KR100923485B1 - 발광 소자의 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

발광 다이오드 소자를 형성하는 방법에 대하여 개시한다. 먼저, 그것 상에 형성되어 있는 발광 영역을 가지는 반도체 기판에 선을 새겨서 다수의 발광 다이오드의 개별 다이오드들 사이에 스코어 라인을 제공한다. 다음으로, 스코어 라인 중에서 선택된 스코어 라인을 따라서 반도체 기판을 쪼개어서 다수의 발광 소자의 유니트화된 부세트를 제공한다. 유니트화된 부세트는 적어도 2개의 발광 다이오드를 포함한다. 그리고, 다수의 발광 소자의 유니트화된 부세트에 포함되는 발광 다이오드를 전기적으로 연결한다. 스코어 라인은 또한 발광 다이오드의 개별적인 다이오드들을 또한 한정할 수도 있다.

Description

발광 소자의 형성 방법 {Methods of forming a light emitting device}
본 발명은 미세 전자 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 발광 다이오드에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 소비자 및 상업적 응용기기에 널리 사용되고 있다. 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 잘 알려져있는 바와 같이, 발광 다이오드는 일반적으로 미세 전자 기판 상에 형성된 다이오드 영역을 포함한다. 미세 전자 기판은 예를 들어, 갈륨 비화물(gallium arsenide), 갈륨 인화물(gallium phosphide), 그것의 합금, 실리콘 카바이드 및/또는 사파이어를 포함할 수 있다. LED의 지속적인 발전으로 인하여 가시 스펙트럼 및 그 이상의 영역까지 커버할 수 있는 상당히 효율적이고 기계적으로 강한 광원이 개발되게 되었다. 고체 상태 소자가 가지는 잠재적인 긴 수명과 결합하여 이러한 속성들은, 다양한 새로운 디스플레이 응용기기를 가능하게 할 수 있으며, 그리고 확고하게 자리를 잡고 있는 백열 램프와 형광 램프와 경쟁할 수 있는 지위에 LED를 위치시킬 수가 있다.
LED의 출력을 증가시키기 위하여, 몇 가지 방법들이 사용되어 왔다. 이러한 방법들 중에서 2가지는 LED의 크기를 증가시키는 방법과 다수의 독립적인 LED를 병 렬로 연결하는 방법이다. LED의 크기를 증가시키면, LED의 발광 면적을 증가시킴으로써 출력을 향상시킬 수가 있다. 그러나, 크기가 증가함에 따라서, 수율은 일반적으로 감소한다. 게다가, LED의 크기가 증가함에 따라서 광을 추출하는 것이 보다 어려울 수가 있다. 따라서, LED의 크기를 증가시키게 되면, LED에 의하여 생산되는 광의 양과 관련하여 LED의 비용을 증가시킬 수가 있다.
개별적으로 테스트되고 상호 연결된 다수의 독립적인 LED를 제공하는 방법은 LED로부터 광을 추출하는 것과 관련된 문제 뿐만이 아니라 증가된 크기의 LED와 관련된 수율의 문제를 극복할 수도 있다. 그러나, 다수의 LED를 개별적으로 테스트하고, 조합하고 및/또는 상호 연결하는 방법은 제품의 비용을 증가시킬 수가 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 제조방법은 먼저 그 상부에 형성되어 있는 발광 영역을 가지는 반도체 기판에 선을 새겨서 다수의 발광 다이오드의 개별 다이오드들 사이에 스코어 라인(score line)을 제공한다. 다음으로, 상기 스코어 라인 중에서 선택된 스코어 라인을 따라서 반도체 기판을 분리하여 다수의 발광 다이오드의 유니트화된(unitized) 부세트(subset)를 제공한다. 상기 유니트화된 부세트는 적어도 2개의 발광 다이오드를 포함한다. 그리고, 상기 다수의 발광 다이오드의 유니트화된 부세트에 포함되는 상기 발광 다이오드를 전기적으로 연결한다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 스코어 라인은 상기 다수의 발광 다이오드의 개별 다이오드들을 한정한다.
본 발명의 특정한 실시예에 의하면, 상기 반도체 기판은 실리콘 카바이드 기판을 포함할 수 있다. 대신에, 상기 반도체 기판은 사파이어 기판일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 스코어 라인 중에서 상기 반도체 기판이 그것을 따라서 쪼개지는 상기 선택된 스코어 라인은 발광 다이오드 스트립(strip)을 제공하는 스코어 라인이다. 게다가, 상기 스코어 라인 중에서 상기 반도체 기판이 그것을 따라서 쪼개지는 상기 선택된 스코어 라인은 서로 평행한 적어도 2열의 발광 다이오드를 가지는 직사각형 모양으로 배열된 발광 다이오드를 제공하는 스코어 라인일 수 있다. 마찬가지로, 상기 스코어 라인 중에서 상기 반도체 기판이 그것을 따라서 쪼개지는 상기 선택된 스코어 라인은 정사각형 모양으로 배열된 발광 다이오드를 제공하는 스코어 라인일 수 있다.
추가적으로, 발광 다이오드의 콘택에 납땜을 함으로써 전기적인 연결을 제공할 수 있다. 발광 다이오드는 유니트화된 부세트에 포함되는 각각의 발광 다이오드를 위한 공통 콘택(common contact)과 유니트화된 부세트에 포함되는 각각의 발광 다이오드에 상응하는 개별 콘택(individual contact)을 가질 수 있다. 이러한 실시예에서는, 상기 공통 콘택에 대해서는 공통 연결(common connection)을 제공하고 상기 개별 콘택에 대해서는 일련의 병렬 연결(series-parallel connection)을 제공함으로써, 상기 전기적인 연결을 제공할 수 있다. 상기 공통 콘택에 대한 연결부를 땜납으로 형성함으로써 상기 공통 연결을 제공할 수 있다. 상기 개별 콘택의 각각을 도전성 버스 스트립(conducting bus strip)에 연결함으로써 상기 병렬 연결을 제공할 수 있다. 또한, 제1 개별 콘택을 도전성 버스에 연결하고 그리고 상기 개별 콘택의 나머지들을 상기 제1 개별 콘택에 데이지 체인(daisy-chain) 방식(직렬 방식)으로 접속함으로써 이러한 병렬 연결을 제공할 수도 있다.
본 발명의 추가적인 실시예에서는, 상기 스코어 라인 중에서 상기 반도체 기판이 그것을 따라서 쪼개지는 상기 선택된 스코어 라인은, 선택된 파장 프로파일을 제공한 발광 다이오드의 유니트화된 부세트를 제공하도록 선택된 스코어 라인일 수 있다. 상기 선택된 파장 프로파일은 선택된 범위의 파장일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서는, 상기 스코어 라인 중에서 상기 반도체 기판이 그것을 따라서 쪼개지는 상기 선택된 스코어 라인은, 선택된 광 출력 레벨을 제공한 발광 다이오드의 유니트화된 부세트를 제공하도록 선택된 스코어 라인일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는, 상기 다수의 발광 다이오드의 유니트화된 부세트에 포함되는 발광 다이오드를 선택적으로 연결하여 소정의 특성을 가진 발광 다이오드의 세트를 제공하도록, 상기 다수의 발광 다이오드의 유니트화된 부세트에 포함되는 발광 다이오드에 전기적인 연결을 제공한다. 상기 소정의 특성은 광 출력 특성이거나 및/또는 순방향 바이어스 전압(forward bias voltage)과 같은 전기적인 특성일 수 있다.
삭제
도 1은 본 발명에 따라서 쪼개는 공정을 수행하기 이전에 선이 새겨져 있는 반도체 기판에 대한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 다수의 발광 다이오드의 유니트화된 부세트에 대한 측면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라서 상호 연결된 발광 다이오드에 대한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
지금부터 본 발명의 여러 가지 실시예를 보여주고 있는 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명을 설명한다. 도면에 도시된 바와 같이, 층 또는 영역들의 크기는 설명의 편의를 위하여 과장되었으며, 따라서 이러한 층 또는 영역들의 크기는 본 발명의 일반적인 구조를 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 게다가, 본 발명의 다양한 측면들이 기판 또는 다른 층 상에 형성되어 있는 층을 참조하여 설명되어 있다. 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 충분히 알 수 있는 바와 같이, 기판 또는 다른 층 상에 형성되어 있는 층에 대하여 기술할 때, 그 사이에 다른 층이 더 개재되어 있을 수 있다. 중간에 개재되어 있는 다른 층이 없이 기판 또는 다른 층 상에 형성되어 있는 층을 기술할 때에는, 본 명세서에는 기판 또는 층의 "바로" 위에 형성되어 있다고 기술한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호는 동일한 구성 요소를 나타낸다.
도 1 내지 도 4에는 본 발명의 여러 가지 실시예와 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 여러 가지 공정이 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 실 리콘 카바이드 또는 사파이어 웨이퍼와 같은 웨이퍼(10) 상에는, 발광 다이오드와 같은 다수의 발광 소자(12)가 형성되어 있다. 발광 소자(12) 각각의 주위는 다수의 스코어 라인(14)에 의하여 한정되어 있다. 예를 들어, 웨이퍼(10)가 분리될 라인을 따라서 웨이퍼(10)에 그루브(groove)를 제공하도록 웨이퍼(10)를 소잉(sawing)하거나 및/또는 식각하여 스코어 라인(14)을 제공할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 카바이드 기판의 경우에는, 상기 소자 구조물의 약 20 내지 약 25㎛가 남아있게 하는 깊이까지 상기 스코어 라인은 상기 기판 안으로 새겨져 있을 수 있다. 발광 소자(12)는 웨이퍼(10) 상에 형성되어 있는 공통 발광 영역을 가지거나 또는 웨이퍼(10) 상이나 또는 그 내에 및/또는 웨이퍼(10) 상에 형성되어 있는 물질층 내에 형성되어 있는 메사, 가드 링, 주입된 영역 등에 의하여 고립되어 있는 개별 소자 등과 같은 독립적인 소자일 수 있다.
대신으로, 예를 들어 광 추출을 위하여 상기 소자 구조물의 약 30 내지 40㎛를 남겨두는 스코어 라인을 사용하고, 웨이퍼가 쪼개지는 곳에는 상기 소자 구조물의 약 20에서 약 25㎛까지 남기는 스코어 라인을 사용할 수 있다. 이러한 것은, 예를 들어, 상대적으로 근접한 소자들을 선택하여 상기 소자 어레이의 경계가 어디에 위치하는지를 결정함으로써 달성될 수 있다. 그리고, 이러한 결정은 상기 스코어 라인을 형성하는 톱의 절단 높이를 변화시키는데 이용할 수 있다. 쪼개기 위한 스코어 라인과 소자들을 분별하고 광 출력을 위하여 제공되는 스코어 라인에 대한 두께를 변화시킴으로써, 부정확한 스코어 라인을 따라서 상기 웨이퍼가 부주의하게 쪼개질 가능성을 감소시킬 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 스코어 라인(14)을 따라서 웨이퍼(10)를 선택적으로 쪼개는데, 이러한 스코어 라인(14)은 발광 소자(12)의 유니트화된 부세트를 제공하도록 선택된다. 따라서, 예를 들어, 스코어 라인(A-A', B-B', E-E' 및 F-F')을 따라서 웨이퍼(10)를 쪼개어서, 8개의 발광 소자가 직선으로 어레이되어 있는 발광 소자(12)의 유니트화된 부세트(16)를 제공할 수 있다. 유사한 방법으로, 스코어 라인(B-B', C-C', E-E' 및 F-F')을 따라서 웨이퍼(10)를 쪼개어서, 발광 소자가 2×8의 직사각형 모양으로 어레이되어 있는 발광 소자(12)의 유니트화된 부세트(18)를 제공할 수 있다. 다시 도 1을 참조하면, 스코어 라인(C-C', D-D', E-E' 및 F-F')을 따라서 웨이퍼(10)를 쪼개어서, 발광 소자가 8×8의 정사각형 모양으로 어레이되어 있는 발광 소자(12)의 유니트화된 부세트를 제공할 수 있다.
도 1에 도시되어 있는 발광 소자(12)는 실질적으로 정사각형 모양인 것으로 도시되어 있지만, 스코어 라인(14)을 재배열하거나 추가함으로써 다른 모양의 발광 소자를 제공할 수도 있다. 예를 들어, 발광 소자(12)를 더 나누도록 웨이퍼(10)에 선을 더 그어서, 삼각형 모양의 발광 다이오드를 제공할 수도 있다. 마찬가지로, 스코어 라인(14)을 재배열하거나 추가하여 서로 다른 모양의 발광 다이오드가 조합된 배열도 제공할 수가 있다. 따라서, 예를 들어, 하나의 웨이퍼에 직사각형 및 삼각형 모양의 소자를 제공할 수도 있다. 마찬가지로, 하나의 웨이퍼에 다른 다각형 모양의 소자를 제공할 수도 있다. 또한, 선택된 스코어 라인을 따라서 분리함으로써 결과적으로 어떠한 모양이 제공될 수 있도록, 스코어 라인에 의하여 아크형, 곡선 등과 같은 다른 모양이 제공될 수도 있다. 그러나, 분리를 위한 특정한 기술에 의하여 특정한 모양을 현실화하는 것이 제한이 될 수도 있다. 그리고, 그것을 따라서 웨이퍼(10)가 쪼개질 스코어 라인을 선택함으로써, 소자의 유니트화된 부세트 내에 특정한 유형의 소자 및/또는 특정한 유형의 소자들의 조합이 결정될 것이다.
발광 다이오드를 한정하는 웨이퍼(10)의 스코어 라인을 따라서 선택적으로 쪼개거나 또는 쪼개지 않는 것은 많은 여러 가지 유형의 발광 소자에 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예는, 2002년 1월 25일 출원된 미합중국 특허 출원 제____호(대리인 도킷 번호 제5308-162호), "LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR"에 개시되어 있는 발광 다이오드에 특히 잘 사용될 수 있는데, 상기 특허 출원 명세서는 본 명세서에 전체가 개시되어 있는 것처럼 본 명세서에 참조에 의하여 결합한다.
도 2에는 본 발명의 실시예에 따라서 발광 다이오드의 유니트화된 부세트를 상호 연결하는 것이 도시되어 있다. 상기 발광 다이오드의 유니트화된 부세트는 그 것 상에 형성되어 있는 발광 영역(52)을 가지는 기판(50)을 포함한다. 발광 다이오드의 유니트화된 부세트(40)의 발광 다이오드(42, 44, 46 및 48)는 도 2에 도시된 바와 같은 모양을 가질 수 있는데, 이러한 모양은 스코어 라인에 의하여 제공될 수 있다. 또는 발광 다이오드의 유니트화된 부세트(40)의 발광 다이오드(42, 44, 46 및 48)는 다른 모양이거나 또는 다른 모양의 조합일 수도 있다. 지지 기판(60) 상에 형성되어 있는 도전성 물질층(54)은 콘택 영역 및/또는 발광 다이오드(40)의 유니트화된 부세트의 영역에 전기적인 콘택을 제공한다. 도전성 물질층(54)은 땜납, 공융 본드(eutectic bond) 및/또는 도전성 에폭시일 수 있다. 지지 기판(60)은 금속성 랜드(metallic land) 및/또는 버스(bus)와 같은 도전성 영역(58)을 그 상부에 가지는데, 도전체(56)에 의하여 제2 콘택 및/또는 발광 다이오드의 유니트화된 부세트(40)가 도전성 영역(58)에 전기적으로 연결된다.
도전체(56)는 땜납에 의하여 발광 다이오드의 유니트화된 부세트(40)에 연결될 수 있다. 그러나, 공융 본드 및/또는 도전성 에폭시와 같은 다른 도전성 연결 방법이 제공될 수도 있다. 게다가, 발광 다이오드의 유니트화된 부세트(40)를 구성하는 발광 다이오드(42, 44, 46 및 48)는 개별적으로 도전성 영역(84)에 연결되거나(예를 들어 도 3에 도시된 것과 같은 방법) 또는 도전체(56)에 의하여 함께 데이지-체인 방식(직렬 방식)으로 연결되고 그리고 도전성 영역(58)에 연결될 수도 있다(예를 들어, 도 2에 도시된 것과 같은 방법). 도전성 영역(58, 84)에 데이지-체인 방식(직렬 방식)으로 접촉하는 방법과 개별적으로 연결하는 방법의 조합도 또한 제공될 수 있다.
비록 도 2에 도시되어 있는 본 발명의 실시예는 "플립 칩" 구성, 즉 광이 기판(50)을 통하여 추출되는 구성과 소자의 반대쪽 면 상에 형성되어 있는 콘택을 가지는 발광 다이오드를 참조하여 기술되어 있지만, 본 명세서에 기술되어 있는 내용에 비추어보아서 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 이해될 수 있는 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상을 이용하면서 다른 방식의 구성도 또한 사용할 수가 있다. 예를 들어, 소자의 동일면 상에 2개의 콘택이 형성되어 있는 소자를 이용할 수도 있다. 게다가, "플립-칩" 구성이 아닌 소자도 또한 이용할 수도 있다. 게다가, 비록 도 2에는 발광 다이오드의 유니트화된 부세트가 지지 기판(60) 상에 형성 되어 있는 것이 도시되어 있지만, 지지 기판은 생략될 수도 있다.
도 3으로 돌아와서 이를 참조하면, 발광 소자가 2×4 모양으로 어레이되어 있는 유니트화된 부세트(82)에 대한 상호 연결을 보여주는 평면도가 도시되어 있다. 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 발광 다이오드의 유니트화된 부세트(82)가 지지 기판(80) 상에 탑재되어 있다. 발광 다이오드의 유니트화된 부세트(820)를 구성하는 발광 다이오드의 콘택은 지지 기판(80)의 도전성 영역(84)에 연결되어서 발광 다이오드에 전기적인 연결을 제공한다. 발광 다이오드의 제2 콘택이 발광 다이오드의 반대쪽 면에 만들어질 수 있으며, 그리고 예컨대 납땜 공정에 의하여 지지 기판(80)에 직접 만들어질 수도 있다.
비록 도 3에는 발광 다이오드의 콘택이 발광 다이오드의 반대쪽 면상에 형성되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 2개의 콘택이 모두 발광 다이오드의 공통의 면 상에 제공될 수도 있다. 이 경우에는, 예컨대 선택적인 땜납 연결, 공융 본드 및/또는 도전성 에폭시에 의하여, 지지 기판(80)으로부터 직접적인 전기 연결이 제공될 수도 있다. 대신으로, 콘택이 지지 기판(80)의 반대쪽 발광 다이오드의 면 상에 형성되어 있는 경우에는 전도체가 2개의 콘택 모두에 연결될 수도 있다.
도 4에는 본 발명의 실시예에 따른 제조 공정이 도시되어 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 발광 영역 및/또는 영역들을 가지는 웨이퍼를 제조한다(블록 100). 다음으로, 상기 웨이퍼에 선을 새겨서 독립적인 발광 다이오드를 한정한다(블록 110). 이러한 선 새기기 과정은 발광 다이오드의 주위에 어떠한 바람직한 모양을 만들어 낼 수 있으며 그리고, 예컨대, 상기 스코어 라인을 제공하도록 웨이퍼 를 소잉하거나 식각하는 것에 의하여 상기 과정을 실행할 수 있다. 상기 웨이퍼에 선을 새기는 것은 상기 웨이퍼가 상기 스코어 라인을 따라서 쪼개질 수 있도록 충분하게 깊게 수행되어야 한다. 그리고, 상기 스코어 라인 중에서 선택된 스코어 라인을 따라서 쪼개어서 2개 또는 그 이상의 발광 다이오드를 그 내부에 포함하는 발광 다이오드의 유니트화된 부세트를 제공한다(블록 120).
상기 선택된 스코어 라인은 하나 또는 그 이상의 기준에 의하여 선택될 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드의 유니트화된 부세트에 소망하는 숫자만큼의 발광 다이오드가 제공되도록 상기 스코어 라인을 선택할 수 있다. 또한, 소망하는 광학적 및/또는 전기적 특성 또는 특성들을 가지는 발광 다이오드의 유니트화된 부세트를 제공하도록 상기 스코어 라인을 선택할 수도 있다. 예를 들어, 소망하는 광 출력 레벨, 파장 및/또는 파장들을 가지는 다이오드를 제공하도록 상기 스코어 라인을 선택할 수도 있다. 특정한 파장의 범위와 같은 소망하는 파장의 프로파일을 제공하도록 상기 스코어 라인을 선택할 수도 있다. 마찬가지로, 순방향 바이어스 전압(Vf)과 같은 소망하는 전기적인 특성을 가지는 발광 다이오드의 유니트화된 부세트를 제공하도록 상기 스코어 라인을 선택할 수도 있다. 웨이퍼 상에 형성되어 있는 발광 다이오드에 대한 실질적인 실험에 기초하여 이러한 선택을 하거나 또는 발광 다이오드의 예측된 특성에 기초하여 이러한 선택을 할 수도 있다. 마찬가지로, 웨이퍼 내의 발광 다이오드는 서로 다른 특성, 예컨대 출력 파장을 가지도록 고안될 수도 있다. 이 경우에, 상기 서로 다른 특성을 가지는 발광 다이오드의 바 람직한 조합을 제공하도록 상기 스코어 라인을 선택할 수도 있다.
웨이퍼를 쪼개어서 발광 다이오드의 유니트화된 부세트를 제공한 다음에는, 상기 유니트화된 발광 다이오드의 부세트를 구성하는 발광 다이오드를 연결시킨다(블록 130). 바람직하게는, 이러한 연결은 납땜 기술을 사용하여 수행할 수 있는데, 그러나 공융 본드 및/또는 도전성 에폭시를 사용할 수도 있다. 게다가, 바람직하게는, 상기 발광 다이오드는 기판의 반대쪽 면에 상기 연결을 가지며 그리고 상기 기판을 통하여 광이 추출되는 "플립-칩" 구성으로 상기 발광 다이오드가 이용될 수 있다. 이러한 실시예에서는, 실리콘 카바이드 기판이 바람직하다.
비록 본 발명의 실시예에서는 쪼개는 공정을 통하여 발광 다이오드의 유니트화된 부세트로 분리하는 것으로서 주로 기술하였지만, 본 명세서의 개시 내용으로부터 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 알 수 있는 바와 같이, 발광 다이오드의 부세트를 분리하는 다른 방법을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 소잉, 레이저 절단, 워트 제트 밀링(water jet milling) 또는 개별 다이들을 개별화하기 위하여 통상적으로 사용되는 다른 이러한 기술들을 사용할 수도 있다.
마찬가지로, 비록 본 발명의 실시예에서는 그것들에 제공되는 전기적인 연결을 가지는 발광 다이오드의 유니트화된 부세트에 포함되는 발광 다이오드 각각을 참조하여 주로 기술하였지만, 본 발명은 그러한 실시예에 한정되는 것으로 이해되어서는 안된다. 본 발명의 다른 실시예에서는, 유니트화된 부세트에 포함되는 발광 다이오드 중에서 선택된 발광 다이오드에 연결이 제공된 것일 수도 있는데, 이것은 발광 다이오드 전체이거나 전체 발광 다이오드보다 적을 수 있다. 상기한 바 와 같이, 연결이 제공되어 있는 발광 다이오드는 특정한 특성, 예컨대 파장 또는 파장의 범위, 전압 특성 및/또는 출력 레벨 등과 같은 특성을 제공하도록 선택할 수 있다. 이러한 선택된 발광 다이오드에는 상기한 바와 같은 연결이 제공될 수도 있다. 예컨대 2001년 10월 17일에 출원되어 본 특허 출원의 양수인과 동일인에게 양수된 미합중국 특허 출원 제09/981,523호, "LARGE AREA SILICON CARBIDE DEVICES AND MANUFACTURING METHODS THEREFORE"에 기술되어 있는 것처럼 이러한 상호 연결이 제공될 수 있으며, 상기 특허 출원 명세서는 그 전체가 개시되어 있는 것처럼, 참조에 의하여 본 출원에 결합한다.
도면 및 명세서에는 본 발명의 전형적인 바람직한 실시예에 대해서 기술하였고, 그리고 비록 특정한 용어를 사용하였지만, 그러한 것들은 단지 일반적이고 예시적인 의미로 사용된 것이며, 본 발명의 기술적 사상을 제한하기 위하여 사용한 것은 아니다. 본 발명의 기술적 사상은 후술되어 있는 특허청구범위에 특정되어 있다.
본 발명은 미세 전자 산업 특히 발광 다이오드 소자의 제조 산업에 유용하다.

Claims (21)

  1. 반도체 기판으로서 자신의 상부에 발광 영역이 형성되어 있는 반도체 기판에 선을 새겨서 다수의 발광 다이오드로 구성된 개별적인 발광 다이오드 사이에 스코어 라인을 제공하는 단계;
    상기 스코어 라인 중에서 선택된 스코어 라인을 따라서 상기 반도체 기판을 분리하여 상기 다수의 발광 다이오드의 유니트화된 부세트(subset)를 제공하는 단계로서, 상기 유니트화된 부세트는 적어도 두 개의 발광 다이오드를 포함하는 단계; 및
    상기 다수의 발광 다이오드의 상기 유니트화된 부세트에 포함되는 발광 다이오드에 전기적인 연결을 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 스코어 라인 중에서 상기 선택된 스코어 라인은, 선택된 광 출력 레벨을 제공하는 발광 다이오드의 유니트화된 부세트를 제공하도록 선택하는 발광 소자의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 실리콘 카바이드 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 사파이어 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스코어 라인 중에서 상기 선택된 스코어 라인은, 발광 다이오드의 스트립을 상기 유니트화된 부세트로서 제공하도록 선택된 스코어 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 스코어 라인 중에서 상기 선택된 스코어 라인은, 서로 평행한 적어도 2열의 발광 다이오드를 가지는 직사각형 모양의 발광 다이오드를 상기 유니트화된 부세트로서 제공하도록 선택된 스코어 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 스코어 라인 중에서 상기 선택된 스코어 라인은, 정사각형 모양의 발광 다이오드를 상기 유니트화된 부세트로서 제공하도록 선택된 스코어 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전기적인 연결을 제공하는 단계는 상기 발광 다이오드의 콘택에 납땜을 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드의 유니트화된 부세트에 포함되는 상기 다수의 발광 다이오드는 상기 유니트화된 부세트 내의 발광 다이오드 각각을 위한 공통 콘택과 상기 유니트화된 부세트 내의 발광 다이오드 각각에 상응하는 개별 콘택을 가지며, 그리고 상기 전기적인 연결을 제공하는 단계는,
    상기 공통 콘택을 위한 공통 연결을 제공하는 단계; 및
    상기 개별 콘택을 위한 병렬 연결을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 공통 연결을 제공하는 단계는, 상기 공통 콘택에 연결부를 납땜하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 병렬 연결을 제공하는 단계는, 도전성 버스 스트립에 상기 개별 콘택의 각각을 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 병렬 연결을 제공하는 단계는,
    첫번째 개별 콘택을 도전성 버스에 연결하는 단계; 및
    상기 개별 콘택 중에서 상기 첫번째 개별 콘택을 제외한 나머지 콘택을 상기 첫번째 개별 콘택에 직렬 방식으로 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제1항에 있어서, 상기 다수의 발광 다이오드의 유니트화된 부세트를 구성하는 발광 다이오드에 전기적인 연결을 제공하는 단계는, 상기 다수의 발광 다이오드의 유니트화된 부세트에 포함되는 상기 발광 다이오드를 선택적으로 연결하여 소정의 광출력 특성 또는 소정의 전기적 특성을 가지는 발광 다이오드 세트를 제공하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제16항에 있어서, 상기 전기적인 특성은 순방향 바이어스 전압을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  20. 제1항에 있어서, 상기 스코어 라인은 상기 다수의 발광 다이오드의 개별 다이오드를 한정하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 형성방법.
  21. 삭제
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