JP2006030528A - 無端状ベルト搬送体および画像形成装置 - Google Patents

無端状ベルト搬送体および画像形成装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006030528A
JP2006030528A JP2004208396A JP2004208396A JP2006030528A JP 2006030528 A JP2006030528 A JP 2006030528A JP 2004208396 A JP2004208396 A JP 2004208396A JP 2004208396 A JP2004208396 A JP 2004208396A JP 2006030528 A JP2006030528 A JP 2006030528A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
endless belt
image forming
toner image
belt carrier
forming apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004208396A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiaki Ito
道明 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Data Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Data Corp filed Critical Oki Data Corp
Priority to JP2004208396A priority Critical patent/JP2006030528A/ja
Priority to EP05106359A priority patent/EP1617300B1/en
Priority to DE602005011073T priority patent/DE602005011073D1/de
Priority to US11/180,358 priority patent/US7356296B2/en
Priority to CN2005100874923A priority patent/CN1722022B/zh
Publication of JP2006030528A publication Critical patent/JP2006030528A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/01Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for producing multicoloured copies
    • G03G15/0105Details of unit
    • G03G15/0131Details of unit for transferring a pattern to a second base
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/14Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for transferring a pattern to a second base
    • G03G15/16Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for transferring a pattern to a second base of a toner pattern, e.g. a powder pattern, e.g. magnetic transfer
    • G03G15/1665Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for transferring a pattern to a second base of a toner pattern, e.g. a powder pattern, e.g. magnetic transfer by introducing the second base in the nip formed by the recording member and at least one transfer member, e.g. in combination with bias or heat
    • G03G15/167Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for transferring a pattern to a second base of a toner pattern, e.g. a powder pattern, e.g. magnetic transfer by introducing the second base in the nip formed by the recording member and at least one transfer member, e.g. in combination with bias or heat at least one of the recording member or the transfer member being rotatable during the transfer
    • G03G15/1685Structure, details of the transfer member, e.g. chemical composition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L21/28568Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System the conductive layers comprising transition metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
    • H01L21/76849Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric the layer being positioned on top of the main fill metal
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76853Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
    • H01L21/76855After-treatment introducing at least one additional element into the layer
    • H01L21/76856After-treatment introducing at least one additional element into the layer by treatment in plasmas or gaseous environments, e.g. nitriding a refractory metal liner
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45Ohmic electrodes
    • H01L29/456Ohmic electrodes on silicon
    • H01L29/458Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66757Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G2215/00Apparatus for electrophotographic processes
    • G03G2215/01Apparatus for electrophotographic processes for producing multicoloured copies
    • G03G2215/0103Plural electrographic recording members
    • G03G2215/0119Linear arrangement adjacent plural transfer points
    • G03G2215/0138Linear arrangement adjacent plural transfer points primary transfer to a recording medium carried by a transport belt
    • G03G2215/0141Linear arrangement adjacent plural transfer points primary transfer to a recording medium carried by a transport belt the linear arrangement being horizontal
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G2215/00Apparatus for electrophotographic processes
    • G03G2215/16Transferring device, details
    • G03G2215/1604Main transfer electrode
    • G03G2215/1623Transfer belt

Abstract

【課題】温度や湿度が変化して使用環境条件が変化しても、均一で良好な転写性能を維持し、高画質を得る。
【解決手段】画像形成装置は、記録媒体をトナー像形成手段7に搬送してトナー像形成手段7により形成されたトナー像を上記記録媒体に転写させる無端状ベルト搬送体1を備える。上記無端状ベルト搬送体は、500[V]を印加して10秒後の表面抵抗率をρ[Ω/□]とし、250[V]を印加して10秒後の体積抵抗率をρ[Ω・cm]としたとき、0.3≦(logρ−logρ)≦1.3を満たす。
【選択図】 図1

Description

本発明は、記録媒体をトナー像形成手段に搬送する無端状ベルト搬送体を備え、電子写真方式により上記録媒体上に画像を形成するプリンタ,複写機,ファクシミリ等の画像形成装置に関するものである。
従来の無端状ベルト搬送体を備えた画像形成装置(例えば、特許文献1参照)において、印刷媒体への電圧印加は、無端状ベルト搬送体を介して行われるため、無端状ベルト搬送体の電気特性が問題となる。よって、高品質の画像を得るために、無端状ベルト搬送体の表面抵抗値は、所定の範囲に設定されていた。
特開平9−297472号公報
しかしながら、上記従来の無端状ベルト搬送体では、その表面抵抗値が常温常湿下で単に所定の範囲に設定されるだけなので、温度や湿度が変化して使用環境条件が変化したときに、表面抵抗値が変化して、均一な転写性能を維持できず、そのため高画質を得るには満足できるものではなかった。
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、温度や湿度が変化して使用環境条件が変化しても、均一で良好な転写性能を維持し、高画質を得ることを目的とするするものである。
本発明の無端状ベルト搬送体は、
記録媒体を画像形成装置のトナー像形成手段に搬送して上記トナー像形成手段により形成されたトナー像を上記記録媒体に転写させる無端状ベルト搬送体において、
500[V]を印加して10秒後の表面抵抗率をρ[Ω/□]とし、250[V]を印加して10秒後の体積抵抗率をρ[Ω・cm]としたとき、
0.3≦(logρ−logρ)≦1.3
を満たす
ことを特徴とする。
本発明によれば、無端状ベルト搬送体の表面抵抗率ρと体積抵抗率をρが条件0.3≦(logρ−logρ)≦1.3を満たすようにすることにより、温度や湿度が変化して使用環境条件が変化しても、均一で良好な転写性能を維持し、高画質を得ることができるという効果がある。
実施の形態1
図1は本発明の実施の形態1の画像形成装置の側面図である。また、図2は図1の画像形成装置においての無端状ベルト搬送装置の斜視図であり、図1と同じものには同じ符号を付してある。
図1の画像形成装置は、図2の無端状ベルト搬送装置と、4台のトナー像形成手段7と、印刷媒体供給部17と、印刷媒体整列部18と、定着部19とを備えている。また、図2の無端状ベルト搬送装置は、無端状ベルト搬送体1と、ドライブローラ2と、ベルトフレーム3と、テンションローラ4と、4つの転写ローラ8とを備えている。
無端状ベルト搬送体1は、ベルトフレーム3に回転自在に支持されたドライブローラ2およびテンションローラ4により張架されている。テンションローラ4は、図示せぬ付勢部材により無端状ベルト搬送体1に張力を与えるように付勢されている。ベルトフレーム3には、それぞれ図示せぬ付勢部材により付勢された4つの転写ローラ8が回転自在に支持されている。それぞれの転写ローラ8に対向する位置には、トナー像形成手段7がそれぞれ配置されている。
トナー像形成手段7は、無端状ベルト搬送体1に沿って4台が配列されている。それぞれのトナー像形成手段7は、円筒状の感光体5と、この感光体5の表面をほぼ一様に帯電する帯電装置6と、感光体に画像情報に対応した像光を照射して潜像を形成する露光装置9と、潜像をトナーの付着により可視化する現像装置11と、転写後の感光体表面を清掃するクリーニング装置12とを備えている。
印刷媒体供給部17から供給された印刷媒体は、印刷媒体整列部18により搬送方向に整列された後、無端状ベルト搬送装置まで搬送され、無端状ベルト搬送装置の無端状ベルト搬送体1により矢印A方向に搬送され、4台のトナー像形成手段7をそれぞれ通過する。4台のトナー像形成手段7のそれぞれの感光体5上に形成されたトナー像は、順次、転写ローラ8の付勢力と印加された静電気力とにより印刷媒体上に重ね合わせて転写される。さらに、トナー像が転写された印刷媒体は、無端状ベルト搬送体1により定着部19に送られ、定着部19で圧力と熱を加えられてトナー像が定着され、排出される。
この実施の形態1の画像形成装置は、無端状ベルト搬送装置の無端状ベルト搬送体の表面抵抗率および体積抵抗率が、以下に説明する所定の条件を満たすことを特徴するものである。
以下に、実施の形態1の無端状ベルト搬送体の特徴を導くための実験について説明する。まず、この実験においては、円形電極を用い、JIS規格K6911に準じ、500[V]を印加して10秒後の表面抵抗率ρ[Ω/□]、および250[V]を印加して10秒後の体積抵抗率ρ[Ω・cm]を測定し、下記(1)式のxを求める。
x=logρ−logρ…(1)
ただし、logは常用対数である。本願において、上記(1)式のx(=logρ−logρ)を「階差」と称する。
図3は無端状ベルト搬送体の表面抵抗率ρの測定方法を説明する図であり、図4は無端状ベルト搬送体の体積抵抗率ρの測定方法を説明する図である。これらの図3,図4において、(a)は上面図であり、(b)は側面図である。図3,図4において、表面抵抗率ρおよび体積抵抗率ρを測定する円形電極は、無端状ベルト搬送体の試料22の表面側に配置される円盤型の電極21および円環型の電極23、ならびに無端状ベルト搬送体の試料22の裏面側に配置される平板型の電極24によって構成される。
表面抵抗率ρを測定するときは、図3に示すように、試料表面側の電極21および23を表面電極として用い、試料裏面側の電極24をガード電極として用いて、表面電極21,23間に500[V]を印加して10秒後の表面抵抗率を測定する。また、体積抵抗率ρを測定するときは、図4に示すように、試料表面側の電極21を表面電極として用い、試料表面側の電極23をガード電極として用い、試料裏面側の電極24を裏面電極として用いて、表面電極21,裏面電極24間に250[V]を印加して10秒後の体積抵抗率を測定する。
無端状ベルト搬送体の材料(主材料、母材)として、耐久性や機械的特性の良好なポリアミドイミドを使用し、導電性の発現のために含有させる材料として、カーボンブラックを使用して、遠心成形により、この実験に使用する無端状ベルト搬送体を、膜厚100[μm]、口径φ=226[mm]の寸法に成形する。従って、この実験に使用する無端状ベルト搬送体は、単層構造からなる。
無端状ベルト搬送体の階差xは、ポリアミドイミドに対するカーボンブラックの含有量を変えることにより、変えることができる。カーボンブラックの含有量を増加させると、表面抵抗率ρよりも体積抵抗率ρの変化の方が大きくなるため、階差xの異なる無端状ベルト搬送体を作成することができる。この実験に使用する無端状ベルト搬送体として、カーボンブラックの含有量を変えて、階差xが0.1,0.3,0.6,0.8,1.3,1.5の6種類のものを用意した。
そして、このような階差x=0.1,0.3,0.6,0.8,1.3,1.5の6種類の無端状ベルト搬送体を用いて、階差xに対する印刷の転写性能を調べた。
上記転写性能を調べるにあたり、印刷媒体としては、再生率100[%]のA4版媒体と、OHP用A4版媒体とを用いた。これは以下の理由による。再生率100[%]の印刷媒体は、吸湿、乾燥しやすく、媒体としての抵抗が環境により左右されやすく、均一な転写性を維持することが難しい。一方、OHP印刷媒体は、表面抵抗が極めて大きく、その抵抗に湿度依存性があり、均一な転写性能を維持することが難しい。上記2点の印刷媒体を用いて良好な転写性能が得られるような無端状ベルト搬送体は、普通紙に画像形成した場合は極めて良好な転写性能が得られる。
また、使用環境としては、温度10[℃]/湿度20[%],温度23[℃]/湿度50[%],温度28[℃]/湿度85[%]の3種類の環境下を、代表的な環境条件として選択した。
また、印字パターンとしては、濃度50[%]のいわゆるハーフトーンと、濃度100[%]のいわゆるベタを使用した。これは、以下の理由による。ハーフトーンは感光体上の単位面積当りのトナー密度が小さいため、比較的小さい電圧で転写をすることが可能である。一方、ベタは、感光体上に密度最大限にトナーが担持されるため、転写には比較的大きい電圧が必要となる。現実の印刷時には、記録媒体1枚の中に様々なパターンが混在しているため、無端状ベルト搬送体の性能は、この両方の印字パターンを鮮明に転写することが要求される。
図5は無端状ベルト搬送体の階差xと転写性能の関係を表す図であり、(a)は代表的な環境条件下で再生率100[%]の印刷媒体を用いてハーフトーン印刷をした場合、(b)は代表的な環境条件下で再生率100[%]の印刷媒体を用いてベタ印刷をした場合、(c)は代表的な環境条件下でOHP印刷媒体を用いてハーフトーン印刷をした場合、(d)は代表的な環境条件下でOHP印刷媒体を用いてベタ印刷をした場合である。
図5において、「○」,「△」,「×」の記号は転写性能の度合いを示す記号であり、以下のようにして判定を行った。ハーフトーン印刷では面積率50[%]のパターンを、ベタ印刷では面積率100[%]のパターンを、感光体5に露光し、現像装置11で感光体5表面にトナーを付着させ、印刷媒体上のトナー像を転写させることを10回繰り返し、印刷媒体上に転写されたトナー像に画像欠陥があるか否かを目視により判定した。「○」は転写性能が良好であることを表し、チリ状のガサツキ、カスレ、または白抜け等の画像欠陥がみられなかったことを示す。「△」は転写性能がやや劣ることを表し、1回の転写トナー像に1箇所画像欠陥が出現したものが1回以上みられたことを示す。「×」は転写性能が劣ることを表し、1回の転写トナー像に2箇所以上画像欠陥が出現したものがみられたことを示す。ここで、1回の転写トナー像に2箇所以上画像欠陥が出現すると、転写されたトナー画像における欠陥部およびその周辺の濃度の低下が著しく、文字を含む一般的な印刷画像でも視認性が損なわれる。
階差x(=logρ−logρ)が大きいと、低温低湿下において、放電により印刷媒体上のトナーが飛散することによる、チリ状のガサツキ、カスレといった画像欠陥が生じてしまう。図5において、階差x=1.5の無端状ベルト搬送体はこれに相当する。一方、階差xが小さいと、同様に、低温低湿下において、放電により印刷媒体上のトナーが飛散することによる、チリ状のガサツキ、カスレといった画像欠陥が生じ、高温高湿下においては、転写電流のリーク現象による白抜けといった画像欠陥が生じてしまう。図5において、階差x=0.1の無端状ベルト搬送体はこれに相当する。
図5において、階差xが0.3≦x≦1.3の無端状ベルト搬送体では、温度10[℃]/湿度20[%],温度23[℃]/湿度50[%],温度28[℃]/湿度85[%]の全ての環境下において、再生率100[%]の印刷媒体を用いたハーフトーン印刷およびベタ印刷、ならびにOHP印刷媒体を用いたハーフトーン印刷およびベタ印刷の全てについて、均一で良好な転写性能が得られている。
そこで、この実施の形態1の無端状ベルト搬送体は、その階差xが、
0.3≦x(=logρ−logρ)≦1.3…(2)
を満たすことを特徴とするものである。
以上のように実施の形態1によれば、無端状ベルト搬送体の階差xを0.3≦x≦1.3とすることにより、温度や湿度が変化して使用環境条件が変化しても、均一で良好な転写性能を維持し、高画質を得ることができる。
なお、本発明の無端状ベルト搬送体の材料は、上記実施の形態1で使用したポリアミドイミドに限定されるわけではなく、耐久性や機械的特性の観点から、無端状ベルト搬送体の駆動時の張力による変形が一定範囲である材料が望ましく、例えば、上記実施の形態1で使用したポリアミドイミドと同様に、ヤング率が200[MPa]以上であるポリイミド,ポリカーボネート,ポリアミド等の樹脂が好適で、これらを用いても構わない。
また、導電性発現のための材料としても、金属酸化物、導電ポリマー、イオン導電剤等を、単独、若しくは組み合わせて使用しても構わない。
実施の形態2
本発明の実施の形態2の画像形成装置の構成および動作は、上記実施の形態1の画像形成装置(図1参照)と同様であり、実施の形態2の画像形成装置においての無端状ベルト搬送装置の構成および動作は、上記実施の形態1の画像形成装置においての無端状ベルト搬送装置(図2)と同様である。
上記実施の形態1の無端状ベルト搬送体は、その階差xが上記(2)式の条件を満たすことを特徴とするものであったが、この実施の形態2の無端状ベルト搬送体は、上記(2)式の条件を満たす無端状ベルト搬送体の内、導電性発現のための材料として、ナノカーボンを含有することを特徴とするものである。
上記ナノカーボンは、直径70[nm]から160[nm]ほどで、長さ15[μm]から20[μm]ほどのファイバー状のもので、ナノファイバーとも言い、いわゆるカーボンファイバーといわゆるカーボンナノチューブの間くらいの直径を有するものである。この実施の形態2では、例えば直径80[nm]から150[nm]のナノカーボンを使用する。
以下に、実施の形態2の無端状ベルト搬送体の効果を裏付けする実験について説明する。まず、実施の形態2の無端状ベルト搬送体として、階差x=0.6の無端状ベルト搬送体Aと、階差x=0.8の無端状ベルト搬送体Bを用意した。また、比較例として、階差x=0.6の無端状ベルト搬送体aを用意した。
なお、これらの無端状ベルト搬送体A,B,aの階差xを求めるにあたり、500[V]印加での10秒後の表面抵抗率ρについては図3の測定方法により、250[V]印加での10秒後の体積抵抗率ρについては図4の測定方法により、それぞれJIS規格K6911に従って上記実施の形態1と同様に測定した。
実施の形態2の無端状ベルト搬送体A,Bの材料(主材料、母材)には、耐久性や機械的特性の良好なポリイミドを使用し、導電性発現のために含有させる材料には、直径80[nm]で、長さ20[μm]のナノカーボンを使用して、図6に示す合せ成形金型により、金型を回転させずに、図7に示す成形方法を用いて、膜厚100[μm]、口径φ=226[mm]の寸法に成形した。
図6の合せ成形金型は、円筒型の外側金型31と円柱型の内側金型33とによって構成されている。図6(a)は外側金型31の上面図、図6(b)は外側金型31の側面図、図6(b)は内側金型33の側面図であり、図7は外側金型31および内側金型33の側面図である。図6(b)に示すように、無体状ベルト搬送体材料32(上記ポリイミドの溶融体または上記ポリイミドの原料を溶かした液体等)を外側金型31の円筒中空部に注入し、さらにその円筒中空部に円柱型の内側金型33を挿入し、外側金型31および内側金型33を回転させずに、外側金型31の円筒中空部の内側面と内側金型33の円柱側面の間に充填された無体状ベルト搬送体材料32を、冷却または加熱等により、無体状ベルト搬送体に成形する。従って、実施の形態2の無端状ベルト搬送体A,Bは、いずれも単層構造からなる。
一方、比較例の無端状ベルト搬送体aは、導電性発現のために含有させる材料として窒化珪素を用いた他は、実施の形態2の無端状ベルト搬送体A,Bと同じポリイミドを母材に使用して、実施の形態2の無端状ベルト搬送体A,Bと同様に成形される。
そして、このような実施の形態2の無端状ベルト搬送体A,Bおよび比較例の無端状ベルト搬送体aについて、印刷枚数に対する無端状ベルト搬送体の表面温度特性を調べた。
上記表面温度特性を調べるにあたり、印刷媒体としては、再生率100[%]のA4版媒体を用い、印字パターンとしては、濃度50[%]のいわゆるハーフトーンを使用し、温度28[℃]/湿度85[%]の環境下を選択した。
図8は温度28[℃]/湿度85[%]の環境下で再生率100[%]の印刷媒体にハーフトーンの印刷をしたときの無端状ベルト搬送体の表面温度と印刷枚数の関係を表す図である。
図8から判るように、実施の形態2の無端状ベルト搬送体A(ナノカーボンを含有した階差x=0.6の無端状ベルト搬送体)およびB(ナノカーボンを含有した階差x=0.8の無端状ベルト搬送体)は、印刷枚数を重ねても、無端状ベルト搬送体表面の温度上昇が小さい。一方、比較例の無端状ベルト搬送体a(窒化珪素を含有した階差x=0.6の無端状ベルト搬送体)は、印刷枚数を重ねるにつれ、無端状ベルト搬送体表面の温度が、実施の形態2の無端状ベルト搬送体A,Bに比較して大きく上昇している。これは、実施の形態2の無端状ベルト搬送体A,Bに含有されているナノカーボンの温度放射特性(放熱特性)が非常に良いことに起因している。
画像形成装置が置かれる温湿度環境により、および主に定着部19からの発熱により、画像形成装置内の温度は、一般に高い状態にある。このため、無端状ベルト搬送体1の表面温度が上昇することは、以下の不具合を引き起こす。1つ目は、無端状ベルト搬送体1の表面の温度が、感光体5に伝わり、その近傍にある部品への熱膨張、熱劣化等の、機能阻害を引き起こしやすく、その結果、ガサツキ、カスレといった画像欠陥が生じてしまう。2つ目は、上記現象を低減するために温度上昇を抑えるべく、無端状ベルト搬送体1の表面温度が所定の温度まで上昇すると、その表面温度が他の所定の温度に低下するまで、印刷を一時停止する方法があるが、このような方法で大量に印刷する場合、印刷を一時停止している時間が発生するので、それだけ印刷終了までに時間がかかり、使用上望ましくない。
この実施の形態2では、無端状ベルト搬送体の導電性発現のために含有させる材料として、放熱特性に優れたナノカーボンを使用することにより、上記のような不具合を解消できる。
以上のように実施の形態2によれば、無端状ベルト搬送体の階差xを0.3≦x≦1.3とするとともに、導電性発現のための材料としてナノカーボンを含有させることにより、無端状ベルト搬送体の表面温度上昇が抑えられ、温度や湿度が変化して、使用環境条件が変化したり、連続で印刷しても、転写性を維持し、高画質を得、かつ早く印刷物を得ることができる。
なお、上記実施の形態では、本発明を電子写真プリンタの無端状ベルト搬送体に適用した例を説明したが、本発明の無端状ベルト搬送体を、電子写真方式により記録媒体上に画像を形成する複写機やファクシミリ等の画像形成装置に適用することも可能である。
本発明の実施の形態1の画像形成装置の側面図である。 図1の画像形成装置においての無端状ベルト搬送装置の斜視図である。 無端状ベルト搬送体の表面抵抗率の測定方法を説明する図である。 無端状ベルト搬送体の体積抵抗率の測定方法を説明する図である。 無端状ベルト搬送体の階差xと転写性能の関係を表す図である。 本発明の実施の形態2の無端状ベルト搬送体を成形する合せ成形金型の構成図である。 本発明の実施の形態2の無端状ベルト搬送体の成形方法を説明する図であるである。 温度28[℃]/湿度85[%]の環境下で再生率100[%]の印刷媒体にハーフトーンの印刷をしたときの無端状ベルト搬送体の表面温度と印刷枚数の関係を表す図である。
符号の説明
1 無端状ベルト搬送体
2 ドライブローラ
3 ベルトフレーム
4 テンションローラ
5 感光体
6 帯電装置
7 トナー像形成手段
8 転写ローラ
9 露光装置
17 印刷媒体供給部
18 印刷媒体整列部
19 定着部

Claims (9)

  1. 記録媒体を画像形成装置のトナー像形成手段に搬送して上記トナー像形成手段により形成されたトナー像を上記記録媒体に転写させる無端状ベルト搬送体において、
    500[V]を印加して10秒後の表面抵抗率をρ[Ω/□]とし、250[V]を印加して10秒後の体積抵抗率をρ[Ω・cm]としたとき、
    0.3≦(logρ−logρ)≦1.3
    を満たす
    ことを特徴とする無端状ベルト搬送体。
  2. 単層構造からなることを特徴とする請求項1に記載の無端状ベルト搬送体。
  3. ヤング率200[MPa]以上の材料を母材とすることを特徴とする請求項1または2に記載の無端状ベルト搬送体。
  4. ポリアミドイミドを母材とすることを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の無端状ベルト搬送体。
  5. ポリイミドを母材とすることを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の無端状ベルト搬送体。
  6. ナノカーボンを含有することを特徴とする請求項1から5に記載の無端状ベルト搬送体。
  7. 遠心成形を用いて成形されたことを特徴とする請求項1から6に記載の無端状ベルト搬送体。
  8. 合せ金型を用いて成形したことを特徴とする請求項1から6に記載の無端状ベルト搬送体。
  9. 記録媒体をトナー像形成手段に搬送して上記トナー像形成手段により形成されたトナー像を上記記録媒体に転写させる無端状ベルト搬送体を備えた画像形成装置において、
    上記無端状ベルト搬送体が、請求項1から8までのいずれかに記載の無端状ベルト搬送体であることを特徴とする画像形成装置。
JP2004208396A 2004-07-15 2004-07-15 無端状ベルト搬送体および画像形成装置 Pending JP2006030528A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004208396A JP2006030528A (ja) 2004-07-15 2004-07-15 無端状ベルト搬送体および画像形成装置
EP05106359A EP1617300B1 (en) 2004-07-15 2005-07-12 Endless belt type transferring apparatus and image forming apparatus
DE602005011073T DE602005011073D1 (de) 2004-07-15 2005-07-12 Übertragungsvorrichtung mit endlosem Band und Bilderzeugungsgerät
US11/180,358 US7356296B2 (en) 2004-07-15 2005-07-13 Endless belt type transferring apparatus and image forming apparatus
CN2005100874923A CN1722022B (zh) 2004-07-15 2005-07-15 环形带传输装置以及图像形成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004208396A JP2006030528A (ja) 2004-07-15 2004-07-15 無端状ベルト搬送体および画像形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006030528A true JP2006030528A (ja) 2006-02-02

Family

ID=35094642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004208396A Pending JP2006030528A (ja) 2004-07-15 2004-07-15 無端状ベルト搬送体および画像形成装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7356296B2 (ja)
EP (1) EP1617300B1 (ja)
JP (1) JP2006030528A (ja)
CN (1) CN1722022B (ja)
DE (1) DE602005011073D1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5095133B2 (ja) * 2006-06-06 2012-12-12 株式会社リコー 転写装置の製造方法
US7851111B2 (en) 2006-07-31 2010-12-14 Xerox Corporation Imaging belt with nanotube backing layer, and image forming devices including the same
US7738820B2 (en) * 2008-04-09 2010-06-15 Xerox Corporation HSD wires using fibrous carbon nanomaterial yarns
US20090263166A1 (en) * 2008-04-18 2009-10-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Image forming apparatus
JP5142037B2 (ja) * 2008-07-24 2013-02-13 株式会社リコー ベルト部材、転写装置及び画像形成装置
JP2012173607A (ja) * 2011-02-23 2012-09-10 Fuji Xerox Co Ltd 画像形成装置
JP5927523B2 (ja) 2011-11-29 2016-06-01 株式会社Joled 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3409578B2 (ja) 1996-05-08 2003-05-26 カシオ電子工業株式会社 転写搬送ベルトの抵抗特性安定化方法、転写搬送ベルトの生産方法、及び画像形成装置の生産方法
US5930573A (en) * 1997-10-06 1999-07-27 Ricoh Company, Ltd. Image forming apparatus and image transferring device thereof having conveying member with selected surface resistivity
US5922440A (en) * 1998-01-08 1999-07-13 Xerox Corporation Polyimide and doped metal oxide intermediate transfer components
JP2000187403A (ja) * 1998-12-21 2000-07-04 Nitto Denko Corp 半導電性ベルト
US6336026B1 (en) * 1999-08-17 2002-01-01 Xerox Corporation Stabilized fluorosilicone transfer members
JP4806845B2 (ja) * 2000-01-07 2011-11-02 富士ゼロックス株式会社 半導電性ベルト、半導電性ロール、および画像形成装置
JP2003076155A (ja) * 2001-09-04 2003-03-14 Canon Inc 画像形成装置、中間転写ユニット及び記録材搬送ユニット
JP2003255640A (ja) * 2002-02-27 2003-09-10 Fuji Xerox Co Ltd ポリイミド樹脂無端ベルト、及びその製造方法
DE10246333B4 (de) 2002-10-04 2008-06-19 Neoperl Gmbh Strahlregler
EP1650609B1 (en) * 2003-07-25 2013-09-18 Mitsubishi Chemical Corporation Endless belt for image forming devices and image forming device

Also Published As

Publication number Publication date
CN1722022B (zh) 2011-03-16
EP1617300B1 (en) 2008-11-19
CN1722022A (zh) 2006-01-18
US20060210323A9 (en) 2006-09-21
EP1617300A3 (en) 2006-07-19
US20050249525A1 (en) 2005-11-10
DE602005011073D1 (de) 2009-01-02
EP1617300A2 (en) 2006-01-18
US7356296B2 (en) 2008-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11258834A (ja) 融解装置用フィルム
JP2010217598A (ja) 画像形成ユニット及び画像形成装置
US9715192B2 (en) Semiconductive roller, method for manufacturing the same and image forming apparatus
US7356296B2 (en) Endless belt type transferring apparatus and image forming apparatus
JP2004151260A (ja) 画像形成方法および画像形成装置
JP2004310064A (ja) ローラー部材及び画像形成装置
US8506277B2 (en) Cylindrical core for manufacturing endless belt-shaped body, and method for manufacturing endless belt-shaped body
US6219522B1 (en) Fuser and image forming apparatus
JP4911986B2 (ja) 無端状ベルト、ベルト装置及び画像形成装置
JP4627251B2 (ja) 画像形成装置
JP2007033494A (ja) 画像形成装置
JP4508562B2 (ja) 転写部材、及びこれを用いた画像形成装置
JP4517796B2 (ja) 画像形成装置及び定着装置
US20110033200A1 (en) Belt cleaning apparatus and image forming apparatus
JP2010151969A (ja) 電子写真用部材、無端ベルト、定着装置及び画像形成装置
JP2000122435A (ja) 画像形成装置
JP3880459B2 (ja) 画像形成装置
JP3943976B2 (ja) ベルト状転写部材、ベルト状転写部材の製造方法、画像形成装置及び中間転写ベルト−潜像担持体一体型カートリッジ
JPH11327322A (ja) 画像形成装置
JP7175742B2 (ja) 中間転写ベルト及び画像形成装置
JP2000172106A (ja) 定着装置及びこれを用いた画像形成装置
JP2021135327A (ja) 転写ユニットおよび画像形成装置
JP5297698B2 (ja) 一次転写ローラ
JP2006337640A (ja) カラー画像形成装置
JP2020067579A (ja) 清掃部材、清掃部材の製造方法、及び画像形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090827

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090901

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091027

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091117