JP2006093343A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】 コンデンサ素子の陽極部を被接続体の電極パターンに安定性良く接合することができる固体電解コンデンサを提供する。
【解決手段】 固体電解コンデンサ1は、コンデンサ素子2と基板4とを備えている。コンデンサ素子2の陽極部7は、アルミニウム基体9の一部領域で形成され、コンデンサ素子2の陰極部6は、アルミニウム基体9における陽極部7を除く領域に固体電解質層12及び導電体層13を積層して形成されている。基板4には、陰極部6と接続される配線パターン17と、陽極部7と接続される配線パターン18とが設けられている。配線パターン18は、パターン基部19と、このパターン基部19上に下地層20を介して形成された表面金属層21とを有している。パターン基部19は銅で形成され、表面金属層21はニッケル、鉄、ステンレス及びクロムを主成分とする金属材料で形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 固体電解コンデンサ1は、コンデンサ素子2と基板4とを備えている。コンデンサ素子2の陽極部7は、アルミニウム基体9の一部領域で形成され、コンデンサ素子2の陰極部6は、アルミニウム基体9における陽極部7を除く領域に固体電解質層12及び導電体層13を積層して形成されている。基板4には、陰極部6と接続される配線パターン17と、陽極部7と接続される配線パターン18とが設けられている。配線パターン18は、パターン基部19と、このパターン基部19上に下地層20を介して形成された表面金属層21とを有している。パターン基部19は銅で形成され、表面金属層21はニッケル、鉄、ステンレス及びクロムを主成分とする金属材料で形成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、陽極部及び陰極部を有するコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサに関するものである。
従来の固体電解コンデンサとしては、例えば特許文献1に記載されているように、リードフレームの表面に銅金属層を形成し、コンデンサ素子の陰極部を導電性接着剤で銅金属層に固定すると共に、レーザ溶接によってコンデンサ素子の陽極部を銅金属層に接合したものが知られている。
特開平5−21290号公報
しかしながら、上記従来技術のように、被接続体であるリードフレームの銅金属層(電極パターン)上に直接コンデンサ素子を載せた状態で、レーザ溶接によりコンデンサ素子の陽極部を銅金属層に接合すると、陽極部と銅金属層との接合が不十分であり、両者の接合(固定)状態が不安定になることがあった。
本発明の目的は、コンデンサ素子の陽極部を被接続体の電極パターンに安定性良く接合することができる固体電解コンデンサを提供することである。
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、加工用として広く一般に使われているYAGレーザ(波長1.06μm)溶接によって、コンデンサ素子の陽極部と銅製の電極パターンとの接合を行う場合に、陽極部と電極パターンとの溶接状態が不安定になる要因は、YAGレーザの波長に対する銅の光反射率が高いことにあることを見出した。レーザ溶接では、レーザ照射による熱エネルギーを利用して、互いの金属を溶融させることが必要である。しかし、電極パターンでの光の反射率が高いと、照射されたレーザの熱エネルギーが電極パターンに吸収されにくくなるため、レーザの熱エネルギーが溶接時に電極パターンを溶融させるためのエネルギーとして効率的に使われないことになる。従って、その結果として陽極部と電極パターンとの溶接が不十分になってしまう。本発明は、そのような知見に基づいて為されたものである。
即ち、本発明は、コンデンサ素子と、コンデンサ素子と固定される被接続体とを備えた固体電解コンデンサであって、コンデンサ素子は、弁金属基体の一部領域で形成される陽極部と、弁金属基体における陽極部を除く領域の表面上に固体電解質層及び導電体層を積層して形成される陰極部とを有し、被接続体には、陽極部と接続される陽極パターンと、陰極部と接続される陰極パターンとが設けられており、陽極パターンの表面部は、ニッケル、鉄、ステンレス及びクロムのいずれかを主成分とする金属材料で形成されていることを特徴とするものである。
このような固体電解コンデンサにおいて、コンデンサ素子の陽極部は、例えばYAGレーザ溶接により被接続体の陽極パターンの表面に接合され、コンデンサ素子の陰極部は、導電性接着剤により被接続体の陰極パターンの表面に接合される。このとき、陽極パターンの表面部は、ニッケル、鉄、ステンレス及びクロムのいずれかを主成分とする金属材料で形成されているが、YAGレーザの波長に対するニッケル、鉄、ステンレス及びクロムの光反射率は、YAGレーザの波長に対する銅の光反射率に比べて十分に低い。このため、YAGレーザ溶接により陽極部を陽極パターンに接合したときに、レーザの熱エネルギーが陽極パターンの表面部に吸収されやすくなり、当該熱エネルギーによりコンデンサ素子の陽極部と陽極パターンとが十分に溶融されるため、陽極部と陽極パターンとの溶接状態が良好になる。これにより、陽極部と陽極パターンとの接合強度が高くなるため、陽極部を陽極パターンに安定性良く接合することができる。また、ニッケル、鉄、ステンレス及びクロムは比較的安価であるため、固体電解コンデンサの製作コストの増大を抑えることが可能となる。
好ましくは、弁金属基体は、アルミニウム、チタン、タンタル、ニオブ及びジルコニウムのいずれかを主成分とする金属材料で形成されている。特性の良好な固体電解コンデンサを得るためには、弁金属基体の材料としてそのような金属材料を用いるのが好適である。
また、好ましくは、陽極パターンは、銅からなるパターン基部と、パターン基部の上部に形成され、ニッケル、鉄、ステンレス及びクロムのいずれかを主成分とする金属材料からなる表面金属層とを有する。コンデンサ素子の陰極部及び陽極部が接続される電極パターンの金属材料としては、十分な導通の確保、作りやすさ、コスト等を考慮すると、銅が特に有効であるとされている。このため、陽極パターンのパターン基部を陰極パターンと共に銅で形成するのが好適である。また、陽極パターンを、パターン基部と表面金属層とを有する構成とすることにより、陽極パターンの高さを増やすことが可能となる。コンデンサ素子の陽極部を被接続体の陽極パターンに接続する際には、陽極部を被接続体側に曲げる必要があるが、上記のように陽極パターンを高くすると、その分だけ被接続体側への陽極部の曲げ量を抑えることができる。
このとき、好ましくは、パターン基部と表面金属層との間には、クロムまたはニッケルからなる下地層が形成されている。これにより、パターン基部と表面金属層との密着強度がより高くなるため、コンデンサ素子の陽極部を被接続体の陽極パターンに更に安定性良く接合することができる。また、陽極パターンの高さが更に増大するため、コンデンサ素子の陽極部を被接続体の陽極パターンに接続する際に、被接続体側への陽極部の曲げ量をより抑えることができる。
本発明によれば、被接続体の陽極パターンの表面部を、ニッケル、鉄、ステンレス及びクロムのいずれかを主成分とする金属材料で形成したので、レーザ溶接を用いて陽極部を陽極パターンに安定性良く接合することができる。これにより、陽極部と陽極パターンとの電気的接続の信頼性が向上する。
以下、本発明に係わる固体電解コンデンサの好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明に係わる固体電解コンデンサの一実施形態を示す断面図であり、図2は、図1に示す固体電解コンデンサの平面図である。なお、図1は、図2のI−I線断面図である。各図において、本実施形態の固体電解コンデンサ1は、複数(図1では3つ)のコンデンサ素子2からなるコンデンサ素子積層体3と、このコンデンサ素子積層体3が載置・固定される基板4と、コンデンサ素子積層体3をモールドする樹脂モールド部5とを備えている。
コンデンサ素子2は、陰極部6と、この陰極部6を挟むように形成された複数の陽極部7とを有している。陽極部7は、陰極部6の両側に2つずつ互い違いに配置されている。陰極部6と各陽極部7との間には、絶縁部8がそれぞれ形成されている。
図3は、コンデンサ素子2の一部構造を詳細に示した拡大断面図である。図1及び図3において、陽極部7は、箔状または板状のアルミニウム基体9の一部領域で形成されている。アルミニウム基体9の表面は、表面積を増やすべく粗面化(拡面化)されている。また、アルミニウム基体9の表面には、化成処理(陽極酸化)によって絶縁性の酸化アルミニウム皮膜(誘電体層)10が形成されている。なお、酸化アルミニウム皮膜10の厚さは、例えば数nm〜数十nm程度である。
このように化成処理されたアルミニウム基体9は、例えば打ち抜き加工によって、図2に示すように両側に突出部11を2つずつ有する形状となるように形成されている。4つの突出部11は、コンデンサ素子2の陽極部7を形成する領域であり、表面の粗面化構造が破壊されている。そして、各突出部11の基端部分の表面上には、絶縁部8を形成するエポキシ樹脂等が塗布されている。
化成処理されたアルミニウム基体9において各突出部11を除く領域の表面上には、導電性高分子化合物を含む固体電解質層12が形成されている。この固体電解質層12は、アルミニウム基体9の粗面化によって形成された微細穴9aに入り込むように形成されている。固体電解質層12は、例えばモノマーの状態で微細穴9aに含漬させた後、化学酸化重合または電解酸化重合して形成される。固体電解質層12上には、導電体層13が形成されている。導電体層13は、例えばスクリーン印刷法、浸漬法(ディップ法)及びスプレー塗布法のいずれかによって順次形成されたグラファイトペースト層14及び銀ペースト層15で構成されている。これにより、コンデンサ素子2の陰極部6が形成される。陰極部6を構成する導電体層13と陽極部7を構成するアルミニウム基体9とは、絶縁部8によって電気的に絶縁されている。
コンデンサ素子積層体3は、複数枚のコンデンサ素子2を積層して固定したものである。コンデンサ素子積層体3は、各コンデンサ素子2の陽極部7同士を揃えた状態で、各コンデンサ素子2の陰極部6の導電体層13同士を導電性接着剤16で接合するように構成されている。
このようなコンデンサ素子積層体3が載置・固定される基板4は、例えばエポキシ樹脂製のプリント基板である。基板4の上面(コンデンサ素子載置面)4aには、コンデンサ素子積層体3の陰極部6と電気的に接続される陰極配線パターン17と、コンデンサ素子積層体3の各陽極部7と電気的に接続される陽極配線パターン18とが設けられている。
陰極配線パターン17は、好ましくは銅で形成されている。銅は比較的自然酸化されにくい金属材料であるため、コンデンサ素子積層体3の陰極部6が接着(後述)されたときに、十分な導通を確保することが可能となる。陰極配線パターン17は、例えばフォトリソグラフィ技術によって形成される。陰極配線パターン17の厚さは、35〜70μm程度である。
陽極配線パターン18は、基板4の上面4aに複数(ここでは4つ)形成されている。各陽極配線パターン18は、基板4上に形成されたパターン基部19と、このパターン基部19上に形成された下地層20と、この下地層20上に形成された表面金属層21とを有している。パターン基部19は、好ましくは銅からなり、例えばフォトリソグラフィ技術によって陰極配線パターン17と一緒に形成される。
表面金属層21は、ニッケル、鉄、ステンレス及びクロムのいずれかの金属材料からなる単一組成層でも良いし、これらの金属材料を複数含んでなる複数組成層(合金)でも良いし、或いはこれらの金属材料を積層構造としても良い。表面金属層21は、例えばスパッタ・蒸着・メッキ処理等により形成したり、上記金属材料からなる金属箔を半田付け、導電性接着剤、YAGレーザ溶接等により下地層20の表面に接合して形成する。
下地層20は、クロム層またはニッケル層である。下地層20は、スパッタ・蒸着・メッキ処理等によりパターン基部19上に形成される。このような下地層20をパターン基部19と表面金属層21との間に形成することにより、パターン基部19と表面金属層21との密着性が高くなる。さらに、蒸着法を用いる場合には、パターン基部19と下地層20との間や、下地層20と表面金属層21との間にパラジウム層を設けると、両者の密着性向上として更に効果的である。
このような陽極配線パターン18において、パターン基部19の厚さは35〜70μm程度であり、下地層20の厚さは0.1〜1μm程度であり、表面金属層21の厚さは100〜200μm程度である。
基板4の下面(実装面)4bには、複数の陰極端子パターン24と、複数の陽極端子パターン25とが設けられている。これらの端子パターン24,25は、電子回路基板等(図示せず)に実装される部分であり、陰極配線パターン17と同様の材料で形成されている。また、端子パターン24,25の表面上(下面)には、図示はしないが、金メッキ層または半田合金層を形成しておくのが望ましい。これにより、基板4を半田で電子回路基板等に実装する際に、半田固定強度が高くなると共に、半田のぬれ性が良好になる。
基板4には、陰極配線パターン17と陰極端子パターン24とを電気的に接続する複数の陰極用スルーホール26と、陽極配線パターン18と陽極端子パターン25とを電気的に接続する複数の陽極用スルーホール27とが設けられている。これらのスルーホール26,27は、例えばドリル加工により基板4に貫通孔28を形成した後、その貫通孔28を形成する基板4の内壁面にメッキ29を施して形成される。
以上のようなコンデンサ素子積層体3及び基板4を用いて固体電解コンデンサ1を作製する場合は、まず基板4の上面4aにコンデンサ素子積層体3を載せ、コンデンサ素子積層体3の陰極部6を陰極配線パターン17に接続・固定し、コンデンサ素子積層体3の各陽極部7を陽極配線パターン18に接続・固定する。
具体的には、各コンデンサ素子2の陰極部6同士の接合と同様に、導電性接着剤16によって陰極部6の最外層の銀ペースト層15を陰極配線パターン17に接着する。また、各コンデンサ素子2の陽極部7を基板4側に曲げて、各陽極部7の先端側部分を重ね合わせて陽極配線パターン18に接続し、その状態で、YAGレーザスポット溶接によって、各陽極部7のアルミニウム基体9を陽極配線パターン18に溶接する。
このとき、基板4上の陽極配線パターン18はパターン基部19、下地層20及び表面金属層21で形成されているので、YAGレーザ溶接により各陽極部7を各陽極配線パターン18に接合する際には、アルミニウム基体9とニッケル、鉄、ステンレス、クロムのいずれかを主成分とする金属材料で形成された表面金属層21とが溶接されることになる。
ところで、加工用のYAGレーザとしては、波長1.06μmのレーザ光を照射するものが広く使用されているが、そのようなYAGレーザの波長に対するニッケル、鉄、ステンレス及びクロムの光反射率は、当該YAGレーザの波長に対するアルミニウムや銅の光反射率に比べて十分に低い。具体的には、波長1.06μmにおけるアルミニウム、銅の光反射率は、それぞれ99%程度、98%程度であるのに対し、波長1.06μmにおけるニッケル、鉄、ステンレス及びクロムの光反射率は、それぞれ70%程度、50〜55%程度、60〜65%程度、65%程度である。
このように表面金属層21は、YAGレーザの波長1.06μmにおける光反射率がほぼ70%以下の金属材料で形成されている。このため、YAGレーザ溶接によりアルミニウム基体9を表面金属層21に接合する際、表面金属層21に対するYAGレーザの熱エネルギーの吸収率が高くなるので、その熱エネルギーによってアルミニウム基体9及び表面金属層21が溶融されやすくなる。これにより、アルミニウム基体9と表面金属層21とがうまい具合に溶接されるようになるため、各陽極部7と各陽極配線パターン18との接合強度が高くなり、両者の接合状態が良好になり安定化するようになる。
従って、陽極部7と陽極配線パターン18との十分な導通が確保されるため、漏れ電流や等価直列抵抗(ESR)を低減したり、所望の静電容量を得ることができ、固体電解コンデンサ1の品質を向上させることが可能となる。また、表面金属層21の金属材料としてニッケル、鉄、ステンレス、クロムのいずれかを用いるので、コストの上昇を抑えることができる。
また、パターン基部19の上に下地層20を介して表面金属層21を形成したので、陽極配線パターン18の高さが増大することになる。このため、その分だけ基板4側に対する陽極部7の曲げ量が抑えられるので、特に上層のコンデンサ素子2の陽極部7を大きく曲げることで生じるアルミニウム基体9の亀裂等を防止することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、コンデンサ素子2の陽極部7を形成する弁金属基体としてアルミニウム基体9を用いたが、弁金属基体の材料としては、アルミニウム以外に、アルミニウム合金、チタン、タンタル、ニオブ及びジルコニウムまたはこれらの合金等を使用してもよい。この場合、いずれの弁金属基体を用いた場合であっても、基板4に形成される陽極配線パターン18の表面部は、ニッケル、鉄、ステンレス及びクロムを主成分とする金属材料で形成する。このとき、金属材料等によっては、陽極配線パターンをパターン基部及び表面金属層のみからなる構造としたり、陽極配線パターンを全体的にニッケル、鉄、ステンレス及びクロムを主成分とする金属材料で形成してもよい。
また、上記実施形態の固体電解コンデンサ1は、複数の陽極部7を有する多端子型コンデンサであるが、本発明は、陽極部及び陰極部を1つずつ有する2端子型コンデンサにも適用可能である。さらに、上記実施形態の固体電解コンデンサ1は、複数枚のコンデンサ素子2を積層した多層型コンデンサであるが、本発明は、コンデンサ素子が1枚のみ有する単層型コンデンサにも適用可能である。また、上記実施形態の固体電解コンデンサ1は、基板4にコンデンサ素子2を固定した基板型コンデンサであるが、本発明は、リードフレームにコンデンサ素子を固定したリードフレーム型コンデンサにも適用可能である。
[実施例]
上記実施形態に係わる固体電解コンデンサを、以下のようにして作製した。
上記実施形態に係わる固体電解コンデンサを、以下のようにして作製した。
(1)コンデンサ素子の作製
まず、粗面化処理が施され、更に酸化アルミニウム皮膜が形成されている厚さ100μmのアルミニウム箔シートを用意する。なお、このアルミニウム箔シートからは、250μF/cm2の静電容量が得られる。アルミニウム箔シートを、図2に示したような4つの突出部を有するコンデンサ素子の形状となるように打ち抜き加工し、面積が0.1cm2であるアルミニウム陽極電極体を作製した。そして、アルミニウム陽極電極体における4つの突出部の粗面化構造を押圧処理により破壊し、陽極部を形成した。また、各突出部の基端部分にエポキシ樹脂を塗布して、絶縁部となる這い上がり防止層(樹脂層)を形成した。この樹脂層の幅は0.8mmであり、樹脂層の高さは20μmである。
まず、粗面化処理が施され、更に酸化アルミニウム皮膜が形成されている厚さ100μmのアルミニウム箔シートを用意する。なお、このアルミニウム箔シートからは、250μF/cm2の静電容量が得られる。アルミニウム箔シートを、図2に示したような4つの突出部を有するコンデンサ素子の形状となるように打ち抜き加工し、面積が0.1cm2であるアルミニウム陽極電極体を作製した。そして、アルミニウム陽極電極体における4つの突出部の粗面化構造を押圧処理により破壊し、陽極部を形成した。また、各突出部の基端部分にエポキシ樹脂を塗布して、絶縁部となる這い上がり防止層(樹脂層)を形成した。この樹脂層の幅は0.8mmであり、樹脂層の高さは20μmである。
続いて、コンデンサ素子の粗面化構造を破壊して形成された4つの陽極部のうち、2つの陽極部にレジストを塗布してコーティングした。さらに、3重量%の濃度で6.0のpHに調整されたアジピン酸アンモニウム水溶液中にアルミニウム陽極電極体を浸漬し、酸化アルミニウム皮膜が形成されている部分が完全に水溶液中に浸るようにした。このとき、レジストによってコーティングされた2つの陽極部も水溶液中に浸し、またコーティングされていない2つの陽極部の一部分も水溶液中に浸すようにした。次いで、コーティングされていない陽極部側を陽極として、水溶液中のアルミニウム陽極電極体を化成電流密度50〜100mA/cm2、化成電圧6Vの条件下で酸化させ、電極体の切断部端面に酸化アルミニウム皮膜を形成した。
その後、アルミニウム陽極電極体を上記水溶液中から引き上げ、粗面化処理が施されている電極体の表面(陰極形成領域)上に、化学酸化重合によって、ポリピロールからなる固体高分子電解質層を形成した。具体的には、ピロールからなるモノマー溶液を、粗面化処理が施され酸化アルミニウム皮膜が形成されたアルミニウム箔部分のみに含浸させ、精製した0.1mol/lのアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム及び0.05mol/lの硫酸鉄(III)を含むエタノール水混合溶液セル中にセットし、30分にわたって攪拌して化学酸化重合を進行させ、同じ操作を3回にわたって繰り返すことにより生成した。その結果、最大厚さが約10μmの固体高分子電解質層が形成された。
こうして得られた固体高分子電解質層の表面にカーボンペーストを塗布し、更にカーボンペーストの表面に銀ペーストを塗布して、陰極部を形成した。カーボンペースト及び銀ペーストからなるペースト層(導電体層)を形成した後、上述したレジストを有機溶媒にて溶解して除去し、陽極部を露出させた。以上の処理によってコンデンサ素子を作製した。なお、このようなコンデンサ素子を、同様の方法により4つ作製した。
(2)基板の作製
基板として、厚さ35μmの配線パターン及び端子パターンが印刷され、縦7.3mm×横4.3mm×厚さ0.5mmのサイズを有するガラスクロス含有耐熱性エポキシ樹脂基板(以下、FR4基板と称す)を以下のようにして準備した。
基板として、厚さ35μmの配線パターン及び端子パターンが印刷され、縦7.3mm×横4.3mm×厚さ0.5mmのサイズを有するガラスクロス含有耐熱性エポキシ樹脂基板(以下、FR4基板と称す)を以下のようにして準備した。
即ち、両面に厚さ36μmの銅箔がコーティングされている厚さ0.4mmのFR4基板を100mm×100mmの寸法に切り出し、その片面(上面)に、7.3mm×4.3mmのサイズの配線パターンをフォトリソグラフィ技術によりパターンニングした。このパターンを同一面上に96個形成した。また、FR4基板の下面に、配線パターンとの位置合わせを図りつつ、フォトリソグラフィ技術を用いて端子パターンをパターンニングした。
続いて、FR4基板の上面に形成された配線パターンとFR4基板の下面に形成された端子パターンとを結ぶための貫通孔(0.3mmφ)を複数形成した。続いて、この貫通孔を形成するFR4基板部の内壁に、無電解メッキによって3μmのニッケルメッキを施し、更にその上に0.8μmの金メッキを施して、スルーホールを形成した。
さらに、FR4基板の上面に形成された陽極配線パターンのみを露出させ、他の部分はマスクした。その状態で、まず下地層として、メッキ処理を用いて、5μmのニッケル層を形成し、更に2μmのパラジウム層を形成した。さらに、下地層の上に、表面金属層として100μmのステンレス箔(SUS304組成相当品:YAGレーザの波長1.06μmに対する光反射率が60%)を配置し、下地層と表面金属層とをYAGレーザを用いてスポット溶接した。また、ステンレス箔に代えて、100μmの鉄箔(同光反射率が55%)及び100μmのニッケル箔(同光反射率が70%)を用いて同様に形成した。このようなパターンを同一面上に96個分同時に形成した。また、FR4基板の下面に形成された端子パターン上に、メッキ処理によって半田合金層をパターンニングした。
(3)基板上へのコンデンサ素子の実装
先に作製した4枚のコンデンサ素子の陽極部が互いに重なり合うように揃えて、これらのコンデンサ素子を積層すると共に、各コンデンサ素子の陰極部(ペースト層)を導電性接着剤で接着して、コンデンサ素子積層体を作製した。
先に作製した4枚のコンデンサ素子の陽極部が互いに重なり合うように揃えて、これらのコンデンサ素子を積層すると共に、各コンデンサ素子の陰極部(ペースト層)を導電性接着剤で接着して、コンデンサ素子積層体を作製した。
このようなコンデンサ素子積層体を基板の上面に載置し、銀−エポキシ系導電性接着剤を用いて、積層体の最下面に露出した陰極部(ペースト層)を陰極配線パターンに接着した。また、NEC製YAGレーザ溶接機を用いて、積層体の4つの陽極部を陽極配線パターンに溶接して一体化した。
その後、基板上の所定領域に載置・固定された積層体を、真空印刷法を用いたキャスティングモールドによってエポキシ樹脂でモールドした。
このようにモールドされた100mm×100mm寸法の基板のモールド面を上にした状態で、所定のマーキング位置を基準にして、7.3mm×4.3mm間隔でダイシング切断を行った。そして、洗浄後、7.3mm×4.3mmのコンデンサ素子を内蔵したディスクリートタイプの多端子型固体電解コンデンサを得た。このとき、多端子型固体電解コンデンサとして、陽極配線パターンの表面金属層としてステンレス箔を用いたサンプル♯1と、同表面金属層として鉄箔を用いたサンプル♯2と、同表面金属層としてニッケル箔を用いたサンプル♯3とを得た。その後、公知の方法により固体電解コンデンサに一定の電圧を印加してエージング処理を行い、漏れ電流を十分に低減し、固体電解コンデンサのサンプル♯1〜♯3を完成させた。
(4)評価
こうして得られたそれぞれ約100個のサンプル♯1〜♯3の電気的特性について、漏れ電流値、100kHzでの等価直列抵抗(ESR)値、120Hzでの静電容量値を測定した。漏れ電流の測定手法はすでに公知であり、試作した固体電解コンデンサに定格電圧(4V)を印加できる直流安定化電源と電流計とを用意し、固体電解コンデンサを電源の極性に従って接続した。その際、保護回路として1kΩの抵抗を電流計と共に直列に接続した。そして、電源を入れてから5分後に、一定規格値以下の電流値に到達したサンプル数をカウントした。また、アジレントテクノロジー社製のインピーダンスアナライザー4194Aを用いて、ESR値及び静電容量値を測定した。
こうして得られたそれぞれ約100個のサンプル♯1〜♯3の電気的特性について、漏れ電流値、100kHzでの等価直列抵抗(ESR)値、120Hzでの静電容量値を測定した。漏れ電流の測定手法はすでに公知であり、試作した固体電解コンデンサに定格電圧(4V)を印加できる直流安定化電源と電流計とを用意し、固体電解コンデンサを電源の極性に従って接続した。その際、保護回路として1kΩの抵抗を電流計と共に直列に接続した。そして、電源を入れてから5分後に、一定規格値以下の電流値に到達したサンプル数をカウントした。また、アジレントテクノロジー社製のインピーダンスアナライザー4194Aを用いて、ESR値及び静電容量値を測定した。
その結果、サンプル♯1については、漏れ電流規格値(40μA以下)を満たす合格品は92個であり、静電容量規格値(100μF±20%)を満たす合格品は99個であり、ESR規格値(10mΩ以下)を満たす合格品は98個であった。また、サンプル♯2については、漏れ電流規格値を満たす合格品は97個であり、静電容量規格値を満たす合格品は100個であり、ESR規格値を満たす合格品は100個であった。また、サンプル♯3については、漏れ電流規格値を満たす合格品は90個であり、静電容量規格値を満たす合格品は95個であり、ESR規格値を満たす合格品は95個であった。
[比較例]
比較例となる固体電解コンデンサを、以下のようにして作製した。
比較例となる固体電解コンデンサを、以下のようにして作製した。
(1)コンデンサ素子の作製
上記実施例と同様にして、アルミニウム陽極電極体を作製し、コンデンサ素子を得た。
上記実施例と同様にして、アルミニウム陽極電極体を作製し、コンデンサ素子を得た。
(2)基板の作製
基板として、厚さ35μmの配線パターン及び端子パターンが印刷され、縦7.3mm×横4.3mm×厚さ0.5mmのサイズを有するガラスクロス含有耐熱性エポキシ樹脂基板(以下、FR4基板と称す)を以下のようにして準備した。
基板として、厚さ35μmの配線パターン及び端子パターンが印刷され、縦7.3mm×横4.3mm×厚さ0.5mmのサイズを有するガラスクロス含有耐熱性エポキシ樹脂基板(以下、FR4基板と称す)を以下のようにして準備した。
即ち、両面に厚さ36μmの銅箔がコーティングされている厚さ0.4mmのFR4基板を100mm×100mmの寸法に切り出し、その片面(上面)に、7.3mm×4.3mmのサイズの配線パターンをフォトリソグラフィ技術によりパターンニングした。このパターンを同一面上に96個形成した。また、FR4基板の下面に、配線パターンとの位置合わせを図りつつ、フォトリソグラフィ技術を用いて端子パターンをパターンニングした。つまり、配線パターン及び端子パターンは、いずれも銅箔(YAGレーザの波長1.06μmに対する光反射率が98%)のみで形成されている。
続いて、FR4基板の上面に形成された配線パターンとFR4基板の下面に形成された端子パターンとを結ぶための貫通孔(0.3mmφ)を複数形成した。この貫通孔を形成するFR4基板部の内壁に、無電解メッキによって3μmのニッケルメッキを施し、更にその上に0.8μmの金メッキを施して、スルーホールを形成した。
(3)基板上へのコンデンサ素子の実装
上記実施例と同様にして、コンデンサ素子積層体を基板に固定してモールドし、7.3mm×4.3mmのコンデンサ素子を内蔵したディスクリートタイプの多端子型固体電解コンデンサのサンプル♯4を完成させた。
上記実施例と同様にして、コンデンサ素子積層体を基板に固定してモールドし、7.3mm×4.3mmのコンデンサ素子を内蔵したディスクリートタイプの多端子型固体電解コンデンサのサンプル♯4を完成させた。
(4)評価
上記実施例と同様にして、約100個のサンプル♯4の電気的特性についての評価を行った。その結果、漏れ電流規格値(40μA以下)を満たす合格品は42個であり、静電容量規格値(100μF±20%)を満たす合格品は60個であり、ESR規格値(10mΩ以下)を満たす合格品は58個であった。
上記実施例と同様にして、約100個のサンプル♯4の電気的特性についての評価を行った。その結果、漏れ電流規格値(40μA以下)を満たす合格品は42個であり、静電容量規格値(100μF±20%)を満たす合格品は60個であり、ESR規格値(10mΩ以下)を満たす合格品は58個であった。
ここで、上述した[実施例]で作製した固体電解コンデンサのサンプル♯1〜♯3と、[比較例]で作製した従来の固体電解コンデンサのサンプル♯4とでは、電極の作製方法、絶縁性酸化皮膜の形成方法、使用する固体高分子化合物の種類及び完成部品のサイズについては同一である。異なる点は、コンデンサ素子が実装される基板の表面処理状態のみである。従って、基板の表面処理構造が固体電解コンデンサの特性に影響を及ぼしていると考えられる。
[実施例]に係わる固体電解コンデンサのサンプル♯1〜♯3では、[比較例]に係わる固体電解コンデンサのサンプル♯4と比較して、コンデンサ素子と基板との溶接(固定)状態が良くなり、複数積層したコンデンサ素子の接続が設計通りになっており、期待した特性が得られたと考えられる。以上の結果から、本発明に係わる固体電解コンデンサの効果を十分に確認することができた。
1…固体電解コンデンサ、2…コンデンサ素子、4…基板(被接続体)、6…陰極部、7…陽極部、9…アルミニウム基体(弁金属基体)、12…固体電解質層、13…導電体層、17…陰極配線パターン、18…陽極配線パターン、19…パターン基部、20…下地層、21…表面金属層。
Claims (4)
- コンデンサ素子と、前記コンデンサ素子と固定される被接続体とを備えた固体電解コンデンサであって、
前記コンデンサ素子は、弁金属基体の一部領域で形成される陽極部と、前記弁金属基体における前記陽極部を除く領域の表面上に固体電解質層及び導電体層を積層して形成される陰極部とを有し、
前記被接続体には、前記陽極部と接続される陽極パターンと、前記陰極部と接続される陰極パターンとが設けられており、
前記陽極パターンの表面部は、ニッケル、鉄、ステンレス及びクロムのいずれかを主成分とする金属材料で形成されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 前記弁金属基体は、アルミニウム、チタン、タンタル、ニオブ及びジルコニウムのいずれかを主成分とする金属材料で形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体電解コンデンサ。
- 前記陽極パターンは、銅からなるパターン基部と、前記パターン基部の上部に形成され、前記ニッケル、鉄、ステンレス及びクロムのいずれかを主成分とする金属材料からなる表面金属層とを有することを特徴とする請求項1または2記載の固体電解コンデンサ。
- 前記パターン基部と前記表面金属層との間には、クロムまたはニッケルからなる下地層が形成されていることを特徴とする請求項3記載の固体電解コンデンサ。
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