JP2006108484A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. ＡｒＦフォトリソグラフィ法を用いて形成したレジストマスクによって覆われた層間絶縁膜を、所定のエッチングガスを導入しつつ、プラズマ雰囲気中でドライエッチングしてホール、トレンチを微細加工する層間絶縁膜のドライエッチング方法において、前記エッチングガスとして、ハロゲン系ガス（ハロゲンは、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ）であって、Ｉ及びＢｒの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲンの総量の２６％以下で、残りがＦであるフッ化炭素化合物ガスを用いることを特徴とする層間絶縁膜のドライエッチング方法。
2. 前記フッ化炭素化合物ガスは、ヨウ素化フッ化炭素化合物ガス及び臭素化フッ化炭素化合物ガスのいずれか一方、またはこれらの混合ガスであることを請求項１記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
3. 前記ヨウ素化フッ化炭素化合物ガスは、ＣＦ３Ｉ、Ｃ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｆ７Ｉ、Ｃ３Ｆ６Ｉ２の中から選択された少なくとも一種、または前記ヨウ素化フッ化炭素化合物ガスとＨＩ若しくはＨＢｒとから選択された二種以上を含有する混合ガスである請求項２記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
4. 前記臭素化フッ化炭素化合物ガスは、ＣＦ３Ｂｒ、Ｃ２Ｆ５Ｂｒ、Ｃ３Ｆ７Ｂｒ、Ｃ３Ｆ６Ｂｒ２の中から選択された少なくとも一種、または前記臭素化フッ化炭素化合物ガスとＨＩ若しくはＨＢｒとから選択された二種以上を含有する混合ガスであることを特徴とする請求項２記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
5. 前記エッチングガスは、ＣＦ４とＣ２Ｆ４Ｉ２またはＣ２Ｆ４Ｂｒ２との混合ガスであることを特徴とする請求項１または請求項２記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
6. 前記エッチングガスは、ＨＩ及びＨＢｒの少なくとも一方と過フッ化炭素化合物との混合ガスであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
7. 前記エッチングガスは、ＣＦ３Ｉと過フッ化炭素化合物との混合ガスであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
8. 前記エッチングガスは、ＣＦ３Ｂｒと過フッ化炭素化合物との混合ガスであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
9. 前記エッチングガスに、このエッチングガスの総流量に対して３〜１５％の範囲で酸素を添加したことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
10. ＡｒＦフォトリソグラフィ法を用いてパターニングして形成されたパターンを有するレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をプラズマ雰囲気中でエッチングする装置において、
    ガス流量制御手段を介してガス源に接続され、上記層間絶縁膜をエッチングするチャンバ内にエッチングガスを導入するガス導入手段を備え、
    パターンを有するレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をエッチングする場合に、上記エッチングガスとして、ハロゲン系ガス(ただし、ハロゲンは、Ｆ、Ｉ及びＢｒ)であって、Ｉ及びＢｒの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲン原子総量の２６％以下であり、残りがＦであるフッ化炭素化合物ガスを上記ガス導入手段によりチャンバ内に導入するように構成されたことを特徴とするエッチング装置。