JP2005505799A

JP2005505799A - 高耐熱性フォトレジスト組成物

Info

Publication number: JP2005505799A
Application number: JP2003536821A
Authority: JP
Inventors: リー，ドン−ギ; カン，スン−チュル; リー，ヨ−キョン; ジュ，ジン−ホ
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2001-10-19
Filing date: 2002-02-20
Publication date: 2005-02-24
Anticipated expiration: 2022-02-20
Also published as: WO2003034151A1; US7144662B2; CN1288501C; TW583507B; JP4336200B2; CN1606714A; KR20030032638A; KR100816342B1; US20040253541A1

Abstract

本発明はＬＣＤの製造工程に用いられる高耐熱性のフォトレジスト組成物に関する。すなわち、工程タクトの減少、工程単純化及びコスト節減を図ることができる高耐熱性のフォトレジスト組成物に関する。本発明の組成物を用いることにより、Ｃｒ金属膜蒸着/フォトレジスト工程/エッチング/フォトレジストストリップ/金属全面エッチングの５つの工程を省略することが可能となり、ＴＦＴ-ＬＣＤ製造工程のN⁺イオンドーピング工程において、従来の金属膜に代えて本発明の組成物を用いることが可能となる。本発明のフォトレジスト組成物が高耐熱性を有するからである。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣＤ用高耐熱性フォトレジスト組成物に関する。さらに詳しくは、ＬＣＤ-ＴＦＴパネル製造工程においてパターンを形成させるフォト工程で高熱に耐えることができるフォトレジスト組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ用フォトレジストに用いられる高分子は、露光部と非露光部の溶解度特性によってネガ型及びポジ型に分けられる。このようなフォトレジストは、分子量の分布、クレゾールのメタ/パラの比率、メチレン基の結合位置、感光剤のエステル結合、組成比などに対する様々な研究結果により溶解特性が改善され、０．３０μm以上の解像度を実現している。
【０００３】
ＬＣＤ-ＴＦＴパネル製造工程の中でパターンを形成させるフォト工程で用いられるフォトレジスト（以下、ＰＲという）の性能の開発は、ライン生産量を決定する上で非常に重要な事項である。
【０００４】
現在量産ラインで行われている低温ポリ工程のN⁺イオンのドーピング工程と金属及び窒化物のドライエッチング工程とにおいて、マスクとして金属膜及びＰＲを使用している。
【０００５】
N⁺イオンドーピング工程の場合、マスクとして用いられる金属膜を前工程で用いられるＰＲで代替すれば、金属膜の蒸着工程が除去され、工程の単純化及び生産性向上を図ることができる。
【０００６】
しかし、現在用いられているＰＲは、耐熱性が１３０℃の水準であるが、ドライエッチング装置のパワーが高いため、強力な熱とプラズマによりＰＲがバーニングを起こす。さらに、フルアッシング（Full Ashing）工程後にＰＲがきちんと剥離されない。特に、金属膜のドライエッチングの時にダメージが発生する。このような現象を解決するために、従来の技術では、フォト工程後にハードベーク工程が行われ、その後にアッシング工程そしてドライエッチング工程が行われている。
【０００７】
即ち、現在使用しているポジティブＰＲは、高温のイオンドーピング工程に耐えられず、フローを起こすおそれがある。また、前記のように、金属、シリコンナイトライド（Silicon Nitride）及び３層膜（SiNx/a-Si/n+ a-Si）のような窒化膜のドライエッチング工程の時に、ＰＲのバーニング現象によりマスクとしての役目を果たせなくなる。このため、バーニング現象を防止するようにフォト工程後にハードベーク工程を再度実施している。しかし、ガラス基板エッジ部位のＰＲパターン上では、ＰＲの残留物が間歇的に生じてフォト工程の遂行が難しく、複合金属層（Multi-Metal layer）（Mo/Al-Nd or Mo/Al-Nd/Mo）の金属ドライエッチング（Metal Dry Etch）工程でもＰＲのバーニング現象が発生するためフォト工程の遂行ができない。
【０００８】
したがって、高熱（１６０℃程度）に耐えられる高耐熱性の新たなＰＲの開発が求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記従来技術の問題を鑑みて、ＬＣＤ-ＴＦＴパネルの製造工程の中でパターン形成を進行するフォト工程で使用できる、高耐熱性で、性能が優れたフォトレジスト組成物を提供することを目的とする。本発明の他の目的は、ハードベーク工程の省略が可能であり、ドライエッチング後にもフォトレジストのバーニング現象がなくアッシング工程進行後にフォトレジストの剥離が可能である高耐熱性フォトレジスト組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明は、（a）ノボラック樹脂１０〜５０重量％;（b）エポキシアクリレート樹脂１〜２０重量％;（c）感光剤３〜１５重量％;及び（d）溶媒５０〜８０重量％を含む高耐熱性フォトレジスト組成物を提供する。
また、本発明は、フォトレジスト組成物において、（a）ノボラック樹脂１０〜５０重量％;（b）p-トルエンスルホン酸/ピリジンの塩（ＰＰＴＳ）０．０５〜２０重量％;（c）感光剤３〜１５重量％;及び（d）溶媒５０〜８０重量％を含む高耐熱性フォトレジスト組成物を提供する。
【００１１】
また、本発明は、低温ポリ工程のN⁺イオンドーピング工程のマスクとして使用される前記フォトレジスト組成物を含んだ半導体素子を提供する。
【００１２】
また、本発明は、金属及びナイトライドのドライエッチング工程のマスクとして使用される前記フォトレジスト組成物を含んだ半導体素子を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のフォトレジスト組成物を用いることにより、Ｃｒ金属膜蒸着/フォトレジスト工程/エッチング/フォトレジストストリップ/金属全面エッチングの５つの工程を省略することが可能となり、ＴＦＴ-ＬＣＤ製造工程のN⁺イオンドーピング工程において、従来の金属膜に代えて本発明の組成物を用いることが可能となる。本発明のフォトレジスト組成物が高耐熱性を有するからである。したがって、工程タクトの減少、工程単純化及びコスト節減を図ることができる。
【００１４】
また、多重金属層（Multi-Metal layer）（Mo/Al-Nd又はMo/Al-Nd/Mo）のドライエッチング工程を湿式エッチングで行うことも可能であるが、フォトレジストの特性によりドライエッチングを通じて工程タクト（Tact）を減少することができる。このような場合に、高耐熱性フォトレジストを使用することにより、フォトレジストのバーニング現象をなくし、ハードベーク工程を省略して工程単純化及びコスト節減を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１６】
本発明の発明者は、従来の問題を解決するために、現在適用されているノボラック系のアルカリ可溶性樹脂を含む従来のフォトレジスト組成物にエポキシアクリレート樹脂（Epoxy Acrylates Resin）を導入させて耐熱性の向上を図った。特に、低感度化及び残膜率の減少を防止するために、P-トルエンスルホン酸/ピリジンの塩（P-Toluene Sulfonic Acid/PyridineのSalt、以下、“ＰＰＴＳ”という）を添加し、従来のフォトレジスト組成物の有する感度及び残膜率の水準に合せて耐熱性が向上したフォトレジスト組成物を開発することによって本発明を完成した。
【００１７】
したがって、本発明は、フォト速度とコーティングの均一性を既存のものと同様に維持しながら、耐熱性が向上したフォトレジスト組成物を提供するものである。
【００１８】
本発明における第１の樹脂は、アルカリ可溶性樹脂に（a）ノボラック系樹脂を用いるのが好ましい。前記ノボラック系樹脂は、フェノール類とアルデヒド類とを縮重合反応させて製造する。前記フェノール類としては、フェノール、m-クレゾール、p-クレゾールなどを単独または２種以上を混合して用いることができる。前記アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒドなどを用いることができる。前記フェノール類とアルデヒド類との縮重合反応には、通常の酸性触媒を用いることができる。
【００１９】
本発明におけるノボラック樹脂は、m-クレゾールとp-クレゾールの混合比率によって互いに異なる種類のノボラック樹脂を混合使用して残膜率と感度を増加させることができる。好ましくは、前記ノボラック樹脂は、重量平均分子量が３０００〜１５０００のノボラック樹脂（以下、“ノボラックA樹脂”という）、重量平均分子量が５０００〜１５０００のノボラック樹脂（以下、“ノボラックB樹脂”という）の混合物、さらに好ましくは、ノボラックA樹脂とノボラックB樹脂の混合物を用いる。前記ノボラックA樹脂は、m-クレゾールとp-クレゾールの混合比率が５０〜１００:２０〜８０の重量比率で重合を行う。前記ノボラックB樹脂は、m-クレゾールとp-クレゾールの混合比率が３０〜１００:４０〜１００の重量比率で重合を行う。前記ノボラックA樹脂とノボラックB樹脂の混合比率は、１:１〜９の重量比で混合して用いることができる。
【００２０】
本発明における前記ノボラック系樹脂の含有量は、１０〜５０重量％とするのが好ましく、その含有量が前記範囲を超えると所望の残膜率と感度が得られない。
【００２１】
また、本発明のフォトレジスト組成物は、第２の樹脂として（b）のエポキシアクリレート系樹脂を含めて耐熱性を向上させる。前記アクリレート系樹脂は、溶解速度が速く優れた耐熱性を有しているので、フォトレジストの性能を向上することができる。前記エポキシアクリレート系樹脂の含有量は、１〜２０重量％とする。前記エポキシアクリレート系樹脂の含有量が１重量％未満であれば耐熱性の効果が弱く、２０重量％を超えると残膜率と感度が低下するおそれがある。
【００２２】
また、本発明で第２の樹脂として前記エポキシアクリレート系樹脂の代わりに（b）のp-トルエンスルホン酸/ピリジン塩（P-Toluene Sulfonic Acid/PyridineのSalt、以下、“ＰＰＴＳ”という）を使用することにより、既存のノボラックAとBを使用して向上した耐熱性を維持しながら、著しく低下する感度の問題を解決して、ＰＰＴＳを添加する前の耐熱性を維持することができる。つまり、前記ＰＰＴＳは、耐熱性（１６０℃）維持は勿論のこと低感度化及び残膜率の減少を防止する役目をする。さらに、前記ＰＰＴＳには、露光時に自ら酸（H⁺）を発生させてノボラック樹脂の溶解性を促進する役目と、低分子量で存在しながらストーンウォール（Stone wall）効果による溶解性増加の効果で感度を上昇させる高感度化の効果とがある。また、前記ＰＰＴＳの最大の長所は、高感度を示すにもかかわらず残膜率が維持されることである。これは、高耐熱性フォトレジストの開発において一般に問題視されていた残膜率の変化（残膜率を向上させると感度が低下する現象）を、高分子量物質と低分子両物質との割合により確実に解決するものである。前記p-トルエンスルホン酸/ピリジンの塩の含有量は０．０５〜２０重量％とするのが好ましく、前記ＰＰＴＳの含有量が０．０５重量％未満であれば、高感度と残膜率の維持が不可能であり、２０重量％を超えるとこれ以上の感度と残膜率の上昇が期待できない。
【００２３】
このような本発明によるフォトレジスト組成物において、ＰＰＴＳ添加による高感度現象のメカニズムは、図１a及び図１bに示されるとおりである。図１a及び図１bは、実施例９のＰＰＴＳ添加による非露光部と露光部の高感度現象のメカニズムを示すものである。図１aに図示しない基質のPは、感光剤のカップリング効果により溶解度の減少を示す。図１bに示すAは、活性化した酸（H+）の発生と低分子量によるストーンウォール（Stone wall）効果とによる溶解度の上昇に起因して感度の増加を示す。そして、図１bに示すPは、感光剤の溶解度が化学的に変化することにより溶解度の増加を示す。
【００２４】
また、本発明のフォトレジスト組成物において、（c）の感光剤（ＰＡＣ）は、ベンゼン環に結合されたバラスト基（Ballast Group）にジアゾ-ナフトキノン（ＤＮＱ、Diazo-naphtoquinone）が３個または４個結合されている形態の化合物を用いるのが好ましい。前記感光剤の含有量は、３〜１５重量％とするのが好ましい。
【００２５】
本発明で使用する（d）の溶媒は、前記樹脂と感光剤を溶解させる役目をする。前記溶媒の具体的な例として、３-メトキシブチルアクリレート（ＭＢＡ）、ｎ-ブチルアセテート（ｎ-ＢＡ）、及びガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）、あるいはそれらの混合物、あるいは乳酸エチル（ＥＬ）と混合使用するのが好ましい。前記乳酸エチルは、感光剤の再結晶化の防止、ｎ-ＢＡとアクリレートの溶解度の向上及び残膜率の改善のために用いられる。前記ｎ-ＢＡは、既存の溶媒より沸点が低くて染みの予防のために用いられる。
【００２６】
さらに好ましくは、３-メトキシブチルアクリレート、n-ブチルアセテート、及び乳酸エチルを混合して用いるのが良い。前記３-メトキシブチルアクリレート、n-ブチルアセテート、及びガンマブチロラクトンの混合比率は、３０〜７０:２０〜６０:１〜１０の重量比で混合されているのが好ましい。また、前記３-メトキシブチルアクリレート、n-ブチルアセテート、及び乳酸エチルの混合比率は、３０〜７０:１５〜４０:１５〜５０の重量比で混合されているのが好ましい。前記溶媒の含有量は５０〜８０重量％とするのが好ましい。
【００２７】
また、本発明のフォトレジスト組成物は添加剤を含み、例えば、フォトレジスト組成物に通常用いられる界面活性剤を含むことができる。
【００２８】
一方、本発明のフォトレジスト組成物は、現在量産ラインで行われている低温ポリ工程のN⁺イオンドーピング工程及び金属のドライエッチング工程において、マスクとして半導体素子の製造に適用される。
【００２９】
N⁺イオンドーピング工程でフォトレジスト組成物をマスクとして適用する場合、フォトレジスト組成物の耐熱性は優れているが、イオンドーピング後のフォトレジストのエッジ部位で収縮現象が発生するので、イオンドーピングする領域のドーピング量に違いが生じてIon/Ioff特性の変化が生じ得る。このような問題は、N^-イオンがドーピングされるＬＤＤ領域の長さを既存の金属膜を使用した時よりさらに長く設けて、イオンドーピング後に、減少したＬＤＤの長さを補償することにより解決することができる。その後、素子の特性を確認して変化の有無を判断しることにより適正なＬＤＤの長さにする。これにより、収縮によるイオンドーピング量の違いが発生することによるIon/Ioff特性の変化を減らすことができる。また、コーティング及びＣＤの均一性によってエッチング後のＬＤＤの長さに変化が生じることがあるが、これは、フォトレジストの均一性を確保するように溶媒及び界面活性剤を最適化することによって解決することができる。また、前記N⁺イオンドーピング工程に適用する場合に、剥離工程の後にイオンドーピングが行われたときに、イオンが接触したフォトレジストの表面部位が変質して、実際の剥離液の中で変質したフォトレジストの表面が溶解されずに残留物として残ることがある。これは、アッシング工程を行うことによって除去することができる。つまり、前記残留物による剥離液の汚染を防止するために、本発明はアッシング処理を行い変質したフォトレジストの表面を除去することにより、剥離時の残留物の生成を防止することができる。これにより、ガラス基板上のフォトレジストの除去は綺麗に行われる。
【００３０】
また、金属のドライエッチング工程に適用する場合は、ドライエッチング時に酸化物または金属膜とフォトレジストとの選択比を適切に調節することによって、エッチング工程の進行後のフォトレジストのプロファイル角度が４５゜で形成されるようにするのが好ましい。つまり、一定のプロファイル角度の維持のために、フォトレジスト成分の比率を適切に調節することが重要であるので、本発明のフォトレジスト組成物を用いるのが好ましい。
【００３１】
このように、本発明のフォトレジスト組成物は、耐熱性を有する成分を主要成分とし、１６０℃程度の高熱にも耐えることができるので、従来のフォトレジスト組成物に比べて耐熱性を２３％向上させることができ、ＬＣＤ-ＴＦＴパネルなどの半導体素子を製造する時にマスクとして効果的に適用することができる。
【００３２】
以下、本発明の実施例及び比較例を記載する。しかし、下記の実施例は本発明を理解するためのものあって本発明を限定するものではない。
【実施例】
【００３３】
［実施例１〜３、比較例１］
下記表１のような組成と含有量でフォトレジスト組成物を生成した。ここで、溶媒は下記表２の組成で生成した。また、実施例２は、ガンマブチロラクトンの代わりに乳酸エチル（ＥＬ）を使用し、エポキシアクリレート樹脂の含有量を１．５％減少させた。そして、実施例３は、エポキシアクリレート樹脂の代わりにＰＰＴＳを使用した。
【００３４】
【表１】

【００３５】
【表２】

［実験例１］
イオンドーピング工程に対する適用
１．イオンドーピング前の剥離試験
前記実施例１の高耐熱性フォトレジスト組成物に対して、７０℃でＰＲＳ-２０００剥離液内に２〜１０分間浸漬する条件でイオンドーピング前の剥離試験を実施した。そして、ハードベーク未処理の条件と１５０℃で１２０秒間ハードベーク処理した条件とに基づいて、剥離を評価した。その結果は下記表３のとおりである。
○:痕跡がなく良い、△:乾燥後少しの痕跡ある、×:乾燥後多量の痕跡発生
【００３６】
【表３】

前記表３のように、イオンドーピング前のラインの剥離条件では剥離が可能であるとの結果が出た。
【００３７】
その後、比較例１及び実施例１のフォトレジスト組成物に対して（a）ハードベーク未処理の場合と（b）１２０秒間ハードベーク処理した場合との評価結果を図２及び図３に各々示した。
【００３８】
図２に示す比較例１の場合、耐熱性の不足のため不良な結果となっているが、図３に示す実施例１の場合、高温でも耐熱性が優れているので、比較例１に比べて１２０℃から３０〜４０℃だけ向上していることが分かる。
［実験例２］
現在使用中の比較例１と実施例２のフォトレジスト組成物を既存の低温ポリ素子のN⁺イオンドーピング工程に適用して試験した。比較例１及び実施例２に対して（a）イオンドーピング前と、（b）６０kevのエネルギー条件でイオンドーピングした後との写真を図４及び図５に示した。その結果、図４に示す比較例１の場合、ＬＤＤの長さを確保した状態でイオンドーピング前後のフォトレジストエッジ部位の収縮程度を観察した時に、実施例２より多くの収縮が発生して大きな傾け（Slope）を示した。これは、おそらくN⁺イオンドーピング後にN⁺イオン量が変化したからであり、耐熱性が低減する要因となる。
【００３９】
一方、図５の（a）イオンドーピング前と（b）イオンドーピング後との結果に示すように、実施例２は耐熱性が優れていて良好な状態を示した。また、実施例２の場合、残膜率が１５％向上した（５８％→７３％）。
［実験例３］
実施例２及び実施例３に対して（a）ハードベーク未処理と（b）１２０秒間ハードベーク処理との評価結果を図６及び図７に各々示した。図６及び図７のように、実施例２及び実施例３の場合、全て優れた結果が出ており、特に実施例３の場合、耐熱性がさらに優れていることが分かる。
［実施例４〜９、比較例２］
ＰＰＴＳの添加量及びノボラック樹脂の添加量による効果を知るために、下記表４のような組成でＰＰＴＳの添加量とノボラック樹脂の添加量とを変化させながらフォトレジスト組成物を生成した。ここで、その他の成分として実施例３の溶媒を使用し、添加剤として界面活性剤３５ppmを使用した。
【００４０】
【表４】

前記表４のように、実施例４〜９の場合、比較例２のノボラック樹脂だけを使用した場合に比べて全体的に優れた結果であって、従来の比較例１と同等水準の感度を示した（１５００msec≒６０mJ）。実施例９の場合は、ノボラックA樹脂を使用することにより、１６０℃水準の耐熱性を維持しながら残膜率の平衡に対する感度を著しく減少させた。すなわち、ＰＰＴＳを使用することにより、感度及び残膜率が両方向上する画期的な結果を得た。特に、耐熱性の側面でアクリレート樹脂を使用しなくても１６０℃の水準を維持できるという特性を示した。
［実験例４］
金属のドライエッチング（ Metal Dry Etch ）工程におけるマスクへの適用試験
実施例９のフォトレジスト組成物に対してポリ工程での酸化物側と金属側とのドライエッチング工程時におけるマスクとしての役目を試験した。まず、１次的にフォトレジストをコーティングした後、ソフトベーク処理だけ行い、ドライエッチング試験を行った。実施例９に対する（a）ドライエッチング前と（b）ドライエッチング後との写真を図８に示す。図８に示すように、実施例９のドライエッチング後の場合、従来のフォトレジスト組成物（比較例１）に一般に現れるバーニング現象がほとんど現れなかった。
【００４１】
また、実施例９に対して追加的に行われるハードベーク処理を省略してフォト工程を行い、パターン形成してドライエッチングを行ったときでも、フォトレジストの全面にバーニング現象がなかった。また、実施例９の場合、アッシング工程後でも剥離が可能であった。これは、本発明のフォトレジスト組成物を金属のドライエッチング工程への適用することが可能であることを示している。
【００４２】
図９及び図１０は、比較例１と実施例９との剥離後の様子を示す写真である。図９の（a）と（b）から、比較例１の場合、ガラス基板上にフォトレジストは残っていないが、剥離液中に硬化したフォトレジストが少しあるため剥離がうまく行われなかったことが分かる。一方、図１０の（a）と（b）とから、実施例９の場合、剥離後にガラス基板上の金属パターン上にフォトレジストが残らずに綺麗に除去され、剥離液が入った液中に硬化したフォトレジスト表面の殻が溶解されずに残っていた。この時、剥離の条件は、剥離液に７０℃で４００秒間だけ浸漬するというものであった。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明のフォトレジスト組成物のＰＰＴＳ添加による高感度現象のメカニズムを示すものである。
【図２】従来比較例１のフォトレジスト組成物に対する（a）ハードベークを実施する前と、（b）１２０秒間ハードベークを実施した後の結果を示すものである。
【図３】本発明の実施例１のフォトレジスト組成物に対する（a）ハードベークを実施する前と、（b）１２０秒間ハードベークを実施した後の結果を示すものである。
【図４】従来比較例１のフォトレジスト組成物に対する（a）イオンドーピング前と、（b）６０kevのエネルギー条件でイオンドーピングした後の写真である。
【図５】本発明の実施例２のフォトレジスト組成物に対する（a）イオンドーピングする前と、（b）６０kevのエネルギー条件でイオンドーピングした後の写真である。
【図６】本発明の実施例２のフォトレジスト組成物に対する（a）ハードベークを実施する前と、（b）１２０秒間ハードベークを実施した後の結果を示すものである。
【図７】本発明の実施例３のフォトレジスト組成物に対する（a）ハードベークを実施する前と、（b）１２０秒間ハードベーク実施した後の結果を示すものである。
【図８】本発明の実施例９のフォトレジスト組成物に対する（a）ドライエッチング前と、（b）ドライエッチング後の写真である。
【図９】従来比較例１のフォトレジスト組成物に対するストリップ後の様子で、（a）パターン形態と（b）ストリップ液に溶解された結果物を示す写真である。
【図１０】本発明の実施例９のフォトレジスト組成物に対するストリップ後の様子で、（a）パターン形態と（b）ストリップ液に溶解された結果物を示す写真である。

Claims

フォトレジスト組成物であって、
（a）ノボラック樹脂１０〜５０重量％;
（b）エポキシアクリレート樹脂１〜２０重量％;
（c）感光剤３〜１５重量％;及び
（d）溶媒５０〜８０重量％;
を含む、
フォトレジスト組成物。
フォトレジスト組成物であって、
（a）ノボラック樹脂１０〜５０重量％;
（b）p-トルエンスルホン酸/ピリジンの塩（ＰＰＴＳ）０．０５〜２０重量％;
（c）感光剤３〜１５重量％;及び
（d）溶媒５０〜８０重量％;
を含む、
フォトレジスト組成物。
前記ノボラック樹脂は、重量平均分子量が３０００〜１５０００であるノボラックA樹脂と重量平均分子量が５０００〜１５０００であるノボラックB樹脂との混合物、または重量平均分子量が５０００〜１５０００のノボラックB樹脂である、
請求項１または請求項２に記載のフォトレジスト組成物。
前記ノボラックA樹脂と前記ノボラックB樹脂との混合比率は、１:１〜９である、
請求項３に記載のフォトレジスト組成物。
前記感光剤は、ベンゼン環に結合されたバラスト基にジアゾ-ナフトキノンが３個または４個結合されている形態の化合物である、
請求項１または請求項２に記載のフォトレジスト組成物。
前記溶媒は、３-メトキシブチルアクリレート、n-ブチルアセテート及びガンマブチロラクトンが３０〜７０:２０〜６０:１〜１０の重量比で混合されている混合溶媒である、
請求項１または請求項２に記載のフォトレジスト組成物。
前記溶媒は、３-メトキシブチルアクリレート、n-ブチルアセテート及び乳酸エチルが３０〜７０:１５〜４０:１５〜５０の重量比で混合されている混合溶媒である、
請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
請求項１または請求項２に記載のフォトレジスト組成物を含み、
低温ポリ工程のN⁺イオンドーピング工程のマスクとして前記フォトレジスト組成物を用いて製造される、
半導体素子。
請求項１または請求項２に記載のフォトレジスト組成物を含み、
金属及び窒化物の少なくとも一方のドライエッチング工程のマスクとして前記フォトレジスト組成物を用いて製造される、
半導体素子。