JP2006085650A - 情報処理回路および情報処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】遅延を適切に補償して容易にデータ読み出しのタイミング調整を行うことが可能な情報処理回路を提供する。
【解決手段】情報処理回路は、メモリ制御LSI1とDDR−SDRAM2とを備える。メモリ制御LSI1から取得されるクロック信号CK,XCKの一部が、配線102aを介して、DDR−SDRAM2に入力されずにメモリ制御LSI1に引き戻される。引き戻し経路に配設された入力バッファ112およびDLL遅延回路113によって引き戻しクロック信号に与えられる遅延(a’+b’+c’+d’またはe’)により、メモリ制御LSI1に入力されるデータストローブ信号DQSに与えられる遅延(a+b+c+dまたはe)が補償される。
【選択図】 図1

Description

この発明は、パーソナルコンピュータ、ワークステーション等の情報処理回路に関し、特に、DLL(Delay Locked Loop)回路を備えるとともにメモリとしてDDR−SDRAM(Double Date Rate - Synchronous Dynamic Random Access Memory)を備えた情報処理回路ならびに該回路における情報処理方法に関する。
DRAMを含む半導体メモリでは、データの大容量化が求められるとともに、データ転送速度の向上が求められている。データ転送速度の高速化が図られたDRAMの1つに、DDR−SDRAMが挙げられる。DDR−SDRAMでは、クロックの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの両方に同期してデータ転送が可能であるため、従来のSDRAMの2倍以上のデータスループットを実現することが可能となる。
また、高周波の駆動クロック信号に対応した高速処理を可能とするDRAMの構成として、DRAMに入力される前の駆動クロック信号を引き戻し、この駆動クロック信号をデータの取り出しタイミング信号として利用する構成のものがある(例えば、特許文献1参照。)。
図3は、従来のDDR−SDRAMを備えた情報処理回路の構成を示す模式図である。また、図4は、図3の情報処理回路のデータ読み出し動作における各信号のタイミングチャートである。まず、図3に示すように、情報処理回路は、DDR−SDRAM302から構成されたメモリと、該DDR−SDRAM302のデータ入出力を制御するメモリ制御LS301とを主たる構成要素として備える。
かかる構成の情報処理回路では、データ読み出し時に、メモリ制御LSI301の内部クロック信号生成部311で内部クロック信号が生成される。図4(a)は、内部クロック信号のタイミングチャートである。続いて、図3に示すように、この内部クロック信号が、配線317を介して出力バッファ318に入力される。出力バッファ318に入力された内部クロック信号は、出力バッファ318により予め定められた時間遅延され、その後、駆動信号たるクロック信号CK,XCKとして、DDR−SDRAM302に入力される。
図4(b)は、DDR−SDRAM302に入力されるクロック信号CK,XCKのタイミングチャートである。図4(b)に示すように、このクロック信号CK,XCKは差動クロック信号である。クロック信号CK,XCKは、出力バッファ318により遅延(以下、これを第1の遅延hと呼ぶ)が与えられるので、内部クロック信号に対して、第1の遅延hの分だけ位相がずれる。ここでは、信号の立ち上がり部の中央を基準点とし、信号間で基準点を比較することにより遅延が求められる。
図3に示すように、DDR−SDRAM302は、ここではクロック信号CKの立ち上がりエッジに同期して、データ信号DQを配線322aを介して出力する。この時、データ信号DQと同じタイミングで、データストローブ信号DQSが配線320aを介して出力される。図4(c)は、DDR−SDRAM302から出力されるデータストローブ信号DQSのタイミングチャートであり、図4(d)は、DDR−SDRAM302から出力されるデータ信号DQのタイミングチャートである。
図4(c)および図4(d)に示すように、データストローブ信号DQSとデータ信号DQには、回路構成(例えば、配線317,320aの長さや配設位置等)に起因して生じる遅延(すなわち、外部遅延)が与えられる。ここでは、データストローブ信号DQSおよびデータ信号DQに与えられる外部遅延を、第2の遅延iと呼ぶ。それにより、図4(b)に示すクロック信号よりも、第2の遅延iの分だけ位相がずれる。
図3に示すように、DDR−SDRAM302から出力されて入力バッファ323に入力されたデータ信号DQは、入力バッファ323により予め定められた時間遅延される。その後、メモリ制御LSI301の1段目のフリップフロップ313に入力されるとともに、配線322aから分岐した配線322bを介して1段目のフリップフロップ314に入力される。
一方、図3に示すように、DDR−SDRAM302から出力されて入力バッファ319に入力されたデータストローブ信号DQSは、入力バッファ319により予め定められた時間遅延された後、DLL遅延回路321に入力される。図4(e)は、DLL遅延回路321に入力されるデータストローブ信号DQSのタイミングチャートである。図4(e)に示すように、DLL遅延回路321に入力されるデータストローブ信号DQSには、入力バッファ319により、第3の遅延jが与えられる。それにより、図4(c)に示すDDR−SDRAM302から出力されたデータストローブ信号DQSよりも、第3の遅延jの分だけ位相がずれる。
図3に示すように、DLL遅延回路321では、データストローブ信号DQSの位相を90°および270°遅らせた信号(以下、これを90°遅延データストローブ信号および270°遅延データストローブ信号と呼ぶ)が生成される。そして、90°遅延データストローブ信号は、配線320bを介して、メモリ制御LSI301の1段目のフリップフロップ313に入力される。図4(f)は、フリップフロップ313に入力される90°遅延データストローブ信号のタイミングチャートである。
図4(f)に示すように、DLL遅延回路321により与えられる第4の90°遅延kにより、90°遅延データストローブ信号は、図4(e)に示すDLL遅延回路321に入力されるデータストローブ信号DQSよりも、第4の90°遅延kの分だけ位相がずれる。このようにして図3のフリップフロップ313に入力された90°遅延データストローブ信号は、クロックとして、データ信号DQのサンプリングに用いられる。
サンプリングされたデータ信号DQは、図3に示すように、さらに2段目のフリップフロップ315に入力され、LSI内部での処理が可能なように、ここで内部クロックにのせかえられる。図4(g)は、フリップフロップ315に入力されるデータ信号DQのタイミングチャートである。図4(g)に示すように、データ信号DQは、クロックとして用いられる90°遅延データストローブ信号に対応したタイミングでフリップフロップ315に入力されて出力され、図3の信号処理部312で処理される。
一方、270°遅延データストローブ信号は、図3に示すように、配線320cを介して、メモリ制御LSI301の1段目のフリップフロップ314に入力される。図4(h)は、フリップフロップ314に入力される270°遅延データストローブ信号のタイミングチャートである。図4(h)に示すように、図3のDLL遅延回路321により与えられる第4の270°遅延lにより、270°遅延データストローブ信号は、図4(e)に示すDLL遅延回路321に入力されるデータストローブ信号DQSよりも、第4の270°遅延lの分だけ位相がずれる。このようにして図3のフリップフロップ314に入力された270°遅延データストローブ信号は、クロックとして、データ信号DQのサンプリングに用いられる。
図3に示すように、サンプリングされたデータ信号DQは、さらに2段目のフリップフロップ316に入力され、LSI内部での処理が可能なように、ここで内部クロックにのせかえられる。図4(i)は、図3のフリップフロップ316に入力されるデータ信号DQのタイミングチャートである。図4(i)に示すように、データ信号DQは、クロックとして用いられる270°遅延データストローブ信号に対応したタイミングでフリップフロップ316に入力されて出力され、信号処理部312で処理される。
一方、図3に示すように、メモリ制御LSI301で生成された内部クロック信号の一部は、DDR−SDRAM302を経ることなく、配線329を介して引き戻される(以下、これを引き戻しクロック信号と呼ぶ)。引き戻しクロック信号は、メモリ制御LSI301において、データ取り込みのためのタイミング信号として利用される。
ここで、かかる構成の情報処理回路では、データ信号DQのサンプリングに用いられるデータストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間の遅延を補償するために、メモリ制御LSI301内に複数段配設されたバッファ324〜328を用いて、遅延補償が行われる。各バッファ324〜328の固定遅延量は、図4(a)〜(i)に示す第1〜第3の遅延h〜jと第4の90°遅延kまたは第4の270°遅延lとに応じて、それぞれ設定されている。以下に、引き戻しクロック信号とデータストローブ信号DQSとの間の遅延補償について詳細を説明する。
まず、上記のように、図3のメモリ制御LSI301のフリップフロップ313に入力されたデータストローブ信号DQS(図4(f)参照)には、メモリ制御LSI301から出力された内部クロック信号(図4(a)参照)に対して、第1〜第3の遅延h〜jと第4の90°遅延kとを合計した分の遅延が与えられている。したがって、データストローブ信号DQSには、内部クロック信号に対して、(h+i+j+k)の遅延が与えられている。ここで、引き戻しクロック信号は内部クロック信号の一部であることから、引き戻しクロック信号とデータストローブ信号DQSとの間には、(h+i+j+k)の遅延が与えられていることとなる。
そこで、このような遅延を補償するために、図3のメモリ制御LSI301の内部には、固定遅延量h’が第1の遅延hを補償可能に構成されたバッファ324と、固定遅延量i’が第2の遅延iを補償可能に構成されたバッファ325と、固定遅延量j’が第3の遅延jを補償可能に構成されたバッファ326と、固定遅延量k’が第4の90°遅延kを補償可能に構成されたバッファ327とが、フリップフロップ315の前段に順次配設されている。
図4(j)は、図3のフリップフロップ315に入力される引き戻しクロック信号のタイミングチャートである。図4(j)に示すように、図3のバッファ324〜327により、フリップフロップ315に入力される引き戻しクロック信号に、(h’+i’+j’+k’)の固定遅延を与えることが可能となる。それによって、データストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間の遅延が補償される。
一方、図3のメモリ制御LSI301のフリップフロップ314に入力されたデータストローブ信号(図4(h)参照)には、メモリ制御LSI301から出力された内部クロック信号(図4(a)参照)に対して、第1〜第3の遅延h〜jと第4の270°遅延lとを合計した分の遅延が与えられている。したがって、データストローブ信号DQSには、内部クロック信号に対して、(h+i+j+l)の遅延が与えられている。ここで、引き戻しクロック信号は内部クロック信号の一部であることから、引き戻しクロック信号とデータストローブ信号DQSとの間には、(h+i+j+l)の遅延が与えられている。
そこで、このような遅延を補償するために、図3に示すように、メモリ制御LSI301の内部には、固定遅延量l’が第4の遅延lを補償可能に構成されたバッファ328がバッファ327と並列に配設され、バッファ326からの出力された引き戻しクロック信号を遅延させてフリップフロップ316に出力可能に構成されている。
図4(k)は、図3のフリップフロップ316に入力される引き戻しクロック信号のタイミングチャートである。図4(k)に示すように、バッファ324〜326,328により、フリップフロップ316に入力される引き戻しクロック信号に、(h’+i’+j’+l’)の固定遅延を与えることが可能となる。それによって、データストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間の遅延が補償される。
特開2001−290698号公報
上記のように、情報処理回路では、メモリ制御LSI301の内部に配設されたバッファ324〜328により、データストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間の遅延が補償されるよう構成されているが、メモリ制御LSI301の内部に配設されたこれらのバッファ324〜328と、メモリ制御LSI301の内部に配設された入力および出力バッファ318,319,323やDLL遅延回路321とでは、メモリ制御LSI301の内における配設場所が異なるために配設環境が異なり、よって、同一の情報処理回路内であっても、電圧や温度による影響が異なっている。それゆえ、入力および出力バッファ318,319,323やDLL遅延回路321に合わせてバッファ324〜328の固定遅延量を調整することは困難である。
例えば、回路構成に基づく外部遅延(具体的には図4(c)の第2の遅延i)は、電圧および温度による影響が少ないが、この外部遅延を補償するためにLSI内部に配設された出力バッファ325は、電圧および温度の影響を大きく受ける。それゆえ、データストローブ信号DQSの第2の遅延iに応じてバッファ325の遅延i’を予め設定したにもかかわらず、両者の遅延を適切に補償することが困難となる。
また、入力および出力バッファ318,319,323ならびにDLL遅延回路321と、バッファ324,326〜328とでは、電圧および温度の影響が異なるため、バッファ325の場合と同様、データストローブ信号DQSの第1〜第3の遅延h〜jおよび第4の90°遅延kまたは第4の270°遅延lに応じて遅延量h’,j’,k’,l’を予め設定したにもかかわらず、データストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間の遅延を適切に補償することは困難である。
さらに、メモリ制御LSI301の内部に配設されるバッファ324〜328では、予め設定された値に遅延量が固定された固定遅延であるため、補償可能な遅延量が規定されてしまい、よって、例えば、配線の長さや配置の変更に伴う配線遅延の遅延量変化に対しては、対処が困難となる。このため、回路構成の自由度、例えば、ボード上の配線の自由度等が低くなる。
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、遅延を適切に補償して容易にデータ読み出しのタイミング調整を行うことが可能な情報処理回路および情報処理方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかる情報処理回路は、入力されたクロック信号に同期して、データ信号と、前記データ信号のタイミングを規定するデータストローブ信号とを出力する記憶部と、前記クロック信号を生成して出力するとともに、前記記憶部から出力された前記データ信号および前記データストローブ信号を少なくとも処理する制御部と、前記制御部から出力された前記クロック信号を前記記憶部に入力する第1の信号経路と、前記記憶部から出力された前記データ信号を前記制御部に入力する第2の信号経路と、前記記憶部から出力された前記データストローブ信号を前記制御部に入力する第3の信号経路と、前記第1の配線から分岐し、前記記憶部に入力される前の前記クロック信号を引き戻して前記制御部に入力する第4の信号経路とを備え、前記第4の信号経路は、前記制御部に入力される前記データストローブ信号と引き戻されて前記制御部に入力されるクロック信号との間の遅延を補償する遅延補償手段を含み、前記制御部は、前記データストローブ信号と前記引き戻されたクロック信号とで規定されるタイミングに応じて、前記データ信号の読み出し処理を行うことを特徴とする。
また、この発明にかかる情報処理方法は、制御部から出力したクロック信号に同期させて記憶部からデータ信号とデータストローブ信号とを出力させ、前記データ信号と前記データストローブ信号とを前記制御部に入力するとともに前記制御部で前記データストローブ信号で規定されるタイミングに応じて前記データ信号の読み出し処理を行う情報処理方法において、前記制御部から出力した前記クロック信号を、前記記憶部に入力される前に引き戻して前記制御部に入力する工程と、前記制御部に入力される前記データストローブ信号と引き戻されて前記制御部に入力されるクロック信号との間の遅延を補償する工程とをさらに含み、前記データストローブ信号と前記引き戻されたクロック信号とで規定されるタイミングに応じて、前記データ信号の読み出し処理を行うことを特徴とする。
これらの発明によれば、制御部に引き戻されたクロック信号をデータ読み出しのタイミングの規定に用い、かつ、この引き戻されたクロック信号とデータストローブ信号との間の遅延が補償されるので、データ読み出しのタイミング調整を容易に行うことが可能な情報処理回路および情報処理方法を実現することが可能となる。
本発明にかかる情報処理回路および情報処理方法によれば、温度や電圧等の配設環境の変化等や配線の長さや配置等の変更にかかわらず、遅延を適切に補償し容易にタイミング調整を行うことが可能な情報処理回路および情報処理方法を実現することが可能となる。また、配線の長さや配置等の変更が可能となり回路構成の自由度が向上するので、情報処理回路の開発期間の短縮や、動作条件の拡大等が可能となる。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる情報処理回路および情報処理方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。ここでは、例えば、MPEGエンコーダやデコーダに適用される情報処理回路について説明する。
図1は、この発明の実施の形態にかかる情報処理回路の構成を示す模式図である。また、図2は、図1の情報処理回路のデータ読み出し動作における各信号のタイミングチャートである。まず、図1に示すように、情報処理回路は、DDR−SDRAM2から構成されたメモリと、該DDR−SDRAM2のデータ入出力を制御するメモリ制御LSI1とを主たる構成要素として備える。
メモリ制御LSI1は、内部クロック信号生成部100と、信号処理部15と、1段目のフリップフロップ11,12と、2段目のフリップフロップ13,14と、出力バッファ111と、入力バッファ112と、DLL遅延回路113と、入力バッファ114と、DLL遅延回路115と、入力バッファ116と、を備える。なお、メモリ制御LSI1は、これ以外の構成要素も含んで構成されるが、それらについてはここでは図示を省略する。フリップフロップ11は配線10を介してフリップフロップ13に接続されており、さらにフリップフロップ13は配線30を介して信号処理部15に接続されている。また、フリップフロップ12は配線20を介してフリップフロップ14に接続されており、さらにフリップフロップ14は配線40を介して信号処理部15に接続されている。
メモリ制御部LSI1は、内部クロック信号生成部100で生成した内部クロック信号を出力するための配線101を介して、DDR−SDRAM2に接続されている。この配線101との接続の途中には、出力バッファ111が配設される。また、配線101は、配線102aが接続されて分岐している。配線102aは、メモリ制御LSI1の入力バッファ112が配設されている。メモリ制御LSI1では、入力バッファ112の下流部に、DLL遅延回路113が配設されている。DLL遅延回路113には、出力信号を取り出すための配線102bおよび配線102cが接続され、配線102bは、メモリ制御LSI1のフリップフロップ13に接続され、また、配線102cはメモリ制御LSI1のフリップフロップ14に接続されている。
DDR−SDRAM2には、データストローブ信号DQSを出力するための配線103aが接続されるとともに、データ信号DQを出力するための配線104aが接続されている。配線103aは、メモリ制御LSI1の入力バッファ114に接続されている。そして、メモリ制御LSI1では、入力バッファ114の下流部に、DLL遅延回路115が配設されている。このDLL遅延回路115には、出力信号を取り出すための配線103bおよび配線103cが接続されている。そして、DLL遅延回路115は、配線103bを介してメモリ制御LSI1のフリップフロップ11に接続されるとともに、配線103cを介してフリップフロップ12に接続されている。
一方、配線104aは、メモリ制御LSI1の入力バッファ116に接続されている。そして、メモリ制御LSI1では、入力バッファ116の下流部に、分岐する配線104bが接続されている。それにより、DDR−SDRAM2が、配線104aを介してメモリ制御LSI1のフリップフロップ11に接続されるとともに、配線104bを介してメモリ制御LSI1のフリップフロップ12に接続されている。
かかる構成の情報処理回路においては、メモリ制御LSI1が制御部に相当し、DDR−SDRAM2が記憶部に相当し、配線101および出力バッファ111を含んで第1の信号経路が構成され、配線104a,104bおよび入力バッファ116を含んで第2の信号経路が構成され、配線103a〜103c、入力バッファ114およびDLL遅延回路115を含んで第3の信号経路が構成され、配線102a〜102c、入力バッファ112およびDLL遅延回路113を含んで第4の信号経路が構成され、入力バッファ112およびDLL遅延回路113を含んで遅延補償手段が構成される。
次に、かかる構成の情報処理回路におけるデータ読み出し動作について説明する。データの読み出し動作の際には、まず、図1に示すように、メモリ制御LSI1の内部クロック信号生成部100において内部クロック信号が生成され、この内部クロック信号が、出力バッファ111に入力される。図2(a)は、メモリ制御LSI1で生成されて出力される内部クロック信号のタイミングチャートである。
図1に示すように、出力された内部クロック信号は、出力バッファ111により予め定められた時間遅延され、その後、DDR−SDRAM2の駆動信号たるクロック信号CK,XCKとして、DDR−SDRAM2に入力される。図2(b)は、DDR−SDRAM2に入力されるクロック信号CK,XCKのタイミングチャートである。
図2(b)に示すように、クロック信号CK,XCKは差動クロック信号であり、また、出力バッファ111により第1の遅延aが与えられるので、内部クロック信号(図2(a)参照)に対して、第1の遅延aの分だけ位相がずれる。ここでは、信号の立ち上がり部の中央を基準点とし、信号間で基準点を比較することにより遅延が求められる。
クロック信号CK,XCKが入力されると、図1のDDR−SDRAM2は、ここではクロック信号CKの立ち上がりエッジに同期して、データ信号DQを配線104aを介して出力する。この時、データ信号DQと同じタイミングで、DDR−SDRAM2からデータストローブ信号DQSが配線103aを介して出力される。
図2(c)は、図1のDDR−SDRAM2から出力されるデータストローブ信号DQSのタイミングチャートであり、図2(d)は、DDR−SDRAM2から出力されるデータ信号DQのタイミングチャートである。図2(c)および図2(d)に示すように、データストローブ信号DQSとデータ信号DQとには、回路構成、例えば図1に示すDDR−SDRAM2とメモリ制御LSI1との配置関係等(より具体的には、配線101の長さや配置等)に起因して外部遅延が与えられる。ここでは、データストローブ信号DQSおよびデータ信号DQに与えられる外部遅延を、第2の遅延bと呼ぶ。それにより、データストローブ信号DQSおよびデータ信号DQは、図2(b)に示すクロック信号よりも、第2の遅延bの分だけ位相がずれる。
図1のDDR−SDRAM2から出力されたデータ信号DQは、配線104aを介して、まずメモリ制御LSI1の入力バッファ116に入力され、予め定められた時間遅延される。その後、1段目のフリップフロップ11に入力されるとともに、配線104aから分岐した配線104bを介して、フリップフロップ12に入力される。
一方、DDR−SDRAM2から出力されたデータストローブ信号DQSは、配線103aを介して、まずメモリ制御LSI1の入力バッファ114に入力され、予め定められた時間遅延される。その後、DLL遅延回路115に入力される。図2(e)は、DLL遅延回路115に入力されるデータストローブ信号DQSのタイミングチャートである。図2(e)に示すように、DLL遅延回路115に入力されるデータストローブ信号DQSには、入力バッファ114により第3の遅延cが与えられる。それにより、図2(c)に示すDDR−SDRAM2から出力されたデータストローブ信号DQSよりも、第3の遅延cの分だけ位相がずれる。
データストローブ信号DQSが入力された図1のDLL遅延回路115では、データストローブ信号DQSの位相を90°遅延させた信号(以下、これを90°遅延データストローブ信号と呼ぶ)と、データストローブ信号DQSの位相を270°遅延させた信号(以下、これを270°遅延データストローブ信号と呼ぶ)が生成される。そして、90°遅延データストローブ信号は、配線103bを介して、1段目のフリップフロップ11に入力される。一方、270°遅延データストローブ信号は、配線103cを介して、1段目のフリップフロップ12に入力される。
図2(f)は、図1のフリップフロップ11に入力される90°遅延データストローブ信号のタイミングチャートである。図2(f)に示すように、図1のDLL遅延回路115により与えられる第4の90°遅延dにより、90°遅延データストローブ信号は、図2(e)に示すDLL遅延回路115に入力されるデータストローブ信号DQSよりも、第4の90°遅延dの分だけ位相がずれる。このようにしてフリップフロップ11に入力された90°遅延データストローブ信号は、フリップフロップ11に入力されたデータ信号DQのサンプリングにおけるクロック信号として用いられる。
サンプリングされたデータ信号DQは、図1に示すように、配線10を介してさらに2段目のフリップフロップ13に入力され、LSI内部での処理が可能なように、ここで内部クロック信号にのせかえられる。図2(g)は、図1のフリップフロップ13に入力されるデータ信号DQのタイミングチャートである。図2(g)に示すように、データ信号DQは、クロック信号として用いられる90°遅延データストローブ信号に対応したタイミングで図1に示すようにフリップフロップ13に入力されて配線30を介して出力され、信号処理部15で処理される。
図2(h)は、図1のフリップフロップ12に入力される270°遅延データストローブ信号のタイミングチャートである。図2(h)に示すように、図1のDLL遅延回路115により与えられる第4の270°遅延eにより、270°遅延データストローブ信号は、図2(e)に示すDLL遅延回路115に入力されるデータストローブ信号DQSよりも、第4の270°遅延eの分だけ位相がずれる。このようにしてフリップフロップ12に入力された270°遅延データストローブ信号は、図1のフリップフロップ12に入力されたデータ信号DQのサンプリングにおけるクロック信号として用いられる。
サンプリングされたデータ信号DQは、図1に示すように、配線20を介してさらに2段目のフリップフロップ14に入力され、LSI内部での処理が可能なように、ここで内部クロック信号にのせかえられる。図2(i)は、フリップフロップ14に入力されるデータ信号DQのタイミングチャートである。図2(i)に示すように、データ信号DQは、クロック信号として用いられる270°遅延データストローブ信号に対応したタイミングで図1に示すようにフリップフロップ14に入力されて配線40を介して出力され、信号処理部15で処理される。
一方、図1に示すように、メモリ制御LSI1で生成されるとともに出力バッファ111により第1の遅延aを与えられたクロック信号CK,XCKの一部は、DDR−SDRAM2を経ることなく、配線102aを介して、メモリ制御LSI1の内部に引き戻される(以下、これを引き戻しクロック信号と呼ぶ)。引き戻しクロック信号は、メモリ制御LSI1において、データ取り込みのためのタイミング信号として利用される。
ここで、本実施の形態の情報処理回路では、データ信号DQのサンプリングに用いられるデータストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間の遅延補償を行うために、引き戻しクロック信号の信号経路中に遅延補償手段が配設され、この遅延補償手段によって、上記の第1〜第3の遅延a〜cと第4の90°遅延dまたは第4の270°遅延eとの補償を実施する。以下に、遅延補償の詳細を説明する。
まず、出力バッファ111により第1の遅延aを与えられたクロック信号CK,XCKの一部が、配線102aを介して、DDR−SDRAM2に入力されることなくメモリ制御LSI1側に引き戻されて入力バッファ112に入力される。図2(j)は、このようにして入力バッファ112に入力された引き戻しクロック信号のタイミングチャートである。
図2(j)に示すように、引き戻しクロック信号には、上記のクロック信号CK,XCKと同様に図1の出力バッファ111で第1の遅延aが与えられるので、図1のメモリ制御LSI1に入力されるデータストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間では、第1の遅延aが補償される。
また、図1の入力バッファ112に入力される引き戻しクロック信号には、配線101,102aの長さや配置等に起因した外部遅延によって、第2の遅延b’が与えられている。ここで、本実施の形態の情報処理回路では、引き戻しクロック信号に与えられる第2の遅延b’が、DDR−SDRAM2から出力されるデータストローブ信号DQSに与えられる第2の遅延b(図2(c)参照)を補償可能なように遅延量が予め設定されており、具体的には、遅延量が等しくなるように設定されている。それにより、メモリ制御LSI1に入力されるデータストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間では、第2の遅延bが第2の遅延b’によって補償される。
このように、データストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間では、データストローブ信号DQSにおける第1の遅延aと第2の遅延bとが補償されることから、図2(c)および図2(j)に示すように、入力バッファ114に入力されるデータストローブ信号DQSの位相(図2(c)参照)と、入力バッファ112に入力される引き戻しクロック信号の位相(図2(j)参照)とが、一致している。
ここで、外部遅延である引き戻しクロック信号の第2の遅延b’は、その遅延の要因の1つとなる配線102aが、DDR−SDRAM2や配線103aと同様にメモリ制御LSI1の外部に配設されていることから、配線102aの配設環境が配線103aの配設環境と同様となる。それゆえ、データストローブ信号DQSに与えられる第2の遅延bの遅延量が温度や電圧等の変化に伴って変化しても、引き戻しクロック信号の第2の遅延b’の遅延量も同様に変化するため、配設環境が変化しても両者の遅延量はほぼ一致する。したがって、データストローブ信号DQSの第2の遅延bは、配設環境の変化にかかわらず、引き戻しクロック信号の第2の遅延b’によって適切に補償される。
また、引き戻しクロック信号の第2の遅延b’は、例えば、配線102aの長さや配置等の回路構成を調整することにより遅延量を調整可能であり、特にここでは、配線102aがメモリ制御LSI1の外部に配設されていることから、容易に遅延量を調整することが可能である。したがって、データストローブ信号DQSの第2の遅延bを補償する構成がメモリ制御LSI1の内部に設けられている場合に比べて、容易に遅延量の調整を行うことが可能となるとともに、回路構成の自由度が大きくなる。
入力バッファ112に入力された引き戻しクロック信号は、図1に示すように、ここで所定時間の遅延を与えられ、さらにDLL遅延回路113に入力される。図2(k)は、DLL遅延回路113に入力される引き戻しクロック信号のタイミングチャートである。図2(k)に示すように、図1のDLL遅延回路113に入力される引き戻しクロック信号には、図1の入力バッファ112により第3の遅延c’が与えられる。それにより、図2(j)に示す引き戻しクロック信号よりも、第3の遅延c’の分だけ位相がずれる。
ここで、図1の入力バッファ112は、引き戻しクロック信号に与える第3の遅延c’が、入力バッファ114によってデータストローブ信号DQSに与えられる第3の遅延cの遅延量と等しく設定されている。それにより、メモリ制御LSIに入力されるデータストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間では、第3の遅延cが第3の遅延c’によって補償される。したがって、図2(e)および図2(k)に示すように、DLL遅延回路115に入力されるデータストローブ信号DQSの位相と、DLL遅延回路113に入力される引き戻しクロック信号の位相とが、一致している。
また、図1に示すように、入力バッファ112は、入力バッファ114と同様にメモリ制御LSI1の内部に配設されていることから、配設環境が入力バッファ114の配設環境と同様となる。それゆえ、入力バッファ114によってデータストローブ信号DQSに与えられる第3の遅延cの遅延量が温度や電圧等の変化に伴って変化しても、入力バッファ112によって与えられる引き戻しクロック信号の第3の遅延c’の遅延量も同様に変化するため、配設環境が変化しても両者の遅延量はほぼ一致する。したがって、データストローブ信号DQSの第3の遅延bは、配設環境の変化にかかわらず、引き戻しクロック信号の第3の遅延b’によって適切に補償される。
図1に示すように、DLL遅延回路113では、入力された引き戻しクロック信号の位相を90°遅延させた信号(以下、これを90°遅延引き戻しクロック信号と呼ぶ)と、該信号の位相を270°遅延させた信号(以下、これを270°遅延引き戻しクロック信号と呼ぶ)とが生成される。そして、90°遅延引き戻しクロック信号は、配線102bを介して、メモリ制御LSI1のフリップフロップ13に入力され、また、270°遅延引き戻しクロック信号は、配線102cを介して、メモリ制御LSI1のフリップフロップ14に入力される。
図2(l)は、図1のフリップフロップ13に入力される90°遅延引き戻しクロック信号のタイミングチャートである。図2(l)に示すように、図1のDLL遅延回路113により与えられる第4の90°遅延d’により、90°遅延引き戻しクロック信号は、図2(k)に示すDLL遅延回路113に入力される引き戻しクロック信号よりも、第4の90°遅延d’の分だけ位相がずれる。
一方、図2(m)は、図1のフリップフロップ14に入力される270°遅延引き戻しクロック信号のタイミングチャートである。図2(m)に示すように、図1のDLL遅延回路113により与えられる第4の270°遅延e’により、270°遅延引き戻しクロック信号は、図2(k)に示すDLL遅延回路113に入力される引き戻しクロック信号よりも、第4の270°遅延e’の分だけ位相がずれる。
ここで、図1のDLL遅延回路113により引き戻しクロック信号に与えられる第4の90°遅延d’の遅延量は、DLL遅延回路115によりデータストローブ信号DQSに与えられる第4の90°遅延dの遅延量と同様であることから、メモリ制御LSI1に入力されるデータストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間では、第4の90°遅延dが第4の90°遅延d’によって補償される。したがって、図2(f)および図2(l)に示すように、図1のフリップフロップ11に入力される90°遅延データストローブ信号の位相(図2(f)参照)と、図1のフリップフロップ13に入力される90°遅延引き戻しクロック信号の位相(図2(l)参照)とが、一致している。
また、90°遅延の場合と同様、メモリ制御LSI1に入力されるデータストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との間では、第4の270°遅延eが第4の270°遅延e’によって補償される。したがって、図2(g)および図2(m)に示すように、図1のフリップフロップ12に入力される270°遅延データストローブ信号の位相(図2(g)参照)と、図1のフリップフロップ14に入力される270°遅延引き戻しクロック信号の位相(図2(m)参照)とが、一致している。
また、図1に示すように、DLL遅延回路113は、DLL遅延回路115と同様にメモリ制御LSI1の内部に配設されていることから、配設環境がDLL遅延回路115の配設環境と同様となる。それゆえ、DLL遅延回路115によってデータストローブ信号DQSに与えられる第4の90°遅延dおよび第4の270°遅延eの遅延量が温度や電圧等の変化に伴って変化しても、DLL遅延回路113によって与えられる第4の90°遅延d’および第4の270°遅延e’の遅延量も同様に変化するため、配設環境が変化しても両者の遅延量はほぼ一致する。
したがって、DLL遅延回路115によってデータストローブ信号DQSに与えられる第4の90°遅延dは、配設環境の変化にかかわらず、DLL遅延回路113によって引き戻しクロック信号に与えられる第4の遅延d’によって適切に補償され、また、DLL遅延回路115によってデータストローブ信号DQSに与えられる第4の270°遅延eは、配設環境の変化にかかわらず、DLL遅延回路113によって引き戻しクロック信号に与えられる第4の遅延e’によって適切に補償される。
上記のようにしてデータ信号DQ、データストローブ信号DQSおよび引き戻しクロック信号がメモリ制御LSI1に入力されると、図1に示すように、メモリ制御LSI1では、フリップフロップ13に入力された引き戻しクロック信号のタイミングに応じてフリップフロップ13に入力されたデータ信号DQの取り出しが行われ、また、フリップフロップ14に入力された引き戻しクロック信号のタイミングに応じてフリップフロップ14に入力されたデータ信号DQの取り出しが行われる。このようにして取り出されたデータ信号DQは、配線30,40を介して信号処理部15に出力されてデータ読み出し処理される。
以上のように、かかる構成の情報処理回路では、データストローブ信号DQSに第1〜第3の遅延a〜cと第4の90°遅延dまたは第4の270°遅延eとが与えられ、また、引き戻しクロック信号に、前述のように、第1〜第3の遅延a,b’,c’と第4の90°遅延d’または第4の270°遅延e’とが与えられるよう構成されている。
そして、ここでは、データストローブ信号DQSに与えられる第1〜第3の遅延a〜c、第4の90°遅延dおよび第4の270°遅延eの各々の遅延量が、引き戻しクロック信号に与えられる第1〜第3の遅延a,b’c’、第4の90°遅延d’および第4の270°遅延e’の各々の遅延量と等しいので、データストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号との遅延が補償されており、両信号が同期している。それゆえ、メモリ制御LSI1から出力された内部クロック信号のタイミングに応じてデータ読み出しを行うことが可能となり、特に、高速でのデータ読み出しが可能となる。したがって、高速でデータ読み出しが可能な情報処理回路が実現される。
また、かかる構成の情報処理回路では、データストローブ信号DQSとの間の遅延を補償する遅延補償手段、具体的には、引き戻しクロック信号に第1〜第3の遅延a,b’c’と第4の90°遅延d’または第4の270°遅延e’を与える入力バッファ112、配線102a、およびDLL遅延回路113が、データストローブ信号DQSに第1〜第3の遅延a〜cと第4の90°遅延dまたは第4の270°遅延eとを与える構成、具体的には、入力バッファ114、配線103a、およびDLL遅延回路115と、同様の環境下に配設されている。具体的には、入力バッファ112と入力バッファ114とが同様の環境下に配設され、配線102aと配線103aとが同様の環境下に配設され、DLL遅延回路113とDLL遅延回路とが同様の環境下に配設されている。
したがって、配設環境が変化してデータストローブ信号DQSに与えられる遅延量が変化しても、引出クロック信号の遅延量もこれと同様に変化するので、両者の遅延量がほぼ同様となる。それゆえ、温度や電圧等の遅延量への影響が、データストローブ信号DQSと引き戻しクロック信号とでほぼ同様となり、よって、データストローブ信号DQSに応じて、引き戻しクロック信号の遅延量の調整を容易にかつ適切に実施することが可能となる。
また、配線102aがメモリ制御LSI1の外部に配設されていることから、容易に遅延量の調整が可能となり、よって、回路構成の自由度が高くなる。それゆえ、情報処理回路の開発期間の短縮や、回路の動作条件拡大等が実現可能となる。
なお、上記においてはメモリがDDR−SDRAM2から構成される場合について説明したが、データストローブ信号DQSが出力される構成であれば、メモリの構成はこれ以外であってもよく、例えばRAM以外であってもよい。また、上記においては引き戻しクロック信号のための配線102aが出力バッファ111よりも下流部で配線101に接続されているが、メモリ制御LSI1内において出力バッファ111の上流部に接続されてもよい。この場合、出力バッファ111により与えられる第1の遅延aを補償する遅延補正手段、例えば配線102aの途中にバッファを配設する構成等が必要となる。
また、上記においては、データストローブ信号DQSに与えられる第4の90°遅延dおよび第4の270°遅延eを補償するための構成としてDLL遅延回路113を配設しているが、DLL遅延回路113の代わりに、バッファ等を配設した構成であってもよい。
(付記1)入力されたクロック信号に同期して、データ信号と、前記データ信号のタイミングを規定するデータストローブ信号とを出力する記憶部と、
前記クロック信号を生成して出力するとともに、前記記憶部から出力された前記データ信号および前記データストローブ信号を少なくとも処理する制御部と、
前記制御部から出力された前記クロック信号を前記記憶部に入力する第1の信号経路と、
前記記憶部から出力された前記データ信号を前記制御部に入力する第2の信号経路と、
前記記憶部から出力された前記データストローブ信号を前記制御部に入力する第3の信号経路と、
前記第1の信号経路から分岐し、前記記憶部に入力される前の前記クロック信号を引き戻して前記制御部に入力する第4の信号経路とを備え、
前記第4の信号経路は、前記制御部に入力される前記データストローブ信号と引き戻されて前記制御部に入力されるクロック信号との間の遅延を補償する遅延補償手段を含み、
前記制御部は、前記データストローブ信号と前記引き戻されたクロック信号とで規定されるタイミングに応じて、前記データ信号の読み出し処理を行うことを特徴とする情報処理回路。
(付記2)前記遅延補償手段が、前記制御部の外部に配設されたことを特徴とする付記1に記載の情報処理回路。
(付記3)前記遅延補償手段が、少なくともDLL遅延回路を含むことを特徴とする付記1または2に記載の情報処理回路。
(付記4)前記第1の信号経路において、前記制御部から出力される前記クロック信号に所定の第1の遅延を与える出力バッファが、前記第4の信号経路の分岐部よりも上流に配設され、
前記第3の信号経路中に、前記記憶部から出力される前記データストローブ信号に所定の第2の遅延を与える第2の入力バッファと、所定の第3の遅延を与える第1のDLL遅延回路とが配設され、
前記第4の信号経路中に、前記引き戻されるクロック信号に前記第2の遅延と等しい遅延を与える第3の入力バッファと、前記第3の遅延と等しい遅延を与える第2のDLL遅延回路とが配設されたことを特徴とする付記1〜3のいずれか一つに記載の情報処理回路。
(付記5)前記第1の信号経路の前記出力バッファから前記第4の信号経路の前記第3の入力バッファに入力されるまでの間に前記引き戻されるクロック信号に与えられる外部遅延が、前記出力バッファから前記記憶部に入力されるまでの間に前記クロック信号に与えられる外部遅延と、前記記憶部から出力された前記データストローブ信号が前記第3の信号経路の前記第2の入力バッファに入力されるまでの間に与えられる外部遅延との和に等しいことを特徴とする付記4に記載の情報処理回路。
(付記6)前記記憶部が、DDR−SDRAMを含むことを特徴とする付記1〜5のいずれか一つに記載の情報処理回路。
(付記7)制御部から出力したクロック信号に同期させて記憶部からデータ信号とデータストローブ信号とを出力させ、前記データ信号と前記データストローブ信号とを前記制御部に入力するとともに前記制御部で前記データストローブ信号で規定されるタイミングに応じて前記データ信号の読み出し処理を行う情報処理方法において、
前記制御部から出力した前記クロック信号を、前記記憶部に入力される前に引き戻して前記制御部に入力する工程と、
前記制御部に入力される前記データストローブ信号と引き戻されて前記制御部に入力されるクロック信号との間の遅延を補償する工程とをさらに含み、
前記データストローブ信号と前記引き戻されたクロック信号とで規定されるタイミングに応じて、前記データ信号の読み出し処理を行うことを特徴とする情報処理方法。
以上のように、本発明にかかる情報処理回路および情報処理方法は、データ読み出しのタイミング調整が容易な情報処理回路として有用であり、特に、高速でデータの読み出し可能な情報処理回路として有用である。
本発明の実施の形態にかかる情報処理回路の構成を示す模式図である。 図1の情報処理回路のデータ読み出し動作における各信号のタイミングチャートである。 従来の情報処理回路の構成を示す模式図である。 図3の情報処理回路のデータ読み出し動作における各信号のタイミングチャートである。
符号の説明
1 メモリ制御LSI
2 DDR−SDRAM
11,12,13,14 フリップフロップ
15 信号処理部
100 内部クロック信号生成部
101,102a〜102c,103a〜103c,104a,104b 配線
111 出力バッファ
112,114,116 入力バッファ
113,115 DLL遅延回路

Claims (5)

  1. 入力されたクロック信号に同期して、データ信号と、前記データ信号のタイミングを規定するデータストローブ信号とを出力する記憶部と、
    前記クロック信号を生成して出力するとともに、前記記憶部から出力された前記データ信号および前記データストローブ信号を少なくとも処理する制御部と、
    前記制御部から出力された前記クロック信号を前記記憶部に入力する第1の信号経路と、
    前記記憶部から出力された前記データ信号を前記制御部に入力する第2の信号経路と、
    前記記憶部から出力された前記データストローブ信号を前記制御部に入力する第3の信号経路と、
    前記第1の信号経路から分岐し、前記記憶部に入力される前の前記クロック信号を引き戻して前記制御部に入力する第4の信号経路とを備え、
    前記第4の信号経路は、前記制御部に入力される前記データストローブ信号と引き戻されて前記制御部に入力されるクロック信号との間の遅延を補償する遅延補償手段を含み、
    前記制御部は、前記データストローブ信号と前記引き戻されたクロック信号とで規定されるタイミングに応じて、前記データ信号の読み出し処理を行うことを特徴とする情報処理回路。
  2. 前記遅延補償手段が、前記制御部の外部に配設されたことを特徴とする請求項1に記載の情報処理回路。
  3. 前記第1の信号経路において、前記制御部から出力される前記クロック信号に所定の第1の遅延を与える出力バッファが、前記第4の信号経路の分岐部よりも上流に配設され、
    前記第3の信号経路中に、前記記憶部から出力される前記データストローブ信号に所定の第2の遅延を与える第2の入力バッファと、所定の第3の遅延を与える第1のDLL遅延回路とが配設され、
    前記第4の信号経路中に、前記引き戻されるクロック信号に前記第2の遅延と等しい遅延を与える第3の入力バッファと、前記第3の遅延と等しい遅延を与える第2のDLL遅延回路とが配設されたことを特徴とする請求項1または2に記載の情報処理回路。
  4. 前記第1の信号経路の前記出力バッファから前記第4の信号経路の前記第3の入力バッファに入力されるまでの間に前記引き戻されるクロック信号に与えられる外部遅延が、前記出力バッファから前記記憶部に入力されるまでの間に前記クロック信号に与えられる外部遅延と、前記記憶部から出力された前記データストローブ信号が前記第3の信号経路の前記第2の入力バッファに入力されるまでの間に与えられる外部遅延との和に等しいことを特徴とする請求項3に記載の情報処理回路。
  5. 制御部から出力したクロック信号に同期させて記憶部からデータ信号とデータストローブ信号とを出力させ、前記データ信号と前記データストローブ信号とを前記制御部に入力するとともに前記制御部で前記データストローブ信号で規定されるタイミングに応じて前記データ信号の読み出し処理を行う情報処理方法において、
    前記制御部から出力した前記クロック信号を、前記記憶部に入力される前に引き戻して前記制御部に入力する工程と、
    前記制御部に入力される前記データストローブ信号と引き戻されて前記制御部に入力されるクロック信号との間の遅延を補償する工程とをさらに含み、
    前記データストローブ信号と前記引き戻されたクロック信号とで規定されるタイミングに応じて、前記データ信号の読み出し処理を行うことを特徴とする情報処理方法。
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