JP2002366238A - 回路装置及び回路装置の調整データ設定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リセット回路についてもリセットしきい値を
調整する場合に、そのための回路面積を余分に必要とす
ることなく、トリミングも別途必要としない回路装置を
提供する。 【解決手段】 半導体センサ２１の一部として構成され
る回路装置２２の定電圧発生回路４とリセット回路５に
対してトリミング作業でＥＰＲＯＭ２４に記憶された共
通の調整データを出力する。調整データは、基準電圧Ｖ
BRG が標準レベルよりも低い程データ値が小さくなり、
標準レベルよりも高い程データ値が大きくなるように設
定される。定電圧発生回路４は前記データ値の大きさに
伴って電圧増幅率が高くなるように構成され、リセット
回路５は前記データ値の大きさに伴ってリセットオン，
オフの出力しきい値が低くなるように構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電源電圧に基づい
て基準電圧を発生させる基準電圧発生回路と、前記基準
電圧を増幅することで定電圧を発生させる定電圧発生回
路と、電源の投入または切断に基づく前記定電圧のレベ
ル変化に応じてリセット信号を出力するリセット回路と
を備えて構成される回路装置、及びその回路装置につい
て、定電圧のレベルとリセットオン出力しきい値を調整
するための調整データを設定する設定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＬＳＩの一部として構成され、例
えば当該ＬＳＩの動作用電源を供給する定電圧発生回路
は、基準電圧発生回路が出力する基準電圧を適当な増幅
率で増幅して一定の電圧Ｖccを発生させるように構成さ
れている。しかし、ＬＳＩには製造ばらつきがあること
から、基準電圧自体が必ずしも一定ではない。そのた
め、ＬＳＩの製造後において、定電圧発生回路が発生さ
せる電圧Ｖccが所定の電圧となるように調整を行うトリ
ミング作業が必要となる。

【０００３】図３乃至図５は、斯様な回路装置の一構成
例を示すものである。回路装置１は、ＬＳＩとして形成
されている半導体センサ２（例えば、Ｇセンサ）の一部
である。基準電圧発生回路３は、例えばバンドギャップ
レギュレータとして構成されており、２Ｖ以上の電源電
圧が外部より供給されると標準で１．２５Ｖの基準電圧
ＶBGR を発生させるようになっている。その基準電圧Ｖ
BGR は、定電圧発生回路４及びパワーオンリセット回路
５に供給されている。

【０００４】図４に、基準電圧発生回路３の詳細な構成
を示す。基準電圧発生回路３は、ダイオード接続された
２つのトランジスタ６，７（ダイオードのシンボルで示
す）とオペアンプ８とを中心として構成されている。オ
ペアンプ８の出力端子とグランドとの間には、抵抗９及
びトランジスタ６の直列回路並びに抵抗１０，１１及び
トランジスタ７の直列回路が接続されている。そして、
抵抗９及びトランジスタ６の共通接続点はオペアンプ８
の非反転入力端子に接続されており、抵抗１０及び１１
の共通接続点はオペアンプ８の反転入力端子に接続され
ている。尚、抵抗１１，トランジスタ７は、温度特性や
トランジスタの特性調整を行うため、即ちトリミング用
に複数個が夫々直列，並列に接続されている場合もあ
る。

【０００５】リセット回路５は、基準電圧ＶBGR と定電
圧発生回路４が発生させる定電圧Ｖccとを比較して、半
導体センサ２に対する電源の投入または切断に基づいて
定電圧Ｖccが所定のレベルに変化した場合にリセットオ
ン，オフを行うためのリセット信号（パワーオンリセッ
ト電圧ＶPOR ）を出力する回路である。リセット信号
は、半導体センサ２においてＡ／Ｄ変換されたセンサ信
号の処理を行う論理回路など（図示せず）をリセットす
るために供給される。

【０００６】定電圧発生回路４は、図５に示すように非
反転増幅器として構成されており、デコーダ１２，セレ
クタ１３，直列抵抗回路１４，オペアンプ１５などを備
えている。直列抵抗回路１４は、オペアンプ１５の出力
端子とグランドとの間に９個の抵抗１４ａ〜１４ｉが直
列接続されており、両端以外の各接続点は、スイッチア
レイとして構成されるセレクタ１３を介してオペアンプ
１５の反転入力端子に接続されている。オペアンプ１５
の非反転入力端子には、基準電圧発生回路３が発生する
基準電圧ＶBGR が与えられている。デコーダ１２は、後
述するＥＰＲＯＭ１６より与えられる３ビットの調整デ
ータをデコードしてセレクタ１３に出力するものであ
り、セレクタ１３は、そのデコード信号に応じて８個の
スイッチ１３ａ〜１３ｈの何れか１つを選択的に閉じる
ようになっている。

【０００７】定電圧発生回路４は、基準電圧ＶBGR が標
準値の１．２５Ｖであればその電圧を４倍程度に増幅し
て５Ｖ程度の定電圧Ｖccを発生させる。その電圧増幅率
は、セレクタ１３のスイッチを切り替えて帰還抵抗の抵
抗値を可変することで調整可能となっている。

【０００８】ＥＰＲＯＭ１６は、３ビット分ののＥＰＲ
ＯＭメモリセルで構成されており、センスアンプの出力
はパラレルデータバスを介して定電圧発生回路４のデコ
ーダ１２に直結されている。そして、メモリセルに書き
込まれたデータはＥＰＲＯＭ１６に電源が投入されてい
る間は定電圧発生回路４に出力され続けるようになって
いる。

【０００９】以上の構成において定電圧Ｖccのトリミン
グを行う場合は、作業者が、基準電圧ＶBGR の値を電圧
計などを用いて測定し、その電圧に応じた増幅率を定電
圧発生回路４に設定するため、調整データをＥＰＲＯＭ
１６に書き込む。そして、半導体センサ２を動作させる
ために外部より電源が供給されればＥＰＲＰＯＭ１６に
書き込まれた調整データは定電圧発生回路４に出力され
るので、定電圧発生回路４はその調整データに応じた増
幅率で定電圧Ｖccを発生させる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来は、斯
様な構成の半導体センサ２やマイクロコンピュータなど
では、一般にリセット回路５においてリセットオンの出
力しきい値をトリミングすることはなかった。しかしな
がら、例えば半導体センサ２の仕様などによっては、５
Ｖの定電圧Ｖccに対して常に４．５Ｖでリセットがかか
るようにしたいという要請がある場合も想定される（例
えば、半導体センサとしての動作特性を保証するためな
ど）。

【００１１】その場合、上述した定電圧発生回路４と同
様の構成を採用してリセット回路５についてもリセット
しきい値を調整するためのトリミングを行うことを想定
すると、その調整データのビット数だけＥＰＲＯＭを追
加する必要があり、回路面積を余分に必要とすることに
なる。また、トリミング工程も別途必要になることから
作業工数が増加するという問題が予想される。

【００１２】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、リセット回路についてもリセットし
きい値を調整する場合に、そのための回路面積を余分に
必要とすることなく、トリミングも別途必要としない回
路装置、及びその回路装置に定電圧のレベルとリセット
オン出力しきい値を調整するための調整データを設定す
る設定方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の回路装置
によれば、定電圧発生回路及びリセット回路に対して、
調整データ出力部より不揮発性のメモリに記憶されてい
る調整データが共通に出力され、定電圧発生回路とリセ
ット回路とは、何れもその調整データに基づいて増幅
率，リセットオン出力しきい値が調整可能に構成されて
いる。

【００１４】即ち、基準電圧が標準レベルよりも高い場
合に定電圧を出力させるには、定電圧発生回路の増幅率
を標準よりも小さくする必要がある。また、リセット回
路は、前記定電圧を基準電圧と比較することでリセット
信号を出力する構成であるから、基準電圧が標準レベル
よりも高い場合に定電圧の同じ変化レベルでリセットが
かかるようにするためには、出力しきい値を高くする必
要がある。また、基準電圧が標準レベルよりも低い場合
には、大小関係について上記と逆のことが言える。

【００１５】従って、例えば、調整データ出力部のメモ
リに記憶される調整データを、基準電圧発生回路が発生
する基準電圧が標準レベルよりも低い程データ値が小さ
くなり、前記基準電圧が標準レベルよりも高い程データ
値が大きくなるように設定すると共に、定電圧発生回路
を調整データが大きくなる程増幅率が高くなるように構
成し、リセット回路を調整データの大きくなる程リセッ
トオン出力しきい値が低くなるように構成する。勿論、
上記調整データのデータ値の大小と、増幅率，リセット
オン出力しきい値の高低との関係は逆であっても良い。

【００１６】斯様に構成すれば、製造プロセスのばらつ
きなどにより基準電圧が変動する場合でも、調整データ
出力部より出力される共通の調整データによって、定電
圧発生回路より発生される定電圧とリセット回路より出
力されるリセット信号のしきい値とが夫々適切となるよ
うに同時に調整することが可能となる。そして、リセッ
ト回路についても調整が必要である場合に調整データ出
力部を余分に必要とすることがないので、回路装置を小
形かつローコストで構成することができる。また、トリ
ミング作業の工程を別途追加する必要もないことから、
調整を簡単に行うことができる。

【００１７】請求項２記載の回路装置によれば、リセッ
ト回路を、調整データ出力部より出力される調整データ
によってリセットオフ出力しきい値も同時に設定可能と
するので、例えば、調整データに基づき、前記基準電圧
が標準レベルよりも低い程リセットオフ出力しきい値が
低くなり、基準電圧が標準レベルよりも高い程リセット
オフ出力しきい値が高くなるように構成すれば、リセッ
トを解除する電圧レベルについても調整する必要がある
場合にも対応することができる。

【００１８】請求項３記載の回路装置の調整データ設定
方法によれば、基準電圧発生回路と、定電圧発生回路
と、これらに調整データを共通に出力するように構成さ
れる調整データ出力部とを備え、定電圧発生回路は調整
データに基づいた電圧増幅率が設定されるように構成さ
れ、リセット回路は調整データに基づいたリセットオン
出力しきい値が設定されるように構成されている回路装
置について前記調整データを設定する場合に、基準電圧
発生回路が発生する基準電圧のレベルを測定し、前記基
準電圧が標準レベルよりも高い程前記増幅率が低くなる
と共に前記リセットオン出力しきい値が高くなるように
データ値を設定する。

【００１９】この場合、例えば、調整データを、前記基
準電圧が標準レベルよりも低い程データ値が小さくな
り、基準電圧が標準レベルよりも高い程データ値が大き
くなるようにデータ値を設定して、定電圧発生回路とリ
セット回路とを、そのデータ値の大小関係に応じて増幅
率，リセットオン出力しきい値が夫々上記のように調整
される構成にすれば良い。勿論、上記調整データのデー
タ値の大小と、増幅率，リセットオン出力しきい値の高
低との関係は逆であっても良い。

【００２０】斯様に調整データを設定することで、製造
プロセスのばらつきなどによって基準電圧が変動する場
合でも、調整データ出力部より出力される共通の調整デ
ータによって、定電圧発生回路より発生される基準電圧
とリセット回路より出力されるリセット信号とを適切に
調整することが可能となり、リセット回路についても調
整が必要である場合でも調整データ出力部を余分に必要
とすることなく、また、トリミング作業の工程を追加す
る必要もないことから、調整を簡単に行うことができ
る。

【００２１】請求項４記載の回路装置の調整データ設定
方法によれば、リセット回路は、調整データ出力部より
出力される調整データによってリセットオフ出力しきい
値も同時に設定可能であり、調整データに基づいて、前
記基準電圧が標準レベルよりも低い程リセットオフ出力
しきい値が低くなり、基準電圧が標準レベルよりも高い
程前記リセットオフ出力しきい値が高くなるので、リセ
ットを解除する電圧レベルについても調整する必要があ
る場合にも対応することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を半導体センサの一
部として構成される回路装置に適用した場合の一実施例
について図１及び図２を参照して説明する。尚、図３乃
至図５と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、
以下異なる部分についてのみ説明する。図１において、
半導体センサ２１の一部として構成される回路装置２２
は、図３に示すパワーオンリセット回路５をパワーオン
リセット回路２３に置き換えたものである。そして、リ
セット回路２３には、ＥＰＲＯＭ１６に代わるＥＰＲＯ
Ｍ（調整データ出力部）２４より出力される調整データ
が、定電圧発生回路４と共通に与えられるようになって
いる。

【００２３】図２は、リセット回路２３の詳細な電気的
構成を示すものである。リセット回路２３は、コンパレ
ータ２４，直列抵抗回路２５，２組のセレクタ２６Ａ，
２６Ｂ及びデコーダ２７などで構成されている。デコー
ダ２７は、定電圧発生回路４が備えているデコーダ１２
と同様に、３ビットの調整データをデコードしたデコー
ド信号をセレクタ２６Ａ，２６Ｂに出力するようになっ
ている。

【００２４】直列抵抗回路２５は、定電圧Ｖccとグラン
ドとの間に１２個の抵抗２５ａ〜２５ｌを直列接続して
構成されている。セレクタ２６Ａ，２６Ｂは、夫々８個
のスイッチを備えており、セレクタ２６Ａ，２６Ｂは夫
々リセットオフ，オンのしきい値設定用である。セレク
タ２６Ａの８個のスイッチ２６Ａａ〜２６Ａｈの一端
は、直列抵抗回路２５の抵抗２５ａ〜２５ｉ間における
８つの共通接続点に夫々接続されており、セレクタ２６
Ｂの８個のスイッチ２６Ｂｄ〜２６Ｂｋの一端は、抵抗
２５ｄ〜２５ｌ間における８つの共通接続点に夫々接続
されている。

【００２５】そして、セレクタ２６Ａのスイッチ２６Ａ
ａ〜２６Ａｈの共通に接続されている他端側は、スイッ
チ２８Ａを介してコンパレータ２４の非反転入力端子に
接続されており、セレクタ２６Ｂのスイッチ２６Ｂｄ〜
２６Ｂｋの他端側は、スイッチ２８Ｂを介して前記非反
転入力端子に接続されている。また、コンパレータ２４
の反転入力端子には基準電圧ＶBGR が与えられている。

【００２６】デコーダ２７は８本のデコード信号をセレ
クタ２６Ａ，２６Ｂに出力しているが、それらの信号は
スイッチ２６Ａａ及び２６Ｂｄ〜スイッチ〜２６Ａｈ及
び２６Ｂｋに夫々与えられている。即ち、リセットオフ
側のしきい値は、直列抵抗回路２５が有している１２個
の共通接続点の内、定電圧Ｖcc側の８個を選択すること
で決定され、リセットオン側のしきい値は、前記１２個
の共通接続点の内、グランド側の８個を選択することで
決定されるようになっている。

【００２７】また、コンパレータ２４の非反転入力端子
に接続されている２つのスイッチ２８Ａ，２８Ｂのオン
オフは、シュミットトリガバッファ２９が定電圧Ｖccを
受けて出力する信号によって切り替えられる。即ち、ス
イッチ２８Ａにはバッファ２９の出力信号が直接与えら
れており、スイッチ２８Ｂには前記出力信号がインバー
タゲート３０で反転されたものが与えられている。従っ
て、定電圧Ｖccの立ち上がり時にはスイッチ２８Ａがオ
フ→オンに切り替わり、立ち下がり時にはスイッチ２８
Ｂがオフ→オンに切り替わる。

【００２８】以上の構成において、基準電圧発生回路３
が出力する基準電圧ＶBGR が標準値の１．２５Ｖである
場合には、３ビットの調整データ（０〜７）のデータ値
を例えば“３”に設定する。そして、定電圧発生回路４
は、データ値“３”が与えられると、デコーダ１２より
出力されるデコード信号に応じて電圧増幅率を“４”に
設定し、定電圧Ｖccを約５Ｖで出力するようになってい
る。

【００２９】一例として、直列抵抗回路１４の抵抗１４
ａの抵抗値が１０．２５ｋΩ，１４ｉの抵抗値が３ｋ
Ω，１４ｂ〜１４ｈの抵抗値が各０．２５ｋΩであると
する。そして、データ値“３”に対応して出力されるデ
コード信号によりセレクタ１３のスイッチ１３ｅが閉じ
て抵抗１４ｅ及び１４ｆの共通接続点がオペアンプ１５
の反転入力端子に接続されると、非反転増幅器の増幅率
は（１＋１１．２５／３．７５＝４）となる。

【００３０】また、リセット回路２３は、データ値
“３”が与えられると、デコーダ２７より出力されるデ
コード信号に応じて、リセットオンを出力する（ＶPOR
をロウレベルにする）しきい値電圧を例えば４．５Ｖに
設定し、リセットオフを出力する（ＶPOR をハイレベル
にする）例えばしきい値電圧を４．７５Ｖに設定するよ
うになっている。即ち、デコード信号によってセレクタ
２６Ａ，２６Ｂのスイッチ２６Ａｅ及び２６Ｂｈがオン
されて、夫々の分圧抵抗比により各しきい値が設定され
る。その他の構成については、図３乃至図５に示すもの
と同様である。

【００３１】次に、本実施例の作用について説明する。
回路装置２２についてトリミングを行う場合は、半導体
センサ２１に電源を投入した状態で、作業者が基準電圧
発生回路３が出力する基準電圧ＶBGR のレベルを測定す
る。そして、基準電圧ＶBGRが標準値の１．２５Ｖであ
る場合は３ビットの調整データのデータ値を“３”とし
て、作業者は、そのデータ値“３”をＥＰＲＯＭ２４に
書き込む。即ち、必要な書き込み電圧をＥＰＲＯＭ２４
に印加した状態で、書き込みデータをデータバスに与え
るようにする。この場合、各電圧は上述したように定ま
ることになる。

【００３２】そして、基準電圧ＶBGR が標準値の１．２
５Ｖを下回っている場合は、その値に応じて調整データ
のデータ値を“０〜２”の何れかに決定し（例えば
“２”とする）、作業者はその３ビットデータをＥＰＲ
ＯＭ２４に書き込む。トリミング作業が終了し、半導体
センサ２１に改めて電源が投入されると、ＥＰＲＯＭ２
４はセンスアンプを介して３ビットのデータバスに書き
込まれた調整データを出力する。すると、定電圧発生回
路４では、セレクタ１３において１つグランド側のスイ
ッチ１３ｆが代わって閉じることになる。この場合、非
反転増幅器の増幅率はデータ値“３”の場合よりも大き
くなるため、基準電圧ＶBGR の低下を増幅率を上昇させ
て補うことができ、略５Ｖの定電圧Ｖccが出力されるよ
うになる。

【００３３】この時、リセット回路２３では、セレクタ
２６Ａ，２６Ｂのスイッチ２６Ａｆ及び２６Ｂｉが代わ
って閉じることになる。即ち、基準電圧ＶBGR の低下に
伴って、比較対象の分圧電位も低下させる必要があるか
らである。その結果、リセットオン，リセットオフの出
力しきい値は、略４．５Ｖ，４．７５Ｖに設定されるこ
とになる。

【００３４】一方、基準電圧ＶBGR が標準値の１．２５
Ｖを上回っている場合は、その値に応じて調整データの
データ値を“４〜７”の何れかに決定し（例えば“４”
とする）、作業者はその３ビットデータをＥＰＲＯＭ２
４に書き込む。そして、作業終了後半導体センサ２１に
改めて電源が投入されると、定電圧発生回路４では、セ
レクタ１３において１つ電源側のスイッチ１３ｄが代わ
って閉じることになる。この場合、非反転増幅器の増幅
率はデータ値“３”の場合よりも小さくなるため、基準
電圧ＶBGR の上昇に対して増幅率を低下させて調整す
る。

【００３５】この時、リセット回路２３では、セレクタ
２６Ａ，２６Ｂのスイッチ２６Ａｄ及び２６Ｂｇが代わ
って閉じることになる。即ち、基準電圧ＶBGR の上昇に
伴って、比較対象の分圧電位も上昇させる必要があるか
らである。そして、リセットオン，リセットオフの出力
しきい値は、略所期の値に設定される。

【００３６】以上のように本実施例によれば、半導体セ
ンサ２１の一部として構成される回路装置２２の定電圧
発生回路４とリセット回路５に対し、トリミング作業で
ＥＰＲＯＭ２４に記憶された共通の調整データを出力す
るようにした。そして、その調整データを、基準電圧Ｖ
BRG が標準レベルよりも低い程データ値が小さくなり、
基準電圧ＶBRG が標準レベルよりも高い程データ値が大
きくなるように設定し、定電圧発生回路４を前記データ
値の大きさに伴って電圧増幅率が高くなるように構成
し、リセット回路５を前記データ値の大きさに伴ってリ
セットオン，オフの出力しきい値が低くなるように構成
した。

【００３７】従って、製造プロセスのばらつきなどによ
り基準電圧ＶBGR が変動する場合でも、ＥＰＲＯＭ２４
より出力される共通の調整データに基づいて定電圧発生
回路４より発生される定電圧Ｖccとリセット回路５より
出力されるリセット信号のしきい値とを適切に調整する
ことが可能となり、リセット回路５についても調整が必
要な場合でもＥＰＲＯＭ２４を余分に必要とすることが
ないので、回路装置２２を小形かつローコストで構成す
ることができる。例えば、０．８μｍプロセスの工程で
３ビットのＥＰＲＯＭ２４を形成するには２００μｍ×
３００μｍ程度の面積が必要となるため、その分のチッ
プ面積を削減することが可能となる。また、トリミング
作業の工程を追加する必要もないことから、調整作業を
簡単に行うことができる。

【００３８】更に、本実施例によれば、リセット回路５
を、調整データによってリセットオフ出力しきい値も同
時に調整可能としたので、リセット解除の電圧レベルに
ついても厳密に調整したいという要請がある場合にも対
応することができる。そして、リセットオフ出力しきい
値を調整するために用いる直列抵抗回路２５を、リセッ
トオン側に用いるものと共用するように構成したので、
回路面積の増加を極力抑制することができる。

【００３９】本発明は上記し且つ図面に記載した実施例
にのみ限定されるものではなく、次のような変形または
拡張が可能である。調整データのビット数は“３”に限
らず、個別の設計に応じて適宜設定すれば良い。また、
各抵抗の抵抗値なども、個別の設計に応じて適宜変更し
て実施すれば良い。測定した基準電圧のレベルに対する
調整データの大小の設定を逆にして、その調整データに
対応する増幅率，リセット信号しきい値の大小に関する
設定を逆にしても良い。即ち、基準電圧が標準レベルよ
りも低い程データ値が大きくなり、基準電圧が標準レベ
ルよりも高い程データ値が小さくなるように設定し、定
電圧発生回路を調整データが大きくなる程増幅率が低く
なるように構成し、リセット回路を調整データの大きく
なる程リセットオン出力しきい値が高くなるように構成
しても良い。

【００４０】リセット回路は、リセットオンの出力しき
い値だけを調整可能に構成しても良い。調整データ出力
部を構成する不揮発性のメモリは、ＥＰＲＰＭに限ら
ず、ＥＥＰＲＯＭやワンタイムＰＲＯＭなどでも良い。
半導体センサに限らず、ＣＰＵやマイクロコンピュー
タ，車両用のＥＣＵや通信用ＩＣ等に適用しても良い。
また、例えばＣＰＵのように定電圧Ｖccが定格値に確定
してから数１００ｍｓ程度の時間が経過した後にリセッ
トオフを行う必要があるものについては、リセット回路
の出力側に適当な遅延回路を付加して対応すれば良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を半導体センサに適用した場合の一実施
例であり、電気的構成を示す機能ブロック図

【図２】リセット回路の詳細な電気的構成を示す図

【図３】従来技術を示す図１相当図

【図４】基準電圧発生回路の詳細な電気的構成を示す図

【図５】定電圧発生回路の詳細な電気的構成を示す図

【符号の説明】

３は基準電圧発生回路、４は定電圧発生回路、２２は回
路装置、２３はパワーオンリセット回路、２４はＥＰＲ
ＯＭ（調整データ出力部）を示す。

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Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電源電圧に基づいて基準電圧を発生させ
   る基準電圧発生回路と、前記基準電圧を増幅することで
   定電圧を発生させる定電圧発生回路と、前記基準電圧と
   前記定電圧とを比較することで、前記電源の投入または
   切断に基づく前記定電圧のレベル変化に応じてリセット
   信号を出力するリセット回路とを備えて構成される回路
   装置において、 前記定電圧発生回路及び前記リセット回路に対して、不
   揮発性のメモリに記憶されている調整データを共通に出
   力するように構成される調整データ出力部を備え、 前記調整データ出力部のメモリに記憶される調整データ
   は、前記基準電圧発生回路が発生する基準電圧レベルに
   対応した値が設定されており、 前記定電圧発生回路は、前記調整データに基づいた増幅
   率が設定されるように構成され、 前記リセット回路は、前記調整データに基づいたリセッ
   トオン出力しきい値が設定されるように構成されている
   ことを特徴とする回路装置。
2. 【請求項２】 前記リセット回路は、前記調整データ出
   力部より出力される調整データによってリセットオフ出
   力しきい値も同時に設定されるように構成されているこ
   とを特徴とする請求項１記載の回路装置。
3. 【請求項３】 電源電圧に基づいて基準電圧を発生させ
   る基準電圧発生回路と、前記基準電圧を増幅することで
   定電圧を発生させる定電圧発生回路と、前記基準電圧と
   前記定電圧とを比較することで、前記電源の投入または
   切断に基づく前記定電圧のレベル変化に応じてリセット
   信号を出力するリセット回路と、前記定電圧発生回路及
   び前記リセット回路に対して不揮発性のメモリに記憶さ
   れている調整データを共通に出力するように構成される
   調整データ出力部とを備え、 前記定電圧発生回路は、前記調整データに基づいた増幅
   率が設定されるように構成されていると共に、前記リセ
   ット回路は、前記調整データに基づいたリセットオン出
   力しきい値が設定されるように構成されている回路装置
   に対して前記調整データを設定するための設定方法であ
   って、 前記基準電圧発生回路が発生する基準電圧のレベルを測
   定し、 前記基準電圧が標準レベルよりも低い程前記増幅率が高
   くなると共に前記リセットオン出力しきい値が低くなる
   ように調整データを設定し、前記基準電圧が標準レベル
   よりも高い程前記増幅率が低くなると共に前記リセット
   オン出力しきい値が高くなるように調整データを設定す
   ることを特徴とする回路装置の調整データ設定方法。
4. 【請求項４】 前記リセット回路は、前記調整データ出
   力部によって出力される調整データによってリセットオ
   フ出力しきい値も同時に設定可能であり、前記調整デー
   タに基づいて、前記基準電圧が標準レベルよりも低い程
   前記リセットオフ出力しきい値が低くなり、前記基準電
   圧が標準レベルよりも高い程前記リセットオフ出力しき
   い値が高くなることを特徴とする請求項３記載の回路装
   置の調整データ設定方法。