JP2005502973A - マイクロコントローラおよびeepromを含む回路装置の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
マイクロコントローラ(10)およびEEPROM(11)を含む回路装置の駆動方法を提供する。EEPROM(11)内の1つのデータセットメモリ(DA1,DA2,DA3,DB1,DB2,DB3)へのメモリ過程が所定回数経過した後、データセットは別のデータセットメモリへ記憶される。本発明の方法によれば、EEPROM(11)の所定のメモリセルについて技術的な理由から制限されているメモリ過程の回数を考慮しなくてよくなる。
Description
【技術分野】
【0001】
従来の技術
本発明は、独立請求項の上位概念記載のマイクロコントローラおよびEEPROMを含む回路装置の駆動方法に関する。
【0002】
独国特許出願公開第19716520号公報からはエレクトロモータの駆動パラメータを検出する冒頭に言及した形式の方法が公知である。ここで特に記憶されているのは駆動時間である。長期の記憶を行うメモリとしてPROM、EPROMまたはEEPROMが設けられている。
【0003】
PROMでは格納すべきデータセットはPROMメモリセルへの不可逆のプログラミングにより記憶される。EPROMは利用サイクルの終了時にメモリ内容を消去することにより再び使用することができる。この2つのタイプのメモリは1回の利用サイクル中同じメモリセルには1度しかデータセットを記憶できないので、駆動時間を数えるには多くのメモリセルをリザーブしておかなければならない。
【0004】
最も柔軟性の高い手段はメモリセルを電気的に書き込んだり消去したりできるEEPROMである。ただしEEPROMを使用することの利点は欠点にもなりうる。EEPROMのメモリセルは技術的な理由から任意の頻度で書き込みを行うことはできず、メモリ過程の回数は例えば約10000回に制限されている。またEEPROMはメモリ過程中に駆動電圧が中断すると一時的に定義されていない駆動状態に陥ってしまうことがある。この場合、格納されたデータセットにエラーが生じてしまう。
【0005】
したがって本発明の課題は、マイクロコントローラおよびEEPROMを含む回路装置の駆動方法において、メモリ過程の回数についての技術的な制限を克服することである。
【0006】
この課題は独立請求項に記載された特徴によって解決される。
【0007】
本発明の利点
本発明の方法ではEEPROM内の1つのデータセットメモリへのメモリ過程が所定回数経過した後、データセットは別のデータセットメモリへ記憶される。本発明の方法によれば、EEPROMの同じメモリセルについてのメモリ過程の最大回数が上方超過されず、しかもデータセットのメモリ過程に要求される回数は満足されることが保証される。
【0008】
本発明の方法の有利な実施形態および実施態様は従属請求項に記載されている。
【0009】
本発明の方法の特に有利な実施形態では、オフセットデータセットがオフセットデータメモリに記憶される。データセットメモリの該当するアドレスはオフセットデータメモリから簡単に読み出すことができる。オフセットデータセットを用いればマイクロコントローラでいつでも(特には開始後)、データセットの該当するアドレスを使用することができる。
【0010】
有利な実施形態では、メモリ過程の回数がデータセットそのものから求められる。この手段によればオフセットデータメモリとデータセットメモリとが同一となり、このため特に簡単にオフセットデータメモリを実現できる。
【0011】
特に有利な実施形態では、EEPROM内にデータセットを記憶する第1のメモリ領域と少なくとも1つの第2のメモリ領域とが設けられる。さらに、妥当なメモリ領域を示すポインタを含む第3のメモリ領域も設けられる。ここでマイクロコントローラは第1のプログラムステップで妥当でないとされたメモリ領域内にデータセットを記憶し、続いて第2のプログラムステップでポインタを変更して妥当でないとされたメモリ領域を妥当なメモリ領域とする。これら2つのステップは循環的に繰り返される。
【0012】
本発明の方法の主たる利点は、どのような駆動状態であっても少なくとも2つのメモリ領域の少なくとも1つに必ず正しいデータセットが格納されているということである。駆動シーケンス中に障害が発生した場合、例えば書き込み過程中に給電電圧が遮断されると、ある1つのメモリ領域へのメモリ過程にあったデータセットはエラーを発生する可能性があるが、他のメモリ領域に正しく格納されたデータセットは影響を受けない。したがってどんなときでも他のメモリ領域に最後に格納されたデータセットにアクセスしてこれを取り出すことができる。
【0013】
別の有利な実施形態ではリセット装置が本発明の方法にしたがって用いられる。プログラムシーケンスで障害が識別されたとき、または回路装置の使用開始のときには、リセットがトリガされる。本発明によれば、リセット後、マイクロコントローラにより第1の開始ステップでオフセットデータメモリが読み出され、該当するデータセットメモリが求められる。前述の有利な実施形態と同様にデータセットメモリが複数のメモリ領域に設けられている場合、第2の開始ステップで妥当なメモリ領域を指示するポインタが読み出される。
【0014】
本発明の方法は特にユーザが駆動電圧を任意にオンオフする回路装置に適している。ポインタがオフセットデータメモリに関連してリセット後にもつねに正しく記憶されたデータセットを指示し、これにアクセスすることができるので、その後の方法ステップにおいてもつねに正しいデータセットを基礎として作業することができる。
【0015】
マイクロコントローラのシーケンシャルな動作方式に基づいて、1つ以上のメモリ過程がエラーを有する状態で実行されることが排除される。したがっていずれの場合にもリセット後には少なくとも先行するサイクルで格納された正しいデータセットを使用することができる。
【0016】
他の有利な実施形態として、データセットの記憶を時間的に制御するタイマを設けることが挙げられる。データセットがメモリ過程の前に変更される場合、この手段は最も簡単には駆動時間カウンタとして実現される。タイマはデータセットを妥当でないほうのメモリ領域へ記憶するプログラムステップを循環的に反復することができる。このタイマはマイクロコントローラ内に配置することができる。
【0017】
複数のメモリ領域とポインタとを用いる本発明の方法の別の実施形態では、一方のメモリ領域において駆動時間を反映するデータセットがエラーを生じたメモリ過程においても駆動時間の欠落がないことが保証される。なぜならリセットの際にあらかじめ他方のメモリ領域に記憶された正しいデータセットにアクセス可能となるからである。
【0018】
本発明の方法は特に車両内の装置での使用に適している。データセットの記憶を10sごとに行う場合、許容可能なメモリ過程の回数は例えば10000回程度であり、駆動持続時間として見ると約28時間程度である。ここで本発明の方法によれば簡単に車両での使用に適した数1000時間の駆動時間を達成できる。
【0019】
車両の停止状態中は使用可能な電気エネルギが制限されているため、回路装置を完全に遮断できることが望ましい。データセットを記憶しているときに遮断過程が起こるとエラーが発生する場合があるが、ここではエラーが生じても後の過程には作用しない。なぜなら再使用の際には最後に記憶された正しいデータセットへアクセスが行われるからである。
【0020】
車両では特に外気の品質を検出してエアコンディショナーへ制御信号を送出する空気品質センサにおいて使用すると有利である。駆動時間カウンタに基づいてセンサ信号の短期および長期の補正の双方を行うことができる。
【0021】
本発明の方法の有利な実施例は従属請求項および以下の説明から得られる。図1には本発明の回路装置のブロック図が示されており、図2には本発明の方法のフローチャートが示されている。
【0022】
回路装置はマイクロコントローラ10,EEPROM11およびリセット装置12を有している。リセット装置12およびEEPROM11は給電線路13に接続されており、この給電線路13はスイッチ14を介してエネルギ源15に接続されている。
【0023】
リセット装置12はリセット信号16をプロセッサコア17へ送出する。プロセッサコア17にはさらにクロックジェネレータ19で形成されたクロック信号18およびタイマ21で形成されたタイマ信号20も供給される。
【0024】
マイクロコントローラ10はリセットメモリ22,データセットメモリ23,ポインタメモリ24,データオフセットメモリ25およびポインタオフセットメモリ26を有している。
【0025】
マイクロコントローラ10は双方向データバス27およびアドレスバス28を介してEEPROM11と通信する。
【0026】
EEPROM11は第1のメモリ領域29,第2のメモリ領域30,第3のメモリ領域31および第4のメモリ領域32を有する。第1のメモリ領域29は第1のデータセットメモリDA1,第2のデータセットメモリDA2および第3のデータセットメモリDA3を含む。第2のメモリ領域30も同様に第1のデータセットメモリDB1,第2のデータセットメモリDB2および第3のデータセットメモリDB3を含む。第3のメモリ領域31は第1のポインタP1,第2のポインタP2および第3のポインタP3を含む。第4のメモリ領域32は第1のデータオフセットメモリOA、第2のデータオフセットメモリOBおよびポインタオフセットメモリOPを有する。
【0027】
図2には本発明の方法が示されている。開始Sの後、第1の開始ステップ50でリセット過程が行われる。第2の開始ステップ51ではオフセットデータメモリOA,OBが読み出される。第3の開始ステップ52ではポインタP1〜P3がポインタオフセットメモリOPからオフセットに依存して読み出される。第4の開始ステップ53ではポインタP1〜P3の指示に応じて妥当なメモリ領域29または30からデータセットが読み出される。
【0028】
第1のステップ54では妥当でないとされた第1のメモリ領域29または第2のメモリ領域30に存在するデータセットメモリDA1〜DA3またはDB1〜DB3へデータセットが記憶される。第2のステップ55ではポインタP1〜P3が新たに妥当となったメモリ領域29または30を指示するように変更される。
【0029】
本発明の回路装置は次のように動作する。
【0030】
まず給電線路13がスイッチ14を介してエネルギ源15、例えばバッテリに接続される。マイクロコントローラ10に含まれるリセット装置12はリセット信号16を調製する。リセット信号16によりマイクロコントローラ10のプログラムシーケンスの新たな開始がトリガされる。リセットに必要な情報すなわちスタートアドレスなどは、リセットメモリ23に記憶されている。リセットメモリ23は有利にはROMに含まれており、その内容はメーカーで定められている。ROMはマイクロコントローラ10内に配置することができる。
【0031】
開始Sの後、第1の開始ステップ50が行われる。このステップはリセット過程に相応する。
【0032】
マイクロコントローラ10はデータバス27およびアドレスバス28を介してEEPROM11に接続されている。EEPROM(Electrical Erasable and Programmable Memory)とはここでは駆動電圧の遮断後にもその内容が失われず、メモリセルに複数回の書き込みが可能なタイプのメモリのことである。EEPROMはマイクロコントローラ10内に配置してもよく、その場合にはこれらをマイクロプロセッサと称する。
【0033】
EEPROM11の第3のメモリ領域31にはポインタP1〜P3が収容されている。ポインタP1〜P3はEEPROM11の第1のメモリ領域29または第2のメモリ領域30のいずれがその時点での記憶にとって妥当であるかを指示するデータセットである。有利にはポインタP1〜P3はビットポインタとして実現され、ステータス0または1を有する1ビットが必要なのみである。例えば1Byteのビットポインタを実現する場合、この情報は最下位ビットとして符号化される。
【0034】
図示の実施例では第1〜第3のポインタP1〜P3が示されている。3つのポインタのうちいずれが最新の情報を有するかは第2の開始ステップ51の後、ポインタP1〜P3に対するオフセットと、第1のメモリ領域29のデータセットメモリDA1〜DA3および第2のメモリ領域30のデータセットメモリDB1〜DB3のオフセットとによって得られる。
【0035】
ポインタP1〜P3のオフセットはポインタオフセットメモリOPから得られる。該当するポインタから該当するオフセットデータメモリOA,OBが結論される。そこから該当するメモリ、すなわち第1のメモリ領域29のデータセットメモリDA1〜DA3または第2のメモリ領域30のDB1〜DB3のアドレスが求められる。
【0036】
メモリを節約するためにオフセットメモリOA,OB,OPを省略することができる。前提として相応の区別が可能であれば、該当するアドレスをデータセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3から求めることができる。場合によってはデータセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3はリザーブされている全てのメモリスペースに問い合わせを行い、その内容を検査することもできる。
【0037】
オフセットの情報に基づいてどのポインタが最新の情報を有しているかを判別することができる。図示されているような3つのポインタP1〜P3のほか、EEPROM11内の位置の異なるさらに別のポインタを設けることができる。種々のポインタP1〜P3を設ける理由は、EEPROM内の同じメモリセルへのデータ書き込み可能な最大回数が制限されているためである。したがってポインタオフセットメモリOP内のオフセットまたはデータセットメモリDA1〜DA3またはDB1〜DB3から求められたオフセットは所定数のメモリ過程の後に次のポインタP1〜P3の指示する別の値へ変更される。いわばポインタP1〜P3はEEPROM11を“漂遊”する。
【0038】
同じメモリセルへの書き込み過程の最大数が制限されているため、1つだけではなく複数のデータセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3が設けられている。所定数のメモリ過程の後にはこれを他のデータセットメモリDA1〜DA3またはDB1〜DB3と交換しなければならない。ポインタP1〜P3と同様に、有利にはベースアドレスに基づいてデータオフセットメモリOA,OBに格納されていたオフセットが加えられる。第1のデータオフセットメモリOAは第1のメモリ領域29のデータセットメモリDA1〜DA3に対するオフセットを含み、第2のデータオフセットメモリOBは第2のメモリ領域30のデータセットメモリDB1〜DB3に対するオフセットを含む。オフセットデータメモリOA,OBを節約するために、格納されている情報を相互に区別することができるのであれば、相応の情報をデータセットメモリDA1〜DA3またはDB1〜DB3から得ることもできる。データセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3もいわばEEPROM11を“漂遊”する。
【0039】
格納されたデータセットからメモリ過程の回数を求める簡単な手段として、データセットをメモリ過程の前にインクリメントまたはデクリメントすることが挙げられる。以下の説明を解りやすくするために、第1のメモリ領域29の第1のデータセットメモリDA1と第2のメモリ領域30の第1のデータセットメモリDB1のみを取り上げる。プログラムシーケンスに依存してプロセッサコア17はデータセットに1単位(例えば1bit)を加え、このようにして定められた新たなデータセットを第1のデータセットメモリDA1,DB1のいずれか、ポインタP1が妥当でないと指示しているほうのメモリに記憶する。ポインタP1〜P3についても以下ではポインタP1のみについて説明する。そして最後に記憶されたデータセットをプロセッサコア17はポインタP1が妥当であると指示しているほうのメモリ領域のデータセットメモリDA1またはDB1から読み出す。有利にはこのデータセットはマイクロコントローラ10のRAMメモリ23に格納される。データセットメモリ23のほか、有利にはポインタメモリ24、データオフセットメモリ25およびポインタオフセットメモリ26もRAMメモリとして設けられている。
【0040】
第1のステップ54において妥当とされなかったほうのメモリ領域29または30の第1のデータセットメモリDA1またはDB1にデータセットが記憶され、続いて第2のステップ55においてポインタP1が新たな値へ変更される。これにより最後にデータセットが書き込まれたほうのメモリ領域29または30が妥当なメモリ領域となる。
【0041】
この実施例で示したような2つのメモリ領域29,30に代えてさらに別のメモリ領域を設けることもできる。ただしこの実施例でのように2つのメモリ領域を設けるのみとしてポインタP1〜P3をビットポインタとして実現すると有利である。ポインタは最も簡単には論理0または1を表す1bitを有していればよい。
【0042】
そののち第1のステップ54および第2のステップ55が循環的に処理される。いずれかの時点、例えばスイッチ14の開放の時点で、エラーを有する値がデータセットメモリDA1に格納された場合、1つ前のサイクルで他方のデータセットメモリDB1に格納されたデータセットが使用される。なぜならビットポインタP1が正しい内容を有する妥当な旧のデータセットメモリを指示するからである。
【0043】
メモリ過程でポインタにエラーを生じても、データセットメモリDA1、DB1のデータには影響はない。
【0044】
スイッチ14または他のイベントによって給電線路13での駆動電圧が遮断された後にはリセット回路12がアクティブとなり、リセット信号16が形成される。マイクロコントローラ10が初期化されると、前述の第3の開始ステップ52でポインタP1が読み出され、第4の開始ステップ53で妥当なメモリ領域の第1のデータセットメモリからデータセットが読み出される。これ以降のプログラムシーケンスはこれを基礎として行われる。
【0045】
特に有利な実施例では本発明は駆動時間カウンタにおいて使用される。このためにデータセットメモリDA1〜DA3,DB1〜DB3へのデータセットの記憶を固定の時間で行うタイマ21が設けられている。クロックはマイクロコントローラ10によって有利には水晶発振器であるクロックジェネレータ19およびタイマ21を介して定められる。例えば10sのクロックにより3Byteのバイナリのメモリセルを有するカウンタを用いて最大で約46603時間の時間設定を行うことができる。前述した10sごとにデータセットの記憶を行う実施例では1つのデータセットメモリに許容されるメモリ過程の最大回数は例えば10000回であり、駆動持続時間として見るとたった28時間程度となってしまう。ここで複数のデータセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3を設けることにより相応に複数のデータセットメモリがリザーブされ、前述のように約46603時間の時間設定が実現される。
【0046】
エラーを起こしたメモリ過程で発生しうるデータの欠落は本発明の駆動時間カウンタでは回避される。データセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3を第1のメモリ領域29および第2のメモリ領域30へ分割することにより、つねに正しい駆動時間を有するデータセットを使用することができる。
【0047】
本発明の方法は特に車両内に組み込まれる装置に適している。こうした適用分野では少なくとも車両の停止状態において回路装置を駆動するためのエネルギ量が制限されているので、スイッチ14を介した回路装置の完全な遮断を行えることが望ましい。本発明の方法によれば、EEPROM11の所定のメモリセルについてのメモリ過程の許容回数から独立に、任意に駆動時間を設定することができる。本発明の方法によればさらに、完全な停止によって遮断が起こり、EEPROM11へのメモリ過程にデータのエラーが生じうるときにも確実な回路装置の駆動が可能となる。本発明は車両で有利には空気品質センサにおいて適用され、駆動時間カウンタを短期および長期の信号補正のために使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【0048】
【図1】本発明の回路装置のブロック図である。
【0049】
【図2】本発明の方法のフローチャートである。
【0001】
従来の技術
本発明は、独立請求項の上位概念記載のマイクロコントローラおよびEEPROMを含む回路装置の駆動方法に関する。
【0002】
独国特許出願公開第19716520号公報からはエレクトロモータの駆動パラメータを検出する冒頭に言及した形式の方法が公知である。ここで特に記憶されているのは駆動時間である。長期の記憶を行うメモリとしてPROM、EPROMまたはEEPROMが設けられている。
【0003】
PROMでは格納すべきデータセットはPROMメモリセルへの不可逆のプログラミングにより記憶される。EPROMは利用サイクルの終了時にメモリ内容を消去することにより再び使用することができる。この2つのタイプのメモリは1回の利用サイクル中同じメモリセルには1度しかデータセットを記憶できないので、駆動時間を数えるには多くのメモリセルをリザーブしておかなければならない。
【0004】
最も柔軟性の高い手段はメモリセルを電気的に書き込んだり消去したりできるEEPROMである。ただしEEPROMを使用することの利点は欠点にもなりうる。EEPROMのメモリセルは技術的な理由から任意の頻度で書き込みを行うことはできず、メモリ過程の回数は例えば約10000回に制限されている。またEEPROMはメモリ過程中に駆動電圧が中断すると一時的に定義されていない駆動状態に陥ってしまうことがある。この場合、格納されたデータセットにエラーが生じてしまう。
【0005】
したがって本発明の課題は、マイクロコントローラおよびEEPROMを含む回路装置の駆動方法において、メモリ過程の回数についての技術的な制限を克服することである。
【0006】
この課題は独立請求項に記載された特徴によって解決される。
【0007】
本発明の利点
本発明の方法ではEEPROM内の1つのデータセットメモリへのメモリ過程が所定回数経過した後、データセットは別のデータセットメモリへ記憶される。本発明の方法によれば、EEPROMの同じメモリセルについてのメモリ過程の最大回数が上方超過されず、しかもデータセットのメモリ過程に要求される回数は満足されることが保証される。
【0008】
本発明の方法の有利な実施形態および実施態様は従属請求項に記載されている。
【0009】
本発明の方法の特に有利な実施形態では、オフセットデータセットがオフセットデータメモリに記憶される。データセットメモリの該当するアドレスはオフセットデータメモリから簡単に読み出すことができる。オフセットデータセットを用いればマイクロコントローラでいつでも(特には開始後)、データセットの該当するアドレスを使用することができる。
【0010】
有利な実施形態では、メモリ過程の回数がデータセットそのものから求められる。この手段によればオフセットデータメモリとデータセットメモリとが同一となり、このため特に簡単にオフセットデータメモリを実現できる。
【0011】
特に有利な実施形態では、EEPROM内にデータセットを記憶する第1のメモリ領域と少なくとも1つの第2のメモリ領域とが設けられる。さらに、妥当なメモリ領域を示すポインタを含む第3のメモリ領域も設けられる。ここでマイクロコントローラは第1のプログラムステップで妥当でないとされたメモリ領域内にデータセットを記憶し、続いて第2のプログラムステップでポインタを変更して妥当でないとされたメモリ領域を妥当なメモリ領域とする。これら2つのステップは循環的に繰り返される。
【0012】
本発明の方法の主たる利点は、どのような駆動状態であっても少なくとも2つのメモリ領域の少なくとも1つに必ず正しいデータセットが格納されているということである。駆動シーケンス中に障害が発生した場合、例えば書き込み過程中に給電電圧が遮断されると、ある1つのメモリ領域へのメモリ過程にあったデータセットはエラーを発生する可能性があるが、他のメモリ領域に正しく格納されたデータセットは影響を受けない。したがってどんなときでも他のメモリ領域に最後に格納されたデータセットにアクセスしてこれを取り出すことができる。
【0013】
別の有利な実施形態ではリセット装置が本発明の方法にしたがって用いられる。プログラムシーケンスで障害が識別されたとき、または回路装置の使用開始のときには、リセットがトリガされる。本発明によれば、リセット後、マイクロコントローラにより第1の開始ステップでオフセットデータメモリが読み出され、該当するデータセットメモリが求められる。前述の有利な実施形態と同様にデータセットメモリが複数のメモリ領域に設けられている場合、第2の開始ステップで妥当なメモリ領域を指示するポインタが読み出される。
【0014】
本発明の方法は特にユーザが駆動電圧を任意にオンオフする回路装置に適している。ポインタがオフセットデータメモリに関連してリセット後にもつねに正しく記憶されたデータセットを指示し、これにアクセスすることができるので、その後の方法ステップにおいてもつねに正しいデータセットを基礎として作業することができる。
【0015】
マイクロコントローラのシーケンシャルな動作方式に基づいて、1つ以上のメモリ過程がエラーを有する状態で実行されることが排除される。したがっていずれの場合にもリセット後には少なくとも先行するサイクルで格納された正しいデータセットを使用することができる。
【0016】
他の有利な実施形態として、データセットの記憶を時間的に制御するタイマを設けることが挙げられる。データセットがメモリ過程の前に変更される場合、この手段は最も簡単には駆動時間カウンタとして実現される。タイマはデータセットを妥当でないほうのメモリ領域へ記憶するプログラムステップを循環的に反復することができる。このタイマはマイクロコントローラ内に配置することができる。
【0017】
複数のメモリ領域とポインタとを用いる本発明の方法の別の実施形態では、一方のメモリ領域において駆動時間を反映するデータセットがエラーを生じたメモリ過程においても駆動時間の欠落がないことが保証される。なぜならリセットの際にあらかじめ他方のメモリ領域に記憶された正しいデータセットにアクセス可能となるからである。
【0018】
本発明の方法は特に車両内の装置での使用に適している。データセットの記憶を10sごとに行う場合、許容可能なメモリ過程の回数は例えば10000回程度であり、駆動持続時間として見ると約28時間程度である。ここで本発明の方法によれば簡単に車両での使用に適した数1000時間の駆動時間を達成できる。
【0019】
車両の停止状態中は使用可能な電気エネルギが制限されているため、回路装置を完全に遮断できることが望ましい。データセットを記憶しているときに遮断過程が起こるとエラーが発生する場合があるが、ここではエラーが生じても後の過程には作用しない。なぜなら再使用の際には最後に記憶された正しいデータセットへアクセスが行われるからである。
【0020】
車両では特に外気の品質を検出してエアコンディショナーへ制御信号を送出する空気品質センサにおいて使用すると有利である。駆動時間カウンタに基づいてセンサ信号の短期および長期の補正の双方を行うことができる。
【0021】
本発明の方法の有利な実施例は従属請求項および以下の説明から得られる。図1には本発明の回路装置のブロック図が示されており、図2には本発明の方法のフローチャートが示されている。
【0022】
回路装置はマイクロコントローラ10,EEPROM11およびリセット装置12を有している。リセット装置12およびEEPROM11は給電線路13に接続されており、この給電線路13はスイッチ14を介してエネルギ源15に接続されている。
【0023】
リセット装置12はリセット信号16をプロセッサコア17へ送出する。プロセッサコア17にはさらにクロックジェネレータ19で形成されたクロック信号18およびタイマ21で形成されたタイマ信号20も供給される。
【0024】
マイクロコントローラ10はリセットメモリ22,データセットメモリ23,ポインタメモリ24,データオフセットメモリ25およびポインタオフセットメモリ26を有している。
【0025】
マイクロコントローラ10は双方向データバス27およびアドレスバス28を介してEEPROM11と通信する。
【0026】
EEPROM11は第1のメモリ領域29,第2のメモリ領域30,第3のメモリ領域31および第4のメモリ領域32を有する。第1のメモリ領域29は第1のデータセットメモリDA1,第2のデータセットメモリDA2および第3のデータセットメモリDA3を含む。第2のメモリ領域30も同様に第1のデータセットメモリDB1,第2のデータセットメモリDB2および第3のデータセットメモリDB3を含む。第3のメモリ領域31は第1のポインタP1,第2のポインタP2および第3のポインタP3を含む。第4のメモリ領域32は第1のデータオフセットメモリOA、第2のデータオフセットメモリOBおよびポインタオフセットメモリOPを有する。
【0027】
図2には本発明の方法が示されている。開始Sの後、第1の開始ステップ50でリセット過程が行われる。第2の開始ステップ51ではオフセットデータメモリOA,OBが読み出される。第3の開始ステップ52ではポインタP1〜P3がポインタオフセットメモリOPからオフセットに依存して読み出される。第4の開始ステップ53ではポインタP1〜P3の指示に応じて妥当なメモリ領域29または30からデータセットが読み出される。
【0028】
第1のステップ54では妥当でないとされた第1のメモリ領域29または第2のメモリ領域30に存在するデータセットメモリDA1〜DA3またはDB1〜DB3へデータセットが記憶される。第2のステップ55ではポインタP1〜P3が新たに妥当となったメモリ領域29または30を指示するように変更される。
【0029】
本発明の回路装置は次のように動作する。
【0030】
まず給電線路13がスイッチ14を介してエネルギ源15、例えばバッテリに接続される。マイクロコントローラ10に含まれるリセット装置12はリセット信号16を調製する。リセット信号16によりマイクロコントローラ10のプログラムシーケンスの新たな開始がトリガされる。リセットに必要な情報すなわちスタートアドレスなどは、リセットメモリ23に記憶されている。リセットメモリ23は有利にはROMに含まれており、その内容はメーカーで定められている。ROMはマイクロコントローラ10内に配置することができる。
【0031】
開始Sの後、第1の開始ステップ50が行われる。このステップはリセット過程に相応する。
【0032】
マイクロコントローラ10はデータバス27およびアドレスバス28を介してEEPROM11に接続されている。EEPROM(Electrical Erasable and Programmable Memory)とはここでは駆動電圧の遮断後にもその内容が失われず、メモリセルに複数回の書き込みが可能なタイプのメモリのことである。EEPROMはマイクロコントローラ10内に配置してもよく、その場合にはこれらをマイクロプロセッサと称する。
【0033】
EEPROM11の第3のメモリ領域31にはポインタP1〜P3が収容されている。ポインタP1〜P3はEEPROM11の第1のメモリ領域29または第2のメモリ領域30のいずれがその時点での記憶にとって妥当であるかを指示するデータセットである。有利にはポインタP1〜P3はビットポインタとして実現され、ステータス0または1を有する1ビットが必要なのみである。例えば1Byteのビットポインタを実現する場合、この情報は最下位ビットとして符号化される。
【0034】
図示の実施例では第1〜第3のポインタP1〜P3が示されている。3つのポインタのうちいずれが最新の情報を有するかは第2の開始ステップ51の後、ポインタP1〜P3に対するオフセットと、第1のメモリ領域29のデータセットメモリDA1〜DA3および第2のメモリ領域30のデータセットメモリDB1〜DB3のオフセットとによって得られる。
【0035】
ポインタP1〜P3のオフセットはポインタオフセットメモリOPから得られる。該当するポインタから該当するオフセットデータメモリOA,OBが結論される。そこから該当するメモリ、すなわち第1のメモリ領域29のデータセットメモリDA1〜DA3または第2のメモリ領域30のDB1〜DB3のアドレスが求められる。
【0036】
メモリを節約するためにオフセットメモリOA,OB,OPを省略することができる。前提として相応の区別が可能であれば、該当するアドレスをデータセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3から求めることができる。場合によってはデータセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3はリザーブされている全てのメモリスペースに問い合わせを行い、その内容を検査することもできる。
【0037】
オフセットの情報に基づいてどのポインタが最新の情報を有しているかを判別することができる。図示されているような3つのポインタP1〜P3のほか、EEPROM11内の位置の異なるさらに別のポインタを設けることができる。種々のポインタP1〜P3を設ける理由は、EEPROM内の同じメモリセルへのデータ書き込み可能な最大回数が制限されているためである。したがってポインタオフセットメモリOP内のオフセットまたはデータセットメモリDA1〜DA3またはDB1〜DB3から求められたオフセットは所定数のメモリ過程の後に次のポインタP1〜P3の指示する別の値へ変更される。いわばポインタP1〜P3はEEPROM11を“漂遊”する。
【0038】
同じメモリセルへの書き込み過程の最大数が制限されているため、1つだけではなく複数のデータセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3が設けられている。所定数のメモリ過程の後にはこれを他のデータセットメモリDA1〜DA3またはDB1〜DB3と交換しなければならない。ポインタP1〜P3と同様に、有利にはベースアドレスに基づいてデータオフセットメモリOA,OBに格納されていたオフセットが加えられる。第1のデータオフセットメモリOAは第1のメモリ領域29のデータセットメモリDA1〜DA3に対するオフセットを含み、第2のデータオフセットメモリOBは第2のメモリ領域30のデータセットメモリDB1〜DB3に対するオフセットを含む。オフセットデータメモリOA,OBを節約するために、格納されている情報を相互に区別することができるのであれば、相応の情報をデータセットメモリDA1〜DA3またはDB1〜DB3から得ることもできる。データセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3もいわばEEPROM11を“漂遊”する。
【0039】
格納されたデータセットからメモリ過程の回数を求める簡単な手段として、データセットをメモリ過程の前にインクリメントまたはデクリメントすることが挙げられる。以下の説明を解りやすくするために、第1のメモリ領域29の第1のデータセットメモリDA1と第2のメモリ領域30の第1のデータセットメモリDB1のみを取り上げる。プログラムシーケンスに依存してプロセッサコア17はデータセットに1単位(例えば1bit)を加え、このようにして定められた新たなデータセットを第1のデータセットメモリDA1,DB1のいずれか、ポインタP1が妥当でないと指示しているほうのメモリに記憶する。ポインタP1〜P3についても以下ではポインタP1のみについて説明する。そして最後に記憶されたデータセットをプロセッサコア17はポインタP1が妥当であると指示しているほうのメモリ領域のデータセットメモリDA1またはDB1から読み出す。有利にはこのデータセットはマイクロコントローラ10のRAMメモリ23に格納される。データセットメモリ23のほか、有利にはポインタメモリ24、データオフセットメモリ25およびポインタオフセットメモリ26もRAMメモリとして設けられている。
【0040】
第1のステップ54において妥当とされなかったほうのメモリ領域29または30の第1のデータセットメモリDA1またはDB1にデータセットが記憶され、続いて第2のステップ55においてポインタP1が新たな値へ変更される。これにより最後にデータセットが書き込まれたほうのメモリ領域29または30が妥当なメモリ領域となる。
【0041】
この実施例で示したような2つのメモリ領域29,30に代えてさらに別のメモリ領域を設けることもできる。ただしこの実施例でのように2つのメモリ領域を設けるのみとしてポインタP1〜P3をビットポインタとして実現すると有利である。ポインタは最も簡単には論理0または1を表す1bitを有していればよい。
【0042】
そののち第1のステップ54および第2のステップ55が循環的に処理される。いずれかの時点、例えばスイッチ14の開放の時点で、エラーを有する値がデータセットメモリDA1に格納された場合、1つ前のサイクルで他方のデータセットメモリDB1に格納されたデータセットが使用される。なぜならビットポインタP1が正しい内容を有する妥当な旧のデータセットメモリを指示するからである。
【0043】
メモリ過程でポインタにエラーを生じても、データセットメモリDA1、DB1のデータには影響はない。
【0044】
スイッチ14または他のイベントによって給電線路13での駆動電圧が遮断された後にはリセット回路12がアクティブとなり、リセット信号16が形成される。マイクロコントローラ10が初期化されると、前述の第3の開始ステップ52でポインタP1が読み出され、第4の開始ステップ53で妥当なメモリ領域の第1のデータセットメモリからデータセットが読み出される。これ以降のプログラムシーケンスはこれを基礎として行われる。
【0045】
特に有利な実施例では本発明は駆動時間カウンタにおいて使用される。このためにデータセットメモリDA1〜DA3,DB1〜DB3へのデータセットの記憶を固定の時間で行うタイマ21が設けられている。クロックはマイクロコントローラ10によって有利には水晶発振器であるクロックジェネレータ19およびタイマ21を介して定められる。例えば10sのクロックにより3Byteのバイナリのメモリセルを有するカウンタを用いて最大で約46603時間の時間設定を行うことができる。前述した10sごとにデータセットの記憶を行う実施例では1つのデータセットメモリに許容されるメモリ過程の最大回数は例えば10000回であり、駆動持続時間として見るとたった28時間程度となってしまう。ここで複数のデータセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3を設けることにより相応に複数のデータセットメモリがリザーブされ、前述のように約46603時間の時間設定が実現される。
【0046】
エラーを起こしたメモリ過程で発生しうるデータの欠落は本発明の駆動時間カウンタでは回避される。データセットメモリDA1〜DA3およびDB1〜DB3を第1のメモリ領域29および第2のメモリ領域30へ分割することにより、つねに正しい駆動時間を有するデータセットを使用することができる。
【0047】
本発明の方法は特に車両内に組み込まれる装置に適している。こうした適用分野では少なくとも車両の停止状態において回路装置を駆動するためのエネルギ量が制限されているので、スイッチ14を介した回路装置の完全な遮断を行えることが望ましい。本発明の方法によれば、EEPROM11の所定のメモリセルについてのメモリ過程の許容回数から独立に、任意に駆動時間を設定することができる。本発明の方法によればさらに、完全な停止によって遮断が起こり、EEPROM11へのメモリ過程にデータのエラーが生じうるときにも確実な回路装置の駆動が可能となる。本発明は車両で有利には空気品質センサにおいて適用され、駆動時間カウンタを短期および長期の信号補正のために使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【0048】
【図1】本発明の回路装置のブロック図である。
【0049】
【図2】本発明の方法のフローチャートである。
Claims (11)
- マイクロコントローラ(10)およびEEPROM(11)を含む回路装置の駆動方法において、
EEPROM(11)内の1つのデータセットメモリ(DA1,DA2,DA3,DB1,DB2,DB3)へのメモリ過程が所定回数経過した後にデータセットを他のデータセットメモリへ記憶する
ことを特徴とする回路装置の駆動方法。 - オフセットデータの記憶部を設け、そこからデータセットメモリ(DA1〜DA3,DB1〜DB3)のアドレスを求める、請求項1記載の方法。
- メモリ過程の回数をデータセットから求める、請求項1または2記載の方法。
- オフセットデータはデータセットメモリ(DA1〜DA3,DB1〜DB3)に記憶されたデータセットと同一である、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- EEPROM(11)内にデータセットメモリ(DA1〜DA3,DB1〜DB3)に対する第1のメモリ領域(29)と少なくとも1つの第2のメモリ領域(30)とを設け、
妥当なメモリ領域(29または30)を示すポインタ(P1〜P3)を含む第3のメモリ領域を設け、
マイクロコントローラ(10)により第1のステップ(54)で妥当でないとされたメモリ領域(29または30)内にデータセットを記憶し、
続いて第2のステップ(55)でポインタ(P1〜P3)を変更して妥当でないとされたメモリ領域(29または30)を妥当なメモリ領域とし、
前記第1のステップ(54)および前記第2のステップ(55)を循環的に繰り返す、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。 - マイクロコントローラ(10)により、リセット後、前記第1のステップ(54)および前記第2のステップ(54)の前の1つの開始ステップ(52)でポインタ(P1〜P3)を読み出し、別の開始ステップ(53)で妥当なメモリ領域(29または30)からデータセットを読み出す、請求項5記載の方法。
- データセットを記憶前にインクリメントまたはデクリメントする、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- タイマ(21)で定められた時間が経過するごとにデータセットを記憶する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- データセットは駆動時間カウンタに相応する、請求項8記載の方法。
- 車両内の装置に用いられることを特徴とする請求項1から9までのいずれか1項記載の回路装置の駆動方法の使用。
- 空気品質センサで使用される、請求項10記載の使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10144617A DE10144617A1 (de) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | Verfahren zum Betreiben einer Schaltungsanordnung, die einen Mikrocontroller und ein EEPROM enthält |
PCT/DE2002/003088 WO2003025754A2 (de) | 2001-09-11 | 2002-08-23 | Verfahren zum betreiben einer schaltungsanordnung, die einen mikrocontroller und ein eeprom enthält |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005502973A true JP2005502973A (ja) | 2005-01-27 |
Family
ID=7698564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003529316A Pending JP2005502973A (ja) | 2001-09-11 | 2002-08-23 | マイクロコントローラおよびeepromを含む回路装置の駆動方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040237008A1 (ja) |
EP (1) | EP1425669A2 (ja) |
JP (1) | JP2005502973A (ja) |
KR (1) | KR20040031069A (ja) |
DE (1) | DE10144617A1 (ja) |
WO (1) | WO2003025754A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007046192A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | 燃料電池制御回路 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005338926A (ja) | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Toshiba Corp | 携帯可能電子装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6230233B1 (en) * | 1991-09-13 | 2001-05-08 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
ATA80592A (de) * | 1992-04-21 | 1995-06-15 | Vaillant Gmbh | Verfahren zum optimalen ausnutzen der speicherkapazität eines eeprom |
US5561632A (en) * | 1994-01-26 | 1996-10-01 | Sony Corporation | Nonvolatile semiconductor flash memory |
JPH10188584A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-07-21 | Nec Eng Ltd | 記憶制御装置 |
DE19716520B4 (de) * | 1997-04-19 | 2007-04-19 | Robert Bosch Gmbh | Als Schaltung ausgebildete Vorrichtung zur Erfassung von Betriebsgrößen von Elektromotoren sowie Elektromotor |
FR2787601A1 (fr) * | 1998-12-22 | 2000-06-23 | Gemplus Card Int | Systeme de memorisation comprenant des moyens de gestion d'une memoire avec anti-usure et procede de gestion anti-usure d'une memoire |
DE10143142A1 (de) * | 2001-09-04 | 2003-01-30 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Betreiben einer Schaltungsanordnung, die einen Mikrocontroller und ein EEPROM enthält |
-
2001
- 2001-09-11 DE DE10144617A patent/DE10144617A1/de not_active Ceased
-
2002
- 2002-08-23 US US10/489,410 patent/US20040237008A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-23 WO PCT/DE2002/003088 patent/WO2003025754A2/de not_active Application Discontinuation
- 2002-08-23 JP JP2003529316A patent/JP2005502973A/ja active Pending
- 2002-08-23 KR KR10-2004-7003509A patent/KR20040031069A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-08-23 EP EP02798673A patent/EP1425669A2/de not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007046192A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | 燃料電池制御回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040237008A1 (en) | 2004-11-25 |
EP1425669A2 (de) | 2004-06-09 |
KR20040031069A (ko) | 2004-04-09 |
DE10144617A1 (de) | 2003-01-30 |
WO2003025754A3 (de) | 2003-10-16 |
WO2003025754A2 (de) | 2003-03-27 |
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