JP2006080204A - 半導体部品の設計方法及び半導体部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体集積回路2と、この半導体集積回路2の出力電圧Voutを決める設定値が記憶される不揮発性メモリ7とがモノリシックで形成された半導体部品1を製造者が試作する手順と、半導体部品1の試作品を、半導体部品1を使用する使用者に供給する手順と、使用者が上記設定値を調整して、半導体集積回路2の出力電圧Voutを評価する手順と、使用者の評価の結果に基づいて上記設定値を決定する手順とを有する。
【選択図】 図1
Description
先ず、半導体部品1の製造者と、この半導体部品1の使用者とで半導体部品1の仕様(出力電圧を何Vにするかや、どれくらいの精度を必要とするかなど)を検討する。
上記ステップS1での検討において、例えば出力電圧Voutが1.5V±1%になるよう仕様が決定されると、製造者はその仕様を満足するべく不揮発性メモリ7に記憶させるべき設定値を調整して、半導体部品1を試作する。この試作品の不揮発性メモリ7には、ステップS2aで調整された設定値が記憶されている。
また、製造者は、不揮発性メモリ7に設定値を書き込んだり消去したりするためのライタを使用者に提供する。なお、このライタは、後述するステップS3にて半導体部品1の試作品を使用者に供給するときに一緒に供給してもよい。また、ライタが特別なものではなく汎用性のあるものを使用することができ、使用者が既に持っているあるいは使用者で簡単に用意できる場合には、必ずしも製造者側からライタを提供する必要はない。
使用者は上記試作品の供給を製造者から受ける。そして、使用者は、その試作品の半導体部品1の出力電圧Voutの評価を行う。すなわち、使用者自らが不揮発性メモリ7に書き込む設定値を調整して、出力電圧Voutの評価を行う。
上述した使用者側での設定値調整及び出力電圧の評価と並行して、製造者側でも試作品の設定値調整及び出力電圧の評価を行ってもよい。使用者側が行うのは主に、負荷回路変更などに伴う出力電圧変更に対する調整及び評価であるのに対して、製造者側で行うのは、製造プロセスのばらつきにより、出力電圧が希望値からずれることがあるのでそのずれをある範囲内に収めるべく微調整を行う。例えば、使用者が行う調整は、可変抵抗9におけるどの抵抗分割点を差動増幅器4の非反転入力端子に接続させるかという調整であり、製造者が行う微調整は、可変抵抗9を構成する個々の抵抗R1、R2のボリュームの調整である。
使用者側及び製造者側それぞれで、上記調整された設定値によって決められる出力電圧Voutの評価結果を判定する。その評価結果に満足できない場合には、製造者はステップS2aに戻り、使用者はステップS4bに戻り、それぞれ上述したステップを繰り返す。
上記ステップS5a及びS5bにおける評価結果が満足できるものであった場合には、使用者は半導体部品1を、この半導体部品1から電源電圧の供給を受ける実際の負荷回路に接続してその負荷回路を動作させてみて最終的な評価を行う。
上記ステップS6における最終判断に合格すれば、製造者は、その合格した最終仕様にて半導体部品1を量産する。最終仕様は不揮発性メモリ7に最終的な設定値を書き込んだライタのデータファイルで入手する。あるいは、不揮発性メモリ7から、最終仕様として設定された設定値を読み出して得てもよい。
使用者は、製造者から量産された半導体部品1の供給を受けて、その半導体部品1を、負荷回路15aまたは15bも含めた他の部品と共に電子機器として組み立て、その電子機器を出荷する。
使用者が、電子機器の低コスト要求に対する搭載部品の変更を検討する。例えば、当初出荷した電子機器においては負荷回路(例えば半導体メモリ)15aを搭載していたが、これよりも安価な負荷回路(例えば半導体メモリ)15bに変更したいという要求が出てきたとする。しかし、負荷回路15aが例えば1.5Vの電圧で動作するものであり、負荷回路15bが例えば1.3Vで動作するものである場合には、半導体部品1の出力電圧Voutを変更しなければならない。
出荷後の設定値変更は、製造者側と、使用者側のそれぞれが行える。製造者側は、変更される負荷回路15bが必要とする出力電圧を決める設定値が書き込まれた半導体部品1を試作する。使用者側は、製造者側から既に供給を受けている半導体部品1の設定値を、変更される負荷回路15bが必要とする出力電圧を決定する設定値に書き換える。したがって、使用者は変更前の仕様で既に製造者から供給された半導体部品1を無駄にすることなく、新たな仕様の半導体部品1として活用できる。
そして、使用者は、変更した負荷回路15bと、この負荷回路15b用に出力電圧が変更された半導体部品1とを接続させて、実際に負荷回路15bを動作させて評価を行う。
上記ステップS103における評価結果に満足できれば、使用者は、半導体部品1の出力電圧を決定すると共に、この半導体部品1と共に電子機器に搭載する負荷回路の変更を決定する。そして最終的な評価を行いこれに合格すればステップS105a、S105bに進む。満足できない場合には、ステップS101に戻る。
上記ステップS104での最終判断を受け、製造者は変更した設定値を不揮発性メモリ7書き込んだ半導体部品1を量産し使用者に供給する。あるいは、使用者自らが、製造者から供給を受けた半導体部品1の不揮発性メモリ7に設定値の書き換えを行う。
そして、最終的に、使用者は、より安価なものに変更された負荷回路15b及びその負荷回路15bに合わせて出力電圧の変更がなされた半導体部品1を搭載した電子機器を出荷する。
Claims (4)
- 半導体集積回路と、前記半導体集積回路の出力電圧を決める設定値が記憶される不揮発性メモリとがモノリシックで形成された半導体部品を製造者が試作する手順と、
前記半導体部品の試作品を、前記半導体部品を使用する使用者に供給する手順と、
前記使用者が前記設定値を調整して、前記半導体集積回路の出力電圧を評価する手順と、
前記使用者の前記評価の結果に基づいて前記設定値を決定する手順と、
を有することを特徴とする半導体部品の設計方法。 - 前記使用者による前記評価と並行して、前記製造者も前記設定値を調整して前記出力電圧の評価を行い、前記使用者による前記評価の結果及び前記製造者による前記評価の結果に基づいて前記設定値を決定する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体部品の設計方法。 - 前記使用者は、前記半導体集積回路から前記出力電圧の供給を受けるべき負荷回路に前記半導体部品を接続させた状態で前記評価を行う
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体部品の設計方法。 - 半導体集積回路と、前記半導体集積回路の出力電圧を決める設定値が記憶される不揮発性メモリとがモノリシックで形成された半導体部品であって、
前記設定値は、製造者から試作品の供給を受けた使用者による調整及びこの調整された値の評価の結果に基づいて決定された
ことを特徴とする半導体部品。
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JP2002366238A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Denso Corp | 回路装置及び回路装置の調整データ設定方法 |
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