JP2006093194A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板を処理する処理室と、前記処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室内の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段による検出温度に基づいて、前記加熱手段への電力供給値を求める電力供給値算出手段と、前記電力供給値算出手段が算出した電力供給値と前記検出温度との相関関係が一次関数で表せるように前記電力供給値を補正する補正手段と、前記補正手段により補正された前記電力供給値の補正値に基づいて、前記加熱手段への電力を制御する加熱制御手段とを備える。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1における温度コントローラ7Aの制御ブロック図を示したものである。図12と異なる点は、図12に示したリミッタ708と位相変換要素710の間に、補正演算要素732の処理ブロックが追加されている点にある。
y=z (0≦z≦yo)
y=(z−yo)2/(ymax−yo)+yo (yo<z≦ymax)
y=2(√(ymax・yo)−yo)・z/(ymax−yo)
0≦z≦√(ymax・yo)
y=(z−yo)2/(ymax−yo)+yo
√(ymax・yo)<z≦ymax
図17を用いて得た知見は、電力供給値(y)と炉内温度(t)の関係は、2次関数で良好に適合することであった。これを電力供給値(y)と炉内温度(t)の関係は(3)式のような2次式に従うとする。
y=A(t−to)2+yo (t>to)
y=(z−yo)2/(ymax−yo)+yo
(yo≦z≦ymax)
t=z/√(A(ymax−yo))+to−yo/(√A(ymax−yo))
(yo≦z≦ymax)
yo≦z≦ymax
の範囲だけを定義したものであるので、yo≦z≦ymax
では、zをそのまま出力するとした(1)式が、求めている制御演算値zから電力供給値yへの変換式である。
図2(a)及び(1)式にて明らかなように、(1)式による変換操作を使用すると、z=yo付近でzの変化量に対するyの変化量が変わっている。このため、z=yo付近に対応する温度帯での制御性能が悪化することが理解される。そこで、(1)式第1式から(1)式第2式への切替えを考慮し、(2)式とした。
図5は本発明の実施の形態2における温度コントローラ7Bの構成を図示したものである。
図12と異なる点は、リミッタ708と位相変換要素710の間に、補正要素736の処理が追加されている点にある。補正要素736は、図5に示した演算値温度変換テーブル734と温度電力変換テーブル732を参照して、リミッタ708の出力である制御演算値(本発明の電力供給値に対応する)を補正する処理である。
該処理室を加熱する加熱手段と、
該加熱手段に供給する電力を制御する加熱制御手段と、
前記処理室の温度を設定する温度設定手段と、
前記処理室内の温度を検出する温度検出手段と、
前記処理室内が前記設定温度となるように前記検知温度を基に演算する演算手段と、
該演算手段が演算した演算結果を基に電力供給値を求める電力供給値算出手段と、
前記電力供給値算出手段が算出した結果と前記検出温度との相関関係が一次関数で表されるように前記算出結果を補正する補正手段とを備え、
該補正手段の補正した補正値に基づき前記加熱制御手段が加熱制御することを特徴とする基板処理装置。
〔2〕基板を処理する処理室と、
該処理室を加熱する加熱手段と、
該加熱手段への電力値を制御する加熱制御手段と、
前記処理室内の温度を検出する温度検出手段と、
前記処理室内が所望の温度となるように前記検知温度を基に電力供給値を求める電力供給値算出手段と、
温度制御しようとする温度領域が異なる場合においても、前記電力供給値と前記所望の温度との関係を一次関数で表すことができるように補正する補正手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
〔3〕基板を処理する処理室と、
該処理室を加熱する加熱手段と、
該加熱手段への電力値を制御する加熱制御手段と、
前記処理室内の温度を検出する温度検出手段と、
前記処理室内が所望の温度となるように前記検知温度を基に演算する演算手段と、
該演算手段が演算した演算結果を基に電力供給値を求める電力供給値算出手段と、
前記電力供給値算出手段が算出した結果と前記検知温度との相関関係が一次関数で表せるように前記算出結果を補正する補正手段とを備え、
該補正手段の補正した補正値に基づき前記加熱制御手段が加熱制御する基板処理装置を用いて前記基板を処理する半導体装置の製造方法において、
前記処理室内を前記加熱手段にて加熱する工程と、
前記温度検出手段が前記処理室内の温度を検出する工程と、
前記演算手段が前記処理室内を所望の温度とするように前記検知温度を基に演算する工程と、
前記電力供給値算出手段が、前記演算手段の演算した演算結果を基に電力供給値を求める工程と、
前記補正手段が、前記電力供給値算出手段の算出した結果と前記検出温度との相関関係が一次関数で表せるように前記算出結果を補正する工程と、
前記加熱制御手段が前記補正手段の補正した補正値に基づき加熱制御する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
〔4〕基板を処理する処理室内に収納し熱処理を行う熱処理装置において、
前記処理室内の温度を検出する温度検出手段の検出結果に対し所望の温度となるよう演算し、該演算結果に対し、少なくとも1つの2次関数からなる演算操作を施す手段とを有し、前記演算操作後の値を電力供給値として制御を行うことを特徴とする熱処理装置。
〔5〕基板を処理室内に収納し加熱手段により加熱しつつ熱処理を行う熱処理装置であって、
前記処理室内の温度を検出する温度検出手段の検出結果に対し所望の温度となるよう演算し、該演算結果に対し、補正を施す補正手段と、
前記補正した補正値に従って前記加熱手段への電力を供給する手段と、
前記加熱手段への供給電力値と前記処理室内の温度との関係を予め取得しその取得結果を基に求めた前記供給電力値と前記処理室内の温度との相関関係と、
前記演算結果と前記処理室内の温度との関係を予め取得しその取得結果を基に求めた前記演算結果と前記処理室内の温度との相関関係と、を備える基板処理装置を用いて前記基板を処理する半導体装置の製造方法において、
前記補正手段が補正を施す際は、前記供給電力値と前記処理室内の温度との相関関係を用いて前記演算結果から対応する前記処理室内の温度を求める工程と、
前記演算結果と前記処理室内の温度との相関関係を用いて前記処理室内の温度から対応する前記供給電力値を求める工程と、
該求めた供給電力値により前記加熱手段を制御し前記基板を処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Claims (1)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室を加熱する加熱手段と、
前記処理室内の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段による検出温度に基づいて、前記加熱手段への電力供給値を求める電力供給値算出手段と、
前記電力供給値算出手段が算出した電力供給値と前記検出温度との相関関係が一次関数で表せるように前記電力供給値を補正する補正手段と、
前記補正手段により補正された前記電力供給値の補正値に基づいて、前記加熱手段への電力を制御する加熱制御手段と
を備える基板処理装置。
Priority Applications (1)
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JP2004273131A JP4555647B2 (ja) | 2004-09-21 | 2004-09-21 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、温度制御方法 |
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2004
- 2004-09-21 JP JP2004273131A patent/JP4555647B2/ja active Active
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