JP2005521313A - 有機電界効果トランジスタを含む論理構成要素 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機電界効果トランジスタからなる論理構成要素の提供
【解決手段】本発明は、従来のp型MOS技術を用いながら、有機電界効果トランジスタをベースとする高速論理ゲートを製造することを初めて可能にするものである。これは主に、極薄の半導体層を有するOFETにおける早期飽和効果、ならびに有機論理構成要素として特定の性質を有するOFETを用いたこと、およびこれらの論理構成要素を含む回路の新規の構成によるものである。

Description

本発明は、レジスタの交換により切換え速度が増加する、有機電界効果トランジスタを含む論理構成要素に関する。
NAND、NOR、インバータなどの論理ゲートは、集積デジタル電子回路の基本構成要素である。集積回路の切換え速度は個々のトランジスタの速度ではなく、論理ゲートの速度によって決まる。従来のシリコン半導体技術では、これらのゲート素子はn型トランジスタおよびp型トランジスタの双方を用いて作成されるので、極めて動作が速い。有機回路の場合には、安定した適当なn型半導体が存在しないので、このような速動性を実現することができない。つまり、有機回路では、n型トランジスタの代わりに従来のレジスタを用いなければならないということである。
有機電界効果トランジスタで構成された論理ゲートには、切換えが遅い(切換え電流、すなわち電流電圧特性の積分値がかなり異なる場合)、あるいはスイッチ・オフすることができない(電流電圧ダイヤグラムにおける電圧レベル差が小さすぎる場合)という欠点がある。
したがって、本発明の目的は、未開発の「旧来型」n型トランジスタの代用となる構成要素に、従来のレジスタ以外のものを用いるべく、有機電界効果トランジスタで構成された論理ゲートを提供することである。
本発明は、第1及び第2の有機電界効果トランジスタ(以下、OFETとも記す。)を少なくとも1つずつ含む論理ゲートであって、前記第1のOFETがp型OFETであり、前記第2のOFETが該論理ゲート内でレジスタとして機能することが可能であることを特徴とする論理ゲートに関する。
一実施形態によれば、第1のOFETは、極薄の半導体層または負の閾値電圧を有する。
別の実施形態によれば、論理ゲートは、それぞれ極薄の半導体層または負の閾値電圧を有する第1及び第2のOFETを含む。
さらに別の実施形態によれば、論理ゲート内のゲート電位のない第2のOFETのオフ電流をオン電流より約1桁小さくして、正のゲート電位を印加することにより依然としてスイッチ・オフすることができるようにした。
一実施形態によれば、論理ゲートは、少なくとも4つのOFETを含む(図6参照)。
別の実施形態によれば、論理ゲート2は、入力および出力用に電位の異なるデータ線を有する。
「ゲート内でレジスタとして機能可能なOFET」とは、この場合、極薄の有機半導体層(約5から30nm)を有するOFET、またはオフ電流がオン電流よりわずか1桁程度小さくなるような特殊な処理(例えばヒドラジン処理および/または特殊酸化)によって有機半導体層の導電率を低下させたOFETのいずれかを指す。
「オフ電流」とは、ゲート電極とソース電極との間に電位差がないときに流れる電流であり、「オン電流」(p型OFETの場合)とは、ゲート電極とソース電極との間に負の電位差があるときに流れる電流である。
本明細書では、「旧来型レジスタ」とは、線形電流電圧曲線を有する構成要素を指す。
本発明は、従来のp型MOS技術を用いながら、OFETで構成された高速論理ゲートを製造することを初めて可能にしたものである。これは主に、極薄の半導体層を有するOFETにおける早期飽和効果、ならびに有機論理構成要素として特定の性質を有するOFETを用いたこと、およびこれらの論理構成要素を含む回路の新規の構成によるものである。
以下、図面を参照しながら、本発明についてさらに詳細に説明する。
旧来型レジスタを使用した場合(先行技術の図1および図2参照)には、論理ゲートは切換えが非常に遅い(図1)、あるいはスイッチ・オフすることができない(図2)。
図1は、オン曲線1およびオフ曲線2を示す電流電圧ダイヤグラムである。これらの特性曲線は、スイッチ・オン状態およびスイッチ・オフ状態にそれぞれ対応する。これらの曲線と抵抗曲線5との交点3および4は、インバータの切換え点に対応する。インバータの出力電圧幅6は非常に大きく、これは、このインバータのスイッチ・オンおよびスイッチ・オフを確実に行うことができることを意味する。ただし、切換え電流7および8は異なる(曲線下方のハッチング部分の面積が切換え電流に相当する)。これは、このインバータが、「高状態」への切換えは速く行うことができるが、「低状態」への切換えは遅いことを意味している。
図2も先行技術を示す図である。この図は、切換え電流9および10は桁数において同程度であるが電圧レベル差11が小さすぎるという、第2のケースを示す図である。結果として、これに相当するインバータは完全にスイッチ・オフすることができない。
最後に、図3は、本発明の論理ゲートの電流電圧曲線を示す図である。
図3に示すような論理ゲートの電流電圧ダイヤグラムは、旧来型レジスタの代用として極薄の半導体層を備えたOFETを少なくとも1つ含む。
観測結果はあるが完全には解明されていない現象(極薄の半導体層または負の閾値電圧に起因する極早期の飽和状態)により、5から30nm、好ましくは7から25nm、さらに好ましくは10から20nmの極薄の半導体層を有するOFETは、図3に概略的に示すような特定の出力特性エリアを有する。
電圧レベル差12は、インバータを完全にスイッチ・オフすることが可能となるだけの大きさであり、インバータを素早く切換えることができるように切換え電流13および14の大きさは同じである。もう1つの利点は、切換え電流の値であり、これはこのタイプのトランジスタでは非常に大きい。薄膜半導体層があるので、これらのトランジスタは立ち上がりエッジ15から非常に急激に飽和領域16に移行する。出力特性がこのように挙動することにより、従来のp型MOS技術で、大きな充電電圧を示す論理回路を構成することが可能となる。その結果として、これらの構成要素の切換え速度は速くなる。本発明の目的は、この効果を利用して高速論理ゲートを製造することである。このようなゲートは、従来のp型MOS技術を用いていながら、高速であると同時に、容易にスイッチ・オフすることができる。
あるいは、OFETの半導体層に特殊処理を施し、論理デバイスに特殊な回路構成を使用することにより、旧来型レジスタの置き換えを行うこともできる。
典型的なOFETは、ゲート電位のない状態で動作しているときには非常に小さなオフ電流を有する。
有機半導体に特殊処理(例えばヒドラジン処理または特殊酸化)を施すと、オフ電流をオン電流よりわずか1桁程度小さくすることができる。このような特定のOFETも、正のゲート電位を印加することによりスイッチ・オフすることができる。これにより、負のゲート電位でスイッチ・オンし、正のゲート電位でスイッチ・オフすることができるOFET(n型トランジスタと同様である。)が得られる。本発明では、高速論理デバイスを製造するために、この効果を(前述の極薄の半導体層により得られる効果に加えて)利用する。こうして得られた論理デバイスの基本要素は、少なくとも2つのOFETの直列接続であり、これらのOFETは、寸法の異なる流路を有することにより、ゲート電位がない状態で一方のOFETの流路が他方のOFETの流路より明らかに導電率が高くなるようにしている。その結果として、2つの流路に印加される供給電圧は、導電率の低い流路の場合に降下するのみである。
導電率の低い流路を有するOFETに負のゲート電位を印加し、それと同時に導電率の高い流路を有するOFETに正のゲート電位を印加することにより、切換えが行われる。
図5は、このような論理ゲートの電流電圧ダイヤグラムである。特殊な回路構成とすることにより、または特殊な回路構成と併せて半導体層の処理も行うことにより、両特性曲線はシフトし易くなり、その結果電圧レベル差は大きくなり、同時に切換え電流も大きくなる。インバータは、これらの基本要素を2つ含む。すなわち、少なくとも4つのトランジスタを有する。インバータの切換え動作は、トランジスタのうち2つをスイッチ・オンし、それと同時に残りの2つをスイッチ・オフすることにより行われる。
以下、いくつかの実施形態に関連して本発明について説明する。
最初に、図5に示す電流電圧ダイヤグラムに関連する2つの実施形態を扱う。
図6はインバータの回路を示す図であり、図7はリング発振器の回路を示す図である。論理機能構成要素を得るためには、一方のトランジスタをスイッチ・オフするために正電圧が必要であり、同時に他方のトランジスタをスイッチ・オンするために負電圧が必要であるため、1対のトランジスタが2組必要である。これらの異なる電圧を得るためには、前述の2組の基本要素を相互に接続して、一方がその出力で正電圧を提供し、他方が負電圧を提供するようにする。したがって、この新しい回路技術に基づくインバータは、2つの入力と2つの出力とを有し、それぞれの出力の電位はゼロ(0V)、あるいは正または負の電圧(+/−V)となる。
図6は、回路が重要な要素であるこのインバータの実施形態を示す図である。供給電圧は点1で得られ、この場合は+/−Vである。点4は接地されている。3で示される各点はインバータの入力を示し、2で示される各点はインバータの出力を示す。出力2において電位差がない場合には、論理「低」となる。論理「高」は、インバータの出力2において+/−Vが得られることを意味する。すなわち、データ線は、異なる電位差が得られる2本の線を含む。
CMOSでは、分割された入力を使用するが、電位は分割後も同じである。
少なくとも4つのOFETを有する前述のインバータとは異なり、従来のCMOSインバータは、例えば2つのトランジスタからなる。入力が0Vであるときには、トランジスタ1が導通状態となり、他方のトランジスタ2が非導通状態となる(したがって、2において供給電圧は降下する)。負電位があるときには、1が非導通状態となり、2が導通状態となる(1で供給電圧が得られる)。
図7は、リング発振器を示す図である。この回路では、1つのインバータの出力を次のインバータの入力に接続することにより、奇数個のインバータを相互に接続する。そして、最後のインバータも同様に最初のインバータに接続し、リングを形成する。リング発振器の目的は、後続のインバータを絶えず切換えることによってリング内で継続的に信号を流すことである。
図4は、極薄の半導体層を有するOFETを含む論理構成要素のいくつかの実施形態を示す図であり、インバータ22、NOT−OR23、NOT−AND24、リング発振器25が示してある。番号21はp型OFETの略号である。
インバータ22は、レジスタに接続されたトランジスタとすることができる。入力に印加された信号(「高」または「低」)は逆転(反転)され、出力から(「低」または「高」として)取り出すことができる。論理NOT−ORを得るためには、2つのトランジスタを並列に接続すればよい。入力電圧の印加により、様々な状態が表(「低」=「0」、「高」=「1」)に応じて出力に送られる。NOT−ANDは、トランジスタを直列に接続することにより、同様に実現することができる。
別の実施形態(図示せず)として、これらのOFETで構成することができるフリップ・フロップなどの論理ゲートがある。
これらの論理ゲートは、連続プロセスとして実施可能な、(スプレー)コーティング、ナイフ・コーティング、プリントまたはその他何らかの製造プロセスで製造されるのが好ましい。
先行技術の電流電圧ダイヤグラムの一例を示す図 先行技術の電流電圧ダイヤグラムの他例を示す図 本発明の論理ゲートの電流電圧ダイヤグラムを示す図 極薄の半導体層を有するOFETを含む論理構成要素の実施形態を示す図 論理ゲートの電流電圧ダイヤグラム 本発明によるインバータの回路を示す図 本発明によるリング発振器を示す図

Claims (6)

  1. 第1及び第2の有機電界効果トランジスタを少なくとも1つずつ含む論理ゲートであって、前記第1の有機電界効果トランジスタがp型有機電界効果トランジスタであり、前記第2の有機電界効果トランジスタが該論理ゲート内でレジスタとして機能することが可能であることを特徴とする論理ゲート。
  2. 前記第1の有機電界効果トランジスタが、極薄の半導体層または負の閾値電圧を有することを特徴とする請求項1に記載の論理ゲート。
  3. 前記第1及び第2の有機電界効果トランジスタが、それぞれ極薄の半導体層または負の閾値電圧を有することを特徴とする請求項1に記載の論理ゲート。
  4. ゲート電位のない前記第2の有機電界効果トランジスタのオフ電流をオン電流より約1桁小さくして、正のゲート電位を印加することにより依然としてスイッチ・オフすることができるようにしたことを特徴とする請求項1または3に記載の論理ゲート。
  5. 少なくとも4つの有機電界効果トランジスタを含むことを特徴とする請求項1、3及び4のいずれか1項に記載の論理ゲート。
  6. 入力および出力用に電位の異なる2本のデータ線を有することを特徴とする請求項1並びに3乃至5のいずれか1項に記載の論理ゲート。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007528688A (ja) * 2004-01-15 2007-10-11 オーガニシッド・インコーポレイテッド 非準静的整流回路
US8463116B2 (en) 2008-07-01 2013-06-11 Tap Development Limited Liability Company Systems for curing deposited material using feedback control

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
DE10330064B3 (de) * 2003-07-03 2004-12-09 Siemens Ag Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen
DE102004059467A1 (de) * 2004-12-10 2006-07-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Gatter aus organischen Feldeffekttransistoren
DE102005009819A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005009820A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005035590A1 (de) * 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronisches Bauelement
DE102005042166A1 (de) * 2005-09-06 2007-03-15 Polyic Gmbh & Co.Kg Organisches Bauelement und ein solches umfassende elektrische Schaltung
DE102005044306A1 (de) * 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
ITVA20060029A1 (it) * 2006-05-30 2007-11-30 St Microelectronics Srl Amplificatore analogico a transconduttanza
US20090004368A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Weyerhaeuser Co. Systems and methods for curing a deposited layer on a substrate
DE102007059231A1 (de) * 2007-12-07 2009-06-10 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Schaltelementen

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US18911A (en) * 1857-12-22 Glass knob for doors
US3512052A (en) * 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
US3769096A (en) * 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
JPS543594B2 (ja) * 1973-10-12 1979-02-24
JPS54101176A (en) * 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) * 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4340657A (en) * 1980-02-19 1982-07-20 Polychrome Corporation Novel radiation-sensitive articles
DE3338597A1 (de) 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
JPS60117769A (ja) 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置
EP0239808B1 (en) * 1986-03-03 1991-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Radiation detecting device
JP2728412B2 (ja) 1987-12-25 1998-03-18 株式会社日立製作所 半導体装置
GB2215307B (en) * 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
US5364735A (en) * 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) * 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
US5206525A (en) * 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
FR2673041A1 (fr) * 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
JP3522771B2 (ja) * 1991-03-22 2004-04-26 三菱電機株式会社 インバータ
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) * 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
DE59105477D1 (de) * 1991-10-30 1995-06-14 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
JP2709223B2 (ja) * 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
DE4243832A1 (de) 1992-12-23 1994-06-30 Daimler Benz Ag Tastsensoranordnung
JP3457348B2 (ja) * 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) * 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
US5567550A (en) * 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH0722669A (ja) * 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
EP0722563A4 (en) * 1993-08-24 1998-03-04 Metrika Lab Inc NEW ELECTRONIC DISPOSABLE ANALYSIS DEVICE
JP3460863B2 (ja) * 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) * 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) * 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
IL111151A (en) 1994-10-03 1998-09-24 News Datacom Ltd Secure access systems
JP4392057B2 (ja) * 1994-05-16 2009-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機半導体物質を有する半導体装置
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5574291A (en) * 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) * 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
JP3068430B2 (ja) * 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) * 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) * 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
GB2310493B (en) * 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
DE19629656A1 (de) * 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US5946551A (en) * 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US6344662B1 (en) * 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
KR100248392B1 (ko) * 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
EP0968537B1 (en) * 1997-08-22 2012-05-02 Creator Technology B.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
WO1999010929A2 (en) * 1997-08-22 1999-03-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of providing a vertical interconnect between thin film microelectronic devices
CA2301626C (en) * 1997-09-11 2008-05-20 Precision Dynamics Corporation Radio frequency identification tag on flexible substrate
US6251513B1 (en) * 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JPH11142810A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Nintendo Co Ltd 携帯型情報処理装置
US5997817A (en) * 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
EP0958663A1 (en) * 1997-12-05 1999-11-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Identification transponder
US5998805A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) * 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
AU733522B2 (en) * 1998-01-28 2001-05-17 Thin Film Electronics Asa A method for generating electrical conducting and/or semiconducting structures in three dimensions, a method for erasing the same structures and an electric field generator/modulator for use with the method for generating
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) * 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
DE19816860A1 (de) 1998-03-06 1999-11-18 Deutsche Telekom Ag Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte
US6033202A (en) * 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
GB9808806D0 (en) 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) * 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
JP4689825B2 (ja) * 1998-08-26 2011-05-25 センサーズ・フォー・メデセン・アンド・サイエンス・インコーポレーテッド 光学式検知装置
US6384804B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) * 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) * 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
EP1160346B1 (en) * 1999-02-22 2006-03-08 Nippon Steel Corporation High strength galvanized steel plate excellent in adhesion of plated metal and formability in press working and high strength alloy galvanized steel plate and method for production thereof
WO2000052457A1 (en) * 1999-03-02 2000-09-08 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6207472B1 (en) * 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
US6498114B1 (en) * 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) * 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
DE19921024C2 (de) 1999-05-06 2001-03-08 Wolfgang Eichelmann Videospielanlage
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
WO2001027998A1 (en) * 1999-10-11 2001-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated circuit
US6335539B1 (en) * 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) * 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
US6621098B1 (en) * 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
CA2394886C (en) * 1999-12-21 2012-07-17 Plastic Logic Limited Inkjet-fabricated integrated circuits
US6706159B2 (en) * 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
US6329226B1 (en) * 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10033112C2 (de) * 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US7875975B2 (en) * 2000-08-18 2011-01-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag
DE10045192A1 (de) * 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
KR20020036916A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
KR100390522B1 (ko) * 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
US20020170897A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
US6870180B2 (en) * 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003089259A (ja) * 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
JP2003098221A (ja) 2001-09-25 2003-04-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、半導体装置の試験方法及び半導体装置の試験装置
US7351660B2 (en) * 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6812509B2 (en) * 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
US6854139B2 (en) * 2002-07-26 2005-02-15 Sheila Lamy Bed covering fastening system
US6870183B2 (en) * 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007528688A (ja) * 2004-01-15 2007-10-11 オーガニシッド・インコーポレイテッド 非準静的整流回路
JP4685797B2 (ja) * 2004-01-15 2011-05-18 オーガニシッド・インコーポレイテッド 非準静的整流回路
US8463116B2 (en) 2008-07-01 2013-06-11 Tap Development Limited Liability Company Systems for curing deposited material using feedback control

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