JP2006060079A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 基板上に形成されるゲート電極と、
   前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上に対向形成されるソース電極及びドレイン電極と、
   前記ソース電極及びドレイン電極間に形成される半導体層とを有する電界効果型トランジスタ構造の素子であって、
   前記ソース電極およびドレイン電極の形成領域以外のゲート絶縁層または基板の臨界表面張力は、該ソース電極およびドレイン電極の形成領域における臨界表面張力よりも小さい表面エネルギーであることを特徴とする電界効果型トランジスタ構造の素子。
2. 前記ソース電極およびドレイン電極の形成領域以外のゲート絶縁層または基板の臨界表面張力に比べて、１０ｍＮ／ｍ以上臨界表面張力が大きいソース電極およびドレイン電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電界効果型トランジスタ構造の素子。
3. 前記ソース電極およびドレイン電極に挟持された低表面エネルギーのゲート絶縁層または基板の間隔が、該ソース電極およびドレイン電極の各幅よりも小さくなるように各電極が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電界効果型トランジスタ構造の素子。
4. 前記ソース電極およびドレイン電極に挟持されたゲート絶縁層または基板の臨界表面張力が、該各電極に挟持されていないゲート絶縁層または基板の臨界表面張力の値よりも大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ構造の素子。
5. 前記ゲート絶縁層は、エネルギーの付加によって臨界表面張力が変化する材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ構造の素子。
6. 前記ゲート絶縁層は、少なくとも第一の材料と第二の材料とからなり、該第一の材料は第二の材料と比較してエネルギーの付加によって臨界表面張力が大きく変化する材料であり、該第二の材料は第一の材料とは別の性能を補完する機能を有する材料であり、
   かつ、前記第一の材料と第二の材料はゲート絶縁層厚方向に濃度分布を有し、最表層部における第一の材料の濃度が第二の材料の濃度よりも高いことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ構造の素子。
7. 前記第二の材料は、第一の材料と比較して電気絶縁性の高い材料であることを特徴とする請求項６に記載の電界効果型トランジスタ構造の素子。
8. 前記第二の材料は、第一の材料と比較して高比誘電率の材料であることを特徴とする請求項６に記載の電界効果型トランジスタ構造の素子。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ構造の素子が絶縁性基板上に複数形成されたことを特徴とする電子素子アレイ。
10. 請求項９に記載の電子素子アレイを備えたことを特徴とする表示装置。