KR20060043054A - 포토레지스트 조성물 - Google Patents

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KR20060043054A
KR20060043054A KR1020050014385A KR20050014385A KR20060043054A KR 20060043054 A KR20060043054 A KR 20060043054A KR 1020050014385 A KR1020050014385 A KR 1020050014385A KR 20050014385 A KR20050014385 A KR 20050014385A KR 20060043054 A KR20060043054 A KR 20060043054A
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photoacid
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polydispersity
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KR1020050014385A
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제임스 에프. 카메론
Original Assignee
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.
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Abstract

각각 다른 폴리머로부터 선택된 상이한 포토애시드(photoacid) 불안정성 그룹을 가지는 적어도 두개의 상이한 페놀 폴리머 혼합물을 포함하는 신규 포토레지스트가 제공된다. 혼합물중 상이한 페놀 수지의 하나 또는 바람직하게는 둘 모두는 극히 낮은 다분산도 값을 가진다. 본 발명의 포토레지스트는 리소그래피 처리시에 형성된 이미지의 해상도가 뛰어날 수 있다.

Description

포토레지스트 조성물{Photoresist compositions}
본 발명은 각각 다른 폴리머로부터 선택된 상이한 포토애시드(photoacid) 불안정성 그룹을 가지는 적어도 두개의 상이한 페놀 폴리머 혼합물을 포함하는 신규 포토레지스트에 관한 것이다다. 본 발명의 페놀 수지 혼합물은 부분적으로 낮은 다분산도 값을 가지는 하나 이상의 수지의 혼합물을 특징으로 한다.
포토레지스트는 기판에 이미지를 전사하기 위해 사용되는 감광성 필름이다. 포토레지스트의 코팅층을 기판상에 형성한 다음, 포토레지스트 층을 포토마스크 (photomask)를 통해 활성화 조사(activating radiation)원에 노광시킨다. 포토마스크는 활성화 조사선에 불투명한 영역 및 활성화 조사선에 투명한 다른 영역을 갖는다. 활성화 조사선에 노광되면 포토레지스트 코팅의 광유도된(photoinduced) 화학적 변형이 일어나며 이로 인해 포토마스크 패턴이 포토레지스트 코팅 기판으로 전사된다. 노광후, 포토레지스트를 현상하여 기판의 선택적 처리가 가능한 릴리프(relief) 이미지를 제공한다. 일반적으로 포토레지스트 조성물, 그의 제조방법 및 용도를 교시하고 있는 본 원에 참고로 인용되는 문헌 [Deforest, Photoresist Materials and Processes, McGraw Hill Book Company, New York, ch.2 (1975)] 및 [Moreau, Semiconductor Lithography, Principles, Practices and Materials, Plenum Press, New York, ch.2 and 4]을 참조바람.
현재 입수가능한 포토레지스트는 많은 응용예에 적합하나, 이들 레지스트는 또한 특히 고해상 0.5 미크론 및 0.25 미크론 피처(feature)의 형성과 같은 고성능 응용예에 있어 심각한 결점을 나타낼 수 있다.
따라서, 신규 포토레지스트 조성물, 특히 단 UV(248 nm) 이미지화에서 향상된 해상능을 나타낼 수 있는 레지스트 조성물이 요망된다.
발명의 요약
본 발명자들은 포토애시드 불안정성 그룹을 가지는 적어도 두개의 상이한 페놀 폴리머의 수지 혼합물을 포함하는 신규 화학-증폭형 포지티브(chemically-amplified positive) 포토레지스트 조성물을 제공한다.
혼합물 수지의 적어도 하나 및 바람직하게는 둘 모두는 낮은 다분산도(Mw/Mn) 값, 특히 1.4 이하, 보다 바람직하게는 1.3, 1.25 또는 1.2 이하를 가진다. 본 원에서 다분산도 값은 겔 투과 크로마토그래피로 측정된다.
본 발명자들은 본 발명의 포토레지스트 조성물이 248 nm 노광 파장으로 리소그래피 처리시에 상당한 해상도를 제공할 수 있음을 발견하였다. 특히, 본 발명의 레지스트는 고해상 0.25 미크론 라인 및 다른 피처를 형성할 수 있다.
본 발명의 수지 혼합물의 페놀 수지는 페놀 그룹 또는 작용화 페놀 그룹 이외에 다른 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 수지는 중합 t-부틸 아크릴레이트, t-부틸 메타크릴레이트, 메틸아다만틸아크릴레이트 등과 같은 포토애시드-불안정성 아크릴레이트를 포함하는 중합 아크릴레이트 그룹을 포함할 수 있다. 수지는 또한 중합 스티렌 단위 등과 같은 리소그래피 처리에 상대적으로 불활성인 단위를 포함할 수 있다.
본 발명의 수지의 적합한 포토애시드 불안정성 그룹은 아세탈 및 에스테르 그룹을 포함한다. 이러한 포토애스드-불안정성 에스테르 및 아세탈 부분은 적합하게는 형성된 수지 또는 페놀 모노머의 페놀 -OH상에 그래프트될 수 있다. 예컨대, 하이드록시 그룹상에 그래프트된 에스테르가 바람직한 산-불안정성 그룹(광발생산의 존재하에 탈에스테르화가 일어나 현성액-가용화 카복시 그룹을 제공)이다. 이러한 에스테르는 예를 들어 할로아세테이트 그룹(예: t-부틸 클로로아세테이트)를 페놀 하이드록시 그룹과 반응시켜 제공될 수 있다. 아세탈 그룹이 또한 바람직한 포토애시드-불안정성 그룹이다; 예를 들어 비닐 에테르 화합물이 페놀 하이드록시 부분상에 그래프트되어 포토애시드-불안정성 아세탈 그룹을 제공할 수 있다. 포토애시드-불안정성 아세탈 그룹을 제공하기에 적합한 비닐 에테르 시약은 에틸비닐 에테르 등과 같이 적어도 하나의 -(CH=CH)-O- 그룹을 가지는 화합물을 포함한다.
본 발명은 또한 각 라인이 약 0.25 미크론 이하, 또는 심지어 약 0.25 미크론 이하의 라인폭 및 수직 측벽을 필수적으로 갖는 라인 패턴과 같은 고해상 릴리 프 이미지를 형성하는 방법을 포함하여, 릴리프 이미지를 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명은 또한 본 발명의 포토레지스트 및 레지스트 릴리프 이미지가 코팅된 마이크로일레트로닉 반도체 웨이퍼(microelectronic wafer) 기판과 같은 기판을 포함하는 제품을 제공한다.
본 발명의 다른 측면이 이후 기술된다.
본 발명의 포토레지스트의 바람직한 수지 및 수지 혼합물은 하기 "구조 1 내지 6"으로 나타내어진 것을 포함하며, 여기에서, 수지 구조는 "구조 1" 등의 표기아래 표시된다. 이들 "구조 1" 등의 표기는 본 원에서서 특정 수지를 나타내기 위하여 사용된다.
Figure 112005009238461-PAT00001
Figure 112005009238461-PAT00002
Figure 112005009238461-PAT00003
수지 혼합물 일원의 상대적인 양은 광범하게 절적히 달라질 수 있다. 예를 들어, 두 수지 혼합물에서, 두 수지의 각 수지는 수지 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여 5 내지 95 중량%의 양으로 존재할 수 있으며, 보다 전형적으로 각 수지는 수지 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여 10 내지 90 중량% 또는 20 내지 80 중량%의 양으로 존재한다.
본 발명의 폴리머는 자유 래디칼 중합에 의해, 예를 들어 상술된 다양한 단위를 제공하는 다수의 모노머를 래디칼 개시제의 존재하에 불활성 대기(예를 들어 N2 또는 아르곤)하에서, 약 70 ℃ 이상과 같은 승온(반응 온도는 반응 용매(용매가 사용된 경우)의 비점 및 사용한 특정 시약의 반응성에 따라 달라질 수 있다)에서 반응시킴으로써 제조될 수 있다. 특정 시스템에 적합한 반응 온도는 본 발명의 설명에 기초하여 당업자들이 경험에 입각해 용이하게 결정할 수 있다.
경우에 따라, 반응 용매가 사용될 수 있다. 적합한 용매는 프로판올 및 부탄올과 같은 알콜 및 벤젠, 클로로벤젠, 톨루엔 및 자일렌과 같은 방향족 용매를 포함한다. 디메틸설폭사이드 및 디메틸포름아미드가 또한 적합하다. 중합 반응은 또한 순수한 상태로(neat) 진행될 수 있다.
각종 자유 래디칼 개시제를 사용하여 본 발명의 코폴리머를 제조할 수 있다. 예를 들어, 아조-비스-2,2'-이소부티로니트릴(AIBN) 및 1,1'-아조비스(사이클로헥산카보니트릴)과 같은 아조 화합물이 사용될 수 있다. 퍼옥사이드, 퍼에스테르, 퍼산 및 퍼설페이트가 또한 사용될 수 있다.
바람직하게, 본 발명의 코폴리머는 1,000 내지 약 100,000, 보다 바람직하게는 약 2,000 내지 약 30,000의 중량 평균 분자량(Mw)을 가질 것이다.
상기 언급한 바와 같이, 본 발명의 수지 혼합물중 하나 또는 그 이상 또는 모든 일원이 극히 낮은 다분산도 값, 특히 1.4 이하, 보다 바람직하게는 1.3 이하 또는 1.2 이하를 가질 것이다.
이러한 저 다분산도 수지는 다수의 방법으로 제조될 수 있다. 형성된 수지를 예를 들어 분별, 크로마토그래피 또는 유기 용매 세척에 의해 처리하여 보다 균질하고 낮은 다분산도의 수지를 제공할 수 있다. 이러한 정제 처리후, 수지의 다분산도(겔 투과 크로마토그래피를 통해)를 구하여 목표로 하는 다분산도 값이 실현되었는지를 결정할 수 있다.
폴리머 합성은 또한 저 분산도 값의 본 발명의 레지스트 및 혼합물에 유용한 페놀 수지를 직접 제공할 수 있다. 특히, 자유 래디칼 중합에서, TEMPO(상업적으로 입수가능)를 포함한 피퍼디닐(N-옥시) 시약과 같은 자유 래디칼 조절제를 사용하여 저 분산도 페놀 폴리머를 제조할 수 있다. 이러한 자유 래디칼 중합 조절제의 사용이 미국 특허 제 6,107,425호에 기재되었다.
형성된 페놀 수지를 목적하는 대로 작용화시킬 수 있으며, 예를 들어 하나 이상의 포토애시드 불안정성 그룹을 상술한 바와 같이 페놀 산소상에 그래프트시킬 수 있다. 형성된 폴리머를 또한 상기 언급한 바와 같이(예: 분별, 유기 용매 세척, 크로마토그래피) 추가로 정제하여 보다 낮은 분산도 값의 수지를 제공할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 페놀 수지 혼합물은 특히 화학 증폭형 포지티브 레지스트의 수지 성분으로서 매우 유용하다. 본 발명의 포토레지스트는 일반적으로 하나 이상의 포토애시드 발생제 화합물 및 상술한 바와 같은 적어도 두개의 상이한 수지의 수지 혼합물을 포함한다.
수지 혼합물은 레지스트의 코팅층이 수성 알칼리 현상액으로 현상될 수 있도록 하기에 충분한 양으로 사용되어야 한다.
본 발명의 포토레지스트는 활성화 조사선에 노광시 레지스트의 코팅층에 잠상을 제공하기에 충분한 양으로 사용되는 하나 이상의 포토애시드 발생제(즉, "PAG")를 함유하여야 한다.
일반적으로, 본 발명의 포토레지스트에 사용하기에 바람직한 PAG는 오늄염, 특히 요오도늄 및 설포늄 PAG이다. 적합한 오늄염 PAG는 Cameron 등에 의한 미국 특허 제 6,200,728호에 개시되었다.
본 발명의 레지스트에 사용하기에 특히 바람직한 두 오늄 PAG는 하기 요오도늄 PAG 1 및 2이다:
Figure 112005009238461-PAT00004
이러한 요오도늄 PAG는 상기 PAG 1의 합성이 설명되어 있는 유럽 특허 출원 제 96118111.2 호(공개 번호 0783136)에 기술된 바와 같이 제조될 수 있다.
상기 예시된 캄포설포네이트 그룹 이외의 음이온과 복합화된 상기 두 요오도늄 화합물이 또한 적합하다. 특히, 바람직한 음이온은 식 RSO3 -(여기에서, R은 아다만탄, 알킬(예: C1-12 알킬) 및 퍼플루오로(C1-12 알킬)과 같은 퍼플루오로알킬이다)(특히 퍼플루오로옥탄설포네이트, 퍼플루오로노난설포네이트 등이다)의 것을 포함한다.
본 발명의 레지스트에 사용하기에 바람직한 포토애시드 발생제 화합물의 또 다른 그룹은 하기 식의 화합물과 같은 이미도설포네이트이다:
Figure 112005009238461-PAT00005
상기 식에서,
R은 캄포, 아다만탄, 알킬(예: C1-12 알킬) 및 퍼플루오로(C1-12 알킬)과 같은 퍼플루오로알킬이며, 특히 퍼플루오로옥탄설포네이트, 퍼플루오로노난설포네이트 등이다. 특히 바람직한 PAG 는 N-[(퍼플루오로옥탄설포닐)옥시]-5-노보넨-2,3-디카복스이미드이다.
다른 적합한 PAG는 설폰화 에스테르 및 설포닐옥시 케톤을 포함한다(참조: 벤조인 토실레이트, t-부틸페닐 알파-(p-톨루엔설포닐옥시)아세테이트 및 t-부틸 알파-(p-톨루엔설포닐옥시)아세테이트를 포함하여 적합한 설포네이트 PAG를 기술하고 있는 J. of Photopolymer Science and Technology, 4(3):337-340(1991)). 바람직한 설포네이트 PAG가 또한 Sinta 등에 의한 미국 특허 제 5,344,742호에 기술되어 있다.
다른 유용한 산 발생제는 니트로벤질 에스테르 류 및 s-트리아진 유도체를 포함한다. 적합한 s-트리아진 산 발생제가 예를 들어 미국 특허 제 4,189,323호에 기재되었다.
본 발명의 레지스트 조성물의 바람직한 임의 성분은 염료 화합물이다. 바람직한 염료는 전형적으로 노광 조사선의 반사 및 그의 효과(예: 노칭(notching))를 감소시켜 패턴화 레지스트 이미지의 해상도를 향상시킬 수 있다. 바람직한 염 료는 치환 및 비치환 페노티아진, 페녹사진, 안트라센 및 안트라로빈 화합물을 포함한다. 치환된 페노티아진, 페녹사진, 안트라센 및 안트라로빈의 바람직한 치환체는 예를 들어 할로겐, C1-12 알킬, C1-12 알콕시, C2-12 알케닐, 아세틸과 같은 C1-12 알카노일, 페닐과 같은 아릴 등을 포함한다. 이들 화합물의 코폴리머가 또한 염료, 예를 들어 안트라센 아크릴레이트 폴리머 또는 코폴리머로 사용될 수 있다. 쿠르쿠민 염료가 또한 일부 응용예에 사용될 수 있다. 이러한 염료는 분리된 조성물 성분로서 보다는 코폴리머에 직접 함침될 수 있으며, 예를 들어 이 경우 상기 단위 2)의 두 인접 R1 부분은 함께, 융합 환을 형성하여 아세나프틸 부분 등을 제공할 수 있다. 단 UV 노광에서 반사를 감소시키는 것 이외에, 염료 사용은 248 nm 초과 또는 다른 단 UV 파장, 예컨대 365 nm 또는 436 nm 노광 파장을 포함하여 본 발명의 조성물의 스펙트럼 응답을 확장시킬 수 있다.
다른 바람직한 임의적 첨가제는 현상된 레지스트 릴리프 이미지의 해상도를 높일 수 있는 첨가 염기, 특히 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH) 또는 TBAH의 락테이트 염이다. 첨가 염기는 적합하게는 비교적 소량으로, 예를 들면 광활성 성분(PAG)에 대해 약 1 내지 20 중량%의 양으로 사용된다.
본 발명의 포토레지스트는 또한 다른 임의적 물질을 함유할 수 있다. 예를 들어, 다른 임의적 첨가제에는 줄 방지제(anti-striation agent), 가소제, 속도 향상제 등이 포함된다. 이러한 임의적 첨가제는 전형적으로, 예를 들면 레지스트의 건조 성분의 총 중량에 대해 약 5 내지 30 중량%의 양으로, 비교적 고농도로 존재 할 수 있는 충전제 및 염료를 제외하고는 포토레지스트 조성물중에 저 농도로 존재할 것이다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은 당업자들에 의해 용이하게 제조될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 성분을 적합한 용매, 예를 들면 에틸 락테이트, 2-메톡시에틸 에테르(디글림)와 같은 글리콜 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 메틸 에틸 케톤과 같은 셀로솔브 에스테르 및 3-에톡시 에틸 프로피오네이트중에 용해시켜 제조할 수 있다. 전형적으로, 조성물의 고체 함량은 포토레지스트 조성물의 총 중량에 대해 약 5 내지 35 중량%로 변한다. 수지 바인더 및 PAG 성분은 필름 코팅층을 제공하고 양질의 잠상 및 릴리프 이미지를 형성하기에 충분한 양으로 존재하여야 한다. 레지스트 성분의 예시적인 바람직한 양에 대해서는 이후 실시예를 참조하기 바란다.
본 발명의 레지스트 조성물은 일반적으로 공지된 방법에 따라 사용된다. 본 발명의 액체 코팅 조성물은 스피닝(spinning), 디핑(dipping), 롤러 코팅(roller coating) 또는 다른 통상적인 코팅 기술에 의해 기판에 적용된다. 스핀 코팅시, 코팅 용액의 고체 함량은 사용된 특정 스피닝 장치, 용액의 점도, 스피너 속도 및 스피닝에 필요한 시간에 기초해 목적하는 필름 두께를 제공하도록 조정될 수 있다.
본 발명의 레지스트 조성물은 적합하게는 포토레지스트에 의한 코팅을 포함한 프로세스에서 통상적으로 사용되는 기판에 적용된다. 예를 들어, 조성물은 마 이크로프로세서 및 다른 집적회로 소자를 제조하기 위해 실리콘 웨이퍼, 또는 이산화규소 웨이퍼상에 도포될 수 있다. 알루미늄-알루미늄 옥사이드, 갈륨 아르세나이드, 세라믹, 석영 또는 구리 기판 등이 또한 사용될 수 있다. 액정 디스플레이 및 다른 평판 디스플레이 응용예에 사용되는 기판, 예를 들어 유리 기판, 인듐 틴 옥사이드 코팅 기판 등이 또한 적절히 사용된다.
표면상에 포토레지스트를 코팅한 후, 가열 건조시켜 바람직하게는 포토레지스트 코팅이 끈적이지 않을 때까지 용매를 제거한다. 그후, 통상적인 방법으로 마스크를 통해 이미지화한다. 노광은 포토레지스트 시스템의 광활성 성분을 효과적으로 활성화시켜 레지스트 코팅층에 패턴화된 이미지를 제공하면 충분하고, 보다 구체적으로 노광 에너지는 전형적으로 노광 도구 및 포토레지스트 조성물의 성분에 따라 약 1 내지 300 mJ/㎠이다.
본 발명의 레지스트 조성물의 코팅층은 바람직하게는 단 UV 범위, 즉 전형적으로 약 300 nm 이하, 특히 약 248 nm 노광 파장에 의해 광활성화된다.
노광후, 조성물의 필름층을 바람직하게는 약 70 내지 약 160 ℃의 온도 범위에서 베이킹한다. 그후, 필름을 현상한다. 극성 현상액, 바람직하게는 수성 기제 현상액, 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 중탄산나트륨, 소듐 실리케이트, 소듐 메타실리케이트로 예시되는 무기 알칼리; 테트라알킬 암모늄 하이드록사이드 용액과 같은 사급 수산화암모늄 용액 등을 사용하여 노광된 레지스트 필름을 포지티브 작용성으로 만든다. 일반적으로, 현상은 당 업계에 알려진 방법에 따라 수행된다.
기판상의 포토레지스트 코팅을 현상한 다음, 예를 들어 레지스트가 벗겨진 기판 영역을 당 업계에 공지된 방법에 따라 화학적으로 에칭(etching)하거나 플레이팅(plating)함으로써 현상된 기판을 레지스트가 벗겨진 기판 영역상에서 선택적으로 처리할 수 있다. 마이크로일렉트로닉 기판, 예를 들어 이산화규소 웨이퍼를 제조하는 경우, 적합한 에칭제로는 가스 에칭제, 예를 들면 플라즈마 스트림으로서 적용되는 CF4 또는 CF4/CHF3 에칭제와 같은 염소 또는 불소-기제 에칭제가 포함된다. 이러한 처리후, 레지스트를 공지된 스트립핑 방법을 이용하여 처리된 기판으로부터 제거할 수 있다.
본 원에 언급된 모든 문헌은 본 원에 참고로 인용되었다.
하기 비제한적인 실시예가 본 발명을 설명한다.
실시예 1: 포토레지스트 제조 및 리소그래피 처리
하기 성분(여기에서 양은 고체(용매를 제외한 모든 성분)에 대한 중량%로서 표시되며, 레지스트는 84.4 중량% 유체 제제로 제제화된다)들을 혼합하여 본 발명의 레지스트를 제조하였다:
성분 양
제 1 페놀 수지 6
제 2 페놀 수지 4
PAG 5.2
염기성 첨가제 0.3
계면활성제 0.1
용매 84.4% 제제가 되도록 하는 양
상기 레지스트에서, 제 1 페놀 수지는 상기 구조 1의 폴리머(여기에서, R1 및 R2는 각각 에틸이다)이고, 제 2 페놀 수지는 상기 구조 2의 폴리머(여기에서, R1 및 R2는 각각 에틸이다)이다. PAG는 트리페닐설포늄 퍼플루오로부탄 설포네이트이다. 염기성 첨가제는 테트라부틸암모늄 락테이트이다. 계면활성제는 R08이다. 용매는 에틸 락테이트이다.
제제화된 레지스트 조성물을 가교된 유기 반사방지층을 가지는 8 인치 실리콘 웨이퍼상에 스핀 코팅하였다. 코팅된 레지스트를 110 ℃에서 90 초간 진공 열판을 통해 소프트베이킹하였다. 레지스트 코팅층을 포토마스크를 통해 248 nm에 노광시킨 후, 노광된 코팅층을 120 ℃에서 후노광 베이킹하였다. 그후, 이미지화된 레지스트층을 0.26N 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액으로 처리하여 현상하였다.
상기 언급된 본 발명의 내용은 단지 설명만을 목적으로 하며, 이후 청구범위에 기술된 본 발명의 정신 또는 영역을 벗어남이 없이 변형 및 수정될 수 있다.

Claims (10)

  1. a) 하나 이상의 포토애시드(photoacid) 발생제 화합물; 및
    b) i) 페놀 그룹, ii) 에스테르 포토애시드-불안정성 그룹 및 iii) 아세탈 포토애시드-불안정성 그룹을 가지며 다분산도가 약 1.4 이하인 제 1 페놀 수지 및 제 1 페놀 수지와 상이한 제 2 페놀 수지를 함유하는 수지 성분을 포함하는 포지티브-작용성(positive-acting) 포토레지스트 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 제 1 수지의 다분산도가 약 1.3 이하인 포토레지스트 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 제 2 수지의 다분산도가 약 1.2 이하인 포토레지스트 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 제 1 수지의 에스테르 및 아세탈 포토애시드-불안정성 그룹이 페놀 수지 단위에 공유적으로 결합된 포토레지스트 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 제 2 수지가 페놀 그룹 및 포토애시드-불안정성 에스테르 그룹을 포함하는 포토레지스트 조성물.
  6. 제 5 항에 있어서, 제 2 수지의 다분산도가 약 1.4 이하인 포토레지스트 조성물.
  7. 제 5 항에 있어서, 제 2 수지의 다분산도가 약 1.2 이하인 포토레지스트 조성물.
  8. A) 제 1 항의 포토레지스트 조성물층을 기판상에 도포하고;
    B) 기판상의 포토레지스트층을 노광후 현상하여 포토레지스트 릴리프 이미지를 제공하는 단계를 특징으로 하여, 포토레지스트 릴리프 이미지를 형성하는 방법.
  9. 제 1 항의 포토레지스트 조성물을 함유하는 기판을 포함하는 제품.
  10. i) 페놀 그룹, ii) 에스테르 포토애시드-불안정성 그룹 및 iii) 아세탈 포토애시드-불안정성 그룹을 가지며 다분산도가 약 1.3 이하인 제 1 페놀 수지; 및
    페놀 그룹 및 포토애시드-불안정성 에스테르 그룹을 가지며 다분산도가 약 1.3 이하인, 제 1 수지와 상이한 제 2 페놀 수지의 수지 혼합물.
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