JP2003307756A - 電着表示装置 - Google Patents
電着表示装置Info
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1506—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect caused by electrodeposition, e.g. electrolytic deposition of an inorganic material on or close to an electrode
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電着法を用いることにより、メモリー性が高
く、低消費電力で駆動することが可能であり、しかも、
セル毎の表示色を容易に置き換えられ、容易にカラー表
示を行うことが可能な電着表示装置を提供する。 【解決手段】 第１基板１１と第２基板１５間に、壁１
４により密閉し、且つ、内部にめっき液１３を封入する
ことによってセルを形成し、第１基板１１上の少なくと
も一部に第１電極１２、第１電極以外のセル内部に第２
電極１６を配置する。そして、第１電極１２及び第２電
極１６に画像情報に応じた信号を印加し、第１電極又は
第２電極上の少なくとも一部に金属が電着した状態と、
第１電極又は第２電極上の少なくとも一部の金属が解離
した状態とに変化させることによって表示を行う。
く、低消費電力で駆動することが可能であり、しかも、
セル毎の表示色を容易に置き換えられ、容易にカラー表
示を行うことが可能な電着表示装置を提供する。 【解決手段】 第１基板１１と第２基板１５間に、壁１
４により密閉し、且つ、内部にめっき液１３を封入する
ことによってセルを形成し、第１基板１１上の少なくと
も一部に第１電極１２、第１電極以外のセル内部に第２
電極１６を配置する。そして、第１電極１２及び第２電
極１６に画像情報に応じた信号を印加し、第１電極又は
第２電極上の少なくとも一部に金属が電着した状態と、
第１電極又は第２電極上の少なくとも一部の金属が解離
した状態とに変化させることによって表示を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電着法を用いて表
示を行う電着表示装置、特に、メモリー性が高く、低消
費電力で駆動可能な電着表示装置に関するものである。
示を行う電着表示装置、特に、メモリー性が高く、低消
費電力で駆動可能な電着表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報表示機器の発達に伴い、薄型
で且つ低消費電力の表示装置が注目を浴びている。その
中でも、液晶表示装置はＣＲＴに代わるディスプレイ装
置として、ノートパソコンやナビゲーションシステムに
採用されている。しかしながら、これらの液晶表示装置
では、フリッカやクロストーク等の問題が未だ十分に解
決されていない。これらの問題を解決するために、新た
な表示装置の開発が盛んに行われている。
で且つ低消費電力の表示装置が注目を浴びている。その
中でも、液晶表示装置はＣＲＴに代わるディスプレイ装
置として、ノートパソコンやナビゲーションシステムに
採用されている。しかしながら、これらの液晶表示装置
では、フリッカやクロストーク等の問題が未だ十分に解
決されていない。これらの問題を解決するために、新た
な表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００３】例えば、従来の液晶表示の問題点を解決す
る装置として、反射型表示装置が期待されている。反射
型液晶ディスプレイも開発されているが、新型構造とい
える電気泳動表示装置は液晶に代わる表示装置として発
展している。これは、HaroldD. Less氏等により発明さ
れたものであり、他にも特公平６−５２３５８号公報等
に電気泳動表示装置が開示されている。
る装置として、反射型表示装置が期待されている。反射
型液晶ディスプレイも開発されているが、新型構造とい
える電気泳動表示装置は液晶に代わる表示装置として発
展している。これは、HaroldD. Less氏等により発明さ
れたものであり、他にも特公平６−５２３５８号公報等
に電気泳動表示装置が開示されている。
【０００４】一方、めっき技術は古くから簡便な皮膜等
の方法として知られており、様々な材料のめっき方法が
今日まで多く報告されている。例えば、スルーホールめ
っきと呼ばれる電着技術が開発されている。このスルー
ホールめっきは、プリント配線板の作製時によく使われ
る方法である。このプリント配線板は、半導体集積回路
の急速な発達に伴って高密度化、多層化が進められてき
た。パターン幅、間隔は細く狭くなり、スルーホールの
孔径、ランド径は小さく、更に多層化によりアスペクト
比が増大している。
の方法として知られており、様々な材料のめっき方法が
今日まで多く報告されている。例えば、スルーホールめ
っきと呼ばれる電着技術が開発されている。このスルー
ホールめっきは、プリント配線板の作製時によく使われ
る方法である。このプリント配線板は、半導体集積回路
の急速な発達に伴って高密度化、多層化が進められてき
た。パターン幅、間隔は細く狭くなり、スルーホールの
孔径、ランド径は小さく、更に多層化によりアスペクト
比が増大している。
【０００５】このスルーホールめっきを用いた製造方法
として、サブトラクティブ法で製造されることが多い。
その工程は、（銅張積層板）−孔明け−無電解銅めっき
−パネル銅めっき（一次電気銅）−フォトレジスト処理
−パターン銅めっき（二次電気銅）−表面めっき−エッ
チング−端子めっき−仕上げ、である。また、このスル
ーホール部をめっきする方法も種々報告されている。例
えば、特開平１０−５６２６１号公報等が挙げられる。
として、サブトラクティブ法で製造されることが多い。
その工程は、（銅張積層板）−孔明け−無電解銅めっき
−パネル銅めっき（一次電気銅）−フォトレジスト処理
−パターン銅めっき（二次電気銅）−表面めっき−エッ
チング−端子めっき−仕上げ、である。また、このスル
ーホール部をめっきする方法も種々報告されている。例
えば、特開平１０−５６２６１号公報等が挙げられる。
【０００６】その他にも、予め作製されているセル内に
金属を電着する方法が種々報告されている。例として、
J.Electrochem.Soc.,Vol.144,No6,P1923 June 1997が挙
げられる。これらの電着を用いた応用例としては、微小
アレイ電極、プリント基板、ＧＭＲ、電子源、種々のマ
スク等数多く挙げることができる。更なる性能の向上に
よって、多方面への応用も期待されている。
金属を電着する方法が種々報告されている。例として、
J.Electrochem.Soc.,Vol.144,No6,P1923 June 1997が挙
げられる。これらの電着を用いた応用例としては、微小
アレイ電極、プリント基板、ＧＭＲ、電子源、種々のマ
スク等数多く挙げることができる。更なる性能の向上に
よって、多方面への応用も期待されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
表示装置は次のような問題を抱えていた。即ち、電位の
印加を止めることにより表示が全く無くなる、若しくは
徐々にコントラストが弱くなる現象が起こり、メモリー
性に欠けることがあった。つまり、表示状態を維持する
ためには電位を印加し続ける必要があり、コスト的な問
題も生じていた。また、高コントラストで高応答性を求
めると、電圧が数十Ｖ以上必要となり、消費電力が大き
くなる問題があった。
表示装置は次のような問題を抱えていた。即ち、電位の
印加を止めることにより表示が全く無くなる、若しくは
徐々にコントラストが弱くなる現象が起こり、メモリー
性に欠けることがあった。つまり、表示状態を維持する
ためには電位を印加し続ける必要があり、コスト的な問
題も生じていた。また、高コントラストで高応答性を求
めると、電圧が数十Ｖ以上必要となり、消費電力が大き
くなる問題があった。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たもので、その目的は、電着法を用いることにより、メ
モリー性が高く、低消費電力で駆動でき、更にセル毎の
表示色を容易に置き換えることが可能な電着表示装置を
提供することにある。
たもので、その目的は、電着法を用いることにより、メ
モリー性が高く、低消費電力で駆動でき、更にセル毎の
表示色を容易に置き換えることが可能な電着表示装置を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の電着表示装置
は、上記目的を達成するため、対向する第１基板と第２
基板間に、壁により密閉され、且つ、内部にめっき液を
封入することによってセルが形成され、前記第１基板上
の少なくとも一部に第１電極、前記セル内部に第２電極
が配置された構造を有し、前記第１電極及び第２電極に
画像情報に応じた信号を印加し、前記第１電極上の少な
くとも一部に金属が電着した状態と、前記第１電極上の
少なくとも一部の金属が解離した状態とに変化させるこ
とによって表示を行うことを特徴とする。
は、上記目的を達成するため、対向する第１基板と第２
基板間に、壁により密閉され、且つ、内部にめっき液を
封入することによってセルが形成され、前記第１基板上
の少なくとも一部に第１電極、前記セル内部に第２電極
が配置された構造を有し、前記第１電極及び第２電極に
画像情報に応じた信号を印加し、前記第１電極上の少な
くとも一部に金属が電着した状態と、前記第１電極上の
少なくとも一部の金属が解離した状態とに変化させるこ
とによって表示を行うことを特徴とする。
【００１０】この時、第２電極は、少なくとも第２基板
上、若しくは壁上、若しくは第１基板上にあることが好
ましく、密閉されたセル内部に複数存在することも含ま
れる。
上、若しくは壁上、若しくは第１基板上にあることが好
ましく、密閉されたセル内部に複数存在することも含ま
れる。
【００１１】また、電着は電流密度が１〜１００mA/cm2
の範囲内であることが好ましく、金属はニッケル若しく
は銅若しくはコバルトであることが好ましい。
の範囲内であることが好ましく、金属はニッケル若しく
は銅若しくはコバルトであることが好ましい。
【００１２】更に、壁は陽極酸化アルミナナノホールで
あることが好ましく、第１基板側を表としても裏として
も良い。
あることが好ましく、第１基板側を表としても裏として
も良い。
【００１３】また、第１電極と第２電極とがマトリクス
状に配列され、第１電極と第２電極の交点にセルが配置
されており、第１電極に走査信号或いは情報信号を印加
する第１の駆動手段と、第２電極に情報信号あるいは走
査信号を印加する第２の駆動手段と、を有する構成が好
ましい。
状に配列され、第１電極と第２電極の交点にセルが配置
されており、第１電極に走査信号或いは情報信号を印加
する第１の駆動手段と、第２電極に情報信号あるいは走
査信号を印加する第２の駆動手段と、を有する構成が好
ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。本発明に係る電着表
示装置の主たる特徴は、電着法を用いることにより低消
費電力で駆動でき、且つ、メモリー性が高いことであ
る。この電着表示装置の構成や動作原理を図１、図２、
図３及び図４を参照して説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。本発明に係る電着表
示装置の主たる特徴は、電着法を用いることにより低消
費電力で駆動でき、且つ、メモリー性が高いことであ
る。この電着表示装置の構成や動作原理を図１、図２、
図３及び図４を参照して説明する。
【００１５】（ａ）セルの構成
図１（ａ）はセルの基本構成を示す。まず、図１（ａ）
に示すように第１基板１１上に第１電極１２を設置し、
対向する第２基板１６上に第２電極１６を設置したもの
の間にめっき液１３を封入している。そのめっき液１３
が漏れないように壁１４で封止し、それをセルとする。
ここで、壁とは対向する第１基板１１と第２基板１５以
外の部分をめっき液１３が漏れないように設置した部分
のことである。壁１４としては、後述するように陽極酸
化アルミナナノホールを好適に用いることができる。
に示すように第１基板１１上に第１電極１２を設置し、
対向する第２基板１６上に第２電極１６を設置したもの
の間にめっき液１３を封入している。そのめっき液１３
が漏れないように壁１４で封止し、それをセルとする。
ここで、壁とは対向する第１基板１１と第２基板１５以
外の部分をめっき液１３が漏れないように設置した部分
のことである。壁１４としては、後述するように陽極酸
化アルミナナノホールを好適に用いることができる。
【００１６】ここで、初期段階におけるめっき液中に金
属イオンが存在していない時は、第１電極１２若しくは
第２電極１６上に金属を予め付着させる必要がある。金
属の供給方法の例を図２（ａ）〜（ｃ）に示す。
属イオンが存在していない時は、第１電極１２若しくは
第２電極１６上に金属を予め付着させる必要がある。金
属の供給方法の例を図２（ａ）〜（ｃ）に示す。
【００１７】図２（ａ）は第２電極１６上の一部に、図
２（ｂ）は第１電極１２上の全面に、図２（ｃ）は第２
電極１６上の全面に供給源金属７１を設けた例を示す。
これらは、それぞれ金属が付着している電極に正電位を
印加することにより、めっき液１３中に溶解し、電着表
示装置として起動する仕組みである。この時、めっき液
１３中に金属イオンが含まれていても金属イオンが無く
ても良い。
２（ｂ）は第１電極１２上の全面に、図２（ｃ）は第２
電極１６上の全面に供給源金属７１を設けた例を示す。
これらは、それぞれ金属が付着している電極に正電位を
印加することにより、めっき液１３中に溶解し、電着表
示装置として起動する仕組みである。この時、めっき液
１３中に金属イオンが含まれていても金属イオンが無く
ても良い。
【００１８】また、めっき液１３に隣接するように第
１、第２電極１２、１６が設けられている。第１電極１
２は第１基板１１の全面に設けてもよいし、一部に設け
てもよい。第２電極１６は第１基板１１上、第２基板１
５上、壁１４上の所望の位置に設けても良い。即ち、第
２電極１６は図１（ａ）に示す様に第２基板１５上の全
面に設ける他に、図３（ａ）に示す様に第２基板１５の
一部に設けてもよいし、図３（ｂ）に示すように壁１４
上に設けてもよいし、図３（ｃ）に示すように第１電極
１２上に設けてもよい。
１、第２電極１２、１６が設けられている。第１電極１
２は第１基板１１の全面に設けてもよいし、一部に設け
てもよい。第２電極１６は第１基板１１上、第２基板１
５上、壁１４上の所望の位置に設けても良い。即ち、第
２電極１６は図１（ａ）に示す様に第２基板１５上の全
面に設ける他に、図３（ａ）に示す様に第２基板１５の
一部に設けてもよいし、図３（ｂ）に示すように壁１４
上に設けてもよいし、図３（ｃ）に示すように第１電極
１２上に設けてもよい。
【００１９】この時、表示法として光の透過を用いる時
には図３の配置が好ましい。光進入を行う方の電極とし
ては、インジウム−スズ複合酸化物（ＩＴＯ）、酸化ス
ズにフッ素をドープしたもの（ＦＴＯ）等からなる透明
電極を好適に用いることができる。光進入を行わない方
の電極としては金属電極を用いることも可能である。金
属電極を用いた場合には、電位を印加した時に電極その
ものが反応しにくい材料、例えば、チタン、Ｐｔ等を好
適に用いることができる。
には図３の配置が好ましい。光進入を行う方の電極とし
ては、インジウム−スズ複合酸化物（ＩＴＯ）、酸化ス
ズにフッ素をドープしたもの（ＦＴＯ）等からなる透明
電極を好適に用いることができる。光進入を行わない方
の電極としては金属電極を用いることも可能である。金
属電極を用いた場合には、電位を印加した時に電極その
ものが反応しにくい材料、例えば、チタン、Ｐｔ等を好
適に用いることができる。
【００２０】更に、第１及び第２基板１１、１５の材
質、厚さは、電着表示装置に要求される耐久性に応じて
適宜設計することができる。光進入を行う方の基板は透
光性である限り、ガラス基板、プラスチック基板等を好
適に用いることができる。光進入を行わない方の基板と
してはそれ以外にも、金属基板、セラミック基板等を適
宜用いることができる。
質、厚さは、電着表示装置に要求される耐久性に応じて
適宜設計することができる。光進入を行う方の基板は透
光性である限り、ガラス基板、プラスチック基板等を好
適に用いることができる。光進入を行わない方の基板と
してはそれ以外にも、金属基板、セラミック基板等を適
宜用いることができる。
【００２１】（ｂ）電着工程Ｉ
次に、めっき液１３を用いて第１電極１２に負電位を印
加した時の金属の析出について図１（ｂ）を用いて説明
する。
加した時の金属の析出について図１（ｂ）を用いて説明
する。
【００２２】組み上げたセルの第１電極１２と第２電極
１６にそれぞれ負電位、正電位を印加することにより、
図１（ｂ）に示すようにめっき液１３に溶解していた金
属イオンが金属１７として第１電極１２上に析出する。
この時、めっき液１３は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ等の一般的
なめっき液が使用できる。但し、セルの材料と反応しな
いめっき液を利用するのが好ましい。もちろん、印加電
位は金属が析出する電位差が必要であり、第１電極１２
の面が覆われるだけのイオン濃度が必要である。
１６にそれぞれ負電位、正電位を印加することにより、
図１（ｂ）に示すようにめっき液１３に溶解していた金
属イオンが金属１７として第１電極１２上に析出する。
この時、めっき液１３は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ等の一般的
なめっき液が使用できる。但し、セルの材料と反応しな
いめっき液を利用するのが好ましい。もちろん、印加電
位は金属が析出する電位差が必要であり、第１電極１２
の面が覆われるだけのイオン濃度が必要である。
【００２３】また、一般的な金属イオン溶液は着色して
いるため、透過と反射を用いた電着表示装置においての
透過時と、第１電極１２と第２電極１６の反射による電
着表示装置においての第２電極１６における反射時に金
属イオン溶液の色を表示することも可能である。例え
ば、Ｃｏイオンが赤、Ｎｉイオンが緑、Ｃｕイオンが青
であることより、カラー表示を行うことが可能となる。
いるため、透過と反射を用いた電着表示装置においての
透過時と、第１電極１２と第２電極１６の反射による電
着表示装置においての第２電極１６における反射時に金
属イオン溶液の色を表示することも可能である。例え
ば、Ｃｏイオンが赤、Ｎｉイオンが緑、Ｃｕイオンが青
であることより、カラー表示を行うことが可能となる。
【００２４】光の進入方向が第１基板１１側の時は、セ
ル内部を光が透過せず、第１基板１１、第１電極１２を
透過し、金属面で反射する。反対に、光の進入方向が第
２基板１５側の時には、セル内部を光が透過し、第２基
板１５、第２電極１６、めっき液１３を透過し、金属面
１７で反射する。ここで、光が透過する側の基板、及び
電極の材料としては、光の透過率が高いものを用いるこ
とが好ましく、例えば、透明導電性膜を成膜したガラス
等を用いることができる。
ル内部を光が透過せず、第１基板１１、第１電極１２を
透過し、金属面で反射する。反対に、光の進入方向が第
２基板１５側の時には、セル内部を光が透過し、第２基
板１５、第２電極１６、めっき液１３を透過し、金属面
１７で反射する。ここで、光が透過する側の基板、及び
電極の材料としては、光の透過率が高いものを用いるこ
とが好ましく、例えば、透明導電性膜を成膜したガラス
等を用いることができる。
【００２５】（ｃ）電着工程ＩＩ
次に、めっき液を用いて第１電極に正電位を印加した時
の金属の溶解について図１（ｃ）を用いて説明する。
の金属の溶解について図１（ｃ）を用いて説明する。
【００２６】組み上げたセルの第１電極１２と第２電極
１６にそれぞれ正電位、負電位を印加することにより、
図１（ｃ）に示すように第１基板１１上に析出していた
金属１７がめっき液１３内に溶解する。この時、第２電
極１６上には負電位が印加されているため、金属１７の
析出が起こりうる。光の進入方向が第１基板１１側の時
は、第１基板１１、第１電極１２、めっき液１３を透過
し、第２電極１５上の金属面１７で反射する。
１６にそれぞれ正電位、負電位を印加することにより、
図１（ｃ）に示すように第１基板１１上に析出していた
金属１７がめっき液１３内に溶解する。この時、第２電
極１６上には負電位が印加されているため、金属１７の
析出が起こりうる。光の進入方向が第１基板１１側の時
は、第１基板１１、第１電極１２、めっき液１３を透過
し、第２電極１５上の金属面１７で反射する。
【００２７】反対に、光の進入方向が第２基板１５側の
時は、第２基板１５、第２電極１６を透過し、金属面１
７で反射する。このように図１（ｂ）と図１（ｃ）の状
態に変化させることによって表示を行うことができる。
なお、第２電極１６が図３（ａ）に示す配置の時には、
第１電極１２に正電位を印加した時に光が透過する構成
となる。この時には、反射と透過でコントラストをつけ
ることが可能である。
時は、第２基板１５、第２電極１６を透過し、金属面１
７で反射する。このように図１（ｂ）と図１（ｃ）の状
態に変化させることによって表示を行うことができる。
なお、第２電極１６が図３（ａ）に示す配置の時には、
第１電極１２に正電位を印加した時に光が透過する構成
となる。この時には、反射と透過でコントラストをつけ
ることが可能である。
【００２８】ここで、本実施形態の壁部位は上述したよ
うな直線、均一径に限るものではなく、目的によって適
宜変えてもよい。例えば、図４（ａ）に示すように壁１
４−１を形成することにより異なる径を有するセルや、
図４（ｂ）に示すように壁１４−２の径が変化している
セルや、或いは図４（ｃ）に示すように壁１４−３を円
弧状に形成することによりセルが直線的ではない形状に
も利用することが可能である。
うな直線、均一径に限るものではなく、目的によって適
宜変えてもよい。例えば、図４（ａ）に示すように壁１
４−１を形成することにより異なる径を有するセルや、
図４（ｂ）に示すように壁１４−２の径が変化している
セルや、或いは図４（ｃ）に示すように壁１４−３を円
弧状に形成することによりセルが直線的ではない形状に
も利用することが可能である。
【００２９】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。本
願発明者は上述の実施形態で説明した電着表示装置を作
製し、表示を行った。なお、以下の実施例１〜４の製造
方法では基板上に４５０行×３００列にマトリクス配置
した画素を有する表示装置を作製したが、説明の都合
上、その４５０行×３００列にマトリクス配置した画素
のうち、一画素にのみ着目し、その単一画素の製造プロ
セスを説明する。実際には、７５ｍｍ×７５ｍｍの平面
寸法の第１基板上に図５で説明するような単一画素を縦
横４５０行×３００列にマトリクス配置した表示装置を
作製した。
願発明者は上述の実施形態で説明した電着表示装置を作
製し、表示を行った。なお、以下の実施例１〜４の製造
方法では基板上に４５０行×３００列にマトリクス配置
した画素を有する表示装置を作製したが、説明の都合
上、その４５０行×３００列にマトリクス配置した画素
のうち、一画素にのみ着目し、その単一画素の製造プロ
セスを説明する。実際には、７５ｍｍ×７５ｍｍの平面
寸法の第１基板上に図５で説明するような単一画素を縦
横４５０行×３００列にマトリクス配置した表示装置を
作製した。
【００３０】（実施例１）図１及び図２及び図５を用い
て実施例１を説明する。図５（ａ）〜（ｅ）は製造プロ
セスを示す。なお、図５は１画素の製造プロセスを示
す。
て実施例１を説明する。図５（ａ）〜（ｅ）は製造プロ
セスを示す。なお、図５は１画素の製造プロセスを示
す。
【００３１】まず、第１基板１１としてのガラス基板に
第１電極１２としてＩＴＯを成膜し、パターニングした
（図５（ｅ）参照）。次に、図５（ａ）に示す第２基板
１５としてのガラス基板上に図５（ｂ）に示すように第
２電極１６としてＩＴＯを成膜し、フォトリソグラフィ
ー及びドライエッチングによりパターニングした。線幅
は５０μmとした。
第１電極１２としてＩＴＯを成膜し、パターニングした
（図５（ｅ）参照）。次に、図５（ａ）に示す第２基板
１５としてのガラス基板上に図５（ｂ）に示すように第
２電極１６としてＩＴＯを成膜し、フォトリソグラフィ
ー及びドライエッチングによりパターニングした。線幅
は５０μmとした。
【００３２】次いで、図５（ｃ）に示すように第２基板
１５上に壁１４を形成した。壁１４は光感光性エポキシ
樹脂からなる厚膜加工レジスト（東京応化工業製ＰＭＥ
ＲＮ−ＣＡ２０００ＰＭＴ−１）をスピンコート塗布
（１０００ｒｐｍ、１０秒）した後、ＵＶ露光及び専用
現像液によるウエット現像を行うことによって、高さ３
０μｍ、幅１０μｍの壁を形成した。このサンプルを作
用極として電極上にＣｏを電解によって析出させて供給
源金属７１とした。
１５上に壁１４を形成した。壁１４は光感光性エポキシ
樹脂からなる厚膜加工レジスト（東京応化工業製ＰＭＥ
ＲＮ−ＣＡ２０００ＰＭＴ−１）をスピンコート塗布
（１０００ｒｐｍ、１０秒）した後、ＵＶ露光及び専用
現像液によるウエット現像を行うことによって、高さ３
０μｍ、幅１０μｍの壁を形成した。このサンプルを作
用極として電極上にＣｏを電解によって析出させて供給
源金属７１とした。
【００３３】更に、図５（ｄ）に示すように壁１４の第
１基板１１との接合面に熱融着性の接着層（図示せず）
を形成した後、各壁１４内にめっき液１３を充填した。
次に、図５（ｅ）に示すようにパターニングした第１電
極１２を持つ第１基板１１と壁１４を位置合わせをして
貼り合わせることによりセルを作製した。これに電圧印
加回路（図示せず）を設置して図２（ｃ）に示す表示装
置とした。
１基板１１との接合面に熱融着性の接着層（図示せず）
を形成した後、各壁１４内にめっき液１３を充填した。
次に、図５（ｅ）に示すようにパターニングした第１電
極１２を持つ第１基板１１と壁１４を位置合わせをして
貼り合わせることによりセルを作製した。これに電圧印
加回路（図示せず）を設置して図２（ｃ）に示す表示装
置とした。
【００３４】次に、作製した表示装置を用いて表示を行
った。印加電圧は３Ｖとした。本実施例で用いためっき
液１３は初期段階において金属イオンを含まないため、
最初に第２電極１６上に正電位を印加した。つまり、第
２電極１６を正極に、第１電極１２を接地にしたとこ
ろ、第１電極１２上に金属の析出が確認できた。一方、
電極に印加する電圧極性を置換して、第１電極１２を接
地に、第２電極１６を負極にすることにより、第１電極
１２上の金属が溶解して第２電極１６上に金属が析出し
た。
った。印加電圧は３Ｖとした。本実施例で用いためっき
液１３は初期段階において金属イオンを含まないため、
最初に第２電極１６上に正電位を印加した。つまり、第
２電極１６を正極に、第１電極１２を接地にしたとこ
ろ、第１電極１２上に金属の析出が確認できた。一方、
電極に印加する電圧極性を置換して、第１電極１２を接
地に、第２電極１６を負極にすることにより、第１電極
１２上の金属が溶解して第２電極１６上に金属が析出し
た。
【００３５】また、第１電極１２及び第２電極１６に電
圧を印加した後、電圧印加回路と第１電極１２及び第２
電極１６の接続を切断した状態でも、金属は第１基板１
１側に固定され、メモリー機能を有することを確認し
た。
圧を印加した後、電圧印加回路と第１電極１２及び第２
電極１６の接続を切断した状態でも、金属は第１基板１
１側に固定され、メモリー機能を有することを確認し
た。
【００３６】（実施例２）実施例２では、カラー表示を
行う表示装置を作製した。即ち、実施例２ではめっき液
１３としてＲＧＢ（Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ）を用い、これを
組み合わせて１画素とすることでカラー表示装置を作製
した。
行う表示装置を作製した。即ち、実施例２ではめっき液
１３としてＲＧＢ（Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ）を用い、これを
組み合わせて１画素とすることでカラー表示装置を作製
した。
【００３７】セルの作製方法は実施例１と同様である。
まず、第１基板１１としてのガラス基板に第１電極１２
としてＩＴＯを成膜しパターニングした。次に、図５
（ａ）、（ｂ）に示すように第２基板１５としてのガラ
ス基板に第２電極１６としてＩＴＯを成膜し、フォトリ
ソグラフィー及びドライエッチングによりパターニング
した。線幅は５０μmとした。
まず、第１基板１１としてのガラス基板に第１電極１２
としてＩＴＯを成膜しパターニングした。次に、図５
（ａ）、（ｂ）に示すように第２基板１５としてのガラ
ス基板に第２電極１６としてＩＴＯを成膜し、フォトリ
ソグラフィー及びドライエッチングによりパターニング
した。線幅は５０μmとした。
【００３８】次いで、図５（ｃ）に示すように壁１４を
形成した。壁１４は光感光性エポキシ樹脂からなる厚膜
加工レジスト（東京応化工業製ＰＭＥＲ Ｎ−ＣＡ２０
００ＰＭＴ−１）をスピンコート塗布（１０００ｒｐ
ｍ、１０秒）した後、ＵＶ露光及び専用現像液によるウ
エット現像を行うことによって、高さ３０μｍ、幅１０
μｍの壁を形成した。
形成した。壁１４は光感光性エポキシ樹脂からなる厚膜
加工レジスト（東京応化工業製ＰＭＥＲ Ｎ−ＣＡ２０
００ＰＭＴ−１）をスピンコート塗布（１０００ｒｐ
ｍ、１０秒）した後、ＵＶ露光及び専用現像液によるウ
エット現像を行うことによって、高さ３０μｍ、幅１０
μｍの壁を形成した。
【００３９】更に、図５（ｄ）に示すように第１基板１
１との接合面に熱融着性の接着層（図示せず）を形成し
た後、各壁１４内にめっき液１３を充填した。但し、実
施例２では、めっき液１３として前述のようにＣｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｕを用い、例えば、これら３種類のめっき液をＣ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕの順に隣接するセルに充填し、この３つ
のセルを組み合わせて１画素とした。次に、パターニン
グした第１電極１２を持つ第１基板１１と壁１４を位置
合わせをして貼り合わせた。これに電圧印加回路（図示
せず）を設置して表示装置とした。
１との接合面に熱融着性の接着層（図示せず）を形成し
た後、各壁１４内にめっき液１３を充填した。但し、実
施例２では、めっき液１３として前述のようにＣｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｕを用い、例えば、これら３種類のめっき液をＣ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕの順に隣接するセルに充填し、この３つ
のセルを組み合わせて１画素とした。次に、パターニン
グした第１電極１２を持つ第１基板１１と壁１４を位置
合わせをして貼り合わせた。これに電圧印加回路（図示
せず）を設置して表示装置とした。
【００４０】次に、作製した表示装置を用いて表示を行
った。印加電圧は３Ｖとした。本実施例で用いたＣｏ、
Ｎi、Ｃｕめっき液１３は金属イオンのため、電圧印加
により負の電極上に析出した。めっき液３としては前述
のようにＲＧＢ（Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ）を用い、この各色
を組み合わせて一画素を形成している。この構成で表示
を行ったところカラー表示を行うことができた。これに
より、第２電極１６を正極に、第１電極１２を接地にし
たところ、第１電極１２上に金属の析出が確認できた。
一方、電極に印加する電圧極性を置換して、第１電極１
２を接地に、第２電極１６を負極にすることにより、第
１電極１２上の金属が溶解して第２電極１６上に金属が
析出した。
った。印加電圧は３Ｖとした。本実施例で用いたＣｏ、
Ｎi、Ｃｕめっき液１３は金属イオンのため、電圧印加
により負の電極上に析出した。めっき液３としては前述
のようにＲＧＢ（Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ）を用い、この各色
を組み合わせて一画素を形成している。この構成で表示
を行ったところカラー表示を行うことができた。これに
より、第２電極１６を正極に、第１電極１２を接地にし
たところ、第１電極１２上に金属の析出が確認できた。
一方、電極に印加する電圧極性を置換して、第１電極１
２を接地に、第２電極１６を負極にすることにより、第
１電極１２上の金属が溶解して第２電極１６上に金属が
析出した。
【００４１】また、第１電極１２及び第２電極１６に電
圧を印加した後、電源回路と第１電極１２及び第２電極
１６の接続を切断した状態でも、金属は第１基板側に固
定され、メモリー機能を有することを確認した。
圧を印加した後、電源回路と第１電極１２及び第２電極
１６の接続を切断した状態でも、金属は第１基板側に固
定され、メモリー機能を有することを確認した。
【００４２】（実施例３）実施例３では、下地層にＰｔ
を用いて陽極酸化アルミナナノホールを作製し、その細
孔内にＣｏめっき液を封入することによって電着表示装
置を作製した。図６（ａ）、（ｂ）は実施例３の表示装
置の構成を示す。図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図
６（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。但し、図６
（ａ）は第１基板１１と第２基板１６を貼り合わせる前
の状態を示す。
を用いて陽極酸化アルミナナノホールを作製し、その細
孔内にＣｏめっき液を封入することによって電着表示装
置を作製した。図６（ａ）、（ｂ）は実施例３の表示装
置の構成を示す。図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図
６（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。但し、図６
（ａ）は第１基板１１と第２基板１６を貼り合わせる前
の状態を示す。
【００４３】まず、第２基板１５として石英基板を用
い、この石英基板上に第２電極１６となるＴｉ及びPtを
パターニング成膜した後、厚さ５００ｎｍのＡｌ膜を成
膜した。この時、ガスはＡｒとし、ガス圧は３０ｍＴｏ
ｒｒ、ＲＦパワーは３００Ｗとした。
い、この石英基板上に第２電極１６となるＴｉ及びPtを
パターニング成膜した後、厚さ５００ｎｍのＡｌ膜を成
膜した。この時、ガスはＡｒとし、ガス圧は３０ｍＴｏ
ｒｒ、ＲＦパワーは３００Ｗとした。
【００４４】次に、これを陽極酸化装置を用いて陽極酸
化処理を施した。電解質として０．３Ｍのシュウ酸水溶
液を使用し、恒温水槽により電解質を１７℃に保持し
た。ここで、陽極酸化電圧はＤＣ４０Ｖであり、電流値
をモニターに表示し、電流値が小さくなった時点で下地
層に貫通することを確認した。
化処理を施した。電解質として０．３Ｍのシュウ酸水溶
液を使用し、恒温水槽により電解質を１７℃に保持し
た。ここで、陽極酸化電圧はＤＣ４０Ｖであり、電流値
をモニターに表示し、電流値が小さくなった時点で下地
層に貫通することを確認した。
【００４５】陽極酸化処理後、純水及びイソプロピルア
ルコールによる洗浄を行った。その後、５ｗｔ％リン酸
溶液中に浸すポアワイド処理を４０分行い、表面研磨を
行うことによりナノ構造体の壁１４を作製した。ここ
で、図６に示す１８は陽極酸化処理によって形成された
アルミナナノホールであり、規則的に二次元に配列され
た円形状のアルミナナノホール１８が得られた。
ルコールによる洗浄を行った。その後、５ｗｔ％リン酸
溶液中に浸すポアワイド処理を４０分行い、表面研磨を
行うことによりナノ構造体の壁１４を作製した。ここ
で、図６に示す１８は陽極酸化処理によって形成された
アルミナナノホールであり、規則的に二次元に配列され
た円形状のアルミナナノホール１８が得られた。
【００４６】次に、ガラス基板１１に第１電極１２とし
てITOを成膜し、フォトリソグラフィー及びドライエッ
チングによりパターニングした。次いで、図６（ｂ）に
示すようにＣｏめっき液１３をアルミナナノホール１８
内に充填し、パターニングした第１電極１２を持つ第１
基板１１を位置合わせをして貼り合わせることにより図
６（ａ）、（ｂ）に示す表示装置を作製した。これに電
圧印加回路（図示せず）を設置して表示装置とした。
てITOを成膜し、フォトリソグラフィー及びドライエッ
チングによりパターニングした。次いで、図６（ｂ）に
示すようにＣｏめっき液１３をアルミナナノホール１８
内に充填し、パターニングした第１電極１２を持つ第１
基板１１を位置合わせをして貼り合わせることにより図
６（ａ）、（ｂ）に示す表示装置を作製した。これに電
圧印加回路（図示せず）を設置して表示装置とした。
【００４７】次に、作製した表示装置を用いて表示を行
った。印加電圧は３Ｖとした。本実施例で用いたＣｏめ
っき液は電圧印加により負の電極上に析出した。これに
より、第２電極１６を正極に、第１電極１２を接地にし
たところ、第１電極１２上に金属１７の析出が確認でき
た。一方、電極に印加する電圧極性を置換して、第１電
極１２を接地に、第２電極１６を負極にすることによ
り、第１電極１２上の金属が溶解して第２電極１６上に
金属が析出した。図６はすべてのセルにおいて第１電極
１２上に金属１７が析出した状態を示す。
った。印加電圧は３Ｖとした。本実施例で用いたＣｏめ
っき液は電圧印加により負の電極上に析出した。これに
より、第２電極１６を正極に、第１電極１２を接地にし
たところ、第１電極１２上に金属１７の析出が確認でき
た。一方、電極に印加する電圧極性を置換して、第１電
極１２を接地に、第２電極１６を負極にすることによ
り、第１電極１２上の金属が溶解して第２電極１６上に
金属が析出した。図６はすべてのセルにおいて第１電極
１２上に金属１７が析出した状態を示す。
【００４８】また、第１電極１２及び第２電極１６に電
圧を印加した後、電圧印加回路と第１電極１２及び第２
電極１６の接続を切断した状態でも、金属は第1基板１
１側に固定され、メモリー機能を有することを確認し
た。
圧を印加した後、電圧印加回路と第１電極１２及び第２
電極１６の接続を切断した状態でも、金属は第1基板１
１側に固定され、メモリー機能を有することを確認し
た。
【００４９】図７は画像を表示した場合の例を示す。図
７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ線
における断面図を示す。但し、図７（ａ）は第１基板１
１と第２基板１６を貼り合わせる前の状態を示す。図７
では一部のセルにおいて第１電極１２上に金属１７が析
出し、残りのセルにおいて第２電極１６上に金属１７が
析出して画像を表示している。なお、実施例３の表示装
置においても実施例２と同様にＲＧＢ（Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ）のめっき液を用いることによってカラー表示を行う
ことができる。また、実施例３ではアルミナナノホール
の形状を円形状としたが、例えば、四角形、六角形等の
多角形状にすることも可能である。
７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ線
における断面図を示す。但し、図７（ａ）は第１基板１
１と第２基板１６を貼り合わせる前の状態を示す。図７
では一部のセルにおいて第１電極１２上に金属１７が析
出し、残りのセルにおいて第２電極１６上に金属１７が
析出して画像を表示している。なお、実施例３の表示装
置においても実施例２と同様にＲＧＢ（Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ）のめっき液を用いることによってカラー表示を行う
ことができる。また、実施例３ではアルミナナノホール
の形状を円形状としたが、例えば、四角形、六角形等の
多角形状にすることも可能である。
【００５０】（実施例４）実施例４では、実施例１と同
一の製造方法で作製した７５ｍｍ×７５ｍｍの平面寸法
の第１基板上に図５の製造方法を用いて単一画素を縦横
４５０行×３００列にマトリクス配置した表示装置のう
ち、３行×３列のマトリクス配置された９画素部分にの
み着目し、３行×３列の単純マトリクス配線をした表示
装置を作製し、単純マトリクス駆動を行った例である。
一の製造方法で作製した７５ｍｍ×７５ｍｍの平面寸法
の第１基板上に図５の製造方法を用いて単一画素を縦横
４５０行×３００列にマトリクス配置した表示装置のう
ち、３行×３列のマトリクス配置された９画素部分にの
み着目し、３行×３列の単純マトリクス配線をした表示
装置を作製し、単純マトリクス駆動を行った例である。
【００５１】図８は実施例４における表示装置の概略構
成を示す。図８の横軸は第２電極１６に相当する走査信
号線（Ｓｍ）、縦軸は第１電極１２に相当する情報信号
線（Ｉn）である。走査信号線（Ｓｍ）と情報信号線
（Ｉｎ）の交点に画素Ｐｍｎが形成されている。なお、
図中１４は壁を示す。
成を示す。図８の横軸は第２電極１６に相当する走査信
号線（Ｓｍ）、縦軸は第１電極１２に相当する情報信号
線（Ｉn）である。走査信号線（Ｓｍ）と情報信号線
（Ｉｎ）の交点に画素Ｐｍｎが形成されている。なお、
図中１４は壁を示す。
【００５２】図９は画像情報に応じた信号を印加した場
合のタイムチャート、図１０は画像パターンを示す。図
９、図１０に従って動作を説明する。なお、図９（ａ）
〜（ｃ）は走査信号線、図９（ｄ）〜（ｅ）は情報信号
線の信号印加タイミングを示す。まず、図９（ａ）〜
（ｃ）に示すように時間Ｔ１において走査信号線Ｓ１〜
Ｓ３に−１Ｖ、図９（ｄ）〜（ｆ）に示すように走査信
号線Ｉ１〜Ｉ３に＋０．５Ｖを印加し、全面白とした
（図１（ｃ）の状態）。なお、第１基板１１側から画像
を見るものとする。この時の画像パターンを図１０
（ａ）に示す。
合のタイムチャート、図１０は画像パターンを示す。図
９、図１０に従って動作を説明する。なお、図９（ａ）
〜（ｃ）は走査信号線、図９（ｄ）〜（ｅ）は情報信号
線の信号印加タイミングを示す。まず、図９（ａ）〜
（ｃ）に示すように時間Ｔ１において走査信号線Ｓ１〜
Ｓ３に−１Ｖ、図９（ｄ）〜（ｆ）に示すように走査信
号線Ｉ１〜Ｉ３に＋０．５Ｖを印加し、全面白とした
（図１（ｃ）の状態）。なお、第１基板１１側から画像
を見るものとする。この時の画像パターンを図１０
（ａ）に示す。
【００５３】次に、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように時
間Ｔ２において走査信号線Ｓ１に＋１Ｖ、走査信号線Ｓ
２，Ｓ３にＯＶの走査信号電圧を印加し、図９（ｄ）〜
（ｆ）に示すように情報信号線Ｉ２には、＋０．５Ｖ、
情報信号線Ｉ１、Ｉ３には−０．５Ｖを印加した。この
時、画素Ｐ１１、Ｐ１３のみ電位差は１．５Ｖとなり、
その他は０．５Ｖとなる。これにより、画素Ｐ１１とＰ
１３のＣｏイオンは情報信号線Ｉ１、Ｉ３上に移動し、
画像パターンは図１０（ｂ）に示すように画素Ｐ１１と
Ｐ１３が黒色（図１（ｂ）の状態）となる。
間Ｔ２において走査信号線Ｓ１に＋１Ｖ、走査信号線Ｓ
２，Ｓ３にＯＶの走査信号電圧を印加し、図９（ｄ）〜
（ｆ）に示すように情報信号線Ｉ２には、＋０．５Ｖ、
情報信号線Ｉ１、Ｉ３には−０．５Ｖを印加した。この
時、画素Ｐ１１、Ｐ１３のみ電位差は１．５Ｖとなり、
その他は０．５Ｖとなる。これにより、画素Ｐ１１とＰ
１３のＣｏイオンは情報信号線Ｉ１、Ｉ３上に移動し、
画像パターンは図１０（ｂ）に示すように画素Ｐ１１と
Ｐ１３が黒色（図１（ｂ）の状態）となる。
【００５４】次いで、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように
時間Ｔ３において走査信号線Ｓ２に＋１Ｖ、走査信号線
Ｓ１，Ｓ３にＯＶの走査信号電圧を印加し、図９（ｄ）
〜（ｆ）に示すように情報信号線Ｉ２には−０．５Ｖ、
情報信号線Ｉ１、Ｉ３には＋０．５Ｖを印加した。この
時、画素Ｐ２２のみ電位差は１．５Ｖとなり、その他は
０．５Ｖとなる。これにより、画素Ｐ２２のみＣｏイオ
ンが情報信号線Ｉ２上に移動し、図１０（ｃ）に示すよ
うに画素Ｐ２２のみ黒色となる。また、画素Ｐ２２以外
の画素は、時間Ｔ２時の表示を維持している。
時間Ｔ３において走査信号線Ｓ２に＋１Ｖ、走査信号線
Ｓ１，Ｓ３にＯＶの走査信号電圧を印加し、図９（ｄ）
〜（ｆ）に示すように情報信号線Ｉ２には−０．５Ｖ、
情報信号線Ｉ１、Ｉ３には＋０．５Ｖを印加した。この
時、画素Ｐ２２のみ電位差は１．５Ｖとなり、その他は
０．５Ｖとなる。これにより、画素Ｐ２２のみＣｏイオ
ンが情報信号線Ｉ２上に移動し、図１０（ｃ）に示すよ
うに画素Ｐ２２のみ黒色となる。また、画素Ｐ２２以外
の画素は、時間Ｔ２時の表示を維持している。
【００５５】以下、時間Ｔ４、Ｔ５において同様に図９
のタイムチャートに従って電圧を印加し、線順次走査を
行った。この信号印加によって図１０に示すような画像
パターンを良好に表示することができた。これらの画像
パターンは電源を遮断しても金属として析出しているた
め、良好な画像表示状態を維持することができた。
のタイムチャートに従って電圧を印加し、線順次走査を
行った。この信号印加によって図１０に示すような画像
パターンを良好に表示することができた。これらの画像
パターンは電源を遮断しても金属として析出しているた
め、良好な画像表示状態を維持することができた。
【００５６】また、本実施例では、第２電極１６を走査
信号線Ｓｍ、第１電極１２を情報信号線Ｉｎとしたが、
第１電極１２を走査信号線Ｓｍ、第２電極１６を情報信
号線Ｉｎとしても、上記の構成と同様な効果が得られ
る。
信号線Ｓｍ、第１電極１２を情報信号線Ｉｎとしたが、
第１電極１２を走査信号線Ｓｍ、第２電極１６を情報信
号線Ｉｎとしても、上記の構成と同様な効果が得られ
る。
【００５７】図１１は本実施例による電着表示装置の全
体システム構成の一例を示す。この表示装置は、図８〜
図１０で説明した走査信号線Ｓｍと情報信号線Ｉｎとで
構成したマトリクス電極を有する表示部６１、走査信号
を走査信号線Ｓｍを介してめっき液１３に印加する走査
信号印加回路６２、情報信号を情報信号線Ｉｎを介して
めっき液１３に印加する情報信号印加回路６３を備えて
いる。また、走査信号制御回路６４、情報信号制御回路
６６、駆動制御回路６５、グラフィックコントローラ６
７を備えている。
体システム構成の一例を示す。この表示装置は、図８〜
図１０で説明した走査信号線Ｓｍと情報信号線Ｉｎとで
構成したマトリクス電極を有する表示部６１、走査信号
を走査信号線Ｓｍを介してめっき液１３に印加する走査
信号印加回路６２、情報信号を情報信号線Ｉｎを介して
めっき液１３に印加する情報信号印加回路６３を備えて
いる。また、走査信号制御回路６４、情報信号制御回路
６６、駆動制御回路６５、グラフィックコントローラ６
７を備えている。
【００５８】走査信号線Ｓｍと情報信号線Ｉｎとの間に
は、めっき液１３が配置されている。グラフィックコン
トローラ６７から送出されたデータは駆動制御回路６５
を通して走査信号制御回路６４と情報信号制御回路６６
に入力され、それぞれアドレスデータと表示データに変
換される。そして、アドレスデータに従って走査信号印
加回路６２が走査信号を発生し、表示部６１の走査信号
線Ｓｍに印加する。また、表示データに従って情報信号
印加回路６３が情報信号を発生し、表示部６１の情報信
号線Ｉｎに印加する。このようにして表示部６１に画像
の表示を行う。
は、めっき液１３が配置されている。グラフィックコン
トローラ６７から送出されたデータは駆動制御回路６５
を通して走査信号制御回路６４と情報信号制御回路６６
に入力され、それぞれアドレスデータと表示データに変
換される。そして、アドレスデータに従って走査信号印
加回路６２が走査信号を発生し、表示部６１の走査信号
線Ｓｍに印加する。また、表示データに従って情報信号
印加回路６３が情報信号を発生し、表示部６１の情報信
号線Ｉｎに印加する。このようにして表示部６１に画像
の表示を行う。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、メ
モリー性が高く、低消費電力で駆動することが可能な表
示装置を実現することができる。また、セル毎の表示色
を容易に置き換えられるので、カラー表示を容易に行う
ことができ、特に、陽極酸化アルミナナノホールを用い
た場合には、更にカラー表示が容易である。
モリー性が高く、低消費電力で駆動することが可能な表
示装置を実現することができる。また、セル毎の表示色
を容易に置き換えられるので、カラー表示を容易に行う
ことができ、特に、陽極酸化アルミナナノホールを用い
た場合には、更にカラー表示が容易である。
【図１】本発明の電着表示装置のセルの構成及び電着を
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図２】本発明の電着表示装置の供給源金属を示す断面
図である。
図である。
【図３】本発明の電着表示装置の第２電極の位置を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】壁の他の例を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例１のセルの製造方法を示す図で
ある。
ある。
【図６】本発明の実施例３を示す図である。
【図７】実施例３の画像の表示例を示す図である。
【図８】本発明の実施例４を示す概略構成図である。
【図９】本発明の実施例４の信号印加を示すタイムチャ
ートである。
ートである。
【図１０】本発明の実施例４の画像パターンを示す図で
ある。
ある。
【図１１】本発明の実施例４の全体システム構成の一例
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
１１ 第１基板
１２ 第１電極
１３ めっき液
１４ 壁
１４−１、１４−２、１４−３ 壁
１５ 第２基板
１６ 第２電極
１７ 金属
１８ アルミナナノホール
６１ 表示部
６２ 走査信号印加回路
６３ 情報信号印加回路
６４ 走査信号制御回路
６５ 駆動制御回路
６６ 情報信号制御回路
６７ グラフィックコントローラ
７１ 供給源金属
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5C080 AA13 BB05 CC01 CC03 DD26
EE02 FF10 JJ01 JJ02 JJ04
JJ06
Claims (11)
- 【請求項１】 対向する第１基板と第２基板間に、壁に
より密閉され、且つ、内部にめっき液を封入することに
よってセルが形成され、前記第１基板上の少なくとも一
部に第１電極、前記セル内部に第２電極が配置された構
造を有し、前記第１電極及び第２電極に画像情報に応じ
た信号を印加し、前記第１電極上の少なくとも一部に金
属が電着した状態と、前記第１電極上の少なくとも一部
の金属が解離した状態とに変化させることによって表示
を行うことを特徴とする電着表示装置。 - 【請求項２】 前記第２電極は、少なくとも前記第２基
板上にあることを特徴とする請求項１に記載の電着表示
装置。 - 【請求項３】 前記第２電極は、少なくとも前記壁上に
あることを特徴とする請求項１にに記載の電着表示装
置。 - 【請求項４】 前記第２電極は、少なくとも前記第１基
板上にあることを特徴とする請求項１に記載の電着表示
装置。 - 【請求項５】 前記第２電極は、前記密閉されたセル内
部に複数存在することを特徴とする請求項１〜４に記載
の電着表示装置。 - 【請求項６】 前記電着は、電流密度が１〜１００mA/c
m2の範囲内であることを特徴とする請求項１〜５に記載
の電着表示装置。 - 【請求項７】 前記金属は、ニッケル若しくは銅若しく
はコバルトであることを特徴とする請求項１〜６に記載
の電着表示装置。 - 【請求項８】 前記壁は、陽極酸化アルミナナノホール
で構成され、当該ナノホール内にめっき液を封入するこ
とによってセルが構成されていることを特徴とする請求
項１〜７に記載の電着表示装置。 - 【請求項９】 前記第１基板側が画像を見る側の表であ
ることを特徴とする請求項１〜８に記載の電着表示装
置。 - 【請求項１０】 前記第１基板側が裏であることを特徴
とする請求項１〜８に記載の電着表示装置。 - 【請求項１１】 前記第１電極と前記第２電極とがマト
リクス状に配列され、前記第１電極と第２電極の交点に
セルが配置され、前記第１電極に走査信号或いは情報信
号を印加する第１の駆動手段と、前記第２電極に情報信
号或いは走査信号を印加する第２の駆動手段と、を有す
ることを特徴とする請求項１〜１０に記載の電着表示装
置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2002112089A JP2003307756A (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 電着表示装置 |
| US10/408,103 US6801352B2 (en) | 2002-04-15 | 2003-04-08 | Electrodeposition display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002112089A JP2003307756A (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 電着表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003307756A true JP2003307756A (ja) | 2003-10-31 |
| JP2003307756A5 JP2003307756A5 (ja) | 2007-08-02 |
Family
ID=29394696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002112089A Pending JP2003307756A (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 電着表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2003307756A (ja) |
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| JP5264115B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2013-08-14 | キヤノン株式会社 | 反射型表示装置及びその駆動方法 |
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| JPH1056261A (ja) | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | ボールグリッドアレイ型パッケージにおけるスルーホール部又はフォトビア部のめっき処理方法 |
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| US6574028B2 (en) * | 1999-11-03 | 2003-06-03 | Creo Il Ltd. | Opposing electrode light modulator array and method for manufacturing the same |
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2002
- 2002-04-15 JP JP2002112089A patent/JP2003307756A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-08 US US10/408,103 patent/US6801352B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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