JP4776955B2 - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
無機ELディスプレイは、大面積のディスプレイ作成が比較的容易であり、高い使用環境耐性が期待できるが、現状では、駆動電圧が高いことが課題となっている。
また、特許文献2においては、多孔質多結晶シリコン層を適用した発光素子の技術が開示されている。
すなわち、本発明により提供される発光素子は、基板上に、第1の電極層と、発光層と、第2の電極層と、を配して構成される発光素子であって、前記第1の電極層と前記発光層との間、または前記発光層と前記第2の電極層との間に、微細構造層を有し、該微細構造層は、Al2O3、SiO2、ZnO2、TiO2、HfO2、Ta 2 O 5 、BaTiO 3 、ZnO、FeO、ZrO2、の酸化物材料のグループから共に選択された、第1の材料からなる部位及び前記第1の材料とは異種の第2の材料からなる部位、を備え、前記第2の材料からなるマトリックス中に前記第1の材料からなり前記微細構造層の層厚方向に伸長する複数の柱状の構造体を有することを特徴とする。
前記第1の材料からなる部位の柱状の形状の短軸長が1μm以下であることが好ましい。
前記第1の材料及び第2の材料が異なる酸化物からなることが好ましい。
さらに、本発明は、上記の発光素子を用いた画像表示装置である。
Al2O3、SiO2、ZnO2、TiO2、HfO2、Ta 2 O 5 、BaTiO 3 、ZnO、FeO、ZrO2、の酸化物材料のグループから共に選択された第1の材料及び第2の材料を用いたスパッタリング用のターゲットを用意する工程と、
前記ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法による層形成を経て、前記第1の材料からなる部位及び前記第2の材料からなる部位、を備えると共に前記第2の材料からなるマトリックス中に前記第1の材料からなり層厚方向に伸長する複数の柱状の構造体を備える前記微細構造層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
図1および図4は本発明の発光素子の構成例を模式的に示した概略図である。図中、10は基板、11は電極層、12は微細構造層、13は発光層、14は透明電極層(第2の電極層)、15は電源、16は光である。
透明電極層及び電極層は、それぞれ駆動用の電源15に電気的に接続される。電源は、DC電源、パルス電源、AC電源などのものを用いる。電極から微細構造層を介して、発光層に注入された電荷が、発光層を励起し発光せしめる。
また、図1は光を基板側から取り出すタイプの素子の概念図であるが、図4のように光を基板反対側から取り出すタイプの素子も可能である。また、図1および4(a)では、電極層と発光層の間に微細構造層を有しているが、図4(b)のように透明電極層と発光層の間に微細構造層を配してもよい。この場合は、透明電極層が電極層より低電位にすることで、電子を透明電極層から微細構造層を介して発光層に注入することができる。
本発明における微細構造層12は、層の面内において、第1の材料からなる部位と第2の材料からなる部位を有する。特に、それぞれの面内方向(x,y方向)のサイズがサブミクロンからナノメータサイズの微細構造を有することに特徴がある。
図3を用いて、この理由を説明する。
厚さが数nmで電子の平均自由工程よりも厚さが薄い場合には、電子は絶縁性を有する微細構造層を直接的にトンネリングすることで、発光層に到る。このような素子は、低い電圧での素子駆動が可能である。
具体的には、第1の材料からなる部位及び第2の材料からなる部位の材料としては、Al2O3、SiO2、ZnO2、TiO2、HfO2、Ta2O5、SiN、GaN、BaTiO3、ZnOなどが挙げられる。
以下、本発明の発光素子のそれぞれの層について説明する。
発光層13は駆動時に発光を示す層である。発光層の厚さは50nm〜1μmの範囲が好ましい。発光層を構成する材料は、発光を示すものであればよい。
具体的には、基板上に、少なくとも電極層と、発光層と、微細構造層を有する発光素子の製造方法において、発光層上に第1の材料からなる部位と第2の材料からなる部位を有する微細構造層を成膜する工程と、該微細構造層上に電極層を成膜する工程を有することを特徴とする。
但し、本発明は以下の実施例に限られるものではなく、上述の概念に含まれるものを包含する。
本実施例の発光素子は、図1に記した構造からなる。
本実施例の微細構造層は、図2(b)に示すように、層の面内において、第1の材料からなる部位と第2の材料からなる部位を有する。また、第1の材料はアルミナを主成分とし、第2の材料は酸化シリコンを主成分としてなる。
基板10として石英基板を用いる。基板10上にマグネトロンスパッタリング法により電極層11としてTaを100nm成膜する。
本実施例は、微細構造層に上記のナノサイズの構造を有する構造体を適用することで、素子面内において均一な発光がえられ、その安定性も良好である。
本実施例の発光素子は、図4(b)に記した構造からなる。実施例1とは異なり、光を基板の裏側から取り出すタイプの発光素子である。
基板として石英基板を用いる。基板10上にマグネトロンスパッタリング法により透明電極層としてITOを200nm成膜する。
さらに、電極層として厚さ200nmのAuを成膜する。
本実施例の発光素子は、図5に記した構造からなる。
ここで、50は基板、51は電極層、52は微細構造層、53は第2の電極層、54は発光層、55は透明電極層(第3の電極)、56は駆動電源、57は加速電源、58は光である。
本実施例の素子の作製においては、実施例1と同様にして、基板上に、電極層、微細構造層を形成後、次に電極層53としてAlやAuの膜を5nm程度形成する。この層は電極として機能する限りにおいて、電子が透過するために薄いことが好ましい。次に、発光層54として、ZnS:Mnを電子ビーム蒸着で成膜し、大気中で500℃の熱処理を施す。膜厚は約300nmである。
透明電極層及び第1の電極層、第2の電極層は、電源に電気的に接続する。加速電源は100Vの直流電源であり、駆動電源は、パルス電圧源である。透明電極膜と第2の電極層に100Vの直流電圧を印加し、第2の電極と第1の電極の間にパルス幅1ms、繰り返し周波数50Hzのパルス電圧印加し、そのパルス電圧を徐々に増加したところ約16V程度から発光が得られる。
本実施例は、電子線励起で発光させるタイプの発光素子の例である。
図6にその構成を示す。ここで、60と66は基板、61は電極層、62は微細構造層、63は第2の電極層、64は発光層、65は透明電極層(第3の電極)、67は駆動電源、68は加速電源、69は光、70は電子ビーム、71は真空である。
本実施例の発光素子は、図4(a)に記した構造からなる。本実施例においては、微細構造層がZrO2 とAl2 O3 の微細構造を有してなる例である。
透明電極層及び電極層は、それぞれ駆動用の電源に電気的に接続する。駆動電源は、パルス電圧源である。透明電極膜14を正極、電極層11を負極として、パルス幅1ms、繰り返し周波数50Hzのパルス電圧を印加し、その電圧を徐々に増加したところ60V程度から基板側から発光が得られる。
実施例6
本実施例の発光素子は、図7に記した構造からなる。本実施例においては、微細構造層と発光層が繰り返し積層された例である。
実施例7
次に本発明の発光素子を画像表示装置、照明装置、印字装置として応用する例について説明する。
11 電極層
12 微細構造層
13 発光層
14 透明電極層(第2の電極層)
15 電源
16 光
21 第1の材料からなる部位
22 第2の材料からなる部位
23 第3の材料からなる部位
25 電子
26 境界部
27 トンネル障壁の低い部分
28 トンネル位置
50 基板
51 電極層
52 微細構造層
53 第2の電極層
54 発光層
55 透明電極層(第3の電極)
56 駆動電源
57 加速電源
58 光
60、66 基板
61 電極層
62 微細構造層
63 第2の電極層
64 発光層
65 透明電極層(第3の電極)
67 駆動電源
68 加速電源
69 光
70 電子ビーム
71 真空
Claims (8)
- 基板上に、第1の電極層と、発光層と、第2の電極層と、を配して構成される発光素子であって、前記第1の電極層と前記発光層との間、または前記発光層と前記第2の電極層との間に、微細構造層を有し、該微細構造層は、Al2O3、SiO2、ZnO2、TiO2、HfO2、Ta 2 O 5 、BaTiO 3 、ZnO、FeO、ZrO2、の酸化物材料のグループから共に選択された、第1の材料からなる部位及び前記第1の材料とは異種の第2の材料からなる部位、を備え、前記第2の材料からなるマトリックス中に前記第1の材料からなり前記微細構造層の層厚方向に伸長する複数の柱状の構造体を有することを特徴とする発光素子。
- 前記マトリックスが前記SiO2からなり、前記柱状の構造体が前記Al2O3からなることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記マトリックスが前記SiO2からなり、前記柱状の構造体が前記FeOからなることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記マトリックスが前記Al2O3からなり、前記柱状の構造体が前記ZrO2からなることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 基板上に、第1の電極層と、発光層と、第2の電極層と、を有すると共に、前記第1の電極層と前記発光層との間、または前記発光層と前記第2の電極層との間に、微細構造層を配して構成される発光素子の製造方法であって、
Al2O3、SiO2、ZnO2、TiO2、HfO2、Ta 2 O 5 、BaTiO 3 、ZnO、FeO、ZrO2、の酸化物材料のグループから共に選択された第1の材料及び第2の材料を用いたスパッタリング用のターゲットを用意する工程と、
前記ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法による層形成を経て、前記第1の材料からなる部位及び前記第2の材料からなる部位、を備えると共に前記第2の材料からなるマトリックス中に前記第1の材料からなり層厚方向に伸長する複数の柱状の構造体を備える前記微細構造層を形成する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記マグネトロンスパッタリング法による層形成の後、前記層を陽極酸化して前記微細構造層を形成することを特徴とする請求項5に記載の発光素子の製造方法。
- 前記マグネトロンスパッタリング法による層形成の後、前記層に熱処理を施すことを特徴とする請求項5に記載の発光素子の製造方法。
- 前記マグネトロンスパッタリング法による層形成が、前記基板を加熱した状態でなされることを特徴とする請求項5に記載の発光素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005077862A JP4776955B2 (ja) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | 発光素子及びその製造方法 |
US11/371,909 US7956346B2 (en) | 2005-03-17 | 2006-03-10 | Light emitting device having light emission and microstructure layers between electrode layers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005077862A JP4776955B2 (ja) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | 発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006260982A JP2006260982A (ja) | 2006-09-28 |
JP4776955B2 true JP4776955B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=37069244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005077862A Expired - Fee Related JP4776955B2 (ja) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | 発光素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7956346B2 (ja) |
JP (1) | JP4776955B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080012027A1 (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and method of fabricating light-emitting element |
JP4857077B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2012-01-18 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
EP2144310A1 (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device |
CN102838991A (zh) * | 2011-06-22 | 2012-12-26 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 铕掺杂硫氧化钇发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 |
US9868899B2 (en) * | 2012-05-08 | 2018-01-16 | Ut-Battelle, Llc | Method of microbially producing metal gallate spinel nano-objects, and compositions produced thereby |
JPWO2013190797A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-02-08 | 株式会社クラレ | エレクトロルミネセンス素子 |
KR101959374B1 (ko) * | 2012-08-09 | 2019-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2014099272A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Kuraray Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
WO2014076939A1 (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-22 | 株式会社クラレ | エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
JP2014099273A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Kuraray Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
CN103489992B (zh) * | 2013-09-29 | 2017-01-25 | 华南理工大学 | 一种用于led正装结构的图形化衬底及led芯片 |
DE102015114167A1 (de) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | Osram Oled Gmbh | Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode |
WO2021192068A1 (ja) * | 2020-03-25 | 2021-09-30 | シャープ株式会社 | 発光素子および発光素子の制御方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5952040A (en) * | 1996-10-11 | 1999-09-14 | Nanomaterials Research Corporation | Passive electronic components from nano-precision engineered materials |
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JP4178718B2 (ja) * | 2000-05-11 | 2008-11-12 | 松下電工株式会社 | 固体発光デバイス |
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JP3613792B2 (ja) | 2001-10-01 | 2005-01-26 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 固体自発光表示装置及びその製造方法 |
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FR2844135A1 (fr) * | 2002-09-03 | 2004-03-05 | Corning Inc | Diode electroluminescente support pour sa fabrication ainsi que procede de fabrication d'une telle diode electroluminescente |
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-
2005
- 2005-03-17 JP JP2005077862A patent/JP4776955B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-10 US US11/371,909 patent/US7956346B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060220035A1 (en) | 2006-10-05 |
JP2006260982A (ja) | 2006-09-28 |
US7956346B2 (en) | 2011-06-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080218 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100824 |
|
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