JP2006080428A - 電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミック素体1の表面に外部電極3a、3bが形成され、該外部電極3a、3bの表面にニッケル皮膜4a、4bが形成され、該ニッケル皮膜4a、4bの表面に酸化防止膜5a、5bが形成され、さらに酸化防止膜5a、5bの表面にスズ皮膜6a、6bが形成されている。また、酸化防止膜5a、5bは、ニッケルやスズ等の金属に吸着するための極性基と水分を撥水してニッケル皮膜4a、4bやスズ皮膜5a、5bへの水分の浸入を防止する撥水基とを有する有機材料で形成されている。
【選択図】図1
Description
硫酸ニッケル : 1.5mol/L
塩化ニッケル : 0.25mol/L
ホウ酸 : 0.1mol/L
pH : 4.0
次いで、ニッケル製のアノード板と、カソード板と、通電性媒体及び被めっき物が内有されたバレルとを上記ニッケルめっき浴に浸漬して前記バレルを回転させ、アノード、カソード間にカソード平均電流密度0.2(A/dm2)の電流を120分間通電し、被めっき物に電解ニッケルめっきを施し、膜厚3μmのニッケル皮膜を作製した。
1-メチル-5-メルカプトテトラゾール:2重量%
2-メルカプト-5-メチル-1,3,4-チアジアゾール:2重量%
トリエタノールアミン:4重量%
ポリエチレングリコール縮合型非イオン界面活性剤:5重量%
溶媒(残部):蒸留水
次に、ニッケル皮膜の形成されたセラミック素体を上記酸化防止処理液に30秒間浸漬し、その後乾燥処理を施し、ニッケル皮膜の表面に膜厚数nm〜数10nmの酸化防止膜を作製した。
硫酸第1スズ:0.5mol/L
クエン酸アンモニウム(錯化剤):1.0mol/L
硫酸アンモニウム:1.0mol/L
ラウリルジエタノールアミン:1g/L
次いで、スズをアノード板に配し、通電性媒体及び酸化防止膜が形成された被めっき物を内有したバレルをカソードに配して上記スズめっき浴に浸漬して前記バレルを回転させ、アノード、カソード間にカソード平均電流密度0.16(A/dm2)の電流を120分間通電し、被めっき物に電解スズめっきを施し、酸化防止膜の表面に膜厚4μmのスズ皮膜を作製し、これにより実施例1の積層セラミックコンデンサを得た。
3 外部電極
4a、4b ニッケル被膜(第1の金属被膜)
5a、5b 酸化防止膜
5a′、5b′ 酸化防止膜
5a″、5b″ 酸化防止膜
6a、6b スズ被膜(第2の金属被膜)
Claims (7)
- 部品素体の表面に外部電極が形成されると共に、前記外部電極の表面に第1及び第2の金属皮膜が形成された電子部品において、
酸化防止膜が、前記第1の金属皮膜と前記第2の金属皮膜との間に介在されていることを特徴とする電子部品。 - 前記酸化防止膜が、前記第2の金属皮膜の表面にも形成されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
- 前記酸化防止膜が、前記外部電極と前記第1の金属皮膜との間にも介在されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の電子部品。
- 前記酸化防止膜は、前記第1及び第2の金属皮膜に吸着する少なくとも1種以上の極性基と、水分を撥水する撥水基とを含有した有機材料を主成分とすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電子部品。
- 前記極性基は、イオウ、窒素、リン、及び酸素の中から選択された少なくとも1種以上の元素を含有することを特徴とする請求項4記載の電子部品。
- 前記撥水基は、炭化水素系アルキル基、ビニル基、フェニル基、及びパーフルオロ基の中から選択された少なくとも1種であることを特徴とする請求項4又は請求項5記載の電子部品。
- 前記第1の金属皮膜がニッケルを主成分とし、前記第2の金属皮膜がスズ及び金のうちいずれか一方を主成分とすることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の電子部品。
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- 2004-09-13 JP JP2004265254A patent/JP2006080428A/ja active Pending
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