CN114005912B - 一种椭圆纳米棒、发光二极管的制备方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及椭圆纳米棒的制备领域，尤其是一种椭圆纳米棒、发光二极管的制备方法及显示装置。其中，椭圆纳米棒的制备方法包括如下步骤：提供第一基底；在所述第一基底的表面形成待图案化层，所待图案化层为单层结构或多层结构；在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构，所述纳米结构的至少一个截面的形状为椭圆形；以所述纳米结构为第一掩膜版蚀刻所述待图案化层，以得所述椭圆纳米棒。本发明所提出的椭圆纳米棒的制备方法，仅需要在现有的工艺下制得待图案化层，再在所述待图案化层的表面设置纳米结构，利用所述纳米结构为掩膜版即可制得椭圆纳米棒，其优点在于步骤简单，易于实现，可以广泛应用于生产实践。
Description
技术领域
本发明涉及椭圆纳米棒的制备领域，尤其是一种椭圆纳米棒、发光二极管的制备方法及显示装置。
背景技术
在现有的技术中，圆柱状纳米棒的制备较为常见，但是针对于椭圆纳米棒的制备却鲜有相关技术涉及到。因此，如何实现椭圆纳米棒的快速、高效制备是亟需解决的问题。此外，在一些特定的技术领域中，例如在LED领域，现有的LED芯片的形状大多呈长方体或圆柱体状，此类发光二极管所发射的光为非偏振光，当将其利用于LCD显示器中作为背光光源时，需要在液晶的两侧分别设置偏振片来实现出光的控制，采用这种方式会增加显示器的厚度，且光束经过两次偏振片的控制会导致其能量效率大幅度降低。而采用椭圆柱状的LED芯片可以发射偏振光，若将其广泛应用于显示器领域，仅需在液晶的一侧设置偏振片即可实现对出光的控制，一方面可以降低显示器的厚度，另一方面还可以减少出射光能量效率的降低，提升视觉效果；因此，如何简单高效地制备椭圆柱状的LED芯片也是亟需解决的技术问题。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种椭圆纳米棒的制备方法及发光二极管的制备方法，旨在克服现有技术的空白，为椭圆纳米棒的制备提供新思路，此外，本发明还提供了一种发光二极管的制备方法，采用上述制备方法可以制得发出偏振光的发光二极管，以及本发明还提供了一种显示装置，该装置通过采用可以发出偏振光的发光二极管，降低了显示装置的厚度，减少出射光能量效率的降低，提升了视觉效果。
为了实现上述目的，本发明的第一方面提供了一种椭圆纳米棒的制备方法，包括如下步骤：提供第一基底；在所述第一基底的表面形成待图案化层，所待图案化层为单层结构或多层结构；在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构，所述纳米结构的至少一个截面的形状为椭圆形；以所述纳米结构为第一掩膜版蚀刻所述待图案化层，以得所述椭圆纳米棒。采用本发明所提出的椭圆纳米棒的制备方法，仅需要在现有的工艺下制得待图案化层，再在所述待图案化层的表面设置纳米结构，利用所述纳米结构为掩膜版即可制得椭圆纳米棒，其优点在于步骤简单，易于实现，可以广泛应用于生产实践。
可选地，所述在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构包括：在所述待图案化层上设置二氧化硅溶胶；在所述二氧化硅溶胶的表面上设置聚合物层；在所述聚合物层上铺设带有至少一个圆柱形通孔的薄膜；拉伸所述薄膜，使所述圆柱形通孔变为椭圆形通孔；挤压所述薄膜，使所述聚合物层中的部分聚合物从所述椭圆形通孔中溢出；固化从所述椭圆形通孔中溢出的所述部分聚合物；以所述部分聚合物为初始掩膜版蚀刻所述二氧化硅溶胶，以形成所述纳米结构。本发明所提出的纳米结构的制备方法，通过采用挤压聚合物的方式形成初始掩膜版，再利用初始掩膜版蚀刻二氧化硅溶胶即可形成纳米结构，其优点在于通过前述方法所制得的纳米结构的形状可控，提高了椭圆纳米棒构筑的效率。
可选地，所述椭圆纳米棒的制备方法还包括：制备带有至少一个圆柱形通孔的所述薄膜。
可选地，所述制备带有至少一个圆柱形通孔的所述薄膜包括：提供第二基底；在所述第二基底上涂覆感光材料层；图案化所述感光材料层，以在所述感光材料层上形成多个阵列排布的圆柱形凸起，每两个所述圆柱形凸起之间存在间隙；在所述圆柱形凸起之间的所述间隙涂覆有机材料层；洗去所述感光材料层形成圆柱形通孔的薄膜。本发明在制备带有圆柱形通孔的薄膜时所采用的方法，其优点在于步骤简单。
可选地，所述图案化所述感光材料层包括：提供第二掩膜版，并将所述第二掩膜版置于所述感光材料层的一侧；提供光源，并利用所述光源透过所述第二掩膜版对所述感光材料层进行曝光；提供显影液，将曝光后的感光材料层置于所述显影液中，以得多个阵列排布的圆柱形凸起。本发明通过采用光刻工艺来图案化感光材料层，其优点在于技术成熟，易于实现。
可选地，所述有机材料层的材料包括：环氧树脂、聚亚胺酯、聚酯树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、对苯二甲酸乙二酯和聚甲基丙烯酸甲酯的至少一种或任意组合。
可选地，所述在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构包括：提供第三基底；在所述第三基底上排布至少一个纳米结构；改变所述纳米结构的形状，以使所述纳米结构的至少一个截面的形状为椭圆形；将发生形变后的所述纳米结构从所述第三基底转移至所述待图案化层的表面。
可选地，对所述纳米结构施加压力，以使所述纳米结构的形状发生改变；或者对所述纳米结构加热，以使所述纳米结构的形状发生改变；或者对所述纳米结构施加压力并加热，以使所述纳米结构的形状发生改变。
基于同样的发明构思，本发明的第二方面还提供了一种发光二极管的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成待图案化层；在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构，所述纳米结构的至少一个截面的形状为椭圆形；以所述纳米结构为第一掩膜版蚀刻所述待图案化层。采用本发明所提出的发光二极管的制备方法，可以简单高效地制备椭圆柱状的LED芯片，该椭圆柱状的LED芯片可以直接发射出偏振光。
基于同样的发明构思，本发明的第三方面还提供了一种显示装置，包括：发光二极管，所述发光二极管由本发明第二方面中所述的发光二极管的制备方法所制得；偏振片，所述偏振片设置于所述发光二极管的出光侧；液晶层，所述液晶层设置于所述发光二极管与所述偏振片之间。本发明所提出的显示装置，通过利用椭圆柱状的LED芯片直接发射偏振光，相较于现有的LCD显示器可以减少一个偏振片，有效降低显示器的厚度，还可以减少出射光能量效率的降低，提升视觉效果。
附图说明
图1为本发明椭圆纳米棒的制备方法实施例的流程图；
图2为本发明椭圆纳米棒的制备方法实施例的步骤示意图；
图3为本发明薄膜拉伸前后实施例的示意图；
图4为本发明椭圆纳米棒实施例的实物图；
图5为本发明发光二极管的制备方法实施例的流程图；
图6为本发明显示装置实施例的示意图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的具体实施例，应当注意，这里描述的实施例只用于举例说明，并不用于限制本发明。在以下描述中，为了提供对本发明的透彻理解，阐述了大量特定细节。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是：不必采用这些特定细节来实行本发明。在其他实例中，为了避免混淆本发明，未具体描述公知的电路，软件或方法。
在整个说明书中，对“一个实施例”、“实施例”、“一个示例”或“示例”的提及意味着：结合该实施例或示例描述的特定特征、结构或特性被包含在本发明至少一个实施例中。因此，在整个说明书的各个地方出现的短语“在一个实施例中”、“在实施例中”、“一个示例”或“示例”不一定都指同一实施例或示例。此外，可以以任何适当的组合和、或子组合将特定的特征、结构或特性组合在一个或多个实施例或示例中。此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的示图都是为了说明的目的，并且示图不一定是按比例绘制的。
请参见图1和图2，本发明的实施例提供了一种椭圆纳米棒的制备方法，所述椭圆纳米棒的制备方法包括如下步骤：
S1、提供第一基底。
在一个可选的实施例中，第一基底1可以为树脂基板、硅基板、玻璃基板、蓝宝石基板等，其呈板状机构，具有两个相对的承载表面，以及介于承载表面之间的一个或多个基底侧面。在第一基底1的一个承载表面中，包含一个承载待图案化层2的表面，该表面即可作为第一基底1的正面，与所述正面相反的即为背面，背面可以设置在一操作台面上。
S2、在所述第一基底的表面形成待图案化层，所待图案化层为单层结构或多层结构；
在一个可选的实施例中，在所述第一基底1的表面形成待图案化层2的方式，可以采用包括但不限于：蒸镀、溅射、PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)等工艺。所述待图案化层2可以是由金属层、半导体层、聚合物层4的任意一种或多种的组合。
S3、在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构，所述纳米结构的至少一个截面的形状为椭圆形；
在一个可选的实施例中，所述纳米结构6可以是同一种材质所构成；在另外的一个或者一些实施例中，所述纳米结构6还可以是多种材质所构成。在最理想的状态下，纳米结构6为一个椭球状的结构；但是在纳米级的材料制备过程中，制备椭球状的结构实现难度较大；因此，在不影响到后续制程的情况下，所述纳米结构6还可以是一个不规则的结构，只需要满足前述纳米结构6在平行于待图案化层2的一个横截面上的形状为椭圆即可。
S4、以所述纳米结构为第一掩膜版蚀刻所述待图案化层，以得所述椭圆纳米棒。
在一个可选的实施例中，在对所述待图案化层2进行蚀刻时，可以干法蚀刻和/或湿法蚀刻的方式来进行。通过上述方式来制备椭圆纳米棒7，填补了现有技术中的空白，为椭圆纳米棒7的制备提供了一种新思路。请参见图4，本发明图4中的(a)、(b)和(c)分别示出了不同角度及长度的椭圆纳米棒7的实物图。
在一个可选的实施例中，步骤S3所述在所述待图案化层2的表面排布至少一个纳米结构6可以包括：
S311、在所述待图案化层上设置二氧化硅溶胶；在所述二氧化硅溶胶的表面上设置聚合物层。
其中，所述聚合物层4所在所述二氧化硅溶胶3上的表面，为二氧化硅溶胶3远离所述待图案化层2的表面；二氧化硅溶胶3为纳米级的二氧化硅颗粒在水中或溶剂中的分散液。由于二氧化硅溶胶3中的SiO2含有大量的水及羟基，故二氧化硅溶胶3也可以表述为mSiO2.nH2O；制备二氧化硅溶胶3有不同的途径，本发明的一些实施例中可以采用离子交换法、硅粉一步水解法、硅烷水解法等。
S312、在所述聚合物层上铺设带有至少一个圆柱形通孔的薄膜。
在一个可选的实施例中，所述椭圆纳米棒7的制备方法还包括：制备带有至少一个圆柱形通孔的所述薄膜5；更进一步地，所述制备带有至少一个圆柱形通孔的所述薄膜5包括：
提供第二基底。在一个可选的实施例中，第二基底可以为树脂基板、硅基板、玻璃基板、蓝宝石基板等，其呈板状机构，具有两个相对的承载表面，以及介于承载表面之间的一个或多个基底侧面。在第二基底的一个承载表面中，包含一个承载感光材料层的表面，该表面即可作为第二基底的正面。
在所述第二基底上涂覆感光材料层。其中，所述感光材料层可以包括但不限于光刻胶层，所述光刻胶层的材质可以选用负性光刻胶或者正性光刻胶的任意一种；在涂覆所述光刻胶的过程中，可以事先将部分光刻胶涂覆在所述第二基底的中心，然后再将所述第二基底放置在一旋转托盘上，运行所述旋转托盘，使所述光刻胶通过离心力的作用下，由第二基底的中心向四周扩散，直至光刻胶覆盖整个第二基底的上表面。
图案化所述感光材料层，以在所述感光材料层上形成多个阵列排布的圆柱形凸起，每两个所述圆柱形凸起之间存在间隙。其中，所述图案化所述感光材料层包括：提供第二掩膜版，所述第二掩膜版可以通过现有的方式来制备，此处为了行文简洁，就不再赘述；将所述第二掩膜版置于所述感光材料层的一侧；提供光源，所述光源可以包括但不限于紫外光光源，利用所述紫外光光源透过所述第二掩膜版并对所述感光材料层进行一定时间的曝光；然后再提供显影液，最后将曝光后的感光材料层置于所述显影液中，以得多个阵列排布的圆柱形凸起。本发明通过采用光刻工艺来图案化感光材料层，其优点在于技术成熟，易于实现。
在所述圆柱形凸起之间的所述间隙涂覆有机材料层。其中，所述有机材料层的材料可以包括但不限于聚二甲基硅氧烷(PDMS)，在另外的一个或一些实施例中，所述有机材料层的材料还可以包括环氧树脂、聚亚胺酯、聚酯树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、对苯二甲酸乙二酯和聚甲基丙烯酸甲酯的任意组合。
洗去所述感光材料层形成圆柱形通孔的薄膜5。在一个可选的实施例中，当所述感光材料采用光刻胶时，在洗去剩余的所述光刻胶可以采用等离子灰化工艺去除，离子注入过程中可以在光刻胶表面形成的铰链状硬质表层，通过调整灰化的时间和产生氧气等离子体的射频功率以保证去除不同离子注入剂量和能量下形成的不同厚度的硬质表层。去除硬质表层露出光刻胶后，再使用SOM清洗剂在150℃左右的温度下清洗光刻胶，能够完全去除光刻胶，并且能够有效防止采用硅质的第二基底过多流失，避免出现凹陷的问题。在另外的一个或一些实施例中，所述感光材料层的去除还可以采用其他方式，在此就不一一进行列举。
S313、拉伸所述薄膜，使所述圆柱形通孔变为椭圆形通孔。
在一个可选的实施例中，当所述薄膜5整体呈矩形时，可以固定所述矩形的一个边角，再利用拉伸机台或者工具将与上述边角斜相对的另外一个边角固定，再朝远离所述矩形中心的方向运动，以使所述圆柱形通孔变为椭圆形通孔(请参见图3)。在另外的一个或一些实施例中，还可以采用其他方式对所述薄膜5进行拉伸。
S314、挤压所述薄膜，使所述聚合物层中的部分聚合物从所述椭圆形通孔中溢出。
在一个可选的实施例中，通过将薄膜5朝向聚合物层4挤压，以使聚合物层4中的部分聚合物在外力的作用下从所述椭圆形通孔中溢出。更进一步地，将薄膜5朝向聚合物层4挤压的方式可以采用接触式和非接触式等方式；在所述椭圆形通孔的作用下，所溢出的聚合物的边缘形状与之适配。
S315、固化从所述椭圆形通孔中溢出的所述聚合物。
在一个可选的实施例中，在固化聚合物时所采用的手段主要取决于聚合物的材料；例如若聚合物选自热固性材料，则可以采用加热的方式对其进行固化。更进一步地，所述聚合物层4的材质选自于聚甲基丙烯酸羟乙酯、聚乙烯醇、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷、聚对二甲苯、光刻胶、光敏树脂、聚偏氟乙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯基亚胺、壳聚糖、海藻酸、透明质酸、明胶、胶原、聚L-赖氨酸、聚L-谷胺酸、羟丙基甲基纤维素、羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧乙烯聚合物、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸乙二醇酯、聚乙二醇、聚丙三醇、聚(N-异丙基丙烯酰胺)、聚(N-正丙基丙烯酰胺)、聚(N-环丙基丙烯酰胺)、聚(N-异丙基甲基丙烯酰胺)、聚(N-乙基丙烯酰胺)、聚(N-(L)-(1-羟甲基)丙基甲基丙烯酰胺)、聚(4-乙烯吡啶)、聚[N-(2-甲基丙烯酰氧乙基)吡咯烷酮]、聚[N-(3-丙烯酰氧丙基)吡咯烷酮]、聚[N-(3-甲基丙烯酰氧丙基)吡咯烷酮]、聚[N-(2-丙烯酰氧丙基)吡咯烷酮]和聚[N-(1-甲基-2-丙烯酰氧乙基)吡咯烷酮]的至少一种。
S36、以所述部分聚合物为初始掩膜版蚀刻所述二氧化硅溶胶，以形成所述纳米结构。
在一个可选的实施例中，在对所述二氧化硅溶胶3进行蚀刻时，可以干法蚀刻和/或湿法蚀刻的方式来进行。本发明所提出的纳米结构6的制备方法，通过采用挤压聚合物的方式形成初始掩膜版，再利用初始掩膜版蚀刻二氧化硅溶胶3即可形成纳米结构6，其优点在于通过方法所制得的纳米结构6的形状可控，提高了椭圆纳米棒7构筑的效率。
在本发明又一个可选的实施例中，步骤S3所述在所述待图案化层2的表面排布至少一个纳米结构6还可以包括：
S321、提供第三基底。
在一个可选的实施例中，第三基底可以为树脂基板、硅基板、玻璃基板、蓝宝石基板等，其呈板状机构，具有两个相对的承载表面，以及介于承载表面之间的一个或多个基底侧面。
S322、在所述第三基底上排布至少一个纳米结构。
在一个可选的实施例中，在所述第三基底上所排布的纳米结构6可以为球形的纳米结构，即可以采用纳米微球；所述纳米微球的材质可以选用前述聚合物层4的任意材质，而纳米微球的制备并非本发明的核心发明点，因此可以参考现有技术此处就不再累述。
S323、改变所述纳米结构的形状，以使所述纳米结构的至少一个截面的形状为椭圆形；
在一个可选的实施例中，所述改变所述纳米结构6的形状包括：对所述纳米结构6施加压力，以使所述纳米结构6的形状发生改变。更进一步地，可以采用对所述纳米结构6的局部施加压力的方式，使所述纳米结构6由圆球形变为椭球型。在另一个可选的实施例中，或者对所述纳米结构6加热，以使所述纳米结构6的形状由圆球形变为椭球型。在其他一些可选的实施例中，对所述纳米结构6同时进行加热、加压，以使所述纳米结构6的形状由圆球形变为椭球型。
S324、将发生形变后的所述纳米结构从所述第三基底转移至所述待图案化层的表面。
在一个可选的实施例中，可以采用直接转移的方式完成对所述纳米结构6的转移。具体的，可以在所述第三基底与所述纳米结构6之间设置第一粘附层，所述第一粘附层的材料可以采用热解胶，将所述第三基底具有所述纳米结构6的一侧与所述待图案化层2的表面相贴合，对所述热解胶进行加热解粘，使所述纳米结构6从所述第三基底转移至所述待图案化层2的表面。
请参见图5，基于同样的发明构思，本发明的实施例还提供了一种发光二极管的制备方法，所述发光二极管的制备方法包括：
S100、提供衬底。
在一个可选的实施例中，衬底可以为树脂基板、硅基板、玻璃基板、蓝宝石基板等，其呈板状机构，所述衬底具有两个相对的承载表面，以及介于承载表面之间的一个或多个衬底侧面。
S200、在所述衬底的表面形成待图案化层。
在一个可选的实施例中，在所述衬底的表面形成待图案化层的方式，可以采用包括但不限于：蒸镀、溅射、PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)、CVD(ChemicalVapor Deposition，化学气相沉积)等工艺。所述待图案化层包括LED芯片的外延层，所述外延层还可以包括但不限于N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述有源层设置在所述N型半导体层和P型半导体层之间。
S300、在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构，所述纳米结构的至少一个截面的形状为椭圆形。
在一个可选的实施例中，将所述纳米结构排布在所述待图案化层的表面上可以参考前述椭圆纳米棒的制备方法中的任意实施例，此处为了避免重复就不再赘述。
S400、以所述纳米结构为第一掩膜版蚀刻所述待图案化层。
在一个可选的实施例中，以所述纳米结构为第一掩膜版蚀刻所述待图案化层，也可以参考前述椭圆纳米棒的制备方法中的任意实施例，此处为了避免重复也不再赘述。
S500、在蚀刻后的所述待图案化层上形成保护层。
在一个可选的实施例中，所述保护层(PV层)主要用于包裹所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层，起到隔绝水、氧等作用，保证其光学和电学特性，所述保护层的材质可以包括但不限于二氧化硅。
S600、图案化所述保护层形成电极孔，在所述电极孔中制作电极。
在一个可选的实施例中，在形成电极孔之前还需要采用mesa工艺使所述半导体层和所述保护层形成阶梯状结构，所述电极包括分别与所述N型半导体层和所述P型半导体层欧姆接触的第一电极和第二电极。更进一步地，所述第一电极包括设于第一半导体层上的Cr层、Al层、Cr层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层；所述第二电极包括依次设于所述第二半导体层上的Cr层、Al层、Cr层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层。
采用本发明所提出的发光二极管的制备方法，可以简单高效地制备椭圆柱状的LED芯片；此外，发光二极管在制备过程中所涉及到的其他工艺或者技术还可以参考现有已知技术。
请参见图6，基于同样的发明构思，本发明的实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置可以包括但不限于液晶显示装置(Liquid Crystal Display)，所述显示装置包括：
发光二极管，所述发光二极管由本发明发光二极管的制备方法实施例中的相关步骤及工艺所制得，所述发光二极管可以是白色发光二极管，或者是红色发光二极管、蓝色发光二极管、绿色发光二极管三种的组合，所述发光二极管可以作为所述显示装置的背光光源001的一部分，在另外一个实施例中，所述背光光源001也可称之为灯板，所述灯板可以由载板以及在所述载板上多个阵列排布的发光二极管组成。
液晶层002，所述液晶层002设置于所述发光二极管的出光侧，所述液晶层002中的液晶在通电之后并在电场的作用下可以旋转一定角度；
偏振片003，所述偏振片003设置于所述液晶层002远离所述发光二极管的一侧；需要进行说明的是，所述偏振片003的偏振方向与所述发光二极管所发射光的偏振方向相互垂直。
若需要在所述显示装置的特定区域内显示画面可以控制所述液晶层002的液晶翻转一定角度，使发光二极管所发射的光的偏振方向发生改变，并使其与偏振片003的偏振方向相同，即可实现出光的出射。
此外，所述显示装置还可以包括彩膜基板，所述彩膜基板可以包括多个像素单元，每个所述像素单元又包括多个出光区域，所述出光区域包括红色出光区域、绿色出光区域和蓝色出光区域，当所述背光光源001采用白色发光二极管时，偏振片003出光侧的白光经过所述彩膜基板的不同区域后可以投射出不同颜色的光，以达到在显示装置上进行全彩显示的目的。
在另外一个可选的实施例子中，所述背光光源001还可以采用蓝色发光二极管，所述显示装置还可以包括量子点层，所述量子点层中的每个像素区域分别设置有红色量子点和绿色量子点；所述蓝色发光二极管所发出的蓝光可以分别激发所述红色量子点和绿色量子点中的微粒发出红光和绿光，所述红光和所述绿光再通过与蓝色发光二极管所发出的蓝光进行混光，也可以实现全彩显示的目的。
本发明实施中所涉及到的显示装置，通过利用椭圆柱状的LED芯片可以减少偏振片的使用数量，有效降低显示装置的厚度，还可以减少出射光能量效率的降低，提升视觉效果。所述显示装置的其他零部件及其制备或者组装方法可以参考现有技术，由于其并不是本发明的核心发明点，因此并未记载在本发明的申请文件当中。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。
Claims (6)
1.一种椭圆纳米棒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供第一基底；
在所述第一基底的表面形成待图案化层，所待图案化层为单层结构或多层结构；
在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构，所述纳米结构在平行于待图案化层的一个横截面上的形状为椭圆；
以所述纳米结构为第一掩膜版蚀刻所述待图案化层，以得所述椭圆纳米棒；
所述在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构包括：
在所述待图案化层上设置二氧化硅溶胶；
在所述二氧化硅溶胶的表面上设置聚合物层；
在所述聚合物层上铺设带有至少一个圆柱形通孔的薄膜；
拉伸所述薄膜，使所述圆柱形通孔变为椭圆形通孔；
挤压所述薄膜，使所述聚合物层中的部分聚合物从所述椭圆形通孔中溢出；
固化从所述椭圆形通孔中溢出的所述部分聚合物；
以所述部分聚合物为初始掩膜版蚀刻所述二氧化硅溶胶，以形成所述纳米结构；
所述拉伸所述薄膜，使所述圆柱形通孔变为椭圆形通孔，包括如下步骤：
固定矩形的一个边角，再利用拉伸机台或者工具将与上述边角斜相对的另外一个边角固定，再朝远离所述矩形中心的方向运动，以使所述圆柱形通孔变为椭圆形通孔；
所述至少一个圆柱形通孔的薄膜的制备，包括如下步骤：
提供第二基底；
在所述第二基底上涂覆感光材料层；
图案化所述感光材料层，以在所述感光材料层上形成多个阵列排布的圆柱形凸起，每两个所述圆柱形凸起之间存在间隙；
在所述圆柱形凸起之间的所述间隙涂覆有机材料层，所述有机材料层的材料包括：环氧树脂、聚亚胺酯、聚酯树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、对苯二甲酸乙二酯和聚甲基丙烯酸甲酯的至少一种或任意组合；
洗去所述感光材料层形成圆柱形通孔的薄膜。
2.根据权利要求1所述的椭圆纳米棒的制备方法，其特征在于，所述图案化所述感光材料层包括：
提供第二掩膜版，并将所述第二掩膜版置于所述感光材料层的一侧；
提供光源，并利用所述光源透过所述第二掩膜版对所述感光材料层进行曝光；
提供显影液，将曝光后的感光材料层置于所述显影液中，以得多个阵列排布的圆柱形凸起。
3.根据权利要求1所述的椭圆纳米棒的制备方法，其特征在于，所述在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构包括：
提供第三基底；
在所述第三基底上排布至少一个纳米结构；
改变所述纳米结构的形状，以使所述纳米结构的至少一个截面的形状为椭圆形；
将发生形变后的所述纳米结构从所述第三基底转移至所述待图案化层的表面。
4.根据权利要求3所述的椭圆纳米棒的制备方法，其特征在于，所述改变所述纳米结构的形状包括：
对所述纳米结构施加压力，以使所述纳米结构的形状发生改变；或者
对所述纳米结构加热，以使所述纳米结构的形状发生改变；或者
对所述纳米结构施加压力并加热，以使所述纳米结构的形状发生改变。
5.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底的表面形成待图案化层；
在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构，所述纳米结构的至少一个截面的形状为椭圆形；
以所述纳米结构为第一掩膜版蚀刻所述待图案化层；
其中，所述待图案化层的处理流程如权利要求1-4中任意一项所述。
6.一种显示装置，其特征在于，包括：
发光二极管，所述发光二极管由权利要求5所述的发光二极管的制备方法制得；
偏振片，所述偏振片设置于所述发光二极管的出光侧；
液晶层，所述液晶层设置于所述发光二极管与所述偏振片之间。
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