JPH09128333A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH09128333A
JPH09128333A JP7281687A JP28168795A JPH09128333A JP H09128333 A JPH09128333 A JP H09128333A JP 7281687 A JP7281687 A JP 7281687A JP 28168795 A JP28168795 A JP 28168795A JP H09128333 A JPH09128333 A JP H09128333A
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JP
Japan
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control signal
circuit
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data
signal
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JP7281687A
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Inventor
Akira Hikimura
晃 曵村
Fumihiko Shintani
文比古 新谷
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】デジタルICのデータ取り込み回路の論理設計
に際して、アクセスタイムのマージンを大きくとらなく
て済み、製造プロセスのばらつきやIC外部の配線容量
などの変動によらずにデータを読み取ることを可能とす
る。 【解決手段】外部装置2のアクセスタイムを規定する制
御信号を生成し、外部装置に出力する制御信号出力回路
10と、制御信号出力回路から出力する制御信号の分岐
信号を取り込む制御信号取り込み回路20と、制御信号
取り込み回路の出力信号をサンプリングクロックとして
使用し、制御信号に同期して外部装置から出力されたデ
ータを取り込むデータ取り込み回路30とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路
(IC)に係り、特にクロックに同期して制御が行われ
るデジタルICにおいて外部装置に対して制御信号を出
力し、制御信号に同期して外部装置から読み出されたデ
ータを取り込む回路に関するもので、例えばCDROM
(コンパクトディスク型読み出し専用メモリ)デコーダ
用ICやマイコンなどのメモリアクセス回路、周辺回路
とのインターフェースに使用されるものである。
【0002】
【従来の技術】従来のデジタルICには、外部配線を介
して接続された複数の外部装置(DRAM、SRAM、
PSRAM、EEPROMなどの各種メモリやバスドラ
イバなど)の一つを選択し、この選択された外部装置か
ら読み出されたデータを取り込むためにデータ取り込み
回路部を有するものがある。
【0003】上記デジタルICに接続された各デバイス
は、通常、デジタルICから外部配線を介して供給され
るリード信号やチップイネーブル信号などの制御信号入
力が活性状態の時にはデータ出力端子からデータ“1”
あるいは“0”を出力するが、上記制御信号入力が非活
性状態の時にはデータ出力端子が開放状態(高インピー
ダンス状態)になる。リーク電流が大きなデバイスや、
プルアップ/プルダウン抵抗が外部配線に接続されてい
る場合には、特にデータ出力端子が開放状態でのデータ
ホールドは期待できない。
【0004】従来のデジタルICに形成されているデー
タ取り込み回路部は、基本的には図8(a)に示すよう
に構成され、図8(b)に示すような動作が行われる。
図8(a)において、1はデジタルIC、2は外部装
置、3は上記デジタルICと外部装置とを接続する外部
配線であり、制御信号線4とデータ線5を含む。
【0005】上記デジタルIC1において、11はシス
テムクロックCLKに同期して制御が行われ、外部装置
2のアクセスタイムを規定する制御信号(本例ではリー
ド信号RD)を生成する制御信号生成回路である。12
は前記制御信号生成回路11で生成されたリード信号R
Dをバッファ増幅し、出力端子13を介して外部配線3
に出力する制御信号出力バッファ回路である。
【0006】31は入出力兼用端子であり、32は外部
装置2からのデータDout が入出力兼用端子31を介し
て入力し、これをバッファ増幅するデータ入力バッファ
回路、33は前記制御信号生成回路11から出力するリ
ード信号RDをサンプリングクロックとして使用し、前
記データ入力バッファ回路32の出力データDinをサン
プリングクロックに同期してラッチするラッチ回路、3
4は前記入出力兼用端子31に接続されているデータ出
力バッファ回路である。
【0007】図8(a)の回路は、リード信号出力が非
活性状態になる前に選択された外部装置2から出力され
ているデータDout をサンプリングして取り込むように
動作する。
【0008】しかし、制御信号生成回路11で生成され
たリード信号を出力端子13を介して外部配線3に出力
すると、図8(b)に示すように、IC内部のゲートア
レイや外部配線3の配線容量などによりリード信号にア
ナログ遅延が生じる。
【0009】従って、リード信号出力のパルス幅とし
て、外部装置2からのデータ読み取りに要するアクセス
タイムに比べてマージンが少ない場合には、制御信号生
成回路11で生成されたリード信号を用いてデータをサ
ンプリングして取り込むことが不可能になる場合があ
る。
【0010】このような問題に対処するために、従来
は、図9乃至図11のいずれか1つに示すような方法を
採用している。図9に示すデータ取り込み方法は、リー
ド信号のパルス幅をリード信号のアナログ遅延量を考慮
してアクセスタイムに比べて十分広く設定してデータを
取り込むものであり、サイクルタイムにマージンがある
場合に採用される。
【0011】このデータ取り込み方法において、システ
ムクロックCLKにリード信号以上の時間分解能がない
場合、リード信号の終了エッジでデータを取り込むのが
通常であるが、リード信号のアナログ遅延量によりアク
セスタイムのマージンが減少する。そこで、デバイスの
アクセスタイムに適当なアナログ遅延量を加えてアクセ
ス時間を設計する必要が生じる。
【0012】しかし、リード信号のアナログ遅延量は、
ICの製造プロセスのばらつき以外にIC間配線容量な
どに依存し、一意には決まらない。また、システムクロ
ックCLKに制御信号以上の時間分解能がないと、1ク
ロックサイクルを延ばすことに起因してバッファアクセ
スのサイクルタイムの増加が大きくなる。
【0013】図10に示すデータ取り込み方法は、リー
ド期間(データ読み出し期間)を少しだけ広く設定(図
中破線で示すような必要なアクセスタイムに対して、図
中実線で示すようなアクセスタイムとなるように設定)
し、サイクルタイムの余分な増大を招かずにデータを取
り込むものであり、高速クロックを使用できる場合に採
用される。
【0014】しかし、このデータ取り込み方法は、バッ
ファアクセスのサイクルタイムの増加を防ぐためには、
システムクロックCLKの周波数を十分に高くすればよ
いが、スプリアス(不要高周波)信号対策や消費電力の
点で問題が生じる。
【0015】図11(a)、(b)に示す回路およびデ
ータ取り込み方法は、制御信号生成回路11で生成され
たリード信号RDをアナログ遅延回路6により遅延させ
た信号RDd をサンプリングクロックとして使用してデ
ータを取り込むものである。
【0016】このデータ取り込み方法は、ICの設計時
において外部の配線容量などを正確に見積もることがで
きないのでアナログ遅延回路6の遅延量の調整が困難で
あり、リード信号が非活性状態になった後のデータ保持
時間が殆んどない外部デバイスにおいては、安全上、小
さめの遅延量の設計を必要とするので、アクセスタイム
のマージンを十分に得ることができない。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
デジタルICは、データ取り込み回路部の論理設計に際
して、製造プロセスのばらつきやIC外部の配線容量な
どの変動を見込んでアクセスタイムのマージンを大きく
とる必要が生じるので、サイクルタイムの増加が大きく
なるという問題があった。
【0018】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、データ取り込み回路部の論理設計に際してア
クセスタイムのマージンを大きくとらなくて済み、製造
プロセスのばらつきやIC外部の配線容量などの変動に
よらずにデータを読み取ることが可能になる半導体集積
回路を提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、外部装置のアクセスタイムを規定する制御信号を生
成し、外部装置に出力する制御信号出力回路と、前記制
御信号出力回路から出力する制御信号の分岐信号を取り
込む制御信号取り込み回路と、前記制御信号取り込み回
路の出力信号をサンプリングクロックとして使用し、前
記制御信号に同期して前記外部装置から出力されたデー
タを取り込むデータ取り込み回路とを具備することを特
徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図1(a)は、本発明の第
1の実施の形態に係るデジタルICのデータ取り込み回
路部の基本構成と外部装置との接続状態の一例を示して
おり、図1(b)は図1(a)の回路における動作波形
の一例を示している。
【0021】図1において、1はデジタルIC、2は外
部装置、3は上記デジタルICと外部装置とを接続する
外部配線であり、制御信号線4およびデータ線5を含
む。上記デジタルIC1は、外部装置2のアクセスタイ
ムを規定する制御信号(本例ではリード信号RD)を生
成し、外部装置2に出力する制御信号出力回路10と、
前記制御信号出力回路10から出力するリード信号RD
out の分岐信号を取り込む制御信号取り込み回路20
と、前記制御信号取り込み回路20から出力するリード
信号RDinをサンプリングクロックとして使用し、前記
リード信号RDout に同期して前記外部装置2から出力
されたデータDout を取り込むデータ取り込み回路30
とを具備する。
【0022】上記制御信号出力回路10は、システムク
ロックCLKに同期して制御が行われ、外部装置2のア
クセスタイムを規定する制御信号(本例ではリード信号
RD)を生成する制御信号生成回路11と、前記制御信
号生成回路11で生成されたリード信号RDをバッファ
増幅して出力端子13を介して出力する制御信号出力バ
ッファ回路12とを有する。
【0023】前記制御信号取り込み回路20は、前記制
御信号出力回路10から出力するリード信号RDout の
分岐信号が入力する制御信号入力バッファ回路21から
なる。 前記データ取り込み回路30は、外部装置2か
らのデータDout が入力端子31を介して入力し、これ
をバッファ増幅するデータ入力バッファ回路32と、上
記データ入力バッファ回路32の出力データDinを前記
制御信号入力バッファ回路21から出力するリード信号
RDinに同期してラッチするラッチ回路33とを有す
る。なお、本例では、入力端子31は入出力兼用の入出
力端子が用いられており、上記入出力端子にはデータ出
力バッファ回路34が接続されている。
【0024】図1のデジタルIC1においては、制御信
号出力回路10からリード信号RDout を出力して外部
装置2に供給し、リード信号RDout に同期して外部装
置2から出力されるデータDout が入力するデータ入力
バッファ回路32の出力データDinを取り込むためのサ
ンプリングクロックとして、デジタルIC1の出力端子
13から出力される前のリード信号RDout の分岐信号
を制御信号入力バッファ回路21に取り込んだ信号RD
inを使用するので、外部配線3の配線容量などによるア
ナログ遅延量の変動に左右されずにデータDout を取り
込むことが可能になる。
【0025】換言すれば、デジタルIC1の内外におけ
るリード信号の遅延量の差がほぼ零になるように打ち消
すことが可能になり、実デバイスに対するリード信号の
活性状態から非活性状態までの間の時間を十分にアクセ
スタイムとして利用することが可能になるので、データ
取り込み回路部の論理設計に際してアクセスタイムのマ
ージンを大きくとらなくて済み、製造プロセスのばらつ
きやIC外部の配線容量などの変動によらずにデータを
読み取ることが可能になる。
【0026】図2(a)および(b)は、図1(a)中
のデジタルIC1の変形例を示す回路図およびタイミン
グ波形図である。図2(a)中に示すデジタルIC1f
は、図1(a)に示したデジタルIC1と比べて、出力
端子13から外部配線3に出力されたリード信号RDou
t の分岐信号が制御信号入力端子22を介して制御信号
入力バッファ回路21に入力する点が異なり、その他は
同じであるので図1(a)中と同一符号を付している。
【0027】上記図2(a)中のデジタルIC1fにお
いても、前記図1(a)中のデジタルIC1と同様の動
作により同様の効果が得られる。図3乃至図7は、それ
ぞれ図1(a)に示した回路の相異なる具体例を示して
おり、図1(a)中と同一部分には同一符号を付してい
る。
【0028】図3(a)および(b)は、外部装置とし
て頁モードを有するDRAM(ダイナミック型ランダム
アクセスメモリ)2aを有する場合のデジタルIC1a
のデータ取り込み回路部およびその動作例を示してい
る。
【0029】上記デジタルIC1aは例えばCDROM
デコーダ用ICであり、そのバッファ用RAMとしてD
RAM2aが使用されている。上記デジタルIC1aに
おいて、制御信号出力回路は、システムクロックCLK
に同期して制御が行われ、DRAM2aのアクセスタイ
ムを規定する制御信号(本例では/CAS信号)を含む
複数種類の信号を生成する信号生成回路11aと、前記
信号生成回路11aで生成された各信号をそれぞれバッ
ファ増幅し、複数の出力端子13を介して外部配線に出
力する複数の出力バッファ回路12とを有する。
【0030】上記複数種類の信号は、/CAS(カラム
アドレスストローブ)信号、/RAS(ロウアドレスス
トローブ)信号、/OE(アウトプットイネーブル)信
号、/WRITE(ライトイネーブル)信号のほかに、
アドレス信号を含む。
【0031】この場合、DRAM2aのアクセスタイム
を規定する制御信号として、アクセスタイムが最も短い
/CAS信号が用いられ、システムクロックCLKの半
クロック(/CASパルス幅)で動作するように設計さ
れている。
【0032】また、制御信号入力バッファ回路21は、
前記複数種類の制御信号のうちで外部装置2のアクセス
タイムを規定する制御信号が出力する特定の出力端子1
3の制御信号(本例では/CAS信号)が入力する。
【0033】また、前記DRAM2aを頁モードで使用
する際には、複数回の/CAS信号により連続的にアク
セスし、データの取り込みを連続して複数回行う場合が
あるので、データ取り込み回路のラッチ回路33を複数
段用意している。
【0034】図3(a)の回路によれば、デジタルIC
1aの内部と外部とで/CAS信号の遅延に差が生じな
くなり、データの取り込みが可能になる。図4(a)お
よび(b)は、外部装置としてSRAM(スタティック
型ランダムアクセスメモリ)2bを有する場合のデジタ
ルIC1bのデータ取り込み回路部およびその動作例を
示している。
【0035】上記デジタルIC1bにおいて、制御信号
生成回路11bで生成する複数種類の信号は、/CE1
(チップイネーブル1)信号、CE2信号、/OE信
号、/WRITE信号を含み、さらに、アドレス信号を
含む。そして、SRAM2bのアクセスタイムを規定す
る制御信号として/OE信号が用いられる。
【0036】図5(a)および(b)は、外部装置とし
てPSRAM(擬似SRAM)2cを有する場合のデジ
タルIC1cのデータ取り込み回路部およびその動作例
を示している。
【0037】上記デジタルIC1cにおいて、制御信号
生成回路11cで生成する複数種類の信号は、/CE信
号、/OE信号、/WRITE信号を含み、さらに、ア
ドレス信号を含む。そして、PSRAM2cのアクセス
タイムを規定する制御信号として/OE信号が用いられ
る。
【0038】図6(a)および(b)は、外部装置とし
てEEPROM(電気的消去・再書き込み可能なRO
M)2dを有する場合のデジタルIC1dのデータ取り
込み回路部およびその動作例を示している。
【0039】上記デジタルIC1dにおいて、制御信号
生成回路11dで生成する複数種類の信号は、/CE信
号、/OE信号を含み、さらに、アドレス信号を含む。
そして、EEPROM2dのアクセスタイムを規定する
制御信号として/OE信号が用いられる。
【0040】図7(a)および(b)は、外部装置とし
てバスドライバ回路を有する周辺デバイス用IC2eを
有する場合のデジタルIC1eのデータ取り込み回路部
およびその動作例を示している。
【0041】上記デジタルIC1eにおいて、制御信号
生成回路11eで生成する複数種類の信号は、/G1信
号、/G2信号を含み、さらに、アドレス信号を含む。
そして、バスドライバ回路のアクセスタイムを規定する
制御信号として/G1信号が用いられる。
【0042】なお、バスドライバ回路においては、/G
1信号入力と/G2信号入力との論理積をとった信号に
より出力バッファ回路35の出力動作の可否(出力状態
/高インピーダンス状態)を制御している。
【0043】
【発明の効果】上述したように本発明の半導体集積回路
によれば、データ取り込み回路部の論理設計に際してア
クセスタイムのマージンを大きくとらなくて済み、製造
プロセスのばらつきや外部の配線容量などの変動によら
ずにデータを読み取ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るデジタルIC
におけるデータ取り込み回路部の基本構成およびその動
作例を示す回路図およびタイミング波形図。
【図2】図1中のデジタルICの変形例を示す回路図お
よびタイミング波形図。
【図3】図1中の外部装置がDRAMである場合を示す
回路図およびタイミング波形図。
【図4】図1中の外部装置がSRAMである場合を示す
回路図およびタイミング波形図。
【図5】図1中の外部装置がPSRAMである場合を示
す回路図およびタイミング波形図。
【図6】図1中の外部装置がEEPROMである場合を
示す回路図およびタイミング波形図。
【図7】図1中の外部装置がバスドライバ回路を有する
周辺デバイスである場合を示す回路図およびタイミング
波形図。
【図8】従来のデジタルICにおけるデータ取り込み回
路部の基本構成およびその動作例を示す回路図およびタ
イミング波形図。
【図9】図8に示したデータ取り込み回路部の第1の変
形例に係る動作例を示すタイミング波形図。
【図10】図8に示したデータ取り込み回路部の第2の
変形例に係る動作例を示すタイミング波形図。
【図11】図8に示したデータ取り込み回路部の第3の
変形例およびその動作例を示す回路図およびタイミング
波形図。
【符号の説明】
1、1a〜1f…デジタルIC、 2…外部装置、 2a…DRAM、 2b…SRAM、 2c…PSRAM、 2d…EEPROM、 2e…バスドライバ回路を有する周辺デバイス用IC、 3…外部配線、 4…制御信号線、 5…データ線、 10…制御信号出力回路、 11、11a〜11e…制御信号生成回路、 12…制御信号出力バッファ回路、 13…出力端子、 20…制御信号取り込み回路、 21…制御信号入力バッファ回路、 22…制御信号入力端子、 30…データ取り込み回路、 31…入出力端子、 32…データ入力バッファ回路、 33…ラッチ回路、 34…データ出力バッファ回路。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部装置のアクセスタイムを規定する制
    御信号を生成し、外部装置に出力する制御信号出力回路
    と、前記制御信号出力回路から出力する制御信号の分岐
    信号を取り込む制御信号取り込み回路と、前記制御信号
    取り込み回路の出力信号をサンプリングクロックとして
    使用し、前記制御信号に同期して前記外部装置から出力
    されたデータを取り込むデータ取り込み回路とを具備す
    ることを特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の半導体集積回路におい
    て、 前記制御信号出力回路は、システムクロックに同期して
    制御が行われ、前記外部装置のアクセスタイムを規定す
    る制御信号を生成する制御信号生成回路と、前記制御信
    号生成回路で生成された制御信号をバッファ増幅し、出
    力端子を介して出力する制御信号出力バッファ回路とを
    有し、 前記制御信号取り込み回路は、前記制御信号出力回路か
    ら制御信号出力端子を介して出力する前の制御信号の分
    岐信号が入力する制御信号入力バッファ回路を有し、 前記データ取り込み回路は、入力端子を介して入力する
    前記外部装置からのデータをバッファ増幅するデータ入
    力バッファ回路と、前記データ入力バッファ回路の出力
    データを前記制御信号入力バッファ回路の出力信号に同
    期してラッチするラッチ回路とを有することを特徴とす
    る半導体集積回路。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の半導体集積回路におい
    て、 前記制御信号出力回路は、システムクロックに同期して
    制御が行われ、前記外部装置のアクセスタイムを規定す
    る制御信号を生成する制御信号生成回路と、前記制御信
    号生成回路で生成された制御信号をバッファ増幅し、出
    力端子を介して出力する制御信号出力バッファ回路を有
    し、 前記制御信号取り込み回路は、前記制御信号出力回路か
    ら制御信号出力端子を介して出力された制御信号を制御
    信号入力端子を介して入力する制御信号入力バッファ回
    路を有し、 前記データ取り込み回路は、入力端子を介して入力する
    前記外部装置からのデータをバッファ増幅するデータ入
    力バッファ回路と、前記データ入力バッファ回路の出力
    データを前記制御信号入力バッファ回路の出力信号に同
    期してラッチするラッチ回路とを有することを特徴とす
    る半導体集積回路。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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