JP2006080128A

JP2006080128A - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2006080128A
Application number: JP2004259527A
Authority: JP
Inventors: Shinji Hirano; 伸治平野
Original assignee: Kawasaki Microelectronics Inc
Current assignee: Kawasaki Microelectronics Inc
Priority date: 2004-09-07
Filing date: 2004-09-07
Publication date: 2006-03-23

Abstract

【課題】下地絶縁膜上に絶縁膜を良好に成膜するための前処理として、十分な効果を短時間で得ることができる前処理工程を有する半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】上記課題を解決するために、全面に下地絶縁膜が形成された半導体基板表面上にＣＶＤ法によって絶縁膜の成膜を行う際に、下地絶縁膜の表面層をフッ素含有ガスのプラズマでエッチングし、さらに、窒素ガスまたはアンモニアガスのプラズマを照射してから、ＣＶＤ法による絶縁膜の成膜を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、下地絶縁膜上にＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって絶縁膜を成膜する際に必要となる絶縁膜の前処理方法の改善に関する。

従来、半導体装置の製造工程において、ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜等の絶縁膜の成膜は、様々な工程において利用されている。しかし、成膜する絶縁膜の種類、利用するＣＶＤ法の種類、もしくは、絶縁膜成膜の下地となる半導体基板表面の状態によっては、良好な成膜特性を得るために、絶縁膜の成膜前に前処理の実施が必要となる場合がある。

そのため、ＣＶＤ法による絶縁膜の成膜特性を良好にするために、下地に対して実施される様々な前処理技術が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２）。

特許文献１には、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_４Ｓｉ）プラズマＣＶＤ法により半導体基板表面全体に形成された第１の絶縁膜上に、ＴＥＯＳ−Ｏ_３（オゾン）系常圧ＣＶＤ法によって第２の絶縁膜を形成する際に、表面モフォロジを良好なものとし、下地依存性を解消するとともに、微細な隙間への埋め込み性を改善するために、前処理として、２周波の電力を印加するＮ_２ガスのプラズマ照射処理を行う方法が開示されている。

また、特許文献２には、第１のプラズマＣＶＤ膜上に形成したＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎＧｌａｓｓ）膜をエッチバックした後、露出した第１のプラズマＣＶＤ膜表面上に第２のプラズマＣＶＤ膜を堆積する際に、堆積する絶縁膜と下地絶縁膜の密着性を向上させるために、前処理として、窒素ガス（以下、Ｎ_２ガスと言う。）、アンモニアガス（以下、ＮＨ_３ガスと言う。）等を用いたプラズマ照射処理を行う方法が開示されている。

特開平８−２０３８９１号公報特許第３３１５７７０号公報

しかしながら、特許文献１および２に記載されるいずれのプラズマ照射処理も、前処理としての効果を十分に得るためには、比較的長い時間実施することが必要である。

プラズマ照射処理の長時間の実施は、半導体基板上のパーティクル数の増加を引き起こし、歩留まりを低下させる。また、さらに、絶縁膜堆積の前処理に時間を要するため、絶縁膜形成工程全体の処理効率を低下させる。

本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、短時間の前処理で良好な特性で絶縁膜を下地絶縁膜上に成膜することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、全面に下地絶縁膜が形成された半導体基板表面上にＣＶＤ法によって絶縁膜の成膜を行うにあたって、前記下地絶縁膜の表面層をフッ素含有ガスのプラズマでエッチングし、さらに、窒素ガスまたはアンモニアガスのプラズマを照射してから、前記ＣＶＤ法による絶縁膜の成膜を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するものである。

本発明においては、前記下地絶縁膜の表面層が５ｎｍ以上エッチングされるように前記エッチングを行うことが好ましい。

また、本発明においては、前記フッ素含有ガスがＳＦ_６ガスであることが好ましい。

また、本発明においては、前記ＣＶＤ法による絶縁膜の成膜が、ＴＥＯＳガスとＯ_３ガスとを原料とするシリコン酸化膜の成膜であることが好ましい。

本発明の半導体装置の製造方法は、全面に下地絶縁膜が形成された半導体基板表面上にＣＶＤ法によって絶縁膜の成膜を行うにあたって、下地絶縁膜の表面層をフッ素含有ガスのプラズマでエッチングし、さらに、Ｎ_２ガスまたはＮＨ_３ガスのプラズマを照射してから、前記ＣＶＤ法による絶縁膜成膜を行うことにより、良好な成膜特性を得るための前処理を短時間で行うことができる。
このため、パーティクルの発生が低減し、歩留まりが向上する。さらに、絶縁膜成膜のための前処理時間が短縮されるため、絶縁膜形成工程全体の処理効率を向上させることができる。
さらに、ＣＶＤ法による絶縁膜の成膜がＴＥＯＳガスとＯ_３ガスとを原料とするシリコン酸化膜の成膜である場合については、後から実験結果を示すように、従来は実現できなかった高い膜厚均一性を実現することも可能である。

以下、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の半導体装置の製造方法を詳細に説明する。

図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の半導体装置の製造方法の各工程を表わす一実施形態の断面図である。本発明の半導体装置の製造方法に従って、同図（ａ）に示すように、全面に下地絶縁膜１２が形成された半導体基板１０表面上に、ＣＶＤ法によって絶縁膜の成膜を行うにあたっては、まず、同図（ｂ）に示すように、下地絶縁膜１２の表面層をフッ素含有ガスのプラズマでエッチングする。

プラズマエッチング実施以前の下地絶縁膜１２表面には、図２（ａ）に示すように、大気にさらされることにより生成されたＳｉ−ＯＨ結合や、又は、図２（ｂ）に示すように、熱処理によって結晶欠陥サイトに酸素原子が結合したＯ−Ｓｉ−Ｏ結合等が存在する表面層が形成されている。

そこで、図２（ａ）に示す表面層を除去するために、例えば、フッ素含有ガスであるＳＦ_６ガスでプラズマエッチングする際の反応機構を、図３（ａ）および（ｂ）に模式的に示す。

図３（ａ）に示すように、例えばＳｉ−ＯＨ結合が形成されている表面層に、ＳＦ_６ガスのプラズマを供給して下地絶縁膜１２の表面層のプラズマエッチングを実施する。まず、ＳＦ_６ガスは、プラズマ中でＳラジカルとフッ素ラジカル（Ｆ*）に解離する。そして、Ｓラジカルは、ＳＯ_２、ＳＦ_４などの揮発性物質としてとしてチャンバ外へ排気される。他方、解離したフッ素ラジカル（Ｆ*）は、図３（ｂ）に示すように、Ｓｉ−ＯＨ結合間に作用し、Ｓｉと結合した後ＳｉＦ_４ガスとなり、排気ガスとしてチャンバ外へ排気される。一方、Ｓｉ−ＯＨ結合から遊離したＯＨ基も、Ｏ_２ガス、Ｈ_２ガスとなり、排気ガスとしてチャンバ外へ排気される。このようにして、下地絶縁膜１２上に形成された表面層がエッチングされる。
ＳＦ_６ガスを用いたプラズマエッチングは、具体的には、例えば、流量２５〜３５ｓｃｃｍのＳＦ_６ガスを供給し、反応チャンバ内圧力０．１〜０．３Ｔｏｒｒ、反応チャンバの上部電極と下部電極との間隔を４００±４０ｍｉｌｓとし、１００〜２００Ｗ（６インチの半導体基板を使用する場合）のＲＦ電力を供給して行う。

続いて、図１（ｃ）に示すように、下地絶縁膜１２の表面に、Ｎ_２ガスのプラズマを照射する。
具体的には、例えば、基板温度を３６０℃〜４２０℃とし、流量１５００±１００ｓｃｃｍのＮ_２ガスを供給し、反応チャンバ内圧力を４．０Ｔｏｒｒ〜６．０Ｔｏｒｒ、上部電極と下部電極との間隔を４００±４０ｍｉｌｓとし、３５０〜４５０Ｗ（６インチの半導体基板を使用する場合）のＲＦ電力を供給してプラズマを照射する。

図３（ｂ）に示すように、表面層がエッチングされた状態の下地絶縁膜１２表面にＮ_２ガスのプラズマを照射すると、上記エッチングで除去されたＯＨ基に代わりＮが結合し、図４に示すようにＳｉ−Ｎ結合が下地絶縁膜１２表面に一様に形成される。

上記のように、フッ素含有ガスのプラズマエッチングを行って下地絶縁膜１２の表面層をエッチング除去してから、下地絶縁膜１２の表面にＮ_２ガスのプラズマ照射を行うことによって、表面層が存在する下地絶縁膜１２の表面にＮ_２ガスのプラズマ照射を行った場合と比べて、短時間のＮ_２ガスのプラズマ照射で、下地絶縁膜１２表面にＳｉ−Ｎ結合を形成することができ、絶縁膜１４の成膜特性を向上することができる。

その後、図１（ｄ）に示すように、下地絶縁膜１２表面全面に、ＣＶＤ法による絶縁膜１４の成膜を行う。

上記の通り、下地絶縁膜１２の表面に、フッ素含有ガスのプラズマエッチングを行ってからＮ_２ガスのプラズマ照射を実施することによって、短時間の前処理で良好な絶縁膜１４の成膜特性を得ることができる。

なお、図１（ｄ）においては、シリコン基板１０上に直接下地絶縁膜１２を堆積するかのように示されているが、現実の半導体装置の製造においては、下地絶縁膜１２堆積以前にシリコン基板１０上にさまざまな構造を形成する工程を有する。

本発明の特徴であるフッ素含有ガスのプラズマエッチングにおいては、上記下地絶縁膜１２の表面層を除去するために、下地絶縁膜１２の表面層を５ｎｍ以上エッチングすることが好ましい。さらに、より効果的にＮ_２ガスのプラズマ照射時間が短縮されるように、下地絶縁膜１２の表面層を１０ｎｍ以上エッチングすることが特に好ましい。
さらに、フッ素含有ガスは、例えば、ＣＦ_４ガス等のように、ＳＦ_６ガス以外のフッ素含有ガスを用いた場合でも、同様に下地絶縁膜１２上の表面層の除去を行うことができれば、同様の効果が得られるため、特に限定はない。
また、プラズマエッチングは、少なくとも、同様のエッチング膜厚（エッチングレート）が得られる条件で実施すれば、同様の効果が得られる。

フッ素含有ガスのプラズマエッチング後、Ｎ_２ガスのプラズマ照射の代わりに、ＮＨ_３ガスを単独で用いても良いし、Ｎ_２ガスにＮＨ_３ガスを添加したガスのプラズマ照射を用いても良い。このＮ_２ガスやＮＨ_３ガスのプラズマ照射は、チャンバ間の移動に伴う生産性の低下やパーティクルの発生を防止して効率的かつ効果的にプラズマ照射を実施するために、フッ素含有ガスでのプラズマエッチングが実施された反応チャンバと同一チャンバ内で実施されることが好ましい。

ＣＶＤ法による絶縁膜１４の成膜は、特に限定はないが、例えば、ＴＥＯＳとＯ_３ガスとを原料ガスとしたシリコン酸化膜（以下、「ＳｉＯ_２膜」という。）の成膜を好適例として挙げることができる。
この場合には、下地絶縁膜１２に対する依存性を解消して、絶縁膜１４成膜の均一性を向上させることを目的としてＮ_２ガスもしくはＮＨ_３ガスのプラズマ照射が行われる。この前処理工程を本発明のフッ素含有ガスのプラズマエッチングと組み合わせて行うことにより、下地依存性解消のために必要なプラズマ照射時間を短縮して歩留りおよび生産性を向上することができる。

本発明の半導体装置の製造方法におけるＣＶＤ法による絶縁膜１４の成膜は、上記の例には限定されず、また、前処理を行う目的も下地依存性の解消には限定されない。例えば、下地絶縁膜１２とこの下地絶縁膜１２上に成膜される絶縁膜１４との間の密着性を向上させるために、Ｎ_２ガスまたはＮＨ_３ガスのプラズマ照射を実施する場合にも好適に実施することができる。いずれの場合においてもＮ_２ガスまたはＮＨ_３ガスのプラズマ照射とフッ素含有ガスのプラズマエッチング処理とを組み合わせることにより、歩留りや生産性を向上させることが可能である。

例えば、多層配線が形成された半導体基板の表面全面に堆積されたプラズマＴＥＯＳ膜上に、プラズマＣＶＤ法で半導体装置の最終保護膜（パッシベーション膜）を成膜する際にも、密着性向上のために、Ｎ_２もしくはＮＨ_３ガスのプラズマ処理が必要な場合がある。
この場合にも、Ｎ_２もしくはＮＨ_３ガスのプラズマ照射の前に、フッ素含有ガスのプラズマエッチングを行うことによって、前処理時間の短縮が可能である。

また、例えば、半導体装置の配線層間絶縁膜形成において、下層の配線上に堆積したプラズマＴＥＯＳ膜の表面をＣＭＰ法によって平坦化した後に、キャップ膜としてのプラズマＴＥＯＳ膜をさらに成膜する際にも、下側のプラズマＴＥＯＳ膜からの水分放出を抑制し、上側のプラズマＴＥＯＳ膜の密着性を保証するために、Ｎ_２もしくはＮＨ_３ガスを用いたプラズマ照射が必要な場合がある。
この場合にも、Ｎ_２もしくはＮＨ_３ガスのプラズマ照射の前に、フッ素含有ガスのプラズマエッチングを行うことによって、前処理時間の短縮が可能である。

［実施例１］
図５（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施例を説明するための工程を順に示した半導体装置の断面図である。

最初に、図５（ａ）に示す構造を有する半導体装置を形成した。

すなわち、シリコン基板１０上にＢＰＳＧ／ＮＳＧ膜を堆積し、熱処理を実施した後、酸化膜ＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈ）法により研磨平坦化して、所定の厚みになるように第１絶縁膜１６を形成した。

次に、上記第１絶縁膜１６上に、スパッタリング法により約０．５μｍの膜厚になるようにＡｌ−Ｃｕ膜を堆積し、フォトリソグラフィ技術を用いて、Ａｌ−Ｃｕ膜をパターニングし、Ａｌ−Ｃｕ膜より成る配線１８を形成した。

この配線１８を含む第１絶縁膜１６表面上に、プラズマＣＶＤ法によって、ＴＥＯＳを原料ガスとするＰＥ−ＴＥＯＳ膜２０を約０．４μｍの膜厚になるように堆積し、図５（ａ）に示す構造を有する半導体装置を得た。

次に、ＰＥ−ＴＥＯＳ膜２０の表面全面に、図５（ａ）に示すように、本発明の特徴であるＳＦ_６ガスによるプラズマエッチングを実施した。
具体的には、平行平板型のプラズマ装置を使用し、上部電極と下部電極との間隔を４００ｍｉｌｓとし、ＳＦ_６ガスを流量３０ｓｃｃｍで供給し、チャンバ内圧力を０．２Ｔｏｒｒに制御した後、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を１６５Ｗで１０秒間印加して、下部電極に載置した半導体装置のＰＥ−ＴＥＯＳ膜２０表面を約１０ｎｍエッチングした。なお、ＳＦ_６ガスのプラズマエッチングを行うときの基板温度は、厳密には制御せず、次のＮ_２ガスのプラズマ照射を行うための温度への昇温の過程で行った。

さらに、上述の構造を有する半導体装置表面に対して、プラズマエッチングを実施した反応チャンバと同一のチャンバ内で、図５（ｂ）に示すように、Ｎ_２ガスのプラズマ照射を、各々時間を変えて実施した。
具体的には、基板温度を３６０℃にし、下部電極と上部電極との間の距離を４００ｍｉｌｓに保ち、Ｎ_２ガスを１５００ｓｃｃｍ供給し、チャンバ内圧力を４．０Ｔｏｒｒに制御し、４２０ＷのＲＦ電力を供給してプラズマ照射を行った。半導体装置に対するＮ_２ガスのプラズマ照射の実施時間は、０秒、４５秒、９０秒、１３５秒と変えて実施した。

Ｎ_２ガスのプラズマ照射処理実施後、図５（ｃ）に示すように、常圧ＣＶＤ法を用いてＰＥ−ＴＥＯＳ膜２０表面に、Ｏ_３ガスおよびＴＥＯＳを原料ガスとして用いて、第２絶縁膜としてＳｉＯ_２膜２２を約０．４μｍの膜厚になるように堆積した。

このときのＳｉＯ_２膜２２の膜厚を膜厚測定器で各々測定した。この結果については、後に詳述する。

ＳｉＯ_２膜２２堆積後、図５（ｄ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により、犠牲膜として第２のＰＥ−ＴＥＯＳ膜２４を堆積してから、酸化膜ＣＭＰ法により平坦化を行い、さらに、図５（ｅ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により、キャップ膜として第３のＰＥ−ＴＥＯＳ膜２６を堆積して、本発明に係る半導体装置を得た。

図６は、ＳｉＯ_２膜の膜厚レンジ（分布幅）とＮ_２ガスのプラズマ照射（放電）時間との関係を表わしたグラフである。このグラフの横軸は、ＰＥ−ＴＥＯＳ膜２２に対するＮ_２ガスのプラズマ照射（放電）実施時間、縦軸は、ＰＥ−ＴＥＯＳ膜２２上に堆積したＳｉＯ_２膜の膜厚レンジを表わす。膜厚レンジは、基板面内での膜厚の最大値と最小値との差である。本実施例では、膜厚レンジが８０ｎｍ以下である場合を、ＳｉＯ_２膜の膜厚均一性の許容範囲内とした。

図６に示すグラフの結果より、Ｎ_２ガスのプラズマ照射（放電）時間が長くなればなるほど、ＳｉＯ_２膜の膜厚レンジは小さくなることが分かる。そして、ＳｉＯ_２膜の膜厚レンジが８０ｎｍのときのＮ_２ガスのプラズマ照射（放電）時間はＴ_０＝２２秒程度であった。すなわち、ＳｉＯ_２膜の下地絶縁膜であるＰＥ−ＴＥＯＳ膜にＳＦ_６ガスのプラズマエッチング処理を１０秒間実施した後に、２２秒程度以上のＮ_２ガスのプラズマ照射（放電）を実施すれば、許容範囲内の膜厚均一性を有するＳｉＯ_２膜を得られることが分かった。

［比較例１］
ＳＦ_６ガスによるプラズマエッチングを実施しなかった以外は、実施例１と全く同様にして、ＳｉＯ_２膜を堆積した。実施例１と同様に、図７に、ＳｉＯ_２膜の膜厚レンジとＮ_２ガスのプラズマ照射（放電）時間との関係を表わしたグラフを示す。図７も図６と同様に、グラフの横軸は、ＰＥ−ＴＥＯＳ膜に対するＮ_２ガスのプラズマ照射（放電）実施時間、縦軸は、ＰＥ−ＴＥＯＳ膜上に堆積したＳｉＯ_２膜の膜厚レンジを表わす。

図７に示すグラフの結果も図６と同様に、Ｎ_２ガスのプラズマ照射（放電）時間が長くなればなるほど、ＳｉＯ_２膜の膜厚レンジは小さくなる。しかし、本比較例においては、ＳｉＯ_２膜の膜厚レンジが８０ｎｍ以下のときの、Ｎ_２ガスのプラズマ照射（放電）時間は、Ｔ_１＝６８秒程度であった。すなわち、ＳｉＯ_２膜の下地絶縁膜であるＰＥ−ＴＥＯＳ膜にＳＦ_６ガスのプラズマエッチングを実施せずに、Ｎ_２ガスのプラズマ照射処理のみを前処理として実施した場合には、下地依存性やパターン依存性に起因する膜厚のばらつきのない、許容範囲内の膜厚均一性を有するＳｉＯ_２膜を得るために、最低６８秒程度のＮ_２ガスのプラズマ照射処理時間が必要であることが分った。

これに対して、実施例１に示すようにＮ_２ガスのプラズマ照射処理前にＳＦ_６ガスのプラズマエッチングを実施すると、必要なＮ_２ガスのプラズマ照射処理時間を約２２秒に短縮することができた。すなわち、１０秒間のＳＦ_６ガスのプラズマエッチングの実施時間を加えても、従来に比較して前処理時間を短縮することができた。
さらに、図６からＳＦ_６ガスのプラズマエッチングを行ってからＮ_２ガスのプラズマ照射を４５秒以上行った場合には、５０ｎｍ未満の、極めて小さな膜厚レンジが得られることがわかる。この膜厚レンジは、図７に示されたように、ＳＦ_６ガスのプラズマエッチングを行わずにＮ_２ガスのプラズマ照射のみを行った場合には、１３５秒という、現実の工程としては許容できないほどに長い時間の前処理を行っても得られない値である。すなわち、本発明のＳＦ_６ガスのプラズマエッチングによって、ある膜厚レンジを得るために必要なＮ_２ガスプラズマ照射時間を短縮することが可能になるだけではなく、Ｎ_２ガスプラズマの照射だけでは現実的な処理時間の範囲内で達成することができない小さな膜厚レンジ、すなわち、高い膜厚均一性を実現することも可能になる。

［実施例２］
Ｎ_２ガスのプラズマ照射の際にＮＨ_３ガスを５０ｓｃｃｍ添加した以外は、実施例１と全く同様にして、ＳｉＯ_２膜を堆積した。このとき、ＳｉＯ_２膜の膜厚レンジを許容範囲内である８０ｎｍ以下にするためには、Ｎ_２、ＮＨ_３混合ガスのプラズマ照射時間が約１５秒以上必要であることがわかった。

以上のことから、Ｎ_２ガスにＮＨ_３ガスを添加した混合ガスのプラズマ照射を実施した場合も、１０秒間のＳＦ_６ガスのプラズマエッチングの実施時間を加えても、従来に比較して前処理時間を短縮することができることが分った。

本発明は、基本的に以上のようなものである。
以上、本発明の半導体装置の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。

（ａ）〜（ｄ）は、本発明の半導体装置の製造工程の各工程を表わす一実施形態断面図である。（ａ）大気にさらされることによって、Ｓｉ−ＯＨ結合が存在する表面変質層を模式的に示す図である。（ｂ）熱処理によって結晶欠陥サイトにＯ−Ｓｉ−Ｏ結合等が存在する表面変質層を模式的に示す図である。（ａ）表面変質層に対するＳＦ_６ガスのプラズマエッチングの作用を模式的に示す図である。（ｂ）表面変質層に対するフッ素ラジカルの作用を模式的に示す図である。下地絶縁膜表面の窒化処理を模式的に示す図である。（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施例を説明するための工程を順に示した半導体装置の断面図である。ＳＦ_６ガスのプラズマエッチングを実施した場合のシリコン酸化膜の膜厚レンジとＮ_２ガスのプラズマ照射（放電）時間との関係を表わしたグラフを示す。Ｎ_２ガスのプラズマ照射処理のみ実施した場合のシリコン酸化膜の膜厚レンジとＮ_２ガスのプラズマ照射（放電）時間処との関係を表わしたグラフを示す。

符号の説明

１０半導体基板（シリコン基板）
１２下地絶縁膜
１４絶縁膜
１６第一絶縁膜
１８Ａｌ−Ｃｕ膜
２０Ｐ−ＴＥＯＳ膜
２２シリコン酸化膜
２４第２のＰ−ＴＥＯＳ膜
２６第３のＰ−ＴＥＯＳ膜

Claims

全面に下地絶縁膜が形成された半導体基板表面上にＣＶＤ法によって絶縁膜の成膜を行うにあたって、
前記下地絶縁膜の表面層をフッ素含有ガスのプラズマでエッチングし、さらに、窒素ガスまたはアンモニアガスのプラズマを照射してから、前記ＣＶＤ法による絶縁膜の成膜を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記下地絶縁膜の表面層が５ｎｍ以上エッチングされるように前記エッチングを行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
前記フッ素含有ガスがＳＦ_６ガスであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
前記ＣＶＤ法による絶縁膜の成膜が、ＴＥＯＳガスとＯ_３ガスとを原料とするシリコン酸化膜の成膜であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。