JP2006058845A5

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Publication number: JP2006058845A5
Application number: JP2005097561A
Authority: JP
Filing date: 2005-03-30
Publication date: 2008-05-15
Anticipated expiration: 2025-03-30

Claims

基板上に、表示用電極と、該表示用電極を駆動するための配線及び電子素子の少なくとも一方と、前記表示用電極と前記配線及び電子素子の少なくとも一方との各々を相互に電気的に絶縁するために前記表示用電極よりも下層に設けられた層間絶縁膜とを備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記配線及び電子素子の少なくとも一部を形成する素子形成工程と、
前記形成された少なくとも一部の上に、保護絶縁膜を成膜する保護膜成膜工程と、
前記形成された少なくとも一部を、第１の温度で、前記保護絶縁膜を介して熱処理を施す熱処理工程と、
前記保護絶縁膜の上に、前記層間絶縁膜として燐（Ｐ）及び硼素（Ｂ）の少なくとも一方を含んだシリコン酸化膜を成膜する層間膜成膜工程と、
前記層間膜成膜工程の後に、前記シリコン酸化膜を前記第１の温度より低い第２の温度で加熱し流動化させることにより、前記シリコン酸化膜の上面を平坦化させる平坦化処理を施す平坦化工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
前記平坦化工程において、前記横電界防止用の段差を所定形状で残存させることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
前記素子形成工程において、前記少なくとも一部として、他の層間絶縁膜を介在させて積層された薄膜トランジスタ及び蓄積容量を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
前記平坦化工程において、前記第２の温度を８５０℃以下かつ８００℃以上とすることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
前記熱処理工程において、前記第１の温度を８５０℃以上とすることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
前記シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜は、燐（Ｐ）を０．１重量％以上かつ１５重量％以下、又は、硼素（Ｂ）を０．１重量％以上かつ２５重量％以下、又は、燐及び硼素を合計で０．１重量％以上かつ２０重量％以下の割合で含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
前記シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜は、燐（Ｐ）及び硼素（Ｂ）の少なくとも一方を、合計で１０重量％以下の割合で含むことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
前記シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜は、燐（Ｐ）を４．５重量％以上かつ５．５重量％以下、及び、硼素（Ｂ）を４．０重量％以上かつ５．０重量％以下の割合で含むことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
前記保護膜成膜工程において、前記保護絶縁膜を他のシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜として成膜することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
前記保護膜成膜工程において、前記保護絶縁膜を５０ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下の範囲内の厚みで成膜することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
前記素子形成工程は、前記配線及び電子素子の一部である下側パターン部を形成し、該下側パターン部の上層側に他の層間絶縁膜を介して、前記少なくとも一部としての上側パターン部を、前記基板上で平面的に見て、前記下側パターンと重ならないように且つ、前記上側パターン部の縁が、前記他の層間絶縁膜の膜厚と前記保護絶縁膜の膜厚を合計した膜厚の値にカバーレッジ率を乗じた値以上の距離だけ、前記下側パターン部の縁から離れるように形成することを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
前記素子形成工程は、前記配線及び電子素子の一部である下側パターン部を形成し、該下側パターン部の上層側に他の層間絶縁膜を介して、前記少なくとも一部としての上側パターン部を、前記基板上で平面的に見て、前記下側パターンと重ならないように且つ、前記上側パターン部の縁が、前記他の層間絶縁膜の膜厚と前記保護絶縁膜の膜厚を合計した膜厚の値以上の距離だけ、前記下側パターン部の縁から離れるように形成することを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
前記素子形成工程は、前記配線及び電子素子の一部である下側パターン部を形成し、該下側パターン部の上層側に他の層間絶縁膜を介して、前記少なくとも一部としての上側パターン部を、前記基板上で平面的に見て、該上側パターン部の縁が、前記下側パターンの縁と重なるように形成することを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
基板上に、表示用電極と、該表示用電極を駆動するための配線及び電子素子の少なくとも一方と、前記表示用電極と前記配線及び電子素子の少なくとも一方との各々を相互に電気的に絶縁するために前記表示用電極よりも下層に設けられた層間絶縁膜とを備えた電気光学装置であって、
前記配線及び電子素子の少なくとも一部の上層側に、前記少なくとも一部を熱による変質から保護するために設けられた保護絶縁膜を更に備え、
前記層間絶縁膜の少なくとも１つは、前記保護絶縁膜の上層側に設けられ、燐（Ｐ）及び硼素（Ｂ）の少なくとも一方を含んだシリコン酸化膜からなると共に、前記保護絶縁膜の下層側よりも低い温度で加熱されて流動化状態を経ることにより、上面に対して平坦化処理が施されている
ことを特徴とする電気光学装置。
前記少なくとも一部として、他の層間絶縁膜を介在させて積層された薄膜トランジスタ及び蓄積容量が形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の電気光学装置。
前記シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜は、燐（Ｐ）を４．５重量％以上かつ５．５重量％以下、及び、硼素（Ｂ）を４．０重量％以上かつ５．０重量％以下の割合で含むことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の電気光学装置。
前記保護絶縁膜は、他のシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなり、厚みが５０ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下の範囲内にあることを特徴とする請求項１４から１６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
前記配線及び電子素子の一部である下側パターン部の上層側に他の層間絶縁膜を介して形成された前記少なくとも一部としての上側パターン部は、前記基板上で平面的に見て、前記下側パターンと重ならず且つ、前記上側パターン部の縁が、前記他の層間絶縁膜の膜厚と前記保護絶縁膜の膜厚を合計した膜厚の値にカバーレッジ率を乗じた値以上の距離だけ、前記下側パターン部の縁から離れていることを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
前記配線及び電子素子の一部である下側パターン部の上層側に他の層間絶縁膜を介して形成された前記少なくとも一部としての上側パターン部は、前記基板上で平面的に見て、前記下側パターンと重ならず且つ、前記上側パターン部の縁が、前記他の層間絶縁膜の膜厚と前記保護絶縁膜の膜厚を合計した膜厚の値以上の距離だけ、前記下側パターン部の縁から離れていることを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
前記配線及び電子素子の一部である下側パターン部の上層側に他の層間絶縁膜を介して形成された前記少なくとも一部としての上側パターン部は、前記基板上で平面的に見て、該上側パターン部の縁が、前記下側パターンの縁と重なることを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
更に、前記基板に対向配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板とに挟持された電気光学物質とを備えていることを特徴とする請求項１４から請求項２０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
請求項１４から請求項２１のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。