pipes 423 are respectively inserted into the plurality of vertical holes 422 .

복수의 흡착 패드(424)는, 고무 등의 탄성 재료로 이루어지는 원환 형상의 부재이다. 흡착 패드(424)는, 복수의 흡인 파이프(423)의 상단부에, 각각 장착되어 있다. 흡착 패드(424)는, 자바라 형상의 측면을 갖는다. 이 때문에, 흡착 패드(424)는, 상하 방향으로 신축 가능하게 되어 있다. 기판(9)을 유지하고 있지 않은 상태에서는, 도 7과 같이, 흡착 패드(424)의 상단은, 제2 스테이지(42)의 상면(420)보다 약간 상방으로 돌출하고 있다.The plurality of suction pads 424 is an annular member made of an elastic material such as rubber. The suction pads 424 are attached to the upper ends of the plurality of suction pipes 423 , respectively. The suction pad 424 has a bellows-shaped side surface. For this reason, the suction pad 424 is expandable and contractible in an up-down direction. In the state in which the substrate 9 is not held, the upper end of the suction pad 424 protrudes slightly upward from the upper surface 420 of the second stage 42 as shown in FIG. 7 .

도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 복수의 흡인 파이프(423)의 하단부는, 흡인 배관(425)을 통하여 도면 밖의 진공원에 접속되어 있다. 또, 흡인 배관(425)의 경로 상에는, 개폐 밸브(426)가 설치되어 있다. 이 때문에, 개폐 밸브(426)를 개방하면, 흡인 파이프(423)로부터 흡인 배관(425)을 통하여 진공원으로, 기체가 흡인된다. 이에 의하여, 각 흡인 파이프(423) 및 흡착 패드(424)의 내부에, 대기압보다 낮은 부압이 생긴다.8 and 9 , the lower ends of the plurality of suction pipes 423 are connected to a vacuum source outside the drawing through a suction pipe 425 . Moreover, on the path|route of the suction pipe 425, the on-off valve 426 is provided. For this reason, when the on-off valve 426 is opened, gas is sucked from the suction pipe 423 to the vacuum source through the suction pipe 425 . Thereby, a negative pressure lower than atmospheric pressure is generated inside each suction pipe 423 and the suction pad 424 .

제2 스테이지(42)의 상면(420)에 재치된 기판(9)은, 이 부압에 의하여, 흡착 패드(424)에 흡착된다. 또, 흡착 패드(424)는, 기판(9)에 흡착함으로써, 상하 방향으로 수축한다. 그 결과, 도 9와 같이, 기판(9)의 하면이, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 접촉한다. 이에 의하여, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 기판(9)이 유지된다.The substrate 9 placed on the upper surface 420 of the second stage 42 is sucked by the suction pad 424 by this negative pressure. Moreover, the suction pad 424 is contracted in an up-down direction by adsorb|sucking to the board|substrate 9. As shown in FIG. As a result, as shown in FIG. 9 , the lower surface of the substrate 9 contacts the upper surface 420 of the second stage 42 . Accordingly, the substrate 9 is held on the upper surface 420 of the second stage 42 .

또, 제2 스테이지(42)는, 4개의 클램퍼(427)를 갖는다. 4개의 클램퍼(427)는, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 기판(9)이 재치된 후, 기판(9)의 주연부에 접근한다. 구체적으로는, 4개의 클램퍼(427)가, 직사각형 형상의 기판(9)의 4개의 변에, 각각 접근한다. 그리고, 각 클램퍼(427)가, 기판(9)의 주연부를, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 누른다. 이에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제2 스테이지(42)로부터 뜨는 것을 억제할 수 있다.In addition, the second stage 42 has four clampers 427 . The four clampers 427 approach the periphery of the substrate 9 after the substrate 9 is placed on the upper surface 420 of the second stage 42 . Specifically, the four clampers 427 each approach the four sides of the rectangular substrate 9 . Then, each clamper 427 presses the peripheral edge of the substrate 9 against the upper surface 420 of the second stage 42 . Thereby, it can suppress that the periphery of the board|substrate 9 floats from the 2nd stage 42. As shown in FIG.

<1-4. 기판 처리 장치에 있어서의 처리의 흐름><1-4. Flow of processing in substrate processing apparatus>

계속해서, 상술한 기판 처리 장치(1)에 있어서의 처리의 흐름에 대하여 설명한다. 도 10은, 당해 처리의 흐름을 나타낸 플로차트이다. 또한, 이하에서는, 1장의 기판(9)에 대한 처리의 흐름을 설명한다. 기판 처리 장치(1)는, 이와 같은 처리를, 복수의 기판(9)에 대하여 순차적으로 실행한다.Then, the flow of the process in the above-mentioned substrate processing apparatus 1 is demonstrated. 10 is a flowchart showing the flow of the process. In addition, below, the flow of processing with respect to the board|substrate 9 of 1 sheet is demonstrated. The substrate processing apparatus 1 sequentially executes such processing on the plurality of substrates 9 .

기판 처리 장치(1)는, 우선, 기판 수납부(10)에 수납된 기판(9)을, 반출입 로봇에 의하여 취출(取出)한다(단계 S1). 취출한 기판(9)은, 휨 계측부(20)에 배치된다. 구체적으로는, 반출입 로봇이, 계측 스테이지(21) 상의 복수의 지지 핀(212) 위에, 기판(9)을 재치한다. 그 후, 위치 결정 기구(23)가, 복수의 지지 핀(212)에 지지된 기판(9)을, 일정한 위치 및 자세로 위치 결정한다.The substrate processing apparatus 1 takes out the board|substrate 9 accommodated in the board|substrate storage part 10 first with the carrying-in/out robot (step S1). The taken out board|substrate 9 is arrange|positioned in the curvature measuring part 20. As shown in FIG. Specifically, the carrying-in/out robot mounts the board|substrate 9 on the some support pin 212 on the measurement stage 21. As shown in FIG. Then, the positioning mechanism 23 positions the board|substrate 9 supported by the some support pin 212 in a fixed position and attitude|position.

계속해서, 휨 계측부(20)는, 3개의 레이저 변위계(22)에 의하여, 기판(9)의 휨의 상태를 계측한다(단계 S2). 구체적으로는, 3개의 레이저 변위계(22)를, 기판(9)의 상면을 따라 이동시키면서, 레이저 변위계(22)로부터 기판(9)의 상면까지의 거리를 계측한다. 레이저 변위계(22)의 계측 결과는, 제어부(70)로 송신된다. 제어부(70)는, 3개의 레이저 변위계(22)의 계측 결과에 의거하여, 처리 대상의 기판(9)이, 주연부보다 중앙부가 낮은 오목 형상의 휨을 갖는 기판(이하 「오목 형상 기판」이라고 칭한다)인지, 그렇지 않으면, 주연부보다 중앙부가 높은 볼록 형상의 휨을 갖는 기판(이하 「볼록 형상 기판」이라고 칭한다)인지를, 판별한다.Then, the warpage measurement unit 20 measures the warpage state of the substrate 9 with the three laser displacement meters 22 (step S2). Specifically, the distance from the laser displacement meter 22 to the upper surface of the substrate 9 is measured while moving the three laser displacement meters 22 along the upper surface of the substrate 9 . The measurement result of the laser displacement meter 22 is transmitted to the control part 70 . The control unit 70, based on the measurement results of the three laser displacement meters 22, the substrate 9 to be processed is a substrate having a concave curvature in the center portion lower than the peripheral portion (hereinafter referred to as a "concave substrate") It is discriminated whether or not it is a board|substrate (hereafter referred to as "convex-shaped board|substrate") which has a convex-shaped curvature whose central part is higher than a peripheral part.

휨 계측부(20)에 있어서의 계측이 완료되면, 반송 로봇(31)이, 휨 계측부(20)로부터 기판(9)을 취출한다. 그리고, 반송 로봇(31)은, 도포부(40)의 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)로, 기판(9)을 반송한다(단계 S3). 이때, 제어부(70)는, 단계 S2의 계측 결과에 따라, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중 어느 하나로, 기판(9)을 반송하도록, 반송 로봇(31)을 제어한다. 구체적으로는, 기판(9)이 오목 형상 기판이라고 판별된 경우에는, 당해 기판(9)을, 반송 로봇(31)에 의하여, 제1 스테이지(41)로 반송한다. 또, 기판(9)이 볼록 형상 기판이라고 판별된 경우에는, 당해 기판(9)을, 반송 로봇(31)에 의하여, 제2 스테이지(42)로 반송한다.When the measurement in the warpage measurement unit 20 is completed, the transfer robot 31 takes out the substrate 9 from the warpage measurement unit 20 . And the transfer robot 31 transfers the board|substrate 9 to the 1st stage 41 or the 2nd stage 42 of the application|coating part 40 (step S3). At this time, the control part 70 controls the conveyance robot 31 so that the board|substrate 9 may be conveyed to either of the 1st stage 41 and the 2nd stage 42 according to the measurement result of step S2. Specifically, when the substrate 9 is determined to be a concave substrate, the substrate 9 is transferred to the first stage 41 by the transfer robot 31 . Moreover, when it is discriminated that the board|substrate 9 is a convex-shaped board|substrate, the said board|substrate 9 is conveyed to the 2nd stage 42 by the conveyance robot 31. As shown in FIG.

제1 스테이지(41)에 반송된 기판(9)은, 우선, 상승 위치에 있는 복수의 리프트 핀(411) 위에 재치된다. 그리고, 복수의 리프트 핀(411)이 상승 위치로부터 하강 위치로 이동함으로써, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 기판(9)이 재치된다. 그리고, 기판(9)의 하면이, 복수의 흡착 홈(415)에 흡착하여 유지된다. 또, 4개의 클램퍼(416)에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제1 스테이지(41)의 상면(410)에 눌린다.The substrate 9 conveyed to the first stage 41 is first placed on the plurality of lift pins 411 in the raised positions. Then, when the plurality of lift pins 411 move from the raised position to the lowered position, the substrate 9 is placed on the upper surface 410 of the first stage 41 . And the lower surface of the board|substrate 9 is adsorb|sucked by the some suction groove|channel 415, and is hold|maintained. Moreover, the periphery of the board|substrate 9 is pressed against the upper surface 410 of the 1st stage 41 by the four clampers 416. As shown in FIG.

이와 같이, 제1 스테이지(41)에서는, 기판(9)의 주연부가, 클램퍼(416)에 의하여 고정된다. 이 때문에, 기판(9)이 오목 형상 기판인 경우에, 그 기판(9)의 주연부가, 기판(9)의 중앙부와 같은 높이까지 하강한다. 따라서, 기판(9)의 오목 형상의 휨을 교정하면서, 기판(9)을 유지할 수 있다. 또, 복수의 흡착 홈(415) 전체의 면적은, 복수의 흡착 패드(424)의 개구 면적보다, 크다. 이 때문에, 기판(9)의 주연부 이외의 부분은, 복수의 흡착 홈(415)에 생기는 완만한 부압에 의하여, 유지된다. 이 때문에, 기판(9)의 강성이 낮은 경우여도, 기판(9)의 균열을 억제하면서, 기판(9)을 유지할 수 있다.In this way, in the first stage 41 , the periphery of the substrate 9 is fixed by the clamper 416 . For this reason, when the board|substrate 9 is a concave-shaped board|substrate, the periphery of the board|substrate 9 falls to the same height as the center part of the board|substrate 9. As shown in FIG. Therefore, the board|substrate 9 can be hold|maintained, correcting the curvature of the concave shape of the board|substrate 9. As shown in FIG. Moreover, the area of the some suction groove|channel 415 whole is larger than the opening area of the some suction pad 424. For this reason, parts other than the peripheral edge of the board|substrate 9 are hold|maintained by the gentle negative pressure which arises in the some suction groove|channel 415. For this reason, even when the rigidity of the board|substrate 9 is low, the board|substrate 9 can be hold|maintained, suppressing the crack of the board|substrate 9. As shown in FIG.

제2 스테이지(42)에 반송된 기판(9)은, 우선, 상승 위치에 있는 복수의 리프트 핀(421) 위에 재치된다. 그리고, 복수의 리프트 핀(421)이 상승 위치로부터 하강 위치로 이동함으로써, 기판(9)의 하면이, 복수의 흡착 패드(424)에 흡착된다. 그리고, 흡착 패드(424)가 상하 방향으로 수축함으로써, 기판(9)의 하면이, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 접촉한다. 또, 4개의 클램퍼(427)에 의하여, 기판(9)의 주연부가, 제2 스테이지(42)의 상면(420)에 고정된다.The substrate 9 conveyed to the second stage 42 is first placed on the plurality of lift pins 421 in the raised positions. Then, when the plurality of lift pins 421 move from the raised position to the lowered position, the lower surface of the substrate 9 is sucked by the plurality of suction pads 424 . Then, as the suction pad 424 contracts in the vertical direction, the lower surface of the substrate 9 comes into contact with the upper surface 420 of the second stage 42 . In addition, the periphery of the substrate 9 is fixed to the upper surface 420 of the second stage 42 by the four clampers 427 .

이와 같이, 제2 스테이지(42)에서는, 기판(9)의 주연부 이외의 부분이, 흡착 패드(424)에 흡착되고, 하방으로 끌어들여진다. 이 때문에, 기판(9)이 볼록 형상 기판인 경우에, 그 기판(9)의 중앙부가, 기판(9)의 주연부와 같은 높이까지 하강한다. 따라서, 기판(9)의 볼록 형상의 휨을 교정하면서, 기판(9)을 유지할 수 있다. 특히, 제2 스테이지(42)에 있어서의 흡착 패드(424)의 수는, 제1 스테이지(41)에 있어서의 흡착 구멍(412)의 수보다 적다. 또, 복수의 흡착 패드(424)의 개구 면적은, 복수의 흡착 홈(415)의 면적보다 작다. 이 때문에, 각 흡착 패드(424)에 강한 흡인력이 생긴다. 따라서, 기판(9)의 강성이 높은 경우여도, 기판(9)의 휨을 교정할 수 있다.In this way, in the second stage 42 , portions other than the periphery of the substrate 9 are attracted to the suction pad 424 and drawn downward. For this reason, when the board|substrate 9 is a convex-shaped board|substrate, the center part of the board|substrate 9 falls to the same height as the peripheral edge of the board|substrate 9. As shown in FIG. Therefore, the board|substrate 9 can be hold|maintained, correcting the curvature of the convex shape of the board|substrate 9. As shown in FIG. In particular, the number of suction pads 424 in the second stage 42 is smaller than the number of suction holes 412 in the first stage 41 . Moreover, the opening area of the some suction pad 424 is smaller than the area of the some suction groove|channel 415. As shown in FIG. For this reason, strong suction force arises in each suction pad 424. As shown in FIG. Therefore, even when the rigidity of the board|substrate 9 is high, the curvature of the board|substrate 9 can be corrected.

제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)에 기판(9)이 유지된 후, 슬릿 노즐(43)이 기판(9)의 상면을 따라 이동하면서, 슬릿 형상의 토출구로부터 기판(9)의 상면을 향하여, 레지스트액을 토출한다. 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 레지스트액이 도포된다(단계 S4).After the substrate 9 is held on the first stage 41 or the second stage 42 , the slit nozzle 43 moves along the upper surface of the substrate 9 , The resist liquid is discharged toward the upper surface. Thereby, a resist liquid is apply|coated to the upper surface of the board|substrate 9 (step S4).

레지스트액의 도포가 종료되면, 반송 로봇(31)은, 도포부(40)로부터 기판(9)을 취출하고, 감압 건조부(50)로 기판(9)을 반송한다(단계 S5). 그리고, 감압 건조부(50)가, 기판(9)의 상면에 도포된 레지스트액을 감압에 의하여 건조시키는, 감압 건조 처리를 행한다(단계 S6). 이에 의하여, 기판(9)의 상면에 레지스트막이 형성된다.When the application of the resist liquid is finished, the transfer robot 31 takes out the substrate 9 from the application unit 40 and transfers the substrate 9 to the reduced pressure drying unit 50 (step S5). Then, the reduced pressure drying unit 50 performs a reduced pressure drying process in which the resist liquid applied on the upper surface of the substrate 9 is dried under reduced pressure (step S6). Thereby, a resist film is formed on the upper surface of the substrate 9 .

감압 건조 처리가 종료되면, 반송 로봇(31)은, 감압 건조부(50)로부터 기판(9)을 취출하고, 베이크부(60)로 기판(9)을 반송한다(단계 S7). 그리고, 베이크부(60)가, 가열 플레이트(62)에 의하여 기판(9)을 가열하는, 베이크 처리를 행한다(단계 S8). 이에 의하여, 레지스트막 중에 잔존하는 용매 성분이 제거된다. 또, 기판(9)에 대한 레지스트막의 밀착성이 향상된다.When the reduced pressure drying process is finished, the transfer robot 31 takes out the substrate 9 from the reduced pressure drying unit 50 , and transfers the substrate 9 to the baking unit 60 (step S7 ). And the baking part 60 performs the baking process which heats the board|substrate 9 with the heating plate 62 (step S8). Thereby, the solvent component remaining in the resist film is removed. Moreover, the adhesiveness of the resist film with respect to the board|substrate 9 improves.

베이크 처리가 종료되면, 반송 로봇(31)은, 베이크부(60)로부터 기판(9)을 취출하고, 다시 휨 계측부(20)로 기판(9)을 반송한다. 그리고, 기판 수납부(10)의 반출입 로봇이, 반송 로봇(31)으로부터 기판(9)을 수취하고, 기판 수납부(10)에 기판(9)을 수납한다(단계 S9).When the baking process is complete|finished, the conveyance robot 31 takes out the board|substrate 9 from the baking part 60, and conveys the board|substrate 9 to the curvature measuring part 20 again. And the carrying-in/out robot of the board|substrate storage part 10 receives the board|substrate 9 from the conveyance robot 31, and accommodates the board|substrate 9 in the board|substrate storage part 10 (step S9).

이상과 같이, 이 기판 처리 장치(1)에서는, 휨 계측부(20)의 계측 결과에 따라, 도포부(40)의 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중, 휨의 상태에 적합한 스테이지를 선택하여 사용한다. 이 때문에, 각 스테이지에 있어서, 기판(9)의 휨을 적절히 교정하고, 휨이 교정된 기판(9)의 상면에, 레지스트액을 도포할 수 있다. 특히, 제1 스테이지(41)의 흡착 홈(415)에 의하여 교정하는 것이 어려운 볼록 형상의 휨을, 복수의 흡착 패드(424)를 갖는 제2 스테이지(42)에 있어서, 교정할 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 1 , in the first stage 41 and the second stage 42 of the application unit 40 , according to the measurement result of the warpage measuring unit 20 , the state of the curvature is suitable. Select a stage and use it. For this reason, in each stage, the curvature of the board|substrate 9 can be suitably corrected, and a resist liquid can be apply|coated to the upper surface of the board|substrate 9 whose curvature was corrected. In particular, the convex-shaped curvature which is difficult to correct by the suction groove|channel 415 of the 1st stage 41 WHEREIN: The 2nd stage 42 which has the some suction pad 424 WHEREIN: It can correct.

또, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에서는, 휨 계측부(20)에 있어서, 위치 결정 기구(23)에 의하여 기판(9)을 위치 결정한 후에, 휨의 상태를 계측한다. 이 때문에, 기판(9)의 휨의 상태를, 높은 정밀도로 계측할 수 있다. 또, 레이저 변위계(22)로 주사함으로써, 기판(9)의 휨의 상태를, 비접촉으로 계측할 수 있다. 또, 3개의 레이저 변위계(22)를 사용함으로써, x방향 및 y방향의 2방향에 있어서, 기판(9)의 휨의 상태를 계측할 수 있다. 따라서, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42) 중, 기판(9)에 적절한 스테이지를, 높은 정밀도로 선택할 수 있다.Moreover, in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, in the curvature measuring part 20, after positioning the board|substrate 9 by the positioning mechanism 23, the state of curvature is measured. For this reason, the state of the curvature of the board|substrate 9 can be measured with high precision. Moreover, by scanning with the laser displacement meter 22, the state of the curvature of the board|substrate 9 can be measured non-contact. Moreover, by using the three laser displacement meters 22, the state of the curvature of the board|substrate 9 can be measured in two directions of an x-direction and a y-direction. Therefore, from among the first stage 41 and the second stage 42 , a stage suitable for the substrate 9 can be selected with high precision.

<2. 제2 실시 형태><2. Second embodiment>

계속해서, 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 제2 실시 형태는, 도포부에 있어서의 제2 스테이지의 구성과, 도포부가 챔버를 갖는 점이, 상술한 제1 실시 형태와 상이하다. 이하에서는, 제1 실시 형태와의 차이점을 중심으로 설명하고, 제1 실시 형태와 동등한 구성 및 처리에 대해서는, 중복 설명을 생략한다.Next, a second embodiment of the present invention will be described. 2nd Embodiment differs from 1st Embodiment mentioned above in the structure of the 2nd stage in an application part, and the point in which an application part has a chamber. Hereinafter, differences from the first embodiment will be mainly described, and overlapping descriptions of the configurations and processes equivalent to those of the first embodiment will be omitted.

도 11~도 13은, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)의 종단면도이다. 도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)는, 평탄한 상면(450)을 갖는다. 또, 제2 스테이지(45)는, 복수의 리프트 핀(451)을 갖는다. 복수의 리프트 핀(451)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 또, 복수의 리프트 핀(451)은, 도 11에 나타내는 상승 위치와, 도 12 및 도 13에 나타내는 하강 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상승 위치에서는, 리프트 핀(451)의 상단부가, 제2 스테이지(45)의 상면(450)보다 상방으로 돌출한다. 하강 위치에서는, 리프트 핀(451)의 상단부가, 제2 스테이지(45)의 상면(450)보다 하방으로 퇴피한다.11-13 are longitudinal sectional views of the 2nd stage 45 of 2nd Embodiment. 11 to 13 , the second stage 45 of the second embodiment has a flat upper surface 450 . In addition, the second stage 45 has a plurality of lift pins 451 . The plurality of lift pins 451 are arranged at equal intervals in the x-direction and the y-direction. Moreover, the some lift pin 451 moves up and down between the raising position shown in FIG. 11, and the lowering position shown in FIG. 12 and FIG. In the raised position, the upper end of the lift pin 451 protrudes upward from the upper surface 450 of the second stage 45 . In the lowered position, the upper end of the lift pin 451 is retracted below the upper surface 450 of the second stage 45 .

제2 스테이지(45) 상에 기판(9)을 배치할 때에는, 우선, 반송 로봇(31)이, 도 11과 같이, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(451) 위에 기판(9)을 재치한다. 그 후, 도 12와 같이, 복수의 리프트 핀(451)이, 상승 위치로부터 하강 위치로 이동한다. 이에 의하여, 제2 스테이지(45)의 상면(450)에 기판(9)이 재치된다.When disposing the board|substrate 9 on the 2nd stage 45, first, the conveyance robot 31 places the board|substrate 9 on the some lift pin 451 of a raised position like FIG. Thereafter, as shown in Fig. 12 , the plurality of lift pins 451 move from the raised position to the lowered position. Accordingly, the substrate 9 is placed on the upper surface 450 of the second stage 45 .

또, 제2 스테이지(45)는, 복수의 흡착 구멍(452)을 갖는다. 복수의 흡착 구멍(452)은, x방향 및 y방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 각 흡착 구멍(452)은, 제2 스테이지(45)를 상하 방향으로 관통한다. 도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 복수의 흡착 구멍(452)은, 흡인 배관(453)을 통하여 도면 밖의 진공원에 접속되어 있다. 또, 흡인 배관(453)의 경로 상에는, 개폐 밸브(454)가 설치되어 있다. 이 때문에, 개폐 밸브(454)를 개방하면, 복수의 흡착 구멍(452)으로부터 흡인 배관(453)을 통하여 진공원으로, 기체가 흡인된다. 이에 의하여, 각 흡착 구멍(452)에, 대기압보다 낮은 부압이 생긴다.In addition, the second stage 45 has a plurality of adsorption holes 452 . The plurality of suction holes 452 are arranged at equal intervals in the x-direction and the y-direction. Each suction hole 452 penetrates the second stage 45 in the vertical direction. 11 to 13 , the plurality of adsorption holes 452 are connected to a vacuum source outside the figure through a suction pipe 453 . Moreover, on the path|route of the suction pipe 453, the on-off valve 454 is provided. For this reason, when the on-off valve 454 is opened, gas is sucked from the plurality of adsorption holes 452 to the vacuum source through the suction pipe 453 . Thereby, the negative pressure lower than atmospheric pressure arises in each adsorption|suction hole 452.

또, 제2 스테이지(45)는, 상면에 복수의 흡착 홈(455)을 갖는다. 복수의 흡착 홈(455)은, x방향 및 y방향을 따라, 그리드 형상으로 형성되어 있다. 즉, 복수의 흡착 홈(455)은, x방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(455)과, y방향으로 연장되는 복수의 흡착 홈(455)을 포함한다. 상술한 흡착 구멍(452)의 상단부는, x방향으로 연장되는 흡착 홈(455)과, y방향으로 연장되는 흡착 홈(455)이 교차하는 위치에 개구한다. 이 때문에, 개폐 밸브(454)가 개방되면, 복수의 흡착 구멍(452)뿐만 아니라, 복수의 흡착 홈(455)에도, 부압이 생긴다. 제2 스테이지(45)의 상면(450)에 재치된 기판(9)은, 이 부압에 의하여, 흡착 홈(455)에 흡착된다.Moreover, the 2nd stage 45 has the some suction groove|channel 455 in the upper surface. The plurality of suction grooves 455 are formed in a grid shape along the x-direction and the y-direction. That is, the plurality of adsorption grooves 455 include a plurality of adsorption grooves 455 extending in the x-direction and a plurality of adsorption grooves 455 extending in the y-direction. The upper end of the above-described suction hole 452 opens at a position where the suction groove 455 extending in the x-direction and the suction groove 455 extending in the y-direction intersect. For this reason, when the on-off valve 454 is opened, a negative pressure will generate|occur|produce not only in the some adsorption|suction hole 452 but also the some adsorption|suction groove|channel 455. The substrate 9 placed on the upper surface 450 of the second stage 45 is sucked by the suction groove 455 by this negative pressure.

이와 같이, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)는, 4개의 클램퍼(416)를 갖고 있지 않은 점을 제외하고, 제1 실시 형태의 제1 스테이지(41)와 동등한 구성을 갖는다.Thus, the 2nd stage 45 of 2nd Embodiment has the structure equivalent to the 1st stage 41 of 1st Embodiment except the point which does not have the four clampers 416. As shown in FIG.

또, 제2 실시 형태의 도포부(40)는, 제2 스테이지(45)의 상방에 위치하는 챔버(46)와, 챔버(46)를 승강 이동시키는 승강 기구(47)를 갖는다. 챔버(46)는, 하방을 향하여 열린 컵 형상의 내압 용기이다. 챔버(46)는, 그 하단부에, 직사각형 형상의 개구를 갖는다. 또, 챔버(46)는, 당해 개구의 주위에, 직사각형 형상의 O링(461)을 갖는다. O링(461)은, 고무 등의 탄성을 갖는 재료로 이루어진다.Moreover, the application|coating part 40 of 2nd Embodiment has the chamber 46 located above the 2nd stage 45, and the raising/lowering mechanism 47 which moves the chamber 46 up and down. The chamber 46 is a cup-shaped pressure-resistant container opened downward. The chamber 46 has, at its lower end, a rectangular-shaped opening. Moreover, the chamber 46 has the O-ring 461 of a rectangular shape around the said opening. The O-ring 461 is made of a material having elasticity, such as rubber.

승강 기구(47)는, 예를 들면, 에어 실린더에 의하여 구성된다. 승강 기구(47)는, 제어부(70)에 의하여 동작 제어된다. 승강 기구(47)를 동작시키면, 챔버(46)는, 도 11~도 12에 나타내는 상측 위치와, 도 13에 나타내는 하측 위치의 사이에서, 승강 이동한다. 상측 위치에서는, 챔버(46)는, 상승 위치의 복수의 리프트 핀(451)에 지지되는 기판(9)보다 상방에 위치한다. 반송 로봇(31)이, 기판(9)을 제2 스테이지(45)로 반송할 때에는, 챔버(46)는, 상측 위치에 있어서 대기한다.The raising/lowering mechanism 47 is comprised by an air cylinder, for example. The lifting mechanism 47 is controlled by the control unit 70 . When the lifting mechanism 47 is operated, the chamber 46 moves up and down between the upper position shown in FIGS. 11-12 and the lower position shown in FIG. 13 . In the upper position, the chamber 46 is located above the substrate 9 supported by the plurality of lift pins 451 in the raised position. When the transfer robot 31 transfers the substrate 9 to the second stage 45 , the chamber 46 waits in the upper position.

리프트 핀(451)이 하강하고, 제2 스테이지(45)의 상면(450)에 기판(9)이 재치된 후, 승강 기구(47)에 의하여, 챔버(46)가 상측 위치로부터 하측 위치로 이동한다. 그렇다면, 도 13과 같이, 기판(9)의 상면이, 챔버(46)에 덮인다. 그리고, 기판(9)의 주연부의 상면에, 챔버(46)의 O링(461)이 접촉한다. 이에 의하여, 기판(9)과 챔버(46)의 사이에, 밀폐 공간(460)이 형성된다.After the lift pin 451 descends and the substrate 9 is placed on the upper surface 450 of the second stage 45 , the chamber 46 is moved from the upper position to the lower position by the lifting mechanism 47 . do. Then, as shown in FIG. 13 , the upper surface of the substrate 9 is covered by the chamber 46 . Then, the O-ring 461 of the chamber 46 is in contact with the upper surface of the periphery of the substrate 9 . Thereby, a sealed space 460 is formed between the substrate 9 and the chamber 46 .

또, 도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 챔버(46)는, 급기 배관(462)을 통하여 고압 기체 공급원(463)에 접속되어 있다. 또, 급기 배관(462)의 경로 상에는, 개폐 밸브(464)가 설치되어 있다. 이 때문에, 도 13과 같이 밀폐 공간(460)을 형성한 상태로, 개폐 밸브(464)를 개방하면, 고압 기체 공급원(463)으로부터 급기 배관(462)을 통하여 밀폐 공간(460)으로, 대기압보다 고압인 기체가 공급된다. 따라서, 기판(9)이 볼록 형상 기판인 경우에, 기판(9)의 상면이 고압의 기체에 눌림으로써, 기판(9)의 볼록 형상의 휨이 교정된다. 또한, 고압의 기체는, 클린 드라이 에어여도 되고, 혹은, 질소 가스 등의 불활성 가스여도 된다.11 to 13 , the chamber 46 is connected to a high-pressure gas supply source 463 via an air supply pipe 462 . Moreover, on the path|route of the air supply piping 462, the on-off valve 464 is provided. For this reason, when the on-off valve 464 is opened in a state in which the sealed space 460 is formed as shown in FIG. 13 , the high-pressure gas supply source 463 goes to the sealed space 460 through the air supply pipe 462, and the pressure is higher than atmospheric pressure. A high-pressure gas is supplied. Accordingly, when the substrate 9 is a convex substrate, the convex warp of the substrate 9 is corrected by pressing the upper surface of the substrate 9 with the high-pressure gas. In addition, clean dry air may be sufficient as the high-pressure gas, or inert gas, such as nitrogen gas, may be sufficient as it.

이 제2 실시 형태에서는, 기판(9)의 주연부는, 클램퍼가 아니라, 챔버(46)의 O링(461)에 의하여, 제2 스테이지(45)의 상면에 눌린다. 따라서, 기판(9)의 주연부의 하면은, 흡착 홈(455)에 양호하게 흡착된다. 또, 기판(9)의 중앙부는, 고압의 기체에 의하여, 기판(9)의 상면을 향하여 눌린다. 따라서, 기판(9)의 중앙부의 하면도, 흡착 홈(455)에 양호하게 흡착된다. 그 결과, 기판(9)의 하면의 전체를, 제2 스테이지(45)의 상면에 밀착시킬 수 있다.In this second embodiment, the periphery of the substrate 9 is pressed against the upper surface of the second stage 45 by the O-ring 461 of the chamber 46 instead of the clamper. Accordingly, the lower surface of the peripheral portion of the substrate 9 is favorably absorbed by the suction grooves 455 . Moreover, the central part of the board|substrate 9 is pressed toward the upper surface of the board|substrate 9 by high-pressure gas. Accordingly, the lower surface of the central portion of the substrate 9 is also favorably absorbed by the suction grooves 455 . As a result, the entire lower surface of the substrate 9 can be brought into close contact with the upper surface of the second stage 45 .

도 11~도 13에 나타내는 바와 같이, 흡인 배관(453)의 경로 상에는, 압력계(456)가 설치되어 있다. 압력계(456)의 계측값은, 제어부(70)로 송신된다. 기판(9)의 하면이 흡착 홈(455)에 정상적으로 흡착되면, 압력계(456)의 계측값이, 미리 설정된 역치보다 낮아진다. 이에 의하여, 제어부(70)는, 기판(9)의 하면이 흡착 홈(455)에 정상적으로 흡착된 것을 검출한다. 즉, 압력계(456)는, 제2 스테이지(45)에 있어서, 기판(9)의 하면에 대한 흡착 홈(455)의 흡착이, 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 「흡착 검출부」로서 기능한다.11-13, on the path|route of the suction pipe 453, the pressure gauge 456 is provided. The measured value of the pressure gauge 456 is transmitted to the control unit 70 . When the lower surface of the board|substrate 9 is normally adsorb|sucked by the adsorption|suction groove|channel 455, the measured value of the pressure gauge 456 will become lower than a preset threshold value. Thereby, the control part 70 detects that the lower surface of the board|substrate 9 was adsorb|sucked by the adsorption|suction groove 455 normally. That is, in the second stage 45 , the pressure gauge 456 functions as an "adsorption detection unit" that detects whether or not the suction grooves 455 on the lower surface of the substrate 9 are normally adsorbed.

제어부(70)는, 기판(9)의 하면이 흡착 홈(455)에 정상적으로 흡착된 것을 검출하면, 다시 개폐 밸브(464)를 폐쇄한다. 그리고, 승강 기구(47)에 의하여, 챔버(46)를 하강 위치로부터 상승 위치로 상승시킨다. 흡착 홈(455)에 일단 정상적으로 흡착된 기판(9)은, 챔버(46)가 상승 위치로 이동해도, 정상적인 흡착 상태로 유지된다. 그 후, 제1 실시 형태와 동일하게, 슬릿 노즐(43)에 의한 레지스트액의 도포 처리를 행한다.The control part 70 closes the on-off valve 464 again when it detects that the lower surface of the board|substrate 9 was normally adsorb|sucked by the adsorption|suction groove|channel 455. Then, the chamber 46 is raised from the lowered position to the raised position by the elevating mechanism 47 . The substrate 9 once normally adsorbed to the adsorption groove 455 is maintained in a normal adsorption state even when the chamber 46 is moved to the raised position. After that, the resist liquid application process by the slit nozzle 43 is performed similarly to the first embodiment.

이 제2 실시 형태에서는, 휨 계측부(20)의 계측 결과에 따라, 볼록 형상 기판으로 판별된 기판(9)이, 상술한 제2 스테이지(45)로 반송된다. 그리고, 제2 스테이지(45)에 있어서, 고압의 기체에 의하여, 기판(9)의 볼록 형상의 휨이 교정된다. 따라서, 휨이 교정된 기판(9)의 상면에, 레지스트액을 도포할 수 있다.In this second embodiment, the substrate 9 determined to be a convex substrate according to the measurement result of the warpage measurement unit 20 is conveyed to the second stage 45 described above. And in the 2nd stage 45, the convex-shaped curvature of the board|substrate 9 is corrected by high-pressure gas. Therefore, the resist liquid can be applied to the upper surface of the substrate 9 whose warpage has been corrected.

<3. 제3 실시 형태><3. Third embodiment>

계속해서, 본 발명의 제3 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 14는, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 일부분을 나타낸 평면도이다.Subsequently, a third embodiment of the present invention will be described. 14 is a plan view showing a part of the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment.

상술한 제1 실시 형태에서는, 도포부(40)에 있어서의 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)의 위치가 고정되어 있었다. 그리고, 반송 로봇(31)이, 제1 스테이지(41)의 위치와, 제2 스테이지(42)의 위치로, 기판(9)을 반송 가능했다.In the first embodiment described above, the positions of the first stage 41 and the second stage 42 in the application unit 40 were fixed. And the transfer robot 31 was able to transfer the board|substrate 9 to the position of the 1st stage 41, and the position of the 2nd stage 42. As shown in FIG.

이에 대하여, 제3 실시 형태에서는, 제1 스테이지(41)와 제2 스테이지(42)가, 별체의 석재에 의하여 형성되어 있다. 그리고, 도 14에 나타내는 바와 같이, 도포부(40)가, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)를 개별적으로 이동시키는 스테이지 이동 기구(48)를 갖는다. 스테이지 이동 기구(48)는, 제어부(70)에 의하여 동작 제어된다. 스테이지 이동 기구(48)는, 기판(9)이 반송되는 처리 위치(P0)와, 제1 대기 위치(P1)의 사이에서, 제1 스테이지(41)를 이동시킬 수 있다. 또, 스테이지 이동 기구(48)는, 상기의 처리 위치(P0)와, 제2 대기 위치(P2)의 사이에서, 제2 스테이지(42)를 이동시킬 수 있다.In contrast, in the third embodiment, the first stage 41 and the second stage 42 are formed of separate stones. And as shown in FIG. 14, the application part 40 has the stage moving mechanism 48 which moves the 1st stage 41 and the 2nd stage 42 individually. The operation of the stage moving mechanism 48 is controlled by the control unit 70 . The stage moving mechanism 48 can move the 1st stage 41 between the processing position P0 where the board|substrate 9 is conveyed, and the 1st standby position P1. Moreover, the stage moving mechanism 48 can move the 2nd stage 42 between the said processing position P0 and the 2nd standby position P2.

이 제3 실시 형태에서는, 휨 계측부(20)의 계측 결과에 따라, 스테이지 이동 기구(48)가, 제1 스테이지(41)와 제2 스테이지(42) 중 어느 한 쪽을, 선택적으로 처리 위치(P0)에 배치한다. 그리고, 반송 로봇(31)은, 처리 위치(P0)에 배치된 스테이지로, 기판(9)을 반송한다. 이와 같이 하면, 반송 로봇(31)에 의한 기판(9)의 반송처의 위치를 변경하는 일 없이, 기판(9)을 제1 스테이지(41) 또는 제2 스테이지(42)로, 선택적으로 반송할 수 있다.In this third embodiment, according to the measurement result of the bending measurement unit 20 , the stage moving mechanism 48 selectively moves either the first stage 41 or the second stage 42 to the processing position ( P0). And the transfer robot 31 transfers the board|substrate 9 to the stage arrange|positioned at the processing position P0. In this way, the substrate 9 can be selectively transferred to the first stage 41 or the second stage 42 without changing the position of the transfer destination of the substrate 9 by the transfer robot 31 . can

<4. 변형예><4. Variant example>

이상, 제1 실시 형태~제3 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은, 상기의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.As mentioned above, although 1st Embodiment - 3rd Embodiment were demonstrated, this invention is not limited to said embodiment.

상기의 실시 형태에서는, 휨 계측부(20)가, 3개의 레이저 변위계(22)를 갖고 있었다. 그러나, 휨 계측부(20)가 갖는 레이저 변위계(22)의 수는, 3개 이외여도 된다. 또, 휨 계측부(20)는, 레이저 변위계(22) 이외의 수단으로, 기판(9)의 휨의 상태를 계측해도 된다. 또, 상기의 실시 형태에서는, 기판(9)의 상면의 높이를 계측함으로써, 기판(9)의 휨의 상태를 계측하고 있었다. 그러나, 기판(9)의 하면의 높이를 계측함으로써, 기판(9)의 휨의 상태를 계측해도 된다.In the above embodiment, the warp measurement unit 20 had three laser displacement meters 22 . However, the number of the laser displacement meters 22 which the bending measurement part 20 has may be other than three. Moreover, the curvature measuring part 20 may measure the state of the curvature of the board|substrate 9 by means other than the laser displacement meter 22. As shown in FIG. Moreover, in said embodiment, the state of the curvature of the board|substrate 9 was measured by measuring the height of the upper surface of the board|substrate 9. As shown in FIG. However, you may measure the state of the curvature of the board|substrate 9 by measuring the height of the lower surface of the board|substrate 9. As shown in FIG.

또, 상기의 예에서는, 제2 실시 형태의 제2 스테이지(45)에, 흡착 검출부로서의 압력계(456)가 접속되어 있었다. 그러나, 제1 실시 형태의 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42)에도, 동일한 압력계(456)가 접속되어 있어도 된다. 그리고, 당해 압력계(456)의 계측값에 의거하여, 제어부(70)가, 기판(9)의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하도록 해도 된다.Moreover, in the above example, the pressure gauge 456 as an adsorption|suction detection part was connected to the 2nd stage 45 of 2nd Embodiment. However, the same pressure gauge 456 may be connected also to the 1st stage 41 and the 2nd stage 42 of 1st Embodiment. And based on the measured value of the said pressure gauge 456, you may make it detect whether the control part 70 is adsorption|suction with respect to the lower surface of the board|substrate 9 normally performed.

또, 상기의 실시 형태에서는, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42, 45)는, 기판(9)에 대하여 레지스트액을 도포하는 공정에, 사용되는 것이었다. 그러나, 제1 스테이지(41) 및 제2 스테이지(42, 45)는, 기판(9)에 대하여 레지스트액 이외의 처리액을 도포하는 공정이나, 도포 이외의 처리를 행하는 공정에, 사용되는 것이어도 된다.In addition, in the above embodiment, the first stage 41 and the second stages 42 , 45 are used in the step of applying a resist solution to the substrate 9 . However, the first stage 41 and the second stages 42 and 45 may be used in a process of applying a treatment liquid other than a resist liquid to the substrate 9 or a process of performing a process other than the application. do.

또, 상기의 실시 형태에서는, 반도체 패키지용 기판(9)에 대하여 처리를 행하는 장치에 대하여 설명했다. 그러나, 본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 포토마스크 등의 다른 기판에 대하여 처리를 행하는 것이어도 된다.In addition, in said embodiment, the apparatus which processes with respect to the board|substrate 9 for semiconductor packages was demonstrated. However, in the substrate processing apparatus and substrate processing method of the present invention, processing may be performed on other substrates such as semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, and photomasks.

또, 기판 처리 장치의 세부에 대해서는, 본원의 각 도면에 나타내어진 구성과, 상이해도 된다. 또, 상기의 실시 형태나 변형예에 등장한 각 요소를, 모순이 생기지 않는 범위에서, 적절히 조합해도 된다.Moreover, about the detail of a substrate processing apparatus, you may differ from the structure shown in each drawing of this application. Moreover, you may combine each element which appeared in the said embodiment and a modified example suitably within the range which does not produce a contradiction.

1 기판 처리 장치
9 기판
10 기판 수납부
20 계측부
21 계측 스테이지
22 레이저 변위계
23 위치 결정 기구
24 주사 기구
30 반송 기구
31 반송 로봇
40 도포부
41 제1 스테이지
42 제2 스테이지
43 슬릿 노즐
44 대기부
45 제2 스테이지
46 챔버
47 승강 기구
48 스테이지 이동 기구
50 감압 건조부
60 베이크부
70 제어부
212 지지 핀
231 에어 실린더
232 에어 실린더
233 에어 실린더
234 에어 실린더
411 리프트 핀
412 흡착 구멍
415 흡착 홈
416 클램퍼
421 리프트 핀
422 세로 구멍
423 흡인 파이프
424 흡착 패드
427 클램퍼
451 리프트 핀
452 흡착 구멍
455 흡착 홈
456 압력계
461 O링1 Substrate processing unit
9 board
10 Board compartment
20 measurement unit
21 measurement stage
22 laser displacement meter
23 positioning mechanism
24 injection device
30 transport mechanism
31 transport robot
40 applicator
41 Stage 1
42 second stage
43 slit nozzle
44 atmosphere
45 second stage
46 chamber
47 Lifting mechanism
48 stage moving mechanism
50 decompression dryer
60 bake part
70 control
212 support pin
231 air cylinder
232 air cylinder
233 air cylinder
234 air cylinder
411 lift pins
412 adsorption hole
415 Suction Groove
416 Clampers
421 lift pins
422 vertical hole
423 suction pipe
424 suction pad
427 clamper
451 lift pins
452 suction hole
455 Suction Groove
456 pressure gauge
461 O-ring

Claims (20)

기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서,
평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와,
평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와,
기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와,
상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구
를 구비한, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate, the substrate processing apparatus comprising:
a first stage having a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, the first stage adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves;
a second stage having a flat upper surface and a plurality of suction pads made of an elastic material, the second stage adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction pads;
A warpage measurement unit for measuring the warpage state of the substrate;
A conveyance mechanism which conveys a board|substrate to the said 1st stage or the said 2nd stage according to the measurement result of the said warpage measurement part
A substrate processing apparatus provided with. 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서,
평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제1 스테이지와,
평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 제2 스테이지와,
상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치(載置)된 기판을 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 챔버와,
기판의 휨의 상태를 계측하는 휨 계측부와,
상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판을 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지로 반송하는 반송 기구
를 구비한, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate, the substrate processing apparatus comprising:
a first stage having a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, the first stage adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves;
a second stage having a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, the second stage adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves;
a chamber covering the substrate mounted on the upper surface of the second stage and supplying a high-pressure gas to a space formed between the substrate and;
A warpage measurement unit for measuring the warpage state of the substrate;
A conveyance mechanism which conveys a board|substrate to the said 1st stage or the said 2nd stage according to the measurement result of the said warpage measurement part
A substrate processing apparatus provided with. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 휨 계측부는,
기판의 표면과의 거리를 계측하면서 기판의 표면을 따라 이동하는 레이저 변위계를 갖는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The warpage measurement unit,
A substrate processing apparatus having a laser displacement meter that moves along the surface of the substrate while measuring a distance from the surface of the substrate. 청구항 3에 있어서,
상기 휨 계측부는, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동하는 복수의 상기 레이저 변위계를 갖는, 기판 처리 장치.4. The method according to claim 3,
The warpage measuring unit has a plurality of the laser displacement meters moving parallel to each other along the surface of the substrate. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 휨 계측부는,
계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정하는 위치 결정 기구를 갖는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The warpage measurement unit,
A substrate processing apparatus comprising a positioning mechanism for positioning a substrate on a measurement stage. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고,
상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 반송 기구는, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
According to the measurement result of the warpage measuring unit, when the substrate has a concave warp, the conveying mechanism conveys the substrate to the first stage,
The substrate processing apparatus, wherein the conveying mechanism conveys the substrate to the second stage when the substrate has a convex curvature according to a measurement result of the warpage measurement unit. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 스테이지는,
기판의 주연부를 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 클램퍼를 갖는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The first stage is
and a clamper that presses the periphery of the substrate against the upper surface of the first stage. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 유지된 기판의 상면을 따라 이동하면서, 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 슬릿 노즐을 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
and a slit nozzle which discharges the processing liquid from the slit-shaped discharge port toward the upper surface of the substrate while moving along the upper surface of the substrate held by the first stage or the second stage. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 흡착 검출부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The said 1st stage or the said 2nd stage WHEREIN: The substrate processing apparatus further equipped with the adsorption|suction detection part which detects whether adsorption|suction with respect to the lower surface of a board|substrate is normally performed. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 휨 계측부의 계측 결과에 따라, 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시키는 스테이지 이동 기구를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus further comprising a stage moving mechanism that moves the first stage or the second stage to a transfer destination of the substrate by the transfer mechanism according to a measurement result of the warpage measurement unit. 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서,
a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과,
b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정
을 갖고,
상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고,
상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 탄성 재료로 이루어지는 복수의 흡착 패드를 갖고, 상기 복수의 흡착 패드에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지인, 기판 처리 방법.A substrate processing method for performing a predetermined processing on a substrate, the substrate processing method comprising:
a) measuring the state of the warpage of the substrate;
b) a step of transporting the substrate to the first stage or the second stage according to the measurement result of step a)
have,
The first stage is a stage having a flat upper surface and a plurality of adsorption grooves formed on the upper surface, and adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of adsorption grooves;
The second stage has a flat upper surface and a plurality of suction pads made of an elastic material, and is a stage for adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction pads. 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서,
a) 기판의 휨의 상태를 계측하는 공정과,
b) 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판을 제1 스테이지 또는 제2 스테이지로 반송하는 공정
을 실행하고,
상기 제1 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고,
상기 제2 스테이지는, 평탄한 상면과, 상기 상면에 형성된 복수의 흡착 홈을 갖고, 상기 복수의 흡착 홈에 의하여, 기판의 하면을 흡착하여 유지하는 스테이지이고,
기판이 상기 제2 스테이지로 반송된 경우,
c) 상기 제2 스테이지의 상기 상면에 재치된 기판을 챔버로 덮음과 더불어, 기판과의 사이에 형성되는 공간에 고압의 기체를 공급하는 공정
을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.A substrate processing method for performing a predetermined processing on a substrate, the substrate processing method comprising:
a) measuring the state of the warpage of the substrate;
b) a step of transporting the substrate to the first stage or the second stage according to the measurement result of step a)
run
The first stage is a stage having a flat upper surface and a plurality of adsorption grooves formed on the upper surface, and adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of adsorption grooves;
The second stage has a flat upper surface and a plurality of suction grooves formed on the upper surface, and is a stage for adsorbing and holding the lower surface of the substrate by the plurality of suction grooves,
When the substrate is transferred to the second stage,
c) a process of covering the substrate placed on the upper surface of the second stage with a chamber and supplying a high-pressure gas to a space formed between the substrate and the substrate
Further executing, substrate processing method. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
상기 공정 a)에서는, 레이저 변위계에 의하여 기판의 표면과의 거리를 계측하면서, 상기 레이저 변위계를 기판의 표면을 따라 이동시키는, 기판 처리 방법.13. The method according to claim 11 or 12,
In the step a), the laser displacement meter is moved along the surface of the substrate while measuring the distance to the surface of the substrate by the laser displacement meter. 청구항 13에 있어서,
상기 공정 a)에서는, 복수의 상기 레이저 변위계를, 기판의 표면을 따라 서로 평행하게 이동시키는, 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
In the step a), the plurality of laser displacement meters are moved parallel to each other along the surface of the substrate. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
상기 공정 a)에서는, 계측 스테이지 상에 있어서 기판을 위치 결정하는, 기판 처리 방법.13. The method according to claim 11 or 12,
In the step a), the substrate is positioned on the measurement stage. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 오목 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제1 스테이지로 반송하고,
상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판이 볼록 형상의 휨을 갖는 경우, 상기 공정 b)에 있어서, 기판을 상기 제2 스테이지로 반송하는, 기판 처리 방법.13. The method according to claim 11 or 12,
When the substrate has a concave curvature according to the measurement result of the step a), in the step b), the substrate is transferred to the first stage;
According to the measurement result of the said process a), when a board|substrate has convex-shaped curvature, in the said process b), the board|substrate is conveyed to the said 2nd stage. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
기판이 상기 제1 스테이지로 반송된 경우,
d) 기판의 주연부를 클램퍼에 의하여 상기 제1 스테이지의 상면에 누르는 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.13. The method according to claim 11 or 12,
When the substrate is transferred to the first stage,
d) further performing a step of pressing the periphery of the substrate onto the upper surface of the first stage by means of a clamper. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
e) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 기판이 유지된 후, 기판의 상면을 따라 슬릿 노즐을 이동시키면서, 상기 슬릿 노즐이 갖는 슬릿 형상의 토출구로부터 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.13. The method according to claim 11 or 12,
e) a step of discharging a processing liquid from a slit-shaped discharge port of the slit nozzle toward the upper surface of the substrate while moving the slit nozzle along the upper surface of the substrate after the substrate is held on the first stage or the second stage Further executing, substrate processing method. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
f) 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지에 있어서, 기판의 하면에 대한 흡착이 정상적으로 행해지고 있는지 여부를 검출하는 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 방법.13. The method according to claim 11 or 12,
f) In the first stage or the second stage, a step of detecting whether or not adsorption of the substrate to the lower surface is normally performed is further executed. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
상기 공정 b)에서는, 상기 공정 a)의 계측 결과에 따라, 기판의 반송처로, 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이동시키는, 기판 처리 방법.13. The method according to claim 11 or 12,
In the step b), the first stage or the second stage is moved to a transfer destination of the substrate according to the measurement result of the step a).
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