JP2006039587A - 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投射型表示装置 - Google Patents
電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投射型表示装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 液晶パネル用基板は、画素領域において第2のメタル層からなる遮光膜12に開けた開口部12aを通して遮光膜下の第2の層間絶縁膜11を挟んで第1のメタル層からなる配線膜10と遮光膜上の第3の層間絶縁膜13を挟んで第3のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ15を備えている。非画素領域の入力端子パッド26の周囲に、第1のメタル層からなる下層ダミーパターンAと第2のメタル層からなる上層ダミーパターンBが積み重ね形成されている。ダミーパターンA,B上の第3の層間絶縁膜13の成膜表面レベルが底上げされるため、その部分での過研磨を解消できる。そのため、CMP処理において一様の研磨レートが得られる。
【選択図】 図2
Description
そしてまた、本発明においては、非画素領域に連続拡張面(いわゆるベタ)のダミーパターンを形成するではなく、前記スイッチング素子に電気的に接続する第1の前記導電層と前記研磨処理の層間絶縁膜の上に成膜された上層の前記導電層とが電気的に接続されており、前記第1の導電層と前記上層の前記導電層との中間に第2の前記導電層を含み、前記基板上の非画素領域において前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層に複数の擬似画素凹凸パターンを有しており、前記擬似画素凹凸パターンは、前記第1の導電層からなる第1のダミーパターン及び前記第2の導電層からなる第2のダミーパターンのいずれか又は両者の積み重ねであることを特徴とする。このような擬似画素凹凸パターンを具える基板では、研磨処理前の層間絶縁膜の画素領域以外の表面にも、画素の表面凹凸模様と略類似の表面凹凸模様が形成されているため、研磨レートが初期から基板のどの部分でも略等しくなり、少なくとも画素領域及びシール領域では高精度の表面平坦性を実現できる。
図1は本発明の実施形態1に係る反射型液晶パネルの反射型液晶パネル用基板のレイアウト構成例を示す平面図、図2は図1中のB−B′線に沿って切断した状態を示す切断図である。
図11は本発明の実施形態2に係る反射型液晶パネル用基板においてシール領域の四隅部の近辺を示す部分平面図、図12は図11中のC−C′線に沿って切断した状態を示す断面図である。なお、図11において、散点模様の領域は第1のメタル層を、一様斜線のハッチング領域は第2のメタル層をそれぞれ表し、第3のメタル層は不図示である。また、以下に説明する内容以外の構成は、実施形態1に係る反射型液晶パネル用基板と同様である。
図14は本発明の実施形態3に係る反射型液晶パネル用基板においてシール領域の四隅部の近辺を示す部分平面図、図15は図14中のC−C′線に沿って切断した状態を示す断面図である。なお、図14において、散点模様の領域は第1のメタル層を、一様斜線のハッチング領域は第2のメタル層をそれぞれ表し、第3のメタル層は不図示である。また、以下に説明する内容以外の構成は実施形態1に係る反射型液晶パネル用基板と同様である。
以上説明したように、本発明は、画素領域の空き間にダミーパターンを割り込ませて形成するのではなく、逆に、非画素領域において既成導電層層を援用して被研磨層の上層の層間絶縁膜の底上げ用のダミーパターンを略一面的に形成した点を特徴とするものである。画素領域においてダミーパターンを形成する場合は、底上げのための中間導電層と層間絶縁膜との成膜工程を追加せねばならず、また、研磨前の層間絶縁膜の表面起伏が抑えられていると、却って初期研磨レートが低くなるので、層間絶縁膜表面を鏡面様に平坦化するために必要な研磨時間が長くなり、砥液の消費も増大する。しかしながら、本発明は上記の不都合を解消できるばかりか、次のような効果を奏する。
2,21′…P型ウェル領域
3…フィールド酸化膜
4…ゲート線
4a…ゲート電極
4b…ゲート絶縁膜
4p …擬似ゲート線
5b…N+ 型ドレイン領域
6…第1の層間絶縁膜
6a,6b,6c,16…コンタクトホール
7…データ線
7a…ソース電極配線
7p …擬似データ線
7ap …擬似ソース電極配線
8…P型容量電極領域
9a…容量電極
9b…絶縁膜(誘電膜)
10…中継配線
11…第2の層間絶縁膜
12…遮光膜
12a…プラグ貫通用開口部
12b…接続用配線
12p …擬似遮光膜
13…第3の層間絶縁膜
14…画素電極
15…接続プラグ(層間導電部)
17…パッシベーション膜
20…画素領域(表示領域)
21…データ線駆動回路(Xドライバ)
22R,22L…ゲート線駆動回路(Yドライバ)
23…プリチャージ及びテスト回路
24…画像信号サンプリング回路
25…遮光膜
26,26′…入力端子パッド
26a…下層
26b,26b′…上層
27,127,227…シール領域
29R,29L…中継端子パッド(銀点)
30…反射型液晶パネル
31,131,231,331…反射型液晶パネル用基板
32…支持基板
33…対向電極(共通電極)
35…ガラス基板
37…液晶
38…異方性導電膜(ACF)
38a…導電性粒子
38b…接着用絶縁樹脂材
39…フレキシブルテープ配線
39a…フレキシブルテープ
39b…導電線
100…偏光照明装置
110…インテグレートレンズ
127a…パターン
127C,227C…四隅部
130…偏光変換素子
200…偏光ビームスプリッタ
201…S偏光束反射面
261…導電接触部
262…配線引出し部
412,413…ダイクロイックミラー
300B,300R,300G…反射型液晶ライトバルブ
500…投写光学系
600…スクリーン
L0 …システム光軸
A…下層ダミーパターン
B,B′…上層ダミーパターン
a…小分けダミーパターン
X,X′,Y…挟間領域
W…行方向配線領域
L,LIN,LOUT …配線
M,T…配線間ダミーパターン
NR ,NL …ダミーパターン
S0 ,S1 ,S2 ,S2 ′,S3 …小分けダミーパターン
P…擬似画素凹凸パターン
Claims (14)
- 各画素に対応するスイッチング素子が基板上に配置される画素領域において、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造を有しており、該複数の導電層のうちの最上層の導電層より下層の少なくとも一層の前記層間絶縁膜が研磨処理で平坦化されて成る電気光学装置用基板であって、
前記基板上の非画素領域において形成された少なくとも入力端子パッドの近傍には、前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の前記導電層からなる単層又は複層のダミーパターンを有しており、
前記ダミーパターンは、平面的に細分化された複数の小分けダミーパターンから成り、
相隣り合う前記入力端子パッドの間は、前記小分けダミーパターンが形成されていない非ダミーパターン領域となっていることを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項1において、前記複数の小分けダミーパターンは、前記入力端子パッドの前記基板縁に配置される第1の小分けダミーパターン、前記入力端子パッドの配線引き出し部間に配置される第2の小分けダミーパターン又は前記配線引き出し部の先部間とそこから引き出された配線間に配置される第3の小分けダミーパターンのいずれかからなることを特徴とする電気光学装置用基板。
- 請求項2において、前記入力端子パッドとその周囲に配置された前記第1ないし第3のいずれかの小分けダミーパターンとの間隔は、前記配線とその近傍の前記第1ないし第3のいずれかの小分けダミーパターンとの間隔よりも広く設定されて成ることを特徴とする電気光学装置用基板。
- 請求項1において、前記入力端子パッドと配線によって繋がった中継端子パッドを更に有しており、前記中継端子パッドとその周囲に配置された前記ダミーパターンとの間隔は、前記配線とその近傍の前記ダミーパターンとの間隔よりも広く設定されて成ることを特徴とする電気光学装置用基板。
- 各画素に対応するスイッチング素子が基板上に配置される画素領域において、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造を有しており、該複数の導電層のうちの最上層の導電層より下層の少なくとも一層の前記層間絶縁膜が研磨処理で平坦化されて成る電気光学装置用基板であって、
前記基板上の非画素領域において形成された端子パッドの近傍と、
前記画素領域の周囲に形成されるシール領域と、
前記シール領域の外側の外周領域と、
前記画素領域の周辺に配置され前記スイッチング素子に信号を供給する駆動回路の近傍領域と、において、
前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の前記導電層からなる単層又は複層のダミーパターンをそれぞれ有して成ることを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項5において、前記ダミーパターンは、前記スイッチング素子の制御配線層と同層で形成された孤立パターンの上に積み足されて成ることを特徴とする電気光学装置用基板。
- 各画素に対応するスイッチング素子が基板上に配置される画素領域において、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造を有しており、該複数の導電層のうちの最上層の導電層より下層の少なくとも一層の前記層間絶縁膜が研磨処理で平坦化されて成る電気光学装置用基板であって、
前記画素領域の周囲に形成されるシール領域の隅部領域には、前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の前記導電層からなる単層又は複層のダミーパターンを有しており、
前記ダミーパターンは、少なくとも平面的に細分化された複数の小分けダミーパターンから成ることを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項7において、前記複数の小分けダミーパターンは、それぞれ短冊状に形成されてなり、前記シール領域のいずれかの辺に隣接して配置されてなることを特徴とする電気光学装置用基板。
- 各画素に対応するスイッチング素子が基板上に配置される画素領域において、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造を有しており、該複数の導電層のうちの最上層の導電層より下層の少なくとも一層の前記層間絶縁膜が研磨処理で平坦化されて成る電気光学装置用基板であって、
前記スイッチング素子に電気的に接続する第1の前記導電層と前記研磨処理の層間絶縁膜の上に成膜された上層の前記導電層とが電気的に接続されており、前記第1の導電層と前記上層の前記導電層との中間に第2の前記導電層を含み、
前記基板上の非画素領域において前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層に複数の擬似画素凹凸パターンを有しており、
前記擬似画素凹凸パターンは、前記第1の導電層からなる第1のダミーパターン及び前記第2の導電層からなる第2のダミーパターンのいずれか又は両者の積み重ねであることを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項9において、前記第1のダミーパターンは少なくとも擬似ゲート線及び擬似データ線で構成されており、前記第2のダミーパターンは擬似遮光膜で構成されて成ることを特徴とする電気光学装置用基板。
- 請求項10において、少なくとも前記画素領域の周囲に形成されるシール領域において、前記擬似データ線は配線として利用されていることを特徴とする電気光学装置用基板。
- 請求項1乃至請求項11のいずれか一項に規定する電気光学装置用基板とこれに対向する透明基板との間隔に電気光学材料を挟持して成ることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項12に規定する電気光学装置を表示部に用いて成ることを特徴とする電子機器。
- 請求項12に規定する電気光学装置をライトバルブに用いて成ることを特徴とする投写型表示装置。
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-
2005
- 2005-09-30 JP JP2005286281A patent/JP4222356B2/ja not_active Expired - Lifetime
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