JP2004004337A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】透明基板側から入射する光を一定の反射率で反射させる高輝度な反射型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体基板4に形成されたトランジスタTrと、遮光層20を介してトランジスタTrに接続された画素電極71、72と、を順次積層した画素からなり、前記画素が平面的にマトリクス状に複数形成され、更に画素電極71、72上方に所定の間隙を有し、画素電極71、72に対向配置して貼り合せた透明な共通電極27を有する透明基板28と、前記所定の間隙に封入された液晶層29と、からなり、遮光層20は、金属配線層20A上に反射防止膜20Bを形成したものからなり、かつ互いに隣接する画素電極71、72に跨って形成され、画素電極71、72の間隙に対応する部分の反射防止膜20Bが除去され、露出した金属配線層20Aが画素電極71、72と同一材料で構成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体基板4に形成されたトランジスタTrと、遮光層20を介してトランジスタTrに接続された画素電極71、72と、を順次積層した画素からなり、前記画素が平面的にマトリクス状に複数形成され、更に画素電極71、72上方に所定の間隙を有し、画素電極71、72に対向配置して貼り合せた透明な共通電極27を有する透明基板28と、前記所定の間隙に封入された液晶層29と、からなり、遮光層20は、金属配線層20A上に反射防止膜20Bを形成したものからなり、かつ互いに隣接する画素電極71、72に跨って形成され、画素電極71、72の間隙に対応する部分の反射防止膜20Bが除去され、露出した金属配線層20Aが画素電極71、72と同一材料で構成されている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶等を用いた反射型液晶表示装置に係わり、特に反射率向上に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、大画面映像表示用の表示装置として以下に示すような液晶表示装置が知られている。
図7は、従来の反射型液晶表示装置の回路ブロック図である。図8は、従来の反射型液晶表示装置の断面構造を示す図である。
図7及び図8に示すように、従来の反射型液晶表示装置31は、N型Si基板4上に複数の信号線D1,D2,D3…(以下、総称して信号線Dという。)が並行して配置され、これら各信号線D1,D2,D3…と直交する方向に複数の走査線G1,G2,G3…(以下、総称して走査線Gという。)が配置されている。
【0003】
複数の信号線Dと複数の走査線Gの交差部には、スイッチングトランジスタTr、コンデンサCs等を含んだ表示画素PXがマトリクス状に形成されている。そして、水平アドレス回路32は、複数の信号線Dに接続され、垂直アドレス回路33は、複数の走査線Gに接続されている。
【0004】
ここで、表示画素PXの断面構造について更に図8を用いて詳細に説明する。図8中には、表示画素PXとして2表示分の表示画素PX1、PX2が表示されている。
各表示画素PX1、PX2は、駆動部2と液晶表示部3とからなる。
駆動部2は、N型Si基板4上に形成された共通なPウェル領域5表面近傍に形成されたスイッチングトランジスタTr及びコンデンサCsと、これらの上に形成された層間絶縁層6と、パターン化されたAlからなる画素電極71、72とが順次積層されてなる。スイッチングトランジスタTrとコンデンサCs間には酸化分離膜8が形成されている。
【0005】
層間絶縁層6中には、スイッチングトランジスタTrのソース9が導通孔12に埋め込まれた金属層13を介して、信号線Dに接続され、更にゲート10は、走査線Gに接続されている。ドレイン11上には、導通孔14に埋め込まれた金属層15が形成され、更にこの金属層15に接続したドレイン引出し電極16が形成されている。そして、ドレイン引出し電極16は、コンデンサCsのコンデンサ上部電極17に接続されている。
【0006】
更に、ドレイン引出し電極16と画素電極71、72との間にあって、画素電極71、72に平行して、表示画素PX1、PX2の画素電極71、72間から侵入する光がスイッチングトランジスタTrに到達しないように互いにリンS熱する画素電極71、72間に跨って遮光層20が形成されている。
ドレイン引出し電極16上には、導通孔21に埋め込まれた金属層22が形成され、この金属層22を介して、ドレイン引出し電極16は、遮光層20に接続されている。そして、遮光層20上には、導通孔23に埋め込まれた金属層24が形成され、この遮光層20は、画素電極71、72に接続されている。
遮光層20は、Al配線層20AとこのAl配線層20A上に形成された反射防止膜20Bからなる。反射防止膜20Bの材料としては、例えばTiNである。
【0007】
コンデンサCsは、Pウェル領域5表面近傍にソース9或いはドレイン11と同時に拡散によって形成されたコンデンサ下部電極18と、このコンデンサ下部電極18上に順次形成された容量絶縁膜19と、コンデンサ上部電極17とで構成されている。
また、コンデンサ下部電極18は、導通孔34に埋め込まれた金属層35を介して、直流電圧を印加する金属配線36に接続されている。コンデンサ上部電極17は、導通孔25に埋め込まれた金属層26を介してドレイン引き出し電極16に接続されている。この際、コンデンサ下部電極18上に導通孔34に埋め込まれた金属層35を形成するスペースを必要とするために、コンデンサ上部電極17の大きさは、コンデンサ下部電極18よりも小さくなっている。
【0008】
液晶表示部3は、画素電極71、72及び画素電極71、72から露出した層間絶縁層6上に、所定の間隙を有して画素電極71、72と対向配置された透明な共通電極27を有する透明基板28と、前記した所定の間隙に封入された液晶層29と、からなる。更に、互いに対向する側の画素電極71、72と共通電極27には、配向膜30、30が形成されている。
【0009】
次に、その動作について説明する。
水平アドレス回路32から1水平期間のビデオ信号を順次信号線D1,D2,D3…にサンプリングする。
次に、垂直アドレス回路33から走査線G1,G2,G3…に対して1水平期間毎に順次選択パルスを出力する。
【0010】
その結果、走査線G1,G2,G3…に接続されたスイッチングトランジスタTrが1行ずつ順次オンとなり、信号線D1,D2,D3…にサンプリングされたビデオ信号が対向する画素のコンデンサCsに蓄積保持される。このコンデンサCsに蓄積された電荷による保持電圧により、各画素PX1,PX2では、画素電極71,72と共通電極27間の電圧が液晶層29に印加される。透明基板28側から入射する入射光が、それに応じて液晶層29で光変調された後、画素電極71、72で反射され、透明基板28側から出射し、拡大投影されて画像が表示される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、透明基板28側から入射する光のうち、画素電極71、72間の間隙Mから侵入する入射光は、画素電極71、72の反射率よりも低い遮光層20の反射防止膜20B上で反射されるため、反射率の低下を生じるので、高輝度の反射型液晶表示装置を得ることができなかった。
この問題を解消するために、画素電極71、72間の間隙Mの間隔を狭くすることが考えられるが、狭くしすぎると、画素電極71、72のショートを生じるといった問題を生じしまう。
【0012】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて成されたものであり、透明基板側から入射する光を一定の反射率で反射させる高輝度な反射型液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体基板に形成されたスイッチングトランジスタと、遮光層を介して前記スイッチングトランジスタに接続された画素電極と、を順次積層した画素からなり、前記画素が平面的にマトリクス状に複数形成され、更に前記画素電極上方に所定の間隙を有し、前記画素電極に対向配置して貼り合せた透明な共通電極を有する透明基板と、前記所定の間隙に封入された液晶層と、からなる反射型液晶表示装置において、前記遮光層は、金属配線層上に反射防止膜を形成したものからなり、かつ互いに隣接する前記画素電極に跨って形成され、前記画素電極の間隙に対応する部分の前記反射防止膜が除去され、露出した前記金属配線層が前記画素電極と同一材料で構成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置を提供する。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態における反射型液晶表示装置について図1を用いて説明する。
図1は、本発明の実施形態における反射型液晶表示装置を示す断面図である。
従来例と同一構成には同一符号を付し、その説明を省略する。
図1に示すように、本発明の実施形態の反射型液晶表示装置1は、従来の液晶表示装置31において、画素電極71、72の間隙Mに対応する遮光層20の反射防止膜20Bが除去され、かつ金蔵配線層20Aと画素電極71、72が同一材料で構成されたものであり、それ以外は同様である。
本発明の実施形態における液晶表示装置1の動作は、従来例と同様であるので、その説明を省略する。
【0015】
次に、反射型液晶表示装置1の製造方法について図2〜図6を用いて説明する。
(第1工程)
予め、図2に示すように、層間絶縁層61中にスイッチングトランジスタTr、コンデンサCs及び層間絶縁層61上に遮光層20が形成されたN型Si基板4を用意する。
この際、遮光層20のAl配線層20Aは、0.5%のCuを含むAlからなり、その厚さは1.0μmである。また、反射防止膜20Bは、厚さ0.05μmのTiNからなる。
【0016】
図3に示すように、遮光層20及び層間絶縁層61上に図示しないフォトレジストパターンを形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により遮光層20の反射防止膜20Bのみをエッチング除去して、遮光層20に溝部Nを形成する。
この際、前記したエッチングは、CF4にO2を添加したガスを主成分とするプラズマイオンエッチングにより行う。
この後、前記図示しないフォトレジストパターンを除去する。
【0017】
(第2工程)
次に、図4に示すように、遮光層20及び層間絶縁層61上にプラズマCVD法によりシリコン酸化膜(SiO2)を積層した後、CMP(ケミカル・メカニカル・ポリッシング)を行って、この表面を平坦化し、層間絶縁層62を形成する。ここで、層間絶縁層61と62とで前記した層間絶縁層6を構成する。
なお、層間絶縁層61、62は同じ材料で形成されるので、層間絶縁層61、62は連続している。
【0018】
(第3工程)
次に、図5に示すように、層間絶縁層6の溝部N以外の遮光層20の部分にフォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、導通孔23を形成する。
【0019】
(第4工程)
次に、図6に示すように、導通孔23から露出した遮光層20及び層間絶縁層6上に金属であるタングステンを積層し、CPMを行って層間絶縁層6が露出するまで研磨を行って導通孔23に金属層24を埋め込む。
更に、金属層24及び層間絶縁層6上にAlをスパッタリングした後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、所定の間隙Mを有した画素電極71、72を形成する。
このようにして作製されたものが駆動部2である。
【0020】
(第5工程)
次に、画素電極71、72及び画素電極71、72の間隙Mから露出した層間絶縁層6上に配向膜30を形成する一方、共通電極27を有する透明基板28を用意し、この共通電極27上に配向膜30を形成する。
そして、配向膜30、30同士を対向させて、所定の間隙を有して透明基板28と駆動部2とを貼り合わせた後、この所定の間隙に液晶層29を封入して図1に示す反射型液晶表示装置1を作製する。
【0021】
このように本発明の実施形態によれば、遮光層20は、画素電極71、72の間隙Mに対応する部分の反射防止膜20Bを除去して、Al配線層20Aを露出させた構成を有し、かつこのAl配線層20Aは、画素電極71、72と同じ材料のAlからなるので、反射率が一定で高輝度な反射型表示装置1を得ることができる。
【0022】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体基板に形成されたスイッチングトランジスタと、遮光層を介して前記スイッチングトランジスタに接続された画素電極と、を順次積層した画素からなり、前記画素が平面的にマトリクス状に複数形成され、更に前記画素電極上方に所定の間隙を有し、前記画素電極に対向配置して貼り合せた透明な共通電極を有する透明基板と、前記所定の間隙に封入された液晶層と、からなる反射型液晶表示装置において、前記遮光層は、金属配線層上に反射防止膜を形成したものからなり、かつ互いに隣接する前記画素電極に跨って形成され、前記画素電極の間隙に対応する部分の前記反射防止膜が除去され、露出した前記金属配線層が前記画素電極と同一材料で構成されているので、透明基板側から入射する光を一定の反射率で反射させる高輝度な反射型液晶表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態における反射型液晶表示装置を示す断面図である。
【図2】反射型液晶表示装置の製造方法における(第1工程)におけるN型Si基板を示す断面図である。
【図3】反射型液晶表示装置の製造方法における(第1工程)における溝部を示した様子を示す断面図である。
【図4】反射型液晶表示装置の製造方法における(第2工程)を示す断面図である。
【図5】反射型液晶表示装置の製造方法における(第3工程)を示す断面図である。
【図6】反射型液晶表示装置の製造方法における(第4工程)を示す断面図である。
【図7】従来の反射型液晶表示装置の回路ブロック図である。
【図8】従来の反射型液晶表示装置の断面構造を示す図である。
【符号の説明】
1…反射型液晶表示装置、2…駆動部、3…液晶表示部、4…N型Si基板(半導体基板)、5…ウェル領域、6…層間絶縁層、71、72…画素電極、8…酸化分離膜、9…ソース、10…ゲート、11…ドレイン、12、14、21、23、25…導通孔、13、15、22、24、26…金属層、16…ドレイン引き出し電極、17…コンデンサ上部電極、18…コンデンサ下部電極、19…容量絶縁膜、20…遮光層、20A…Al配線層(金属配線層)、20B…反射防止膜、27…共通電極、28…透明基板、29…液晶層、30…配向膜、Tr…スイッチングトランジスタ、Cs…コンデンサ、M…間隙、N…溝部
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶等を用いた反射型液晶表示装置に係わり、特に反射率向上に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、大画面映像表示用の表示装置として以下に示すような液晶表示装置が知られている。
図7は、従来の反射型液晶表示装置の回路ブロック図である。図8は、従来の反射型液晶表示装置の断面構造を示す図である。
図7及び図8に示すように、従来の反射型液晶表示装置31は、N型Si基板4上に複数の信号線D1,D2,D3…(以下、総称して信号線Dという。)が並行して配置され、これら各信号線D1,D2,D3…と直交する方向に複数の走査線G1,G2,G3…(以下、総称して走査線Gという。)が配置されている。
【0003】
複数の信号線Dと複数の走査線Gの交差部には、スイッチングトランジスタTr、コンデンサCs等を含んだ表示画素PXがマトリクス状に形成されている。そして、水平アドレス回路32は、複数の信号線Dに接続され、垂直アドレス回路33は、複数の走査線Gに接続されている。
【0004】
ここで、表示画素PXの断面構造について更に図8を用いて詳細に説明する。図8中には、表示画素PXとして2表示分の表示画素PX1、PX2が表示されている。
各表示画素PX1、PX2は、駆動部2と液晶表示部3とからなる。
駆動部2は、N型Si基板4上に形成された共通なPウェル領域5表面近傍に形成されたスイッチングトランジスタTr及びコンデンサCsと、これらの上に形成された層間絶縁層6と、パターン化されたAlからなる画素電極71、72とが順次積層されてなる。スイッチングトランジスタTrとコンデンサCs間には酸化分離膜8が形成されている。
【0005】
層間絶縁層6中には、スイッチングトランジスタTrのソース9が導通孔12に埋め込まれた金属層13を介して、信号線Dに接続され、更にゲート10は、走査線Gに接続されている。ドレイン11上には、導通孔14に埋め込まれた金属層15が形成され、更にこの金属層15に接続したドレイン引出し電極16が形成されている。そして、ドレイン引出し電極16は、コンデンサCsのコンデンサ上部電極17に接続されている。
【0006】
更に、ドレイン引出し電極16と画素電極71、72との間にあって、画素電極71、72に平行して、表示画素PX1、PX2の画素電極71、72間から侵入する光がスイッチングトランジスタTrに到達しないように互いにリンS熱する画素電極71、72間に跨って遮光層20が形成されている。
ドレイン引出し電極16上には、導通孔21に埋め込まれた金属層22が形成され、この金属層22を介して、ドレイン引出し電極16は、遮光層20に接続されている。そして、遮光層20上には、導通孔23に埋め込まれた金属層24が形成され、この遮光層20は、画素電極71、72に接続されている。
遮光層20は、Al配線層20AとこのAl配線層20A上に形成された反射防止膜20Bからなる。反射防止膜20Bの材料としては、例えばTiNである。
【0007】
コンデンサCsは、Pウェル領域5表面近傍にソース9或いはドレイン11と同時に拡散によって形成されたコンデンサ下部電極18と、このコンデンサ下部電極18上に順次形成された容量絶縁膜19と、コンデンサ上部電極17とで構成されている。
また、コンデンサ下部電極18は、導通孔34に埋め込まれた金属層35を介して、直流電圧を印加する金属配線36に接続されている。コンデンサ上部電極17は、導通孔25に埋め込まれた金属層26を介してドレイン引き出し電極16に接続されている。この際、コンデンサ下部電極18上に導通孔34に埋め込まれた金属層35を形成するスペースを必要とするために、コンデンサ上部電極17の大きさは、コンデンサ下部電極18よりも小さくなっている。
【0008】
液晶表示部3は、画素電極71、72及び画素電極71、72から露出した層間絶縁層6上に、所定の間隙を有して画素電極71、72と対向配置された透明な共通電極27を有する透明基板28と、前記した所定の間隙に封入された液晶層29と、からなる。更に、互いに対向する側の画素電極71、72と共通電極27には、配向膜30、30が形成されている。
【0009】
次に、その動作について説明する。
水平アドレス回路32から1水平期間のビデオ信号を順次信号線D1,D2,D3…にサンプリングする。
次に、垂直アドレス回路33から走査線G1,G2,G3…に対して1水平期間毎に順次選択パルスを出力する。
【0010】
その結果、走査線G1,G2,G3…に接続されたスイッチングトランジスタTrが1行ずつ順次オンとなり、信号線D1,D2,D3…にサンプリングされたビデオ信号が対向する画素のコンデンサCsに蓄積保持される。このコンデンサCsに蓄積された電荷による保持電圧により、各画素PX1,PX2では、画素電極71,72と共通電極27間の電圧が液晶層29に印加される。透明基板28側から入射する入射光が、それに応じて液晶層29で光変調された後、画素電極71、72で反射され、透明基板28側から出射し、拡大投影されて画像が表示される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、透明基板28側から入射する光のうち、画素電極71、72間の間隙Mから侵入する入射光は、画素電極71、72の反射率よりも低い遮光層20の反射防止膜20B上で反射されるため、反射率の低下を生じるので、高輝度の反射型液晶表示装置を得ることができなかった。
この問題を解消するために、画素電極71、72間の間隙Mの間隔を狭くすることが考えられるが、狭くしすぎると、画素電極71、72のショートを生じるといった問題を生じしまう。
【0012】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて成されたものであり、透明基板側から入射する光を一定の反射率で反射させる高輝度な反射型液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体基板に形成されたスイッチングトランジスタと、遮光層を介して前記スイッチングトランジスタに接続された画素電極と、を順次積層した画素からなり、前記画素が平面的にマトリクス状に複数形成され、更に前記画素電極上方に所定の間隙を有し、前記画素電極に対向配置して貼り合せた透明な共通電極を有する透明基板と、前記所定の間隙に封入された液晶層と、からなる反射型液晶表示装置において、前記遮光層は、金属配線層上に反射防止膜を形成したものからなり、かつ互いに隣接する前記画素電極に跨って形成され、前記画素電極の間隙に対応する部分の前記反射防止膜が除去され、露出した前記金属配線層が前記画素電極と同一材料で構成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置を提供する。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態における反射型液晶表示装置について図1を用いて説明する。
図1は、本発明の実施形態における反射型液晶表示装置を示す断面図である。
従来例と同一構成には同一符号を付し、その説明を省略する。
図1に示すように、本発明の実施形態の反射型液晶表示装置1は、従来の液晶表示装置31において、画素電極71、72の間隙Mに対応する遮光層20の反射防止膜20Bが除去され、かつ金蔵配線層20Aと画素電極71、72が同一材料で構成されたものであり、それ以外は同様である。
本発明の実施形態における液晶表示装置1の動作は、従来例と同様であるので、その説明を省略する。
【0015】
次に、反射型液晶表示装置1の製造方法について図2〜図6を用いて説明する。
(第1工程)
予め、図2に示すように、層間絶縁層61中にスイッチングトランジスタTr、コンデンサCs及び層間絶縁層61上に遮光層20が形成されたN型Si基板4を用意する。
この際、遮光層20のAl配線層20Aは、0.5%のCuを含むAlからなり、その厚さは1.0μmである。また、反射防止膜20Bは、厚さ0.05μmのTiNからなる。
【0016】
図3に示すように、遮光層20及び層間絶縁層61上に図示しないフォトレジストパターンを形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により遮光層20の反射防止膜20Bのみをエッチング除去して、遮光層20に溝部Nを形成する。
この際、前記したエッチングは、CF4にO2を添加したガスを主成分とするプラズマイオンエッチングにより行う。
この後、前記図示しないフォトレジストパターンを除去する。
【0017】
(第2工程)
次に、図4に示すように、遮光層20及び層間絶縁層61上にプラズマCVD法によりシリコン酸化膜(SiO2)を積層した後、CMP(ケミカル・メカニカル・ポリッシング)を行って、この表面を平坦化し、層間絶縁層62を形成する。ここで、層間絶縁層61と62とで前記した層間絶縁層6を構成する。
なお、層間絶縁層61、62は同じ材料で形成されるので、層間絶縁層61、62は連続している。
【0018】
(第3工程)
次に、図5に示すように、層間絶縁層6の溝部N以外の遮光層20の部分にフォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、導通孔23を形成する。
【0019】
(第4工程)
次に、図6に示すように、導通孔23から露出した遮光層20及び層間絶縁層6上に金属であるタングステンを積層し、CPMを行って層間絶縁層6が露出するまで研磨を行って導通孔23に金属層24を埋め込む。
更に、金属層24及び層間絶縁層6上にAlをスパッタリングした後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、所定の間隙Mを有した画素電極71、72を形成する。
このようにして作製されたものが駆動部2である。
【0020】
(第5工程)
次に、画素電極71、72及び画素電極71、72の間隙Mから露出した層間絶縁層6上に配向膜30を形成する一方、共通電極27を有する透明基板28を用意し、この共通電極27上に配向膜30を形成する。
そして、配向膜30、30同士を対向させて、所定の間隙を有して透明基板28と駆動部2とを貼り合わせた後、この所定の間隙に液晶層29を封入して図1に示す反射型液晶表示装置1を作製する。
【0021】
このように本発明の実施形態によれば、遮光層20は、画素電極71、72の間隙Mに対応する部分の反射防止膜20Bを除去して、Al配線層20Aを露出させた構成を有し、かつこのAl配線層20Aは、画素電極71、72と同じ材料のAlからなるので、反射率が一定で高輝度な反射型表示装置1を得ることができる。
【0022】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体基板に形成されたスイッチングトランジスタと、遮光層を介して前記スイッチングトランジスタに接続された画素電極と、を順次積層した画素からなり、前記画素が平面的にマトリクス状に複数形成され、更に前記画素電極上方に所定の間隙を有し、前記画素電極に対向配置して貼り合せた透明な共通電極を有する透明基板と、前記所定の間隙に封入された液晶層と、からなる反射型液晶表示装置において、前記遮光層は、金属配線層上に反射防止膜を形成したものからなり、かつ互いに隣接する前記画素電極に跨って形成され、前記画素電極の間隙に対応する部分の前記反射防止膜が除去され、露出した前記金属配線層が前記画素電極と同一材料で構成されているので、透明基板側から入射する光を一定の反射率で反射させる高輝度な反射型液晶表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態における反射型液晶表示装置を示す断面図である。
【図2】反射型液晶表示装置の製造方法における(第1工程)におけるN型Si基板を示す断面図である。
【図3】反射型液晶表示装置の製造方法における(第1工程)における溝部を示した様子を示す断面図である。
【図4】反射型液晶表示装置の製造方法における(第2工程)を示す断面図である。
【図5】反射型液晶表示装置の製造方法における(第3工程)を示す断面図である。
【図6】反射型液晶表示装置の製造方法における(第4工程)を示す断面図である。
【図7】従来の反射型液晶表示装置の回路ブロック図である。
【図8】従来の反射型液晶表示装置の断面構造を示す図である。
【符号の説明】
1…反射型液晶表示装置、2…駆動部、3…液晶表示部、4…N型Si基板(半導体基板)、5…ウェル領域、6…層間絶縁層、71、72…画素電極、8…酸化分離膜、9…ソース、10…ゲート、11…ドレイン、12、14、21、23、25…導通孔、13、15、22、24、26…金属層、16…ドレイン引き出し電極、17…コンデンサ上部電極、18…コンデンサ下部電極、19…容量絶縁膜、20…遮光層、20A…Al配線層(金属配線層)、20B…反射防止膜、27…共通電極、28…透明基板、29…液晶層、30…配向膜、Tr…スイッチングトランジスタ、Cs…コンデンサ、M…間隙、N…溝部
Claims (1)
- 半導体基板に形成されたスイッチングトランジスタと、遮光層を介して前記スイッチングトランジスタに接続された画素電極と、を順次積層した画素からなり、前記画素が平面的にマトリクス状に複数形成され、更に前記画素電極上方に所定の間隙を有し、前記画素電極に対向配置して貼り合せた透明な共通電極を有する透明基板と、前記所定の間隙に封入された液晶層と、からなる反射型液晶表示装置において、
前記遮光層は、金属配線層上に反射防止膜を形成したものからなり、かつ互いに隣接する前記画素電極に跨って形成され、前記画素電極の間隙に対応する部分の前記反射防止膜が除去され、露出した前記金属配線層が前記画素電極と同一材料で構成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置。
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JP2002160128A JP2004004337A (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | 反射型液晶表示装置 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7864272B2 (en) | 2007-11-14 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for a reflection type liquid crystal display apparatus, reflection type liquid crystal display apparatus using the same, and liquid crystal projector apparatus using the same |
JP2012203107A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Jvc Kenwood Corp | 液晶表示素子及びその製造方法 |
CN106605169A (zh) * | 2014-09-05 | 2017-04-26 | 凸版印刷株式会社 | 液晶显示装置以及显示装置用基板 |
CN111755626A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-10-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
-
2002
- 2002-05-31 JP JP2002160128A patent/JP2004004337A/ja active Pending
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