JP2005527953A - 紫外線反射層を具える蛍光ランプ - Google Patents

紫外線反射層を具える蛍光ランプ Download PDF

Info

Publication number
JP2005527953A
JP2005527953A JP2004508379A JP2004508379A JP2005527953A JP 2005527953 A JP2005527953 A JP 2005527953A JP 2004508379 A JP2004508379 A JP 2004508379A JP 2004508379 A JP2004508379 A JP 2004508379A JP 2005527953 A JP2005527953 A JP 2005527953A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ultraviolet
reflective layer
ultraviolet reflective
layer
fluorescent lamp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004508379A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4500162B2 (ja
Inventor
ユステル トマス
メイヤー ワルター
レインダー ロンダ コルネリス
ディルク ヒルデンブランド フォルカー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of JP2005527953A publication Critical patent/JP2005527953A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4500162B2 publication Critical patent/JP4500162B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence

Landscapes

  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

紫外線反射層と蛍光ランプとを提供する。蛍光ランプは、内面を具えるエンベロープと、このエンベロープ内の紫外線放射発生手段と、紫外線が衝突すると可視光を発生する発光材料からなる発光層と、この発光層とエンベロープの内面との間に配置されている前記紫外線反射層とを具えている。前記紫外線反射層は、金属リン酸塩及び金属ホウ酸塩の双方又はいずれか一方であって、金属がSc,Y,La,Gd,Lu又はAl或いはこれら金属の任意の組合せから選択されている。この紫外線反射層に用いるリン酸塩又はホウ酸塩には、任意ではあるが、Tb3+及びDy3+の付活剤の双方又はいずれか一方をドープし、紫外線放射を可視光に変換する量子収量を更に向上させることができる。

Description

本発明は、紫外線反射層及び蛍光ランプに関するものであり、蛍光ランプは、内面を有するエンベロープと、蛍光ランプのこのエンベロープ内の紫外線放射発生手段と、紫外線が衝突すると可視光を発生する発光材料からなる発光層とを有しており、前記紫外線反射層は、この発光層と蛍光ランプのエンベロープの前記内面との間に配置されており、この紫外線反射層は、金属リン酸塩及び金属ホウ酸塩の双方又はいずれか一方を有し、金属はスカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム、ルテチウム及びアルミニウムから選択されているか或いはこれら金属の任意の組合せとしてある。
蛍光ランプ、即ち「低圧水銀蒸気放電ランプ」は、通常、水銀及び希ガスからなる充填剤を具えるエンベロープを有しており、ランプの点灯中このエンベロープ内にガス放電が維持される。不都合なことに、水銀ガス放電により放出される放射はほとんどが紫外線領域内にあり、最も強い輝線は254nm(放射の85%)及び185nm(放射の12%)にある。紫外線放射は、ランプのエンベロープの内面に被覆した層中にある発光材料により可視光に変換する必要がある。発光材料のこの被膜は、主として蛍光体の混合物であり、紫外線放射が衝突すると可視光を放出する。
水銀ガス放電の紫外線は、ランプエンベロープのガラスにより吸収されてしまうため、発光材料の層を充分な厚さにして紫外線の透過を回避する或いはそれを穏当な程度に抑える必要がある。さもなくば、蛍光ランプの効率が可能な値よりも低くなるおそれがある。代表的には、蛍光ランプ内に用いられる発光材料の被膜重量は、1.8mg/cm2 (被覆率60%)〜3.0mg/cm 2(被覆率100%)である。
発光材料の被膜重量は、ランプの製造費用に大きな影響を与えるため、この被膜重量を低減させることが必要とされ続けている。発光材料の粒子寸法を小さくすることによりこの問題を解決しようという試みがなされているが、この手法は量子収量が減少するため多くの場合限定的にしか行うことができない。
蛍光体層の下に紫外線反射層を設けるという他の試みもなされている。この紫外線反射層により、発光層を通過した紫外線放射が反射されて、紫外線反射層から蛍光体層中に戻される。この紫外線反射層により蛍光体層の被膜重量を低減させることができる。
米国特許第5,602,444号明細書には、ガラスエンベロープと蛍光体層との間に、ガンマアルミナ及びアルファアルミナの混合物からなる紫外線反射バリヤ層を有する蛍光ランプが開示されている。
米国特許第5,552,665号明細書には、主要な結晶の寸法が約0.5μmより小さいガンマアルミナを主成分として形成した紫外線反射バリヤ層を具える蛍光ランプが開示されている。
しかし、アルミナを用いた場合には幾つかの欠点が生ずる。まず、アルミナのバンドギャップは7.0eV(180nm)しかないため、アルミナは185nmにおいて既にかなり高い吸収を呈し、このことによりランプ効率を減少させてしまう。次に、アルミナ粒子からなる層はしばしば機械的可撓性が低いものとなる。コンパクトな蛍光ランプ(CFL)の製造においては、高い機械的安定性が要求される。その理由は、ランプエンベロープを紫外線反射層及び発光層により被覆した後に、CFLランプの代表的な形態を得るために、ランプのガラスを、比較的高温で例えば曲げ加工処理する必要があるためである。紫外線反射層の機械的安定性が充分でなければ、紫外線反射層は、その上に設けられている上部蛍光体層とともに、上記の更なる処理工程の間にはがれ落ちてしまう。
従って、容易に処理することができ且つ高い機械的可撓性及び安定性を呈する、蛍光ランプ中の紫外線反射層用の高効率材料が必要とされている。
本発明の他の目的は、反射層としての主たる機能に加えて、紫外線放射を一部吸収することにより得られる少量のエネルギーを発光により再放出しうるようにしてランプの全体的な効率を向上させる紫外線反射層を提供することにある。
上述した目的は、特許請求の範囲の独立項に記載した蛍光ランプにより達成される。
本発明の好適例は、特許請求の範囲の独立項の特徴に従属項に開示した特徴を組み合わせたものとして開示される。
本発明によれば、金属リン酸塩及び金属ホウ酸塩の双方又はいずれか一方であって、金属がSc,Y,La,Gd,Lu及びAlから選択されているか或いはこれら金属の任意の組合せとしてあるものを有する紫外線反射層を提供する。好ましくは、二元系のオルトリン酸塩MePO4 及び二元系のオルトホウ酸塩MeBO3 の双方又はいずれか一方からなり、その金属MeがSc,Y,La,Gd,Lu及びAlから選択されている紫外線反射層を提供する。
さらに、蛍光体ランプであって、この蛍光体ランプは、内面を有するエンベロープと、蛍光体ランプのこのエンベロープ内の紫外線放射発生手段と、紫外線が衝突すると可視光を発生する発光材料からなる発光層と、この発光層及び蛍光ランプのエンベロープの内面間に位置する紫外線反射層とを具える蛍光ランプにおいて、前記紫外線反射層が、金属リン酸塩及び金属ホウ酸塩の双方又はいずれか一方を有し、その金属がSc,Y,La,Gd,Lu及びAlから選択されているか或いはこれら金属の任意の組合せとしてあることを特徴とする蛍光ランプを提供する。
驚いたことに、本発明では、ある種類の希土類元素、特にランタニドの金属イオンのリン酸塩及びホウ酸塩が、主族元素Alのリン酸塩及びホウ酸塩と同様に、蛍光ランプの紫外線反射層として使用するのに特に適していることを確かめた。Sc,Y,La,Gd,Lu及びAlのような金属のリン酸塩及びホウ酸塩はバンドギャップが大きいため、紫外線領域では著しい量の吸収を呈さない。
加えて、本発明に用いるリン酸塩及びホウ酸塩は実質的に欠陥なく調整することができる。このことは極めて重要なことである。その理由は、欠陥がある場合には、バンドギャップより低いエネルギーにおいても、いわゆる「アーバックテイル(Urbach tail )」により生ずる著しい吸収が存在するおそれがあるためである。さらに、これらの材料は、約10〜300nmの粒子寸法のナノ粒子で調整することができるため、可視光領域よりも紫外線領域において著しく向上した散乱特性を呈する層を形成することができる。
蛍光ランプに使用しうる本発明の紫外線反射層は、それぞれMePO4 及びMeBO3 の形態の二元系のオルトリン酸塩及び二元系のオルトホウ酸塩の双方又はいずれか一方であって、金属がSc,Y,La,Gd,Lu及びAlから選択されているものから構成することができる。また、三元系のリン酸塩(Me11-x Me2x )PO4 及び三元系のホウ酸塩(Me11-x Me2x )BO3 の双方又はいずれか一方であって、金属Me1及びMe2がそれぞれ異なるようにSc,Y,La,Gd,Lu及びAlから選択されており、且つxが0〜1の間の任意の数(0<x<1)であるものも本発明に使用することができる。
これら材料のバンドギャップは、185nmにおいてごく僅かしか吸収を呈さず、特に254nmにおいては関連の吸収を全く示さない程度に充分に高い。
プラズマ放射を効率的に散乱させるのに最適な粒子寸法は、散乱させる必要がある光の波長と、媒質及び散乱性材料間の回折係数の差とに依存する。反射効率を最適化するためには、粒子寸法を、反射さすべき放射の波長より大きくする必要がある。例えば、LaPO4 及びYPO4 の回折係数はそれぞれ1.79及び1.77であり(これらの値はAl2 3 の回折係数(1.77)に極めて近い)、また、低波長側の185nmの水銀輝線を反射する必要があるため、紫外線反射層に対しては、少なくとも約185nm、好ましくは約200nmの粒子寸法の粒子を使用することができる。しかし、実際には、ある粒子寸法の分布範囲があり、通常は平均粒子寸法分布により特徴付けられている材料を使用する。従って、平均粒子寸法が185nmより小さい材料も使用することができる。本発明の蛍光ランプにおいては、平均粒子寸法が500nmより小さい、好ましくは50nm〜400nmの範囲内にある、最も好ましくは50nm〜300nmの範囲内にある粒子から紫外線反射層を形成する。他の適切な範囲の平均粒子寸法範囲としては、使用する金属リン酸塩及び金属ホウ酸塩の具体的な種類に応じて、例えば、50nm〜2000nm、好ましくは150nm〜1000nm、更に好ましくは170nm〜500nmを用いることができる。
散乱特性を向上させるために、2種の平均粒子寸法を有する材料の混合物から紫外線反射層を構成することもできる。この場合、第1の粒子は、10〜50nm、好ましくは10〜30nmの平均粒子寸法を有するものとし、第2の粒子は、100〜500nm、好ましくは100〜300nm、最も好ましくは100〜200nmの平均粒子寸法を有するものとする。
紫外線反射層は、通常、例えばランプのエンベロープの内面上に直接被覆し、被膜の重量は、0.05〜5mg/cm2 の範囲内、好ましくは0.15〜3mg/cm2 の範囲内、更に好ましくは0.3〜2mg/cm2 の範囲内、最も好ましくは0.5mg/cm2 とする。本発明によれば、被膜の重量を、0.1〜0.5mg/cm2 又は0.3〜0.8mg/cm2 とすることもできる。
紫外線反射層は、例えば、米国特許第5,552,665号明細書に開示されているような従来技術において既知のいかなる適切な方法によっても、基板、例えばランプのエンベロープ上に被覆することができる。殆どの場合、紫外線反射層は、使用する金属リン酸塩又は金属ホウ酸塩の水性懸濁液又は分散液により、例えばランプのエンベロープの内面上に被覆する。或いは又、酢酸ブチルのような有機溶剤又は有機溶剤と水との混合物による懸濁液又は分散液も必要に応じ用いることができる。紫外線反射層の最終的な特性を実質的に変化させることなく、安定剤、分散剤、界面活性剤、濃化剤、消泡剤、結合剤又は粉末調整剤などの通常の添加剤及び補助剤を添加することができる。一般的に用いられる懸濁液添加剤の例としては、セルロース誘導体、ポリメタクリル酸、ポリビニルアルコール又は酸化プロピレンがある。懸濁液又は分散液を被着した後で、ガラス管のような被覆処理を行った基板を加熱し、それにより溶剤及び補助剤を除去し紫外線反射層が残るようにする。その後、発光層を当該技術分野において既知の技術と同様な技術により被着することができる。
本発明による蛍光ランプの発光層は、紫外線放射が衝突すると可視光を発光する発光材料から構成する。発光性材料は、蛍光ランプの発光層に用いるのに適した、従来技術において既知のいかなる材料にもすることができる。一般的に、発光層用の発光材料は数パーセントの付活(活性化)剤をドープしたホスト格子材料から構成する。このホスト格子材料は、常に、酸化物、アルミン酸塩、リン酸塩、ホウ酸塩、硫酸塩、ゲルマニウム酸塩又は珪酸塩のような酸素含有無機材料とする。付活剤は金属イオン、しばしば、例えばEu2+,Tb3+,Dy3+,Ce3+,Pr3+のような希土類金属イオンとするが、Bi3+,Pb2+又はSb3+のような主族元素イオン、或いはMn2+又はMn4+のような遷移金属イオンとすることもできる。本発明の範囲内において、発光層は、以下の発光材料の1つ又はその混合物を含むのが好ましい。
Ca5 (PO4 )3 (F,Cl):Sb,Mn
BaMgAl1017:Eu,LaPO4 :Ce,Tb,Y23:Eu
BaMgAl1017:Eu,CeMgAl1119:Tb,Y23:Eu
BaMgAl1017:Eu,GdMgB5 10:Ce,Tb,Y23:Eu
BaMgAl1017:Eu,Mn,LaPO4 :Ce,Tb,Y23:Eu
BaMgAl1017:Eu,Mn,CeMgAl1119:Ce,Tb,Y23:Eu
BaMgAl1017:Eu,Mn,GdMgB510:Ce,Tb,Y23:Eu
(Ba,Sr,Ca)5 (PO4 )3 (F,Cl):Eu,LaPO4 :Ce,Tb,Y23:Eu
(Ba,Sr,Ca)5 (PO4 )3 (F,Cl):Eu,CeMgAl1119:Tb,Y23:Eu
(Ba,Sr,Ca)5 (PO4 )3 (F,Cl):Eu,GdMgB510:Ce,Tb,Y23:Eu
LaPO4 :Ce,Tb,Y23:Eu
CeMgAl1119:Tb,Y23:Eu
GdMgB510:Ce,Tb,Y23:Eu
BaSi2 5 :Pb
LaPO4 :Ce,BaSi2 5 :Pb
SrAl1219:Ce,BaSi2 5 :Pb
3 Al5 12:Ce
LaB3 6 :Gd,Bi
SrB4 7 :Eu
(Y,Gd)PO4 :Ce
Mg4 GeO5 ,F:Mn
これらの発光材料は、約0.5〜10nmの平均粒子寸法のものを使用することができる。発光層の発光材料が、低圧蒸気放電により放出される紫外線放射を吸収してこれを可視光に変換する。光の色及び強度は、主として、使用する発光材料に依存する。
ランプのエンベロープ上の発光層の最適な厚さは、約5〜50μmであるが、20μmの厚さにするのがよい。発光層の厚さは、紫外線放射を満足に吸収するのに充分な厚さにする必要がある一方で、発光層の内側にある粒子により発生する可視放射を多く透過するのに充分な薄さにする必要がある。
本発明による蛍光ランプにおいては、発光層を紫外線反射層上に被覆するに際し、その被膜重量を、約0.5〜5.0mg/cm2 の範囲内、好ましくは1.0〜3.5mg/cm2 の範囲内、最も好ましくは1.5〜3.0mg/cm2 の範囲内の重量にする。
本発明による紫外線反射層のバンドギャップは、例えば、LaPO4 及びGdPO4 のバンドギャップがそれぞれ8.2eV及び8.3eVであるように大きなものであるが、特に185nmのHg輝線からの紫外線エネルギーが少量だけ紫外線反射層の材料により吸収される。任意ではあるが、ランプの全体的な効率をさらに向上させるために、紫外線反射層のリン酸塩又はホウ酸塩材料を適切に付活することにより、この吸収された紫外線エネルギーの少なくとも一部を可視光に変換して放出するようにすることもできる。
本発明の特に好適な例では、紫外線反射層に更に付活剤を含有させ、これにより、紫外線反射層が、185nmの水銀輝線を一部吸収することにより受けたエネルギーを発光により再放出するようにする。付活剤は、254nmにおいて実質的にいかなる吸収も呈さないが、エネルギー伝達により185nmにおいて少なくともある量のエネルギーを吸収し、このエネルギーを発光により再放出する材料から選択する必要がある。本発明において紫外線反射層として使用する金属リン酸塩及び金属ホウ酸塩は、大きなバンドギャップを有するものの、185nmの領域において少量の吸収を呈する。この紫外線反射層を適切な付活剤により付活した際にこの紫外線反射層も発光しうるようにすることにより、付活剤によって上記の吸収されたエネルギーを利用して更なる可視光を発生させるようにすることができる。
本発明の他の観点によれば、この目的のための付活剤としてTb3+及びDy3+の双方又はいずれか一方が適していることを確かめた。その理由は、Tb3+及びDy3+の双方いずれか一方によりドープした金属リン酸塩及び金属ホウ酸塩は、185nmの水銀輝線から吸収されたエネルギーを再放出しうるが254nmの輝線によっては励起し得ないためである。この付活作用を利用して、本発明の紫外線反射層を具える蛍光ランプのエネルギー収量を更に向上させることができる。従って、任意ではあるが、本発明の紫外線反射層に用いる金属リン酸塩及び金属ホウ酸塩に、Tb3+及びDy3+付活剤の双方又はいずれか一方をドープし、紫外線放射を可視光に変換する量子収量を更に向上させることができる。
従って、本発明の好適例における紫外線反射層及び蛍光ランプの双方又はいずれか一方は、MePO4 :Tb、MeBO3 :Tb、(Me11-x Me2x )PO4 又は(Me11-x Me2x )BO3 或いはこれらの任意の組合せであって、Me、Me1及びMe2をそれぞれ異なるようにSc,Y,La,Gd,Lu及びAlから選択し、且つxを0<x<1とした粒子からなる紫外線反射層を有する。
本発明の蛍光ランプは、従来技術の他の任意の蛍光ランプと類似の製造方法により且つ同様の素子及び部材を用いてこの従来技術の蛍光ランプのように構成することができる。代表的には、蛍光ランプは、図1に示すように細長状のガラス管(1)、即ち管状断面を具える光透過性のランプエンベロープを有する。このガラス管の内面には、Sc,Y,La,Gd,Lu又はAlの金属リン酸塩又は金属ホウ酸塩を有する紫外線反射層(2)が被覆されている。この反射層(2)上には、発光材料から形成した発光層(3)が配置されている。ランプは両端部においてハーメチック封止されており、ランプのエンベロープ内には紫外線放射発生手段が設けられている。この紫外線放射発生手段は、ガラス管内側の放電維持充填ガス(4)、代表的には、低圧でのアルゴンのような不活性ガスを少量の水銀と組み合わせたものにより得られる。さらに、放電を発生するための一対の電極構造体(図示せず)がランプ内に設けられている。
図2は、本発明による紫外線反射層のための材料の2つの例の紫外線領域における反射率を、従来用いられていた材料であるAl2 3 の反射率と比較して示すグラフである。本発明による紫外線反射層の材料であるLaPO4 及びYBO3 は双方とも、低圧Hg放射スペクトルの254nm輝線において事実上全反射を呈している。加えて、185nm輝線におけるLaPO4 及びYBO3 の反射率は、従来用いられていたAl2 3 の反射率と比較して約10〜20%高くなっている。つまり、本発明により紫外線反射層に用いる材料は、代表的な従来技術の材料と比較して反射特性の点で優れている。
本発明によるSc,Y,La,Gd,Lu又はAlの金属リン酸塩又は金属ホウ酸塩を、蛍光ランプの紫外線反射層の材料として用いることにより幾つかの重要な利点が得られる。
これらの材料は、可視光領域においても反射率が極めて高いため、良好な外観を有し、Al2 3 又はBaSO4 のような他の反射性材料に匹敵しうるものとなる。さらに、金属ホウ酸塩及び金属リン酸塩が水銀を消費する量は極めて少ないため、これらの材料により、例えば、時間の経過に従って光の放射量が次第に少なくなる等という問題が生じることはない。しかし、最も重要な利点は、これら金属ホウ酸塩及び金属リン酸塩は、融剤としても作用しうることより、高温の処理工程においてこれら材料がランプエンベロープのガラス表面に融着しうるため、紫外線反射層の機械的安定性及び可撓性が優れたものになることである。その理由は、本発明により使用する金属リン酸塩及び金属ホウ酸塩の融点が、ガラスの曲げ加工処理等におけるガラス軟化温度(約580℃)に近いためである。本発明の紫外線反射層は、少なくとも一部が溶融しガラス内に融解しうるため耐引掻き性があり、コンパクトな蛍光ランプ(CFL)を製造するのに利用されるような高温でのガラス曲げ加工の際に反射層がはがれ落ちる現象に対して著しく耐久性が向上したものとなる。これに対して、アルミナの融点は2000℃より高いため、ガラスの曲げ加工等の処理中にガラス表面に反射層が融着し得ない。さらに、小さい粒子寸法のアルミナは、ガラスの処理温度において焼結作用により結晶化する傾向があるため反射特性がさらに減少してしまう。
本発明を以下の実施例により更に説明するが、これらの実施例は説明のためにのみ用いられるものであり、上述した及び特許請求の範囲に記載した本発明の範囲にいかなる制限も加えるものではない。
実施例
1.蛍光ランプに紫外線反射層としてLaPO4 を設ける
蛍光ランプのエンベロープに代表的に利用される標準的な軟質ガラスからなるガラス管に、LaPO4 粒子の水性懸濁液を被覆する。被膜の重量は約0.5mg/cm2 に調整する。
このランプの反射特性は、254nmにおいて60%の反射率であることが分かった。また、600nmにおける反射率は20%に過ぎない。この結果は、通常のAl2 3 用いた場合に匹敵するものである。
2.蛍光ランプに紫外線反射層としてYBO3 を設ける
蛍光ランプのエンベロープに代表的に利用される標準的な軟質ガラスからなるガラス管に、YBO3 粒子の水性懸濁液を被覆する。被膜の重量は約1.0mg/cm2 に調整する。
このランプの反射特性は、254nmにおいて90%の反射率であることが分かった。さらに600nmにおける反射率は35%にすぎない。この結果は、通常のAl2 3 を用いた場合の結果に匹敵するものである。
図1は、本発明による蛍光ランプを示す断面図である。 図2は、本発明による紫外線反射層の材料の紫外線領域における反射率を、従来の紫外線反射層に使用されていた材料であるAl2 3 の反射率と比較して示すグラフである。

Claims (10)

  1. 紫外線反射層において、この紫外線反射層が金属リン酸塩及び金属ホウ酸塩の双方又はいずれか一方を有し、その金属がSc,Y,La,Gd,Lu及びAlから選択されているか或いはこれら金属の任意の組合せとしてあることを特徴とする紫外線反射層。
  2. 請求項1に記載の紫外線反射層において、
    この紫外線反射層が、二元系のオルトリン酸塩MePO4 及び二元系のオルトホウ酸塩MeBO3 の双方又はいずれか一方を有し、その金属MeがSc,Y,La,Gd,Lu及びAlから選択されていることを特徴とする紫外線反射層。
  3. 請求項1又は2に記載の紫外線反射層において、
    この紫外線反射層が、三元系のリン酸塩(Me11-x Me2x )PO4 及び三元系のホウ酸塩(Me11-x Me2x )BO3 の双方又はいずれか一方を有し、その金属Me1及びMe2がそれぞれ異なるようにSc,Y,La,Gd,Lu及びAlから選択されており、かつxが0<x<1であることを特徴とする紫外線反射層。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の紫外線反射層において、
    この紫外線反射層の粒子の平均粒子寸法が50nm〜400nmの範囲内にあることを特徴とする紫外線反射層。
  5. 請求項1〜4のいずれか一項に記載の紫外線反射層において、
    この紫外線反射層が、10nm〜50nmの範囲内の平均粒子寸法を有する粒子と、100nm〜300nmの範囲内の平均粒子寸法を有する粒子との混合物から構成されていることを特徴とする紫外線反射層。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の紫外線反射層において、
    この紫外線反射層が、さらに、185nmの水銀輝線の部分的な吸収により受けたエネルギーを発光により再放出するようにする付活剤を有していることを特徴とする紫外線反射層。
  7. 請求項6に記載の紫外線反射層において、
    前記付活剤がTb3+及びDy3+の双方又はいずれか一方であることを特徴とする紫外線反射層。
  8. 請求項1〜7のいずれか一項に記載の紫外線反射層において、
    この紫外線反射層が、MePO4 :Tb、MeBO3 :Tb、(Me11-x Me2x )PO4 :Tb又は(Me11-x Me2x )BO3 :Tb或いはこれらの任意の組合せより成る粒子を有し、そのMe、Me1及びMe2がそれぞれ異なるようにSc,Y,La,Gd,Lu及びAlから選択されており、かつxが0<x<1であることを特徴とする紫外線反射層。
  9. 内面を有するエンベロープと、このエンベロープ内の紫外線放射発生手段と、紫外線が衝突すると可視光を発生する発光材料からなる発光層と、この発光層と前記エンベロープの前記内面との間に配置した紫外線反射層とを具える蛍光ランプにおいて、
    この蛍光ランプが、請求項1〜8のいずれか一項に記載の紫外線反射層を有することを特徴とする蛍光ランプ。
  10. MePO4 、MeBO3 、(Me11-x Me2x )PO4 又は(Me11-x Me2x )BO3 或いはこれらの任意の組合せであって、Me、Me1及びMe2がそれぞれ異なるようにSc,Y,La,Gd,Lu及びAlから選択されており、かつxが0<x<1であるもの、並びにTbをドープしたこれらリン酸塩及びホウ酸塩の双方又はいずれか一方を蛍光水銀蒸気放電ランプ内に設けるのが好ましい紫外線反射層として使用する方法。
JP2004508379A 2002-05-29 2003-05-27 紫外線反射層を具える蛍光ランプ Expired - Fee Related JP4500162B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02011885 2002-05-29
PCT/IB2003/002020 WO2003100821A1 (en) 2002-05-29 2003-05-27 Fluorescent lamp with ultraviolet reflecting layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005527953A true JP2005527953A (ja) 2005-09-15
JP4500162B2 JP4500162B2 (ja) 2010-07-14

Family

ID=29558298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004508379A Expired - Fee Related JP4500162B2 (ja) 2002-05-29 2003-05-27 紫外線反射層を具える蛍光ランプ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7205710B2 (ja)
EP (1) EP1512167A1 (ja)
JP (1) JP4500162B2 (ja)
CN (1) CN1331187C (ja)
AU (1) AU2003232965A1 (ja)
WO (1) WO2003100821A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016177A (ja) * 2007-07-04 2009-01-22 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
WO2010117809A3 (en) * 2009-03-31 2011-01-13 Ultraviolet Sciences, Inc. Ultraviolet light treatment chamber
US9511344B2 (en) 2007-12-18 2016-12-06 Ultraviolet Sciences, Inc. Ultraviolet light treatment chamber
WO2019124078A1 (ja) * 2017-12-21 2019-06-27 三井金属鉱業株式会社 希土類リン酸塩粒子、それを用いた光散乱性向上方法、並びにそれを含む光散乱部材及び光学デバイス

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4190995B2 (ja) * 2003-09-19 2008-12-03 Necライティング株式会社 真空紫外光励起紫外蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP4272973B2 (ja) * 2003-11-13 2009-06-03 Necライティング株式会社 真空紫外光励起緑色蛍光体材料およびそれを用いた発光素子
WO2005116164A1 (en) * 2004-05-27 2005-12-08 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Low-pressure mercury vapor discharge lamp comprising uv-a phosphor
KR20060003164A (ko) * 2004-07-05 2006-01-10 삼성전자주식회사 평판형 형광램프
KR101256387B1 (ko) 2005-04-14 2013-04-25 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. Uvc 방사선을 발생시키는 장치
WO2006120613A2 (en) * 2005-05-11 2006-11-16 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Discharge lamp with a monolithic ceramic color converter
CN100399497C (zh) * 2005-09-21 2008-07-02 友达光电股份有限公司 荧光灯管及平面灯
FR2892113B1 (fr) * 2005-10-13 2007-12-14 Rhodia Recherches & Tech Borate de terre rare submicronique, son procede de preparation et son utilisation comme luminophore
EP1970423A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-17 LightTech Lámpatechnológia Kft. Fluorescent lamp for stimulating previtamin D3 production
KR101158962B1 (ko) * 2007-10-10 2012-06-21 우시오덴키 가부시키가이샤 엑시머 램프
JP4946773B2 (ja) * 2007-10-11 2012-06-06 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ
US7504053B1 (en) * 2008-04-11 2009-03-17 Deep Photonics Corporation Method and structure for nonlinear optics
DE102008054175A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-06 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Niederdruckentladungslampe
CN102576645A (zh) * 2009-09-17 2012-07-11 欧司朗股份有限公司 低压放电灯
WO2012146064A1 (zh) * 2011-04-27 2012-11-01 Mii Jenn-Wei 光学薄膜灯可见光涂布区出光结构的改善装置
US20140124703A1 (en) * 2012-09-02 2014-05-08 Global Tungsten and Powders Corporation BRIGHTNESS OF CE-TB CONTAINING PHOSPHOR AT REDUCED Tb WEIGHT PERCENTAGE
DE102016111534A1 (de) * 2016-06-23 2017-12-28 Ledvance Gmbh Niederdruckentlandungslampe
JP7313817B2 (ja) * 2018-12-17 2023-07-25 浜松ホトニクス株式会社 紫外発光蛍光体の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS508861B1 (ja) * 1970-12-15 1975-04-08
JPS6049553A (ja) * 1983-08-26 1985-03-18 Nec Home Electronics Ltd 螢光ランプ
JPS6127055A (ja) * 1984-07-17 1986-02-06 Nec Home Electronics Ltd 曲管形螢光ランプ
JP2002237277A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Okaya Electric Ind Co Ltd 放電管

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4042849A (en) * 1976-10-20 1977-08-16 Westinghouse Electric Corporation Discharge lamp with black light transmitting filter layer
JPS62197488A (ja) * 1986-02-25 1987-09-01 Mitsubishi Electric Corp 螢光体
US5552665A (en) * 1994-12-29 1996-09-03 Philips Electronics North America Corporation Electric lamp having an undercoat for increasing the light output of a luminescent layer
JP3508894B2 (ja) * 1995-02-28 2004-03-22 東芝ライテック株式会社 蛍光ランプ、脱臭装置、照明装置、建築構造体および移動体
US5602444A (en) * 1995-08-28 1997-02-11 General Electric Company Fluorescent lamp having ultraviolet reflecting layer
US6469322B1 (en) * 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6090310A (en) * 1999-01-12 2000-07-18 Council Of Scientific And Industrial Research Green emitting TB3+ activated borate phosphors used in low pressure mercury vapour lamps and a process for synthesizing the same
CN1105153C (zh) * 1999-11-30 2003-04-09 上海跃龙有色金属有限公司 一种红色荧光粉的制备方法
DE10026913A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-06 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS508861B1 (ja) * 1970-12-15 1975-04-08
JPS6049553A (ja) * 1983-08-26 1985-03-18 Nec Home Electronics Ltd 螢光ランプ
JPS6127055A (ja) * 1984-07-17 1986-02-06 Nec Home Electronics Ltd 曲管形螢光ランプ
JP2002237277A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Okaya Electric Ind Co Ltd 放電管

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9808544B2 (en) 2005-08-31 2017-11-07 Ultraviolet Sciences, Inc. Ultraviolet light treatment chamber
US11806434B2 (en) 2005-08-31 2023-11-07 Neo Tech Aqua Solutions, Inc. Ultraviolet light treatment chamber
US11000605B2 (en) 2005-08-31 2021-05-11 Neo Tech Aqua Solutions, Inc. Ultraviolet light treatment chamber
JP2009016177A (ja) * 2007-07-04 2009-01-22 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US9511344B2 (en) 2007-12-18 2016-12-06 Ultraviolet Sciences, Inc. Ultraviolet light treatment chamber
WO2010117809A3 (en) * 2009-03-31 2011-01-13 Ultraviolet Sciences, Inc. Ultraviolet light treatment chamber
JPWO2019124078A1 (ja) * 2017-12-21 2020-12-24 三井金属鉱業株式会社 希土類リン酸塩粒子、それを用いた光散乱性向上方法、並びにそれを含む光散乱部材及び光学デバイス
KR20200100050A (ko) * 2017-12-21 2020-08-25 미쓰이금속광업주식회사 희토류 인산염 입자, 그것을 사용한 광산란성 향상 방법, 그리고 그것을 포함하는 광산란 부재 및 광학 디바이스
JP7050814B2 (ja) 2017-12-21 2022-04-08 三井金属鉱業株式会社 希土類リン酸塩粒子、それを用いた光散乱性向上方法、並びにそれを含む光散乱部材及び光学デバイス
TWI787415B (zh) * 2017-12-21 2022-12-21 日商三井金屬鑛業股份有限公司 稀土類磷酸鹽粒子、使用其之光散射性提升方法、以及含有其之光散射構件及光學裝置
WO2019124078A1 (ja) * 2017-12-21 2019-06-27 三井金属鉱業株式会社 希土類リン酸塩粒子、それを用いた光散乱性向上方法、並びにそれを含む光散乱部材及び光学デバイス
KR102659182B1 (ko) * 2017-12-21 2024-04-22 미쓰이금속광업주식회사 희토류 인산염 입자, 그것을 사용한 광산란성 향상 방법, 그리고 그것을 포함하는 광산란 부재 및 광학 디바이스
US11970395B2 (en) 2017-12-21 2024-04-30 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Rare earth phosphate particles, method for improving light scattering using same, and light scattering member and optical device including same

Also Published As

Publication number Publication date
CN1331187C (zh) 2007-08-08
US7205710B2 (en) 2007-04-17
JP4500162B2 (ja) 2010-07-14
EP1512167A1 (en) 2005-03-09
WO2003100821A1 (en) 2003-12-04
AU2003232965A1 (en) 2003-12-12
US20050242702A1 (en) 2005-11-03
CN1656595A (zh) 2005-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4500162B2 (ja) 紫外線反射層を具える蛍光ランプ
CN1319112C (zh) 具有荧光体涂层的低压气体放电灯
US7402955B2 (en) Lamp with multi-layer phosphor coating
JP2007513469A (ja) 水銀を含まないガスが充填された低圧蒸気放電ランプ
EP0229428B1 (en) Low-pressure mercury vapour discharge lamp
US6888302B2 (en) Low-pressure mercury discharge lamp comprising an outer bulb
JPH02299146A (ja) 低圧水銀蒸気放電灯
EP0318578A4 (en) SELECTIVE REFLECTIVE LAYER OF SILICON DIOXIDE FOR LOW PRESSURE MERCURY VAPOR LAMPS.
US6822385B2 (en) Gas discharge lamp with down conversion luminophore
EP1397826B1 (en) Gas discharge lamp with downconversion phosphor
US6952081B1 (en) Fluorescent lamp having ultraviolet reflecting layer
US6600260B2 (en) Gas discharge lamp with down conversion luminophore
JP2003027051A (ja) 複合蛍光体及びそれを用いた蛍光ランプ
JP5172126B2 (ja) 水銀蒸気放電蛍光ランプの製造方法
US8415869B1 (en) Fluorescent lamp with underlying yttrium vanadate phosphor layer and protective phosphor layer
JPS6127055A (ja) 曲管形螢光ランプ
JPH0636348B2 (ja) 高演色型蛍光ランプ
US9123525B2 (en) Phosphor materials, fluorescent lamps provided therewith, and methods therefor
JP3575886B2 (ja) 蛍光ランプ
JPH097545A (ja) 蛍光ランプ
US8446085B2 (en) Fluorescent lamp with zinc silicate phosphor and protective phosphor layer
JPS6346955B2 (ja)
JPH0799040A (ja) 屈曲形けい光ランプ
JP2000156202A (ja) 蛍光ランプ
JPS6241379B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060524

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060829

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070420

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090817

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091117

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20091125

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100323

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100416

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees