JP2005519345A - 短波長イメージング用ネガ型フォトレジスト - Google Patents
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Abstract
Description
実施例1:1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン−2−オール−ノルボルニレン−co−無水マレイン酸の合成
ポリマーが、等モル量の1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン−2−オール−ノルボルニレン(29.05g)および無水マレイン酸(10.96g)を添加し、テトラヒドロフラン中に溶解して50重量パーセントのモノマー溶液を生成することにより調製された。1.03gのジメチルアゾジイソブチレートが、50重量パーセントの開始剤溶液を生成するためテトラヒドロフランに溶解された。各溶液は、1時間半各々窒素をバブリングすることによりガス抜きされた。モノマー溶液は、窒素ブランケット下で加熱された。65℃において、ガス抜きされた開始剤溶液がモノマー溶液中に注入された。混合された反応溶液は、加熱、還流され、4時間還流状態を維持され、その後反応容器は氷浴中に沈められ室温まで冷却された。冷却された後、反応混合物を1Lのヘプタン中に沈殿させ、15分撹拌し、次いでろ過した。ポリマーは、次いで窒素下で一晩乾燥された。ウェットポリマーは、次いでテトラヒドロフラン中に溶解され、50重量パーセントの溶液が生成され、1Lのへプタンに再沈殿され、15分撹拌され、次いでろ過された。生じた沈殿物は、0.2Lのヘプタンで洗浄され、次いでろ過された。沈殿したポリマーは、次いで減圧オーブン中50℃で24時間乾燥された。
ポリマーが、それぞれのモル比1:2:2の量、ヒドロキシアダマンチルメタクリレート(9.93g)、ヘキサフルオロプロパノールノルボルニレン(21.85g)および無水マレイン酸(8.23g)を添加し、テトラヒドロフラン中に溶解して50重量パーセントのモノマー溶液を生成することにより調製された。1.00gのジメチルアゾジイソブチレートが、50重量パーセントの開始剤溶液を生成するためテトラヒドロフランに溶解された。各溶液は、1時間半各々窒素をバブリングすることによりガス抜きされた。モノマー溶液は窒素ブランケット下で加熱された。65℃において、ガス抜きされた開始剤溶液がモノマー溶液中に注入された。混合された反応溶液は、加熱、還流され、4時間還流状態を維持され、その後反応容器は氷水浴中に沈められ室温まで冷却された。冷却された後、反応混合物を1Lのヘプタン中に沈殿させ、15分撹拌し、次いでろ過した。沈殿したポリマーは次いで追加の0.2Lのヘプタンで洗浄され、次いでろ過された。ポリマーは、次いで窒素下で一晩乾燥された。ウェットポリマーは、次いでテトラヒドロフラン中に溶解され、50重量パーセントの溶液が生成され、1Lのへプタン中に再沈殿され、15分撹拌され、次いでろ過された。沈殿したポリマーは、次いで減圧オーブン中50℃で24時間乾燥された。
A:14.33g(0.035モル)
B:3.89g(0.015モル)
トルエン:45ml
アセトン:20ml
脱イオン水:16.8g
ジエチルアミン:10.9g
KOH:3ml水中で0.42g
ネガ型フォトレジストは、下記の成分を特定された量で混合することにより調製される:
1) 実施例1のポリマー 2.53g
2) トリフルオロ−メタンスルホン酸3,5−ジオキソ−4−アクサ−トリシクロ[5.2.1.02.6]−デセ−8−エン−4−イルエステルであるフォト酸発生剤 0.228g
3) 1,3,5,7−テトラキス−メトキシメチル−4−メチル−8−プロピル−[1,3,5,7]テトラゾカン−2,6−ジオンであるフォト酸発生剤 0.238g
4) トレーガー塩基である塩基添加剤 0.004g
5) R−08(3M)のペルフルオロ化界面活性剤 0.002g
6) シクロヘキサノンである溶媒 21.998g
ネガ型フォトレジストは、下記の成分を特定された量で混合することにより調製される:
1) 実施例2のポリマー 2.469g
2) トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートであるフォト酸発生剤 0.295g
3) 1,3,5,7−テトラキス−メトキシメチル−4−メチル−8−プロピル−[1,3,5,7]テトラゾカン−2,6−ジオンであるフォト酸発生剤0.232g
4) トレーガー塩基である塩基添加剤 0.004g
5) R−08(3M)のペルフルオロ化界面活性剤 0.002g
6) シクロヘキサノンである溶媒 21.998g
2層ネガ型フォトレジストは、下記のように調製される。レジスト溶液は、実施例3で調製された94.86部のSiポリマー、4.50部のトリフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホネート、0.54部のトレーガー塩基および0.1部の界面活性剤を660部の2−ヘプタノンと混合することにより得られる。このようにして調製されたレジスト配合物は、フェノール性下層組成物層上に1000±15Åの厚さにスピンコーティングにより適用される。適用されたフォトレジストコーティング層は120℃において、60秒間ソフトベークされる。下層組成物層は、8インチシリコンウェーハ上にあらかじめスピンコーティングされ、250℃60秒のベークを使用して5100Åの厚さとなる。
フォトレジスト組成物は、上記式IIIに示された繰り返し単位からなるポリマー(ここでxは15モルパーセントおよびyは85モルパーセントである);トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホネートとペンタメチレンスルホニウムペルフルオロ−1−ブタンスルホネートのフォト酸発生剤のブレンド、上記式IVの架橋剤(ここでR11はメチルであり、R12はプロピルである)、トレーガー塩基および界面活性剤を乳酸エチル溶媒と混合することにより調製される。
Claims (71)
- a)フォト活性成分、および1)水性アルカリ溶解性および2)水性アルカリ組成物での現像に際し露光および非露光コーティング層領域間のコントラストを提供する単位を含む樹脂を含むフォトレジスト組成物のコーティング層を基体上に適用し;b)200nm未満の波長を有する放射線で該フォトレジストコーティング層を露光し;およびc)水性アルカリ組成物で該露光されたコーティング層を現像して基体上にネガ基調フォトレジストイメージを提供することを含むネガ基調フォトレジストレリーフイメージを提供する方法。
- 該フォトレジストコーティング層が約193nmの波長を有する放射線で露光される請求項1に記載の方法。
- 該露光コーティング層が現像前に熱処理される請求項1または2に記載の方法。
- 該樹脂が1)フッ素化アルコール;2)ラクトン;3)無水物;および4)スルホンアミドからなる群から選択される部位を含む単位を含む請求項1乃至3のいずれか一つに記載の方法。
- 該樹脂が1)フッ素化アルコール;および2)スルホンアミドからなる群から選択される部位を含む単位を含む請求項1乃至3のいずれか一つに記載の方法。
- 該樹脂が3〜8の炭素を有するフッ素化アルコールを含む単位を含む請求項1乃至3のいずれか一つに記載の方法。
- 該樹脂が1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール部位を含む単位を含む請求項1乃至3のいずれか一つに記載の方法。
- 該樹脂がスルホンアミド部位を含む単位を含む請求項1乃至3のいずれか一つに記載の方法。
- 該樹脂がフッ素化スルホンアミドを含む単位を含む請求項1乃至3のいずれか一つに記載の方法。
- 該樹脂がさらに第三級または第二級アルコールを含む請求項1乃至9のいずれか一つに記載の方法。
- 露光が該フォト活性成分から酸を生じさせ、該酸が該第三級および第二級アルコールの脱離反応を促進する請求項10に記載の方法。
- 該フォトレジストが架橋剤成分を含有しない請求項10または11に記載の方法。
- 該樹脂がさらに第一級または第二級アルコールを含む請求項1乃至9のいずれか一つに記載の方法。
- 該樹脂が1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール部位を含む請求項13に記載の方法。
- 該フォトレジストがさらに架橋剤成分を含む請求項1乃至10,13または14のいずれか一つに記載の方法。
- 該架橋剤がアミンベースまたはエポキシ物質である請求項15に記載の方法。
- 該フォトレジストがSi樹脂を含む請求項1乃至16のいずれか一つに記載の方法。
- 該フォトレジストが下層有機組成物にオーバーコートされている請求項17に記載の方法。
- 該基体がマイクロエレクトロニクスウェーハである請求項1乃至18のいずれか一つに記載の方法。
- 該樹脂が実質的に芳香族基を含まない請求項1乃至19のいずれか一つに記載の方法。
- a)フォト活性成分およびフッ素化アルコールを含有する単位を含む樹脂を含むフォトレジスト組成物のコーティング層を基体上に適用し;b)200nm未満の波長を有する放射線で該フォトレジストコーティング層を露光し;およびc)水性アルカリ組成物で該露光されたコーティング層を現像して基体上にネガ基調フォトレジストイメージを提供することを含むネガ基調フォトレジストレリーフイメージを提供する方法。
- 該フォトレジストコーティング層が約193nmの波長を有する放射線で露光される請求項21に記載の方法。
- 該露光されたコーティング層が現像前に熱処理される請求項21または22に記載の方法。
- 該樹脂が1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール部位を含む請求項21乃至23のいずれか一つに記載の方法。
- 該樹脂がペンダント第一級または第二級アルコールを含む請求項21乃至24のいずれか一つに記載の方法。
- 該フォトレジスト組成物がさらに架橋剤成分を含む請求項21乃至25のいずれか一つに記載の方法。
- 該フォトレジストがSi樹脂を含む請求項21乃至26のいずれか一つに記載の方法。
- 該フォトレジストが下層有機組成物にオーバーコートされている請求項27に記載の方法。
- 該樹脂が実質的に芳香族基を含まない請求項21乃至28のいずれか一つに記載の方法。
- a)フォト活性成分およびスルホンアミド部位を含有する単位を含む樹脂を含むフォトレジスト組成物のコーティング層を基体上に適用し;b)200nm未満の波長を有する放射線で該フォトレジストコーティング層を露光し;およびc)水性アルカリ組成物で該露光されたコーティング層を現像して基体上にネガ基調フォトレジストイメージを提供することを含むネガ基調フォトレジストレリーフイメージを提供する方法。
- 該フォトレジストコーティング層が約193nmの波長を有する放射線で露光される請求項30に記載の方法。
- 該露光されたコーティング層が現像前に熱処理される請求項30または31に記載の方法。
- 該樹脂が1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール部位を含む請求項30乃至32のいずれか一つに記載の方法。
- 該フォトレジスト組成物がさらに架橋剤成分を含む請求項30乃至33のいずれか一つに記載の方法。
- 該フォトレジストがSi樹脂を含む請求項30乃至34のいずれか一つに記載の方法。
- 該フォトレジストが下層有機組成物にオーバーコートされている請求項35に記載の方法。
- 該樹脂が実質的に芳香族基を含まない請求項30乃至36のいずれか一つに記載の方法。
- 該樹脂が重合されたノルボルニル基を含む請求項1乃至37のいずれか一つに記載の方法。
- 該樹脂が重合されたアクリレート基を含む請求項1乃至38のいずれか一つに記載の方法。
- 水性アルカリ現像液組成物での現像に際しネガ基調レリーフイメージを提供することができるフォトレジスト組成物であって、該フォトレジストは、フォト活性成分;並びに1)水性アルカリ可溶性、および2)水性アルカリ組成物での現像に際し露光および非露光コーティング層領域間のコントラストを提供する単位を含む樹脂を含み、該樹脂は実質的に芳香族基を含まない、前記組成物。
- 該樹脂が1)フッ素化アルコール;2)ラクトン;3)無水物;および4)スルホンアミドからなる群から選択される部位を含む単位を含む請求項40に記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂が1)フッ素化アルコール;および2)スルホンアミドからなる群から選択される部位を含む単位を含む請求項40に記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂が3〜8の炭素を有するフッ素化アルコールを含む単位を含む請求項40に記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂が1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール部位を含む単位を含む請求項40乃至43のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂がスルホンアミド部位を含む単位を含む請求項40乃至44のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂がフッ素化スルホンアミドを含む単位を含む請求項40乃至45のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂がさらに第三級または第二級アルコールを含む請求項40乃至46のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 露光が該フォト活性成分から酸を生じさせ、該酸が該第三級および第二級アルコールの脱離反応を促進する請求項47に記載のフォトレジスト組成物。
- 該フォトレジストが架橋剤成分を含有しない請求項47または48に記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂がさらに第一級または第二級アルコールを含む請求項40乃至49のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂が1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール部位を含む請求項50に記載のフォトレジスト組成物。
- 該フォトレジストがさらに架橋剤成分を含む請求項40乃至46,50または51のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該架橋剤がアミンベースまたはエポキシ物質である請求項52に記載のフォトレジスト組成物。
- 該フォトレジストがSi樹脂を含む請求項40乃至54のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該フォトレジストが下層有機組成物にオーバーコートされている請求項54に記載のフォトレジスト組成物。
- 水性アルカリ現像液組成物での現像に際しネガ基調レリーフイメージを提供することができるフォトレジスト組成物であって、該フォトレジストは、フォト活性成分およびフッ素化アルコールを含有する単位を含む樹脂を含む、前記組成物。
- 該樹脂が1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール置換基を含む部位を含む請求項56に記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂がペンダント第一級または第二級アルコールを含む請求項56または57に記載のフォトレジスト組成物。
- 該フォトレジスト組成物がさらに架橋剤成分を含む請求項56乃至58のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂が実質的に芳香族基を含まない請求項56乃至59のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該フォトレジストがSi樹脂を含む請求項56乃至60のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該フォトレジストが下層有機組成物にオーバーコートされている請求項61に記載のフォトレジスト組成物。
- 水性アルカリ現像液組成物での現像に際しネガ基調レリーフイメージを提供することができるフォトレジスト組成物であって、該フォトレジストは、フォト活性成分およびスルホンアミド部位を含有する単位を含む樹脂を含む、前記組成物。
- 該樹脂が1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール部位を含む請求項63に記載のフォトレジスト組成物。
- 該スルホンアミド部位がフルオロ置換基を有する請求項63または64に記載のフォトレジスト組成物。
- 該フォトレジスト組成物がさらに架橋剤成分を含む請求項63乃至65のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂が実質的に芳香族基を含まない請求項63乃至66のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂が重合されたノルボルニル基を含む請求項40乃至67のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 該樹脂が重合されたアクリレート基を含む請求項40乃至68のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 請求項40乃至69のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物をその上にコートさせた基体を含む製品。
- 該基体がマイクロエレクトロニクスウェーハ基体である請求項60に記載の製品。
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