JP2005521739A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. フェノール系溶媒中に存在するカルボニル系不純物を高沸点誘導体に変換するための方法であって、当該方法が、フェノール系溶媒を、以下の式の層状複水酸化物組成物又はその水和物を含んでなる触媒と触媒有効温度で接触させ、もって高沸点誘導体を含みカルボニル系不純物量の低減したフェノール含有流を生じさせる方法。
   Ｍ^II _l-xＭ^III _x（ＯＨ）₂］（Ａ^n-）_x/n
   式中、Ｍ^IIは二価金属カチオンであり、Ｍ^IIIは三価金属カチオンであり、Ａは電荷ｎ−の層間アニオンであり、ｘは０．１２〜０．８である。
2. Ｍ^IIがアルカリ土類金属カチオン単独又は他の二価金属カチオンとの組合せから選択される、請求項１記載の方法。
3. アルカリ土類金属カチオンがマグネシウムカチオンである、請求項２記載の方法。
4. Ｍ^IIIが第IIIA族金属カチオン単独又は他の三価金属カチオンとの組合せから選択される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
5. 第IIIA金属カチオンがアルミニウムカチオンである、請求項４記載の方法。
6. 前記アニオンＡがＣＯ₃ ^2-、ＮＯ₃ ^-、ＯＨ^-、Ｃｌ^-、Ｆ^-又はそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
7. 前記アニオンＡがＣＯ₃ ^2-である、請求項６記載の方法。
8. フェノール系溶媒からカルボニル系不純物を分離する方法であって、
   請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の方法によってフェノール系溶媒中に存在するカルボニル系不純物を高沸点誘導体に変換する段階、及び
   慣用分離法を用いてカルボニル系不純物の高沸点誘導体をフェノール含有流から分離する段階、
   を含んでなる方法。
9. フェノールの製造方法であって、
   クメンを変換してカルボニル系不純物を含んでいるおそれのある粗フェノールを生成する段階、及び
   粗フェノールに存在しかねないカルボニル系不純物を、請求項１乃至請求項１４のいずれか１項記載の方法によって高沸点誘導体に変換する段階、
   を含んでなる方法。
10. クメンをフェノールに変換する装置であって、当該装置が、
    （ａ）クメンを収容する容器、
    （ｂ）クメンを収容する容器に連結された第１の反応容器であって、クメンを酸化してクメンヒドロペルオキシド（ＣＨＰ）混合物を生成させる第１の反応容器、
    （ｃ）第１反応容器に連結された第２の反応容器であって、ＣＨＰ混合物を分解して粗分解混合物を生成させる第２の反応容器、
    （ｄ）第２の反応容器に連結された第３の反応容器であって、粗分解混合物に塩基を添加して、中和粗分解混合物を生成させる第３の反応容器、
    （ｅ）中和粗分解混合物が導入されるように連結された分離セクションであって、中和粗分解混合物を複数の流れに分離して、その１つの流れがフェノールを含んでいてカルボニル系不純物を含んでいるおそれのある粗フェノール流（ＣＰＳ）を得る分離セクション、
    （ｆ）ＣＰＳが導入されるように連結された温度制御機構、及び
    （ｇ）温度制御機構通過後のＣＰＳが導入されるように連結され、精製フェノール含有生成物を生成する触媒床であって、カルボニル系不純物を高沸点誘導体に変換するため請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の層状複水酸化物組成物を含む触媒床、
    を備える装置。