JP2006073338A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006073338A5 JP2006073338A5 JP2004254837A JP2004254837A JP2006073338A5 JP 2006073338 A5 JP2006073338 A5 JP 2006073338A5 JP 2004254837 A JP2004254837 A JP 2004254837A JP 2004254837 A JP2004254837 A JP 2004254837A JP 2006073338 A5 JP2006073338 A5 JP 2006073338A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- light emitting
- layer
- electrode
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (9)
- それぞれの電極面が対向して配置された第1および第2の電極の間に、第1の誘電率からなる第1の部位と、第2の誘電率からなる第2の部位と、第3の誘電率からなる第3の部位と、前記第1の部位乃至第3の部位が互いに接した3重点部位とを有し、少なくとも第1,2,3の部位のいずれかが発光部であることを特徴とする電界励起型発光素子。
- 該3重点部位が該電極面に平行な閉曲線からなることを特徴とする請求項1に記載の電界励起型発光素子。
- 該閉曲線を同一面内に複数有し、該閉曲線の長さが10ナノメートル以上1ミクロン以下であることを特徴とする請求項2に記載の電界励起型発光素子。
- 基板上に、該第1の電極である第1の電極層と、該第2の電極である第2の電極層と、第1の電極層と第2の電極層の間に挟まれた位置に配した前記第1の部位である発光層と、第1の電極層と発光層の間に挟まれた位置に配した微細構造層を有し、該微細構造層は、前記第2の部位と前記第3の部位を有し、第2の部位の誘電率>前記第1の部位である発光層の誘電率>第3の部位の誘電率であることを特徴とする請求項1に記載の電界励起型発光素子。
- 基板上に、該第1の電極である第1の電極層と、該第2の電極である第2の電極層と、第1の電極層と第2の電極層の間に挟まれた位置に配した前記第1の部位である絶縁層と、第1の電極層と絶縁層の間に挟まれた位置に配した微細構造層を有し、該微細構造層は、前記第2の部位である発光部と前記第3の部位を有し、前記第2の部位である発光部の誘電率>前記第1の部位である絶縁層の誘電率>第3の部位の誘電率であることを特徴とする請求項1に記載の電界励起型発光素子。
- 前記第1の部位及び第2の部位及び第3の部位が酸化物からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかの項に記載の電界励起型発光素子。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の電界励起型発光素子を用いた画像表示装置。
- 少なくとも下記の1乃至2の工程を有することを特徴とする電界励起型発光素子の製造方法。
1)第1の誘電率を有した第1の部位を形成する工程、
2)第1の部位の上に第2の誘電率を有した第2の部位と、第3の誘電率を有した第3の部位を有する薄膜層を形成し、第1の部位と第2の部位と第3の部位の3つの部位が接する3重点部位を形成する工程。 - 少なくとも以下のa乃至bの工程を有することを特徴とする電界励起型発光素子の製造方法。
a)表面に第1の誘電率を有した第1の部位と、第2の誘電率を有した第2の部位を有した部材を形成する工程、
b)該部材の上に第3の誘電率を有した第3の部位を形成することで、第1の部位と第2の部位と第3の部位の3つの部位が接する3重点部位を形成する工程。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004254837A JP4544518B2 (ja) | 2004-09-01 | 2004-09-01 | 電界励起型発光素子及び画像表示装置 |
US11/214,853 US7473942B2 (en) | 2004-09-01 | 2005-08-31 | Light-emitting device with at least one triple junction formed in a plane |
US12/277,446 US7700968B2 (en) | 2004-09-01 | 2008-11-25 | Method of forming a light-emitting device with a triple junction |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004254837A JP4544518B2 (ja) | 2004-09-01 | 2004-09-01 | 電界励起型発光素子及び画像表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006073338A JP2006073338A (ja) | 2006-03-16 |
JP2006073338A5 true JP2006073338A5 (ja) | 2007-03-08 |
JP4544518B2 JP4544518B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=35941804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004254837A Expired - Fee Related JP4544518B2 (ja) | 2004-09-01 | 2004-09-01 | 電界励起型発光素子及び画像表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7473942B2 (ja) |
JP (1) | JP4544518B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4438049B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2010-03-24 | キヤノン株式会社 | 電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法 |
JP4776955B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2011-09-21 | キヤノン株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
JP5177954B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
EP1819202B1 (en) * | 2006-02-10 | 2011-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
EP1821578A3 (en) * | 2006-02-21 | 2010-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP5110803B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5294565B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2013-09-18 | キヤノン株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP4857077B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2012-01-18 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
JP5116290B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP5277430B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2013-08-28 | 国立大学法人島根大学 | 酸化亜鉛系発光素子 |
WO2008133345A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR20090004179A (ko) * | 2007-07-06 | 2009-01-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 금속 화합물로 안정화된 혼성화된 나노 형광체 막, 그 용도및 그 제조 방법. |
JP5213429B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP5213458B2 (ja) | 2008-01-08 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ |
JP5219529B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2013-06-26 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及び、該電界効果型トランジスタを備えた表示装置 |
JP2009206508A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
WO2016121152A1 (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物半導体膜および半導体デバイス |
WO2018042079A1 (en) | 2016-09-02 | 2018-03-08 | Beneq Oy | Inorganic tfel display element and manufacturing |
CN110148593B (zh) * | 2019-05-08 | 2020-09-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机电致发光器件 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05283165A (ja) | 1992-03-27 | 1993-10-29 | Nissin Electric Co Ltd | フラットパネル型ディスプレイ |
JP3205167B2 (ja) * | 1993-04-05 | 2001-09-04 | キヤノン株式会社 | 電子源の製造方法及び画像形成装置の製造方法 |
JP2946189B2 (ja) * | 1994-10-17 | 1999-09-06 | キヤノン株式会社 | 電子源及び画像形成装置、並びにこれらの活性化方法 |
US6231412B1 (en) * | 1996-09-18 | 2001-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing and adjusting electron source array |
JP4724281B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2011-07-13 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
JP2002280185A (ja) | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜el素子 |
US6936854B2 (en) * | 2001-05-10 | 2005-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Optoelectronic substrate |
JP2003217860A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Tdk Corp | Elパネルおよびその製造方法 |
AU2003207199A1 (en) * | 2002-02-12 | 2003-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure, method of manufacturing the same, and device using the same |
US6972146B2 (en) * | 2002-03-15 | 2005-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure having holes and method for producing the same |
JP3833131B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2006-10-11 | キヤノン株式会社 | 光伝送装置 |
JP3848303B2 (ja) | 2002-06-07 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | 構造体、機能性構造体及び磁気記録媒体の製造方法 |
JP2004095359A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | El発光素子 |
US7545010B2 (en) * | 2003-08-08 | 2009-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Catalytic sensor structure |
JP4438049B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2010-03-24 | キヤノン株式会社 | 電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法 |
-
2004
- 2004-09-01 JP JP2004254837A patent/JP4544518B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-31 US US11/214,853 patent/US7473942B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-25 US US12/277,446 patent/US7700968B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006073338A5 (ja) | ||
JP2007294628A5 (ja) | ||
JP5577012B2 (ja) | 多層基板およびその製造方法 | |
JP2009530832A5 (ja) | ||
JP2008505507A5 (ja) | ||
JP2009003434A5 (ja) | ||
EP2048923A3 (en) | Method of manufacturing silicon substrate with a conductive through-hole | |
EP2194587A3 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP2007531268A5 (ja) | ||
ATE544178T1 (de) | Halbleiterbauelemente und verfahren zur herstellung | |
JP2010008874A5 (ja) | ||
JP2008270187A5 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
EP1484617A3 (en) | Thin film magnetic sensor and method of manufacturing the same | |
JP2010244808A5 (ja) | ||
JP2001345179A5 (ja) | ||
WO2017041435A1 (zh) | 显示基板及其制作方法和显示装置 | |
JP2008277615A5 (ja) | ||
JP2005340625A5 (ja) | ||
FR2927218B1 (fr) | Procede de fabrication d'un element chauffant par depot de couches minces sur un substrat isolant et l'element obtenu | |
JP2002090737A5 (ja) | ||
CN114005912B (zh) | 一种椭圆纳米棒、发光二极管的制备方法及显示装置 | |
JP2006073618A5 (ja) | ||
JP2006040881A5 (ja) | ||
JP2005317536A (ja) | 有機電界発光素子およびその製造方法 | |
JP2006021491A5 (ja) |