JP2017059729A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、配線が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記配線が形成された半導体基板上に第1の層間絶縁膜を成膜する工程と、前記第1の層間絶縁膜の表面にプラズマ照射する工程と、次いで、前記第1の層間絶縁膜上に前記第1の層間絶縁膜よりも膜厚の薄い第2の層間絶縁膜を成膜する工程と、前記第2の層間絶縁膜の上に第3の層間絶縁膜を成膜する工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記プラズマ照射する工程において、笑気ガスを含むガス系でプラズマ照射することを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
図1は本発明の実施例を説明する各工程の断面図である。図1(a)は半導体基板1上に絶縁膜を介してAl積層配線2を形成した断面図である。絶縁膜は図示されていない。ここで、本実施例では、Al配線は、上層にTiNの反射防止膜、及び、下層にTiN/Tiのバリアメタル層を有したAl合金膜の積層配線を使用し、膜厚は6500Å程度で形成されている。ただし、本発明においては、Al配線は、Al合金の単層でも、積層でもよく、半導体プロセスで通常用いられるものを使用することが可能であり特に制限されない。
B.下地条件B:P−TEOSにプラズマ処理無しにシラン系P−SiO2膜を形成した場合
C.下地条件C:P−TEOSにプラズマ処理だけを施した場合
D.下地条件D:P−TEOSにプラズマ処理を施し、シラン系P−SiO2膜を形成した場合(本実施例)
下地条件Aのように下地依存性が強く出てしまう場合には、ベアSiウェハ上に比べて、成膜レートが低下してしまうため、比率は低くなる。下地依存性が解消されるに従い、本実施例の下地条件Dのように100%に近づく。
1.半導体装置について
半導体基板上に設けられた金属からなる配線と、
前記配線を覆う、前記半導体基板全面に設けられたTEOS系プラズマCVDSiO2膜からなる第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜の上に設けられたシラン系プラズマCVDSiO2膜からなる第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜の上に設けられたTEOS−O3系常圧CVD膜からなる第3の層間絶縁膜と、
を有し、
前記第1の層間絶縁膜は窒化された表面を有していることを特徴とする半導体装置となる。
前記第2の層間絶縁膜は、膜厚が100から800Åであることを特徴とする半導体装置となる。
2 Al積層配線
3 P−TEOS膜
4 SiH4系P−SiO2膜
5 O3−TEOS膜
A,B,C,D 下地条件
Claims (4)
- 半導体装置の製造方法であって、
配線が形成された半導体基板全面にTEOS系プラズマCVDによるSiO2膜からなる第1の層間絶縁膜を成膜する工程と、
前記第1の層間絶縁膜の表面にプラズマ照射する工程と、
次いで、前記第1の層間絶縁膜上に前記第1の層間絶縁膜よりも膜厚の薄いシラン系プラズマCVDによるSiO2膜からなる第2の層間絶縁膜を成膜する工程と、
前記第2の層間絶縁膜の上にTEOS−O3系常圧CVD膜からなる第3の層間絶縁膜を成膜する工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の層間絶縁膜を成膜する工程において、前記第2の層間絶縁膜が100から800Åの膜厚となるように形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プラズマ照射する工程において、アンモニアガスを含むガス系でプラズマ照射することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プラズマ照射する工程において、笑気ガスを含むガス系でプラズマ照射することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
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Citations (7)
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---|---|---|---|---|
JPH05291415A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05335299A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0669200A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-03-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0750295A (ja) * | 1993-08-05 | 1995-02-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07176610A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH11233512A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Canon Sales Co Inc | 下地表面改質方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2006080128A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体装置の製造方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05291415A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0669200A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-03-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05335299A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0750295A (ja) * | 1993-08-05 | 1995-02-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07176610A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH11233512A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Canon Sales Co Inc | 下地表面改質方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2006080128A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体装置の製造方法 |
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