JP2006010778A - 回折格子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】1.埋込型回折格子の製造方法において、(1)基板表面にレジスト層を形成する工程、(2)レジスト層に回折格子パターン原型を形成する工程、(3)基板表層部に、回折格子パターン原型に対応する溝部を形成する工程、(4)基板表層部に形成された溝部に基板と屈折率が異なる材料の薄膜を埋込む工程、および(5)レジスト層を除去することにより、基板表層部に基板と屈折率が異なる材料の薄膜からなる回折格子パターンを形成する工程を備えた方法。2.埋込型回折格子の製造方法において、前記1.における(1),(2),(3),(4),(5)の各工程に加え、さらに(6)基板表面に回折格子パターン保護層を形成する工程を備えた方法。
【選択図】図1
Description
1.埋込型回折格子の製造方法において、
1.基板表面にレジスト層を形成する工程、
2.レジスト層に回折格子パターン原型を形成する工程、
3.基板表層部に、回折格子パターン原型に対応する溝部を形成する工程、
4.基板表層部に形成された溝部に、基板と屈折率が異なる材料の薄膜を埋め込む工程、および
5.レジスト層を除去することにより、基板表層部に基板と屈折率が異なる材料の薄膜からなる回折格子パターンを形成する工程
を備えたことを特徴とする方法。
2.埋込型回折格子の製造方法において、
1.基板表面にレジスト層を形成する工程、
2.レジスト層に回折格子パターン原型を形成する工程、
3.基板表層部に、回折格子パターン原型に対応する溝部を形成する工程、
4.基板表層部に形成された溝部に、基板と屈折率が異なる材料の薄膜を埋め込む工程、
5.レジスト層を除去することにより、基板表層部に基板と屈折率が異なる材料の薄膜からなる回折格子パターンを形成する工程、および
6.基板表面に回折格子パターン保護層を形成する工程
を備えたことを特徴とする方法。
3.レジスト層が、フォトレジスト層または電子ビームレジスト層である上記項1または2に記載の方法。
4.電子ビーム照射により、電子ビームレジスト層に対する回折格子パターン原型の形成
を行う上記項3に記載の方法。
5.光照射により、フォトレジスト層に対する回折格子パターン原型の形成を行う上記項3に記載の方法。
6.レジスト層の除去を湿式法により行う上記項1〜5のいずれかに記載の方法。
7.基板が、シリコン、石英またはガラスからなる上記項1〜6のいずれかに記載の方法。
8.基板が、シリコン、石英またはガラスからなり、その表面にガラス薄膜を有する上記項7に記載の方法。
9.基板が、シリコンからなり、その表面にシリコン熱酸化層を有する上記項7に記載の方法。
10.基板と屈折率が異なる埋込薄膜材料が、SiN、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3およびSiO2からなる群から選ばれた少なくとも1種である上記項1〜9のいずれかに記載の方法。
*第1の実施態様
図1は、本発明の第1の実施態様による回折格子の作成過程を示す模式な断面図である。
も1種を含むガラス薄膜を堆積させることができる。或いは基板材料としてシリコンを使用する場合には、表面を熱酸化させることにより、SiO2薄膜を形成しても良い。
ス(例えば、“パイレックス(登録商標)ガラス”として市販されている)からなる基板は、ドライエッチングによる微細加工が非常に難しいが、その表面に同じ屈折率を有するGeO2とSiO2からなるガラス薄膜を堆積させる場合には、微細加工を容易に行うことができる。
プを適宜選択して、使用することができる。これらのレジストは、市販品として入手可能であり、より具体的には、ポジタイプとしては、クラリアント(株)製の“AZ1500”、“
AZ6100”;東京応化工業(株)製の“THMR-iP3650”;日本ゼオン(株)製の“ZEP-520”などが例示される。また、ネガタイプとしては、東京応化工業(株)製の“OMR-83”;化薬マイクロケム(株)製の“SU-8”;シプレイ(株)製の“SAL600”などが例示される。
、0.2〜0.8程度であることがより好ましい。両材料の屈折率の差が小さい場合には、溝部4の深さ(すなわち、薄膜5の厚さ)を大きくすることにより、良好な回折効率を達成することができる。
方法の中では、薄膜堆積中のレジストへのダメージが小さく、かつ基板温度200℃以下で
薄膜堆積が可能である蒸着法およびスパッタ法がより好ましい。
除去することにより、所定の埋込型の回折格子が得られる。レジスト除去剤としては、アセトン、アルコール類、或いは市販のレジスト組成に対応してメーカーが推奨する専用除去剤などが使用できる。
より、さらに、機械的強度を改善する、防汚性を高める、洗浄が可能となるなどの効果を達成することができる。この様な保護層形成材料としては、基板或いは基板表面の薄膜と同一材料を使用しても良く、或いは異なる材料を使用しても良い。
*第2の実施態様
図2は、本発明の第2の実施態様による回折格子の作成過程を示す模式な断面図である。
去することにより、所定の埋込型の回折格子を得る手法も、第1の実施態様と同様とすればよい(図2−(d))。
[実施例1]
図1に示す手法により、本発明による回折格子を作製した。なお、図1には、下記実施例2で形成するSiO2薄膜6(保護層)を併せて表示してある。
(1)熱酸化により、シリコン基板1上に厚さ2000nmのSiO2薄膜2を形成した後、市販の電
子ビームレジスト(日本ゼオン(株)製、“ZEP-520”)を用いて、スピンコート法により
厚さ400nmの電子ビームレジスト層3を塗布した。
(2)次いで、レジスト層3に電子ビームを直接照射した後、市販の現像液(日本ゼオン(株)製、“ZEP-RD”)を用いて、レジスト層の感光部分を除去することにより、周期550nmの回折格子パターン原型を形成した。
(3)回折格子パターン原型を形成した試料を、C3F8ガスを用いて、反応性ドライエッチン
グを行うことにより、SiO2薄膜2に深さ40nmの溝部乃至凹部4を形成した。
(4)次いで、溝部4形成後の試料上に厚さ40nmのSiN薄膜5をスパッタにて堆積した。SiN
薄膜5の堆積は、シリコン製ターゲットをアルゴンガスでスパッタリングし、窒素ガスと反応させる「反応性DCスパッタ法」により、行った。
(5)次いで、レジスト除去剤にて電子ビームレジスト層3とその上のSiN薄膜5とを除去して、実施例1による回折格子を作製した。
[実施例2]
実施例1の(a)〜(e)と同様の過程を経て、図1に示す回折格子を作製した後、得られた回折格子の表面に保護膜として、厚さ500nmのSiO2薄膜6をプラズマCVD法により形成することにより、実施例2による内部埋込型の回折格子を得た。
[実施例3]
図2に示す手法により、回折格子を作製した。なお、図2には、下記実施例4で形成するSiO2薄膜15(保護層)を併せて表示してある。
(1)市販のフォトレジスト(東京応化工業(株)製、“THMR-iP3650”)を用いて、スピンコート法により、石英基板11の表面に厚さ1000nmのフォトレジスト層12を塗布した。
(2)He-Cdレーザ光(波長325nm)を用いた干渉露光により、フォトレジスト層12に周期500nmの回折格子パターンを形成した。
(3)回折格子パターンを形成した試料を実施例1と同様の手法によりドライエッチングし
て、石英基板11に深さ100nmの溝を形成した。
(4)溝を形成した試料上に、Si3N4製ターゲットを用いたRFスパッタ法により、厚さ100nm
のSiN薄膜14を堆積した。
(5)最後に、アセトンにより、フォトレジスト層12とその表面上のSiN薄膜14を除去して、回折格子を作製した。
[実施例4]
実施例3の(1)〜(5)と同様の過程を経て、図2に示す回折格子を作製した後、実施例1と同様のプラズマCVD法により、回折格子の表面に保護膜として、厚さ5μmのSiO2薄膜15
を形成して、内部埋込型の回折格子を得た。
2…薄膜
3…レジスト層
4…溝
5…埋込材料(薄膜)
6…保護層(薄膜)
11…基板
12…レジスト層
13…溝
14…埋込材料(薄膜)
15…保護層(薄膜)
Claims (10)
- 埋込型回折格子の製造方法において、
(1)基板表面にレジスト層を形成する工程、
(2)レジスト層に回折格子パターン原型を形成する工程、
(3)基板表層部に、回折格子パターン原型に対応する溝部を形成する工程、
(4)基板表層部に形成された溝部に、基板と屈折率が異なる材料の薄膜を埋め込む工程、
および
(5)レジスト層を除去することにより、基板表層部に基板と屈折率が異なる材料の薄膜か
らなる回折格子パターンを形成する工程
を備えたことを特徴とする方法。 - 埋込型回折格子の製造方法において、
(1)基板表面にレジスト層を形成する工程、
(2)レジスト層に回折格子パターン原型を形成する工程、
(3)基板表層部に、回折格子パターン原型に対応する溝部を形成する工程、
(4)基板表層部に形成された溝部に、基板と屈折率が異なる材料の薄膜を埋め込む工程、
(5)レジスト層を除去することにより、基板表層部に基板と屈折率が異なる材料の薄膜か
らなる回折格子パターンを形成する工程、および
(6)基板表面に回折格子パターン保護層を形成する工程
を備えたことを特徴とする方法。 - レジスト層が、フォトレジスト層または電子ビームレジスト層である請求項1または2に記載の方法。
- 電子ビーム照射により、電子ビームレジスト層に対する回折格子パターン原型の形成を行う請求項3に記載の方法。
- 光照射により、フォトレジスト層に対する回折格子パターン原型の形成を行う請求項3に記載の方法。
- レジスト層の除去を湿式法により行う請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 基板が、シリコン、石英またはガラスからなる請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- 基板が、シリコン、石英またはガラスからなり、その表面にガラス薄膜を有する請求項7に記載の方法。
- 基板が、シリコンからなり、その表面にシリコン熱酸化層を有する請求項7に記載の方法。
- 基板と屈折率が異なる埋込薄膜材料が、SiN、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3およびSiO2からなる群から選ばれた少なくとも1種である請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
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2004
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