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  1. 発光領域が形成された半導体基板に刻み目を入れて複数の発光ダイオードのうちの個々の発光ダイオード間に刻み目線を提供するステップと、
    前記刻み目線のうちの選択刻み目線に沿って前記半導体基板を分離して前記複数の発光ダイオードの、少なくとも2個の発光ダイオードを含むユニット化サブセットを提供するステップと、
    前記複数の発光ダイオードの前記ユニット化サブセットの発光ダイオードに電気的接続を提供するステップと
    を含むことを特徴とする発光ダイオードを形成する方法。
  2. 前記半導体基板は炭化ケイ素基板を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 前記半導体基板はサファイア基板を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. 前記刻み目線のうちの前記半導体基板をそれに沿って分離する前記選択刻み目線は、発光ダイオードの線形のアレイを前記ユニット化サブセットとして提供するように選択される刻み目線を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. 前記刻み目線のうちの前記半導体基板をそれに沿って分離する前記選択刻み目線は、少なくとも2行の平行な行の発光ダイオードを有する長方形の発光ダイオードを前記ユニット化サブセットとして提供するように選択される刻み目線を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  6. 前記刻み目線のうちの前記半導体基板をそれに沿って分離する前記選択刻み目線は、正方形の発光ダイオードを前記ユニット化サブセットとして提供するように選択される刻み目線を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. 前記電気的接続を提供するステップは、前記発光ダイオードの接点にハンダ付けを行うことを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  8. 発光ダイオードの前記ユニット化サブセットの前記複数の発光ダイオードは、前記ユニット化サブセット中の前記発光ダイオードのそれぞれに対する共通接点と、前記ユニット化サブセット中の前記発光ダイオードのそれぞれに対応する個別接点とを有しており、前記電気的接続を提供するステップは、
    前記共通接点用の共通接続を提供するステップと、
    前記個別接点の並列接続を提供するステップと
    を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  9. 前記共通接続を提供するステップは、前記共通接点にハンダ付けによる接続を行うことを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
  10. 前記並列接続を提供するステップは、前記個別接点のうちの接点を導電性バスストリップに接続することを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
  11. 前記並列接続を提供するステップは、
    前記個別接点のうちの第1の接点を導電性バスに接続するステップと
    前記個別接点のうちの残りの接点を前記個別接点のうちの前記第1の接点に直列に接続するステップと
    を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
  12. 前記刻み目線のうちの前記半導体基板をそれに沿って分離する前記選択刻み目線は、選択された波長プロファイルを提供した、発光ダイオードのユニット化サブセットを提供するように選択される刻み目線を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  13. 前記選択された波長プロファイルは、選択された範囲の波長を含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
  14. 前記刻み目線のうちの前記半導体基板をそれに沿って分離する前記選択刻み目線は、選択された光出力レベルを提供した、発光ダイオードのユニット化サブセットを提供するように選択される刻み目線を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  15. 前記電気的接続を提供するステップは、前記複数の発光ダイオードの前記ユニット化サブセットの前記発光ダイオードを選択的に接続して既定の出力および/または電気的な特性を有する1組の発光ダイオードを提供することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  16. 前記既定の特性は光出力特性を含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
  17. 前記既定の特性は電気的特性を含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
  18. 前記電気的特性は順バイアス電圧を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
  19. 前記刻み目線は、前記複数の発光ダイオードのうちの個々の発光ダイオードを画定することを特徴とする請求項1に記載の方法。
  20. 前記半導体基板はウェーハーを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
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