JP2006058404A - リソグラフィー用トップコート膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】保護しても良いフルオロカルビノール基、スルホン酸基、フルオロアルキルスルホン酸基、カルボキシル基を一種以上分子内に有し、かつアルカリ現像液に溶解する高分子を、アルカン類炭化水素溶媒が40重量%以上含有される有機溶媒に溶解し、フォトレジスト膜上に塗布するリソグラフィー用トップコート膜の製造方法。
【選択図】 なし
Description
mersion Lithography,2nd Immersion Work Shop,July 11,2003参照)が、現像液への溶解性に欠けるなど材料を最適化するところには至っていない。なお、トップコートは高分子の保護膜でカバーコートということもある。
Resist and Cover Material Investigation for Immersion Lithography,2nd Immersion Work Shop,July 11,2003
特殊な例としては、通称ナフィオン膜で知られるようなフルオロアルキルスルホン酸を側鎖に有したフッ素系高分子、重合過程で環化していくフッ素系ポリマーも使用することができる。
環状基としては、環状構造とフッ素が含有されていれば特に制限なく採用できるが、特に好ましくは下記構造を例示することができる。
一方、ビニルエーテル、含フッ素ビニルエーテルなどは、メチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシブチル基などのヒドロキシ基を含有してもよいアルキルビニルエーテル類、シクロヘキシルビニルエーテルやその環状構造内に水素やカルボニル結合を有した環状型ビニルエーテル類、不飽和結合の水素がフッ素に置換された含フッ素ビニルエーテル類やパーフルオロビニルエーテル類なども使用できる。なお、アリルエーテル、ビニルエステル、ビニルシランについても公知の化合物であれば特に制限なく使用することが可能である。さらにビニルエーテルやアリルエーテル系単量体であって、側鎖末端にトリフルオロ又はヘキサフルオロカルビノール基が付与され酸性を有する単量体又は酸不安定基やその他の官能基で保護した単量体もその構造に制限なく移用することができる。
本発明では得られた高分子をアルカン類を主成分とする有機溶剤に溶解させて使用する。使用できる有機溶剤組成としては、その溶剤が下層のレジスト膜を浸食したり、レジスト膜から添加剤等を抽出しにくいものであって、スピンコートに適した沸点範囲、すなわち、沸点が70℃〜170℃程度のものが採用される。
本発明に使用できるアルカン類有機溶媒とは、ペンタン、イソペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、エイコサン、ドコサン、シクロブタン、シクロヘキサンなどのアルカン、シクロアルカン類を必須溶媒とし、全有機溶剤中の40重量%以上を用いなければならない。40重量%未満では、下地のレジスト層を侵したり、レジストからレジスト中の添加剤を抽出したりする欠点が生じる。さらに好ましくは70重量%以上アルカンを用いることで、より完全に下地のレジスト膜との相互作用を遮断することができる。
本発明のアルカン類溶媒に混合できる溶媒を例示するならば、ブタノール(ノルマル、イソ体、ターシャリー)、メチルエチルカルビノール、ペンチルアルコール、3−ペンチルアルコール、2−ペンチルアルコール、アミルアルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、ノニルアルコール、オクチルアルコール、ピナコール、ジメチルプロパノール、3−メチルー2−ブタノール、2−メチル−2−ブタノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、アリルアルコールなどのアルコール系、ジエチルエーテル、イソブチルメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルなどのエーテル類、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、アセトン、メチルイソブチルエステルなどのケトン類、さらに部分的にフッ素で置換された溶媒が好適に採用される。具体的に部分的にフッ素で置換された炭化水素溶媒とは、アルカンや脂環類の炭化水素溶媒や炭化水素系アルコール類であって、その水素の一部がフッ素が置換されたトリフルオロエタノール、テトラフルオロエタノール矢その他のフッ素系溶媒も採用できる。フッ素を用いることで本発明の高分子化合物を効果的に溶解させ、かつ下地のレジスト膜にダメージを与えないコーティングを行うことが可能となる。
特に最近の半導体の微細化に対応した248nmのKrFエキシマレーザー、193nmのArFエキシマレーザーや157nmに代表される真空紫外領域のF2レーザー、又は電子線やX線などの活性エネルギー線などの各種光源に依存することなく使用することができる。特に本発明のトップコートは液浸リソグラフィーにおいて好適に応用される。
「実施例1」 高分子化合物(A)の合成
「実施例2」 高分子化合物(B)の合成」
実施例2の方法に準じて、エチルアダマンタンメタクリレート(EAD)、ヒドロキシアダマンタンメタクリレート(HAD)、γブチロラクトンメタクリレート(GBL)の3成分にて標準的なArFレジスト高分子を合成し、ArFエキシマレーザーに適した高分子化合物(F)を得た。NMRにより測定した3成分のモル組成は、EAD42/HAD30/GBL28であった。GPC(標準ポリスチレン)から求めた重量平均分子量は16000であった。
実施例1〜5で製造した高分子化合物を用いて表に示す混合溶剤(数字は重量%)に4.5重量%の固形分濃度で溶解させ、実施例6〜12のトップコート液を得た。溶解性は良好であり、2日後も溶解性に変化は見られなかった。
実施例6〜12と同様にして高分子化合物(A),(E)を用いて表に示す混合溶剤(数字は重量%)に4.5重量%の固形分濃度で溶解させ、比較例のトップコート液を得た。溶解性は良好であり、2日後も溶解性に変化は見られなかった。
実施例6〜12で得られた高分子溶液を参考例で得られたフォトレジスト膜上に約40nmの厚みになるようにスピンコートし、110℃でベークし2層膜を得た後、2層膜上に1mmの厚みで純水で覆った。それらの水面の上部からフォトマスクを介して高圧水銀ランプを用いて紫外線での露光を行ったのち、純水を除去し、130℃でポストエクスポーザーベークを行った。その後、2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、23℃で1分間現像した。この結果、いずれも場合も、トップコート膜は全面溶解し、かつレジスト膜の露光部が同時に溶解し、下地の未露光部のみが矩形のパターン形状として残った。
比較例1、2で得られた高分子溶液を参考例で得られたフォトレジスト膜上に約40nmの厚みになるようにスピンコートし、110℃でベークし2層膜を得た後、2層膜上に1mmの厚みで純水で覆った。それらの水面の上部からフォトマスクを介して高圧水銀ランプを用いて紫外線での露光を行ったのち、純水を除去し、130℃でポストエクスポーザーベークを行った。その後、2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、23℃で1分間現像した。この結果、いずれも場合も、トップコート膜は全面溶解し、かつレジスト膜の露光部が同時に溶解し、レジストパターンが得られたものの、その形状はT−トップ形状であった。
Claims (9)
- 保護しても良いフルオロカルビノール基、スルホン酸基、フルオロアルキルスルホン酸基、カルボキシル基を一種以上分子内に有し、かつアルカリ現像液に溶解する高分子を、アルカン類炭化水素溶媒を40重量%以上含有する有機溶媒に溶解し、フォトレジスト膜上に塗布するリソグラフィー用トップコート膜の製造方法。
- 炭素数6〜11の範囲にあるアルカン類を70重量%以上含有した有機溶媒を用いた請求項1記載のリソグラフィー用トップコート膜の製造方法。
- 使用するアルカン類の沸点より高沸点のアルコール溶媒を30重量%以下の濃度で混合した請求項2記載のリソグラフィー用トップコート膜の製造方法。
- 高分子がフッ素系樹脂である請求項1〜3項記載のリソグラフィー用トップコート膜の製造方法。
- フッ素系高分子の重量平均分子量が15000以下であって、フッ素含有量が20重量%以上である請求項1記載のリソグラフィー用トップコート膜の製造方法。
-
アルカンとしてヘプタンを用い、混合するアルコール溶媒としてヘキシルアルコール、ヘプチルアルコールから選ばれた一種以上を用いた請求項3項記載のリソグラフィー用トップコート膜の製造方法。 - アルカンとしてノナンを用い、混合するアルコール溶媒としてヘキシルアルコール、ヘプチルアルコールから選ばれた一種以上を用いた請求項3項記載のリソグラフィー用トップコート膜の製造方法。
- アルカンとしてデカンを用い、混合するアルコール溶媒としてヘプチルアルコール、オクチルアルコール、ノニルアルコールから選ばれた一種以上を用いた請求項3項記載のリソグラフィー用トップコート膜の製造方法。
- 液浸リソグラフィーに用いる請求項1〜8のいずれかに記載のトップコート膜の製造方法。
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